控制單元的實(shí)現(xiàn)。
[0171]在許多實(shí)施例中，一三維陣列裝置如存儲(chǔ)器裝置，該三維陣列裝置包括了一多層圖案化的半導(dǎo)體材料，每一圖案化層包括了多條由半導(dǎo)體材料形成的并行線，這些并行線一端連接至一半導(dǎo)體墊的第一側(cè)，這些半導(dǎo)體墊連接至在一疊層內(nèi)設(shè)置的多層圖案化層，每一半導(dǎo)體墊皆包括了一連接層間導(dǎo)體的著陸區(qū)，這些層間導(dǎo)體連接至一內(nèi)連接覆蓋導(dǎo)體(overlying inter-connect conductor),該內(nèi)連接覆蓋導(dǎo)體沿著半導(dǎo)體材料的并行線方向排列。由上方俯視，這些層間導(dǎo)體沿橫列方向排列且位于一被絕緣層包覆的通孔結(jié)構(gòu)內(nèi)，每一列皆沿著X方向排列且平行于第一側(cè)。在其他實(shí)施例中，該層間導(dǎo)體可沿Y方向部分偏置，其垂直于X方向。在其他實(shí)施例中，這些著陸區(qū)可形成多種階梯式排列，如圖6與圖43所繪示。
[0172] 綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)的形成方法，包括: 形成一由多個(gè)有源層與多個(gè)絕緣層交替的疊層，包括: 形成包括N個(gè)有源層的一第一子疊層，該N個(gè)有源層被這些絕緣層分開，該N個(gè)有源層包括一上邊界有源層； 形成一第二子疊層于該第一子疊層之上，該第二子疊層包括M個(gè)有源層，該M個(gè)有源層被這些絕緣層分開，該M個(gè)有源層包括一上邊界有源層；且 形成一第一子疊層絕緣層位于該第一子疊層與該第二子疊層之間，在一已知刻蝕步驟中該第一子疊層絕緣層具有一不同于該第二子疊層內(nèi)的這些絕緣層的多個(gè)刻蝕時(shí)間的刻蝕時(shí)間； 接通這些上邊界有源層； 接續(xù)這些上邊界有源層的接通步驟，接通該第一子疊層與該第二子疊層的其余這些有源層，并于該第一子疊層與該第二子疊層的這些有源層上產(chǎn)生階梯式結(jié)構(gòu)的多個(gè)著陸區(qū)(landing area);以及 形成延伸至這些著陸區(qū)的多個(gè)層間導(dǎo)體，這些層間導(dǎo)體由絕緣材料各自分開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其中該疊層形成步驟包括: 形成一包括第一子疊層、第二子疊層、第三子疊層及第四子疊層的疊層； 形成一第二子疊層絕緣層于該第二子疊層與該第三子疊層之間；以及 形成一第三子疊層絕緣層于該第三子疊層與該第四子疊層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其中各該第一、第二、第三以及第四子疊層包括相同數(shù)量的有源層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其中該第一、第二、第三以及第四子疊層的這些絕緣層，皆有相同的厚度并以一第一絕緣材料所制成； 該第一、第二以及第三子疊層絕緣層分別由一第二絕緣材料、一第三絕緣材料以及一第四絕緣材料所制成；且 該第二、第三以及第四絕緣材料的至少其中兩者，為不同絕緣材料且具有不同刻蝕性質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其中: 在各該第一、第二、第三以及第四子疊層之中的這些絕緣層，在一已知刻蝕工藝中有相同的刻蝕時(shí)間；且 在該已知刻蝕工藝中，在各該第一、第二、第三以及第四子疊層絕緣層，有不同于該第一、第二、第三以及第四子疊層之中的這些絕緣層的刻蝕時(shí)間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成方法，其中在該已知刻蝕工藝中，該第一和第三子疊層絕緣層有相同的刻蝕時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其中: 這些上邊界有源層的接通步驟，包括: 在一個(gè)或多個(gè)刻蝕步驟中，選擇其中一子疊層的這些上邊界有源層的一區(qū)域，并顯露該區(qū)域；且 其余這些有源層的接通步驟包括: 對(duì)這些上邊界有源層被顯露的該區(qū)域進(jìn)行刻蝕步驟，使被選擇的該子疊層的這些上邊界有源層之下的多個(gè)有源層顯露出來(lái)； 使用一材料覆蓋被顯露的這些有源層，且包括覆蓋這些上邊界有源層；以及 對(duì)該材料刻蝕成孔，以使被選擇的該子疊層的這些有源層被顯露出來(lái)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成方法，其中: 該一個(gè)或多個(gè)刻蝕步驟中，這些上邊界有源層被顯露的區(qū)域產(chǎn)生了一階梯式結(jié)構(gòu)的這些區(qū)域；且 執(zhí)行被顯露的這些區(qū)域的刻蝕步驟，以產(chǎn)生一階梯式結(jié)構(gòu)的層間導(dǎo)體接觸窗區(qū)域于這些有源層上。
9.一種接觸窗結(jié)構(gòu)的形成方法，包括: 形成一由多個(gè)有源層和多個(gè)絕緣層交替的疊層，該疊層包括具有上邊界有源層的多個(gè)子疊層，這些子疊層具有絕緣層和多個(gè)有源層對(duì)在上邊界有源層之下，該絕緣層與這些有源層對(duì)構(gòu)成多個(gè)第一層對(duì)(first layer pairs),這些第一層對(duì)在該已知刻蝕工藝中有多個(gè)一致的第一子疊層刻蝕時(shí)間，該疊層也包括多個(gè)第二層對(duì)，這些第二層對(duì)包括多個(gè)子疊層絕緣層，這些子疊層絕緣層位于這些子疊層之間，該第二層對(duì)在該已知刻蝕工藝中有多個(gè)第二子疊層刻蝕時(shí)間，其相異于這些第一子疊層刻蝕時(shí)間； 在一個(gè)或多個(gè)刻蝕步驟中，經(jīng)過(guò)刻蝕，使疊層產(chǎn)生多個(gè)開口，這些開口的刻蝕深度止于這些上邊界有源層； 