TPBi，厚度為200nm ;蒸鍍電子注入層、材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為10nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0078]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lnm/s。磁控濺射的加速電壓:800V，磁場(chǎng)約:200G，功率密度:lW/cm2。
[0079]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0080]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，電流為5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0081]實(shí)施例4
[0082]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/CuO: CaF2: BCzVBi/Au/1T0/V205/NPB/BCzVBi/TAZ/CsN3/A1的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0083]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層由三元摻雜層和金屬材料層組成，在玻璃基板表面采用電子束蒸鍍制備三元摻雜層，材料為CuO: CaF2: BCzVBi，CuO, CaF2與BCzVBi的質(zhì)量比為3:6:0.1，厚度為70nm，電子束蒸鍍的能量密度為60W/cm2，在三元摻雜層表面采用熱阻蒸鍍制備金屬材料層，材料為Au，厚度lOOnm。然后在散射層上制備IT0，厚度為180nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為T(mén)AZ，厚度為35nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3，厚度為Inm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0084]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.6nm/s,金屬的蒸鍍速率為6nm/s。磁控派射的加速電壓:600V,磁場(chǎng)約:100G，功率密度:30W/cm2。
[0085]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0086]熱阻束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，電流為2A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0087]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由三元摻雜層和金屬材料層組成，所述三元摻雜層包括銅的化合物材料，鈣的化合物材料和發(fā)光材料，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述金屬材料層材料的功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述三元摻雜層的厚度為40nm?10nm,所述金屬材料層的厚度為50nm?150nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述三元摻雜層中所述銅的化合物材料，鈣的化合物材料與發(fā)光材料之間的質(zhì)量比為(2?5):(3?20):0.1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由三元摻雜層和金屬材料層組成，在所述玻璃基底表面采用電子束蒸鍍制備三元摻雜層，所述三元摻雜層包括銅的化合物材料，鈣的化合物材料和發(fā)光材料，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，在所述三元摻雜層表面通過(guò)熱阻蒸鍍制備所述金屬材料層，所述金屬材料層材料的功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV ； 在所述散射層表面磁控濺射制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物 '及 在所述陽(yáng)極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述三元摻雜層的厚度為40nm?10nm,所述金屬材料層的厚度為50nm?150nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述三元摻雜層中所述銅的化合物材料，鈣的化合物材料與發(fā)光材料之間的質(zhì)量比為(2?5):(3?20):0.I。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為1W/cm2?100W/cm2,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s ?10nm/so
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，電流為IA?5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
【專(zhuān)利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由三元摻雜層和金屬材料層組成，所述三元摻雜層包括銅的化合物材料，鈣的化合物材料和發(fā)光材料，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述金屬材料層材料的功函數(shù)為-4.0eV～-5.5eV。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類(lèi)】H01L51-56, H01L51-52, H01L51-54, H01L51-50
【公開(kāi)號(hào)】CN104659236
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310607337
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平
【申請(qǐng)人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年11月25日