有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導致整體出光性能較低。

【發(fā)明內容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由三兀摻雜層和鐵鹽摻雜層組成，所述三元摻雜層包括二氧化鈦，鎂的化合物材料和發(fā)光材料組成，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂及硫化鎂中至少一種，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -聯苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鐵鹽摻雜層包括鐵鹽材料及摻雜在所述鐵鹽材料中的有機硅小分子材料，所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種，所述有機娃小分子材料的能隙為-3.5eV?-5.5eV。
[0006]所述鐵鹽摻雜層的厚度為1nm?30nm,所述三元摻雜層的厚度為10nm?300nmo
[0007]所述鐵鹽摻雜層中所述有機硅小分子材料與所述鐵鹽材料的質量比為2:0.1?5:0.1，所述三元摻雜層中所述二氧化鈦，鎂的化合物材料和發(fā)光材料的質量比為(0.1?0.5): (3 ?10):1。
[0008]所述有機娃小分子材料選自二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二 (三苯基娃)苯、1，3_雙(三苯基娃)苯及P-雙(三苯基娃)苯中至少一種。
[0009]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由三元摻雜層和鐵鹽摻雜層組成，在所述玻璃基底表面采用電子束蒸鍍制備三元摻雜層，所述三元摻雜層包括二氧化鈦，鎂的化合物材料和發(fā)光材料組成，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂及硫化鎂中至少一種，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，在所述三元摻雜層表面通過熱阻蒸鍍制備鐵鹽摻雜層，所述鐵鹽摻雜層包括鐵鹽材料及摻雜在所述鐵鹽材料中的有機硅小分子材料，所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種，所述有機硅小分子材料的能隙為-3.5eV?-5.5eV ；
[0011]在所述散射層表面磁控濺射制備陽極，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物 '及
[0012]在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
[0013]所述有機娃小分子材料選自二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二 (三苯基娃)苯、1，3_雙(三苯基娃)苯及P-雙(三苯基娃)苯中至少一種。
[0014]所述鐵鹽摻雜層的厚度為1nm?30nm,所述三元摻雜層的厚度為10nm?300nmo
[0015]所述鐵鹽摻雜層中所述有機硅小分子材料與所述鐵鹽材料的質量比為2:0.1?5:0.1，所述三元摻雜層中所述二氧化鈦，鎂的化合物材料和發(fā)光材料的質量比為(0.1?0.5): (3 ?10):1。
[0016]所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X10_3?5X10_5Pa，工作電流為IA?5A,有機材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?1nm/sο
[0017]所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X10_3Pa?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s，
[0018]上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，在陽極與玻璃基底之間制備散射層，散射層由三元摻雜層和鐵鹽摻雜層組成，所述三元摻雜層包括二氧化鈦，鎂的化合物材料和發(fā)光材料組成，二氧化鈦比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側發(fā)射的光可以回到中間，鎂的化合物材料的功函數較低，可提高空穴的注入能力，發(fā)光材料為熒光發(fā)光材料與發(fā)光層的材料一致，可對發(fā)光光色進行補充，提高光色純度，有效提高發(fā)光效率，使發(fā)光顏色穩(wěn)定，衰減速度降低，鐵鹽摻雜層為鐵鹽材料和有機硅小分子材料組成，鐵鹽材料具有大量的游離電子，可提高有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸速率，有機硅小分子材料為寬能隙的材料，有機硅小分子材料的HOMO能級很低，可提高空穴的注入能力，而有機硅小分子材料的LUMO能級很高，可阻擋電子的傳輸，避免了電子到達陽極與空穴復合產生漏電流，同時，有機硅小分子材料的玻璃化轉變溫度都很低(50°C以下)極易結晶，結晶后的晶體結構對光有散射作用，加強光的散射，從而有機電致發(fā)光器件的壽命較長。
【附圖說明】
[0019]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0020]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結構中散射層結構示意圖；
[0021]圖3為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關系圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0023]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底10、散射層20、陽極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0024]玻璃基底10為折射率為1.8?2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底10 優(yōu)選為牌號為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0025]參考圖2所不散射層20形成于玻璃基底10的一側表面。散射層20由三兀摻雜層201和鐵鹽摻雜層202組成，所述三元摻雜層201包括二氧化鈦(T12),鎂的化合物材料和發(fā)光材料組成，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂(MgF2X氧化鎂(MgO)及硫化鎂(MgS)中至少一種，所述發(fā)光材料選自:4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中至少一種，所述鐵鹽摻雜層202包括鐵鹽材料及摻雜在所述鐵鹽材料中的有機硅小分子材料，所述鐵鹽材料選自氯化鐵(FeCl3)、溴化鐵(FeBr3)及硫化鐵(Fe2S3)至少一種，所述有機硅小分子材料的能隙為-3.5eV ?-5.5eV0
[0026]所述鐵鹽摻雜層202的厚度為1nm?30nm，所述三元摻雜層201的厚度為10nm ?300nm。
[0027]所述鐵鹽摻雜層202中所述有機硅小分子材料與所述鐵鹽材料的質量比為2:0.1?5:0.1，所述三元摻雜層201中所述二氧化鈦，鎂的化合物材料和發(fā)光材料的質量比為(0.1 ?0.5): (3 ?10):1。
[0028]所述有機娃小分子材料選自二二苯基二(O-甲苯基)娃(UGH1)、p-二(三苯基娃)苯(UGH2 )、I，3-雙(三苯基硅)苯(UGH3 )及p-雙(三苯基硅)苯(UGH4 )中至少一種。
[0029]陽極30形成于散射層20的表面。陽極30的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極30的厚度為80nm?300nm，厚度優(yōu)選為lOOnm。
[0030]空穴