深度刻蝕被選定的這些開口以形成多個(gè)通孔，這些通孔顯露各該子疊層內(nèi)的多個(gè)有源層；且 形成多個(gè)層間導(dǎo)體: 在這些通孔中，這些層間導(dǎo)體延伸至這些有源層；且 在這些開口未被進(jìn)行深度刻蝕的過(guò)程中，這些層間導(dǎo)體延伸至這些上邊界有源層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其中該疊層形成步驟包括形成一包含第一子疊層、第二子疊層以及第三子疊層的疊層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成方法，其中各該第一、第二以及第三子疊層包括了相同數(shù)量的多個(gè)第一層對(duì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成方法，其中 該第一、第二以及第三子疊層中的這些絕緣層，由一第一絕緣材料所制成； 在該第一以及第二子疊層之間的該子疊層絕緣層由一第二絕緣材料所制成；且在該第二以及第三子疊層之間的該子疊層絕緣層由一第三絕緣材料所制成；在該第一、第二以及第三絕緣材料中至少兩種為不同材料且具有不同的刻蝕性質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其中每一子疊層包括至少三組第一層對(duì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，進(jìn)一步包括: 形成側(cè)壁絕緣層于這些通孔中；且 在這些開口未被進(jìn)行深度刻蝕的過(guò)程中，形成側(cè)壁絕緣層于這些開口中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成方法，其中 在這些通孔及未被進(jìn)行深度刻蝕的這些開口內(nèi)形成層間導(dǎo)體的步驟，同時(shí)進(jìn)行。
16.一種階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)，包括: 一由多個(gè)有源層與多個(gè)絕緣層交替的疊層，該疊層為非簡(jiǎn)單排列； 一位于這些有源層上的階梯式結(jié)構(gòu)的多個(gè)著陸區(qū)；且 多個(gè)層間導(dǎo)體延伸至這些著陸區(qū)，這些層間導(dǎo)體之間被絕緣材料分開。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)，其中這些有源層與這些絕緣層交替的該疊層包括: 一第一子疊層，包括N個(gè)有源層，這些有源層由多個(gè)絕緣層分開，該N個(gè)有源層包括一上邊界有源層； 一第二子疊層位于該第一子疊層之上，該第二子疊層包括M個(gè)有源層，該M個(gè)有源層由多個(gè)絕緣層分開，該M個(gè)有源層包括一上邊界有源層；以及 一第一子疊層絕緣層位于該第一與第二子疊層之間，該第一子疊層絕緣層在一已知刻蝕步驟中，有不同于該第二子疊層中的這些絕緣層的多個(gè)刻蝕時(shí)間的一刻蝕時(shí)間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)，其中該疊層包括: 一第三與第四子疊層； 一第二子疊層絕緣層位于該第二與第三子疊層之間； 一第三子疊層絕緣層位于該第三與第四子疊層之間；且 在該第一、第二、第三與第四子疊層中的這些絕緣層有相同的厚度且由一第一絕緣材料所制成； 該第一、第二、第三與第四子疊層絕緣層由一第二絕緣材料、一第三絕緣材料及一第四絕緣材料所制成；且 在該第一、第二、第三以及第四絕緣材料中的至少兩種為不同材料且具有不同的刻蝕性質(zhì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)，其中: 在該第一、第二、第三與第四子疊層中的這些絕緣層在一已知刻蝕工藝中有一相同的刻蝕時(shí)間；且 在該已知刻蝕工藝中，各該第一、第二、第三以及第四子疊層絕緣層，有不同于該第一、第二、第三以及第四子疊層中的這些絕緣層的刻蝕時(shí)間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)，其中該第一與第三子疊層絕緣層在該已知刻蝕工藝中的刻蝕時(shí)間相同。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)，其中(I)這些有源層之間的刻蝕時(shí)間不同，或(2)這些絕緣層之間的刻蝕時(shí)間不同，至少其中之一經(jīng)過(guò)相同的刻蝕工藝。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種接觸窗結(jié)構(gòu)及其形成方法，該階梯式接觸窗結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成一由多個(gè)有源層與多個(gè)絕緣層交替的疊層，此疊層包括一第一子疊層與一第二子疊層，各子疊層的有源層被這些絕緣層分開；各子疊層的有源層包括一上邊界有源層；一子疊層絕緣層形成于第一子疊層與第二子疊層之間；在一已知刻蝕步驟中，子疊層絕緣層具有一不同于絕緣層的刻蝕時(shí)間的刻蝕時(shí)間；接通這些上邊界有源層；接續(xù)上述接通步驟，接通其余這些有源層，并于這些有源層上產(chǎn)生一階梯式結(jié)構(gòu)的著陸區(qū)；形成延伸至這些著陸區(qū)的層間導(dǎo)體，這些層間導(dǎo)體由絕緣材料各自分開。
【IPC分類】H01L21-768, H01L23-522, H01L27-112
【公開號(hào)】CN104576597
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310518642
【發(fā)明人】陳士弘
【申請(qǐng)人】旺宏電子股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年10月29日