的寬度逐漸增大。
[0036]因?yàn)楣に嚰庸み^程中，晶片由中心位置到邊緣的溫度逐漸降低，所以，將設(shè)置在凸臺上的環(huán)形凹槽的寬度從邊緣到中心方向上逐漸增大更有利于晶片在工藝過程中溫度的均衡性，使晶片邊緣和晶片中心具有相同的工藝結(jié)果。
[0037]在其他實(shí)施例中，從所述環(huán)形槽到所述環(huán)形槽的圓心方向上環(huán)形分布的環(huán)形凹槽310的寬度也可逐漸減小或者保持不變。
[0038]作為一種可實(shí)施方式，在所述凸臺從邊緣到中心方向上，各環(huán)形凹槽之間的距離逐漸縮小。
[0039]同樣的，在從凸臺邊緣到中心方向上逐漸增大環(huán)形凹槽寬度的同時(shí)，也可逐漸縮小相鄰環(huán)形凹槽之間的距離，從而也起到均衡晶片工藝溫度的作用，保證晶片周圍和中間具有相同的工藝結(jié)果。
[0040]作為一種可實(shí)施方式，所述凹槽的深度大于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片厚度的50%，且小于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片厚度的8倍。
[0041]較佳地，作為一種可實(shí)施方式，所述凹槽的深度等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工晶片厚度的2倍。
[0042]在凸臺上設(shè)置深度等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工晶片的厚度2倍的凹槽，所述凹槽便于工藝氣體的流通，且凹槽制作加工簡單。
[0043]作為一種可實(shí)施方式，所述凹槽的寬度大于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片直徑的1%，且小于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片直徑的30%。
[0044]較佳地，作為一種可實(shí)施方式，所述凹槽的寬度等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片直徑的3%。
[0045]為保證工藝加工過程中晶片溫度的均勻性，設(shè)置在凸臺上的凹槽寬度不宜過寬或者過窄，較佳地，可設(shè)置徑向凹槽的寬度為加工晶片直徑的3%。因此，設(shè)置徑向凹槽的寬度為加工晶片直徑的3%。環(huán)形凹槽的寬度隨位置不同而有所變化。
[0046]作為另一種可實(shí)施方式，如圖4所示，所述凹槽300包括與所述環(huán)形槽連通的第二徑向凹槽330，以及與至少一個(gè)所述第二徑向凹槽相連通的均勻分布在所述第二徑向凹槽周圍的直槽340。
[0047]如圖4中所示，有4條第二徑向凹槽圍成4個(gè)扇形區(qū)域，在4個(gè)扇形區(qū)域內(nèi)設(shè)置有直槽，直槽均勻分布在所述第二徑向凹槽周圍，另外4條第二徑向凹槽分別平分所述扇形區(qū)域，且連通所在扇形區(qū)域內(nèi)的直槽及環(huán)形槽。
[0048]如環(huán)形凹槽效果相類似，如此設(shè)置可降低晶片中心位置的溫度，且工藝氣體也可起到均勻傳遞熱量的作用，使晶片加工工藝過程中各部分溫度更均勻，避免晶片邊緣與中間工藝結(jié)果不同。
[0049]較佳地，作為一種可實(shí)施方式，從所述環(huán)形槽到所述環(huán)形槽的圓心方向上，所述直槽長度和寬度逐漸增大或者減小。
[0050]可在從所述環(huán)形槽到所述環(huán)形槽的圓心方向上調(diào)整直槽的長度和寬度，使靠近凸臺中心位置的直槽面積更大。
[0051]靠近晶片中心位置處直槽的面積更大可以解決晶片加工過程中中心溫度過高的問題，使溫度更均衡。較佳地，作為一種可實(shí)施方式，所述多個(gè)凹槽的總面積為所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片面積的30%。
[0052]為了保證晶片的正常支撐，在凸臺上設(shè)置凹槽的面積不宜過大，較佳地，多個(gè)凹槽的總面積為所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片面積的30%時(shí)，凹槽可起到良好的溫度均衡的作用，且能保證加工晶片的正常支撐。
[0053]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，包括環(huán)形槽及凸臺，其特征在于，在凸臺表面設(shè)置有多個(gè)凹槽； 所述多個(gè)凹槽中的至少一個(gè)凹槽與所述環(huán)形槽連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片厚度的50%，且小于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片厚度的8倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工晶片厚度的2倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的寬度大于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片直徑的1%，且小于等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片直徑的30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的寬度等于所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片直徑的3%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)凹槽的總面積為所述托盤結(jié)構(gòu)用于加工的晶片面積的30%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽包括環(huán)形凹槽和第一徑向凹槽； 所述環(huán)形凹槽在所述凸臺表面成環(huán)形均勻分布，與所述環(huán)形槽同心，其直徑小于所述環(huán)形槽直徑； 所述第一徑向凹槽穿過所述環(huán)形槽和所述環(huán)形凹槽的圓心并連通所述環(huán)形槽和所述環(huán)形凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，從所述環(huán)形槽到所述環(huán)形槽的圓心方向上環(huán)形分布的所述環(huán)形凹槽的寬度逐漸增大或減小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽包括與所述環(huán)形槽連通的第二徑向凹槽，以及與至少一個(gè)所述第二徑向凹槽相連通的均勻分布在所述第二徑向凹槽周圍的直槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述直槽和與其連通的第二徑向凹槽垂直。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，從所述環(huán)形槽到所述環(huán)形槽的圓心方向上，所述直槽長度和寬度逐漸增大或者減小。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，包括環(huán)形槽及凸臺，在凸臺表面設(shè)置有多個(gè)凹槽；多個(gè)凹槽中的至少一個(gè)凹槽與所述環(huán)形槽連通。本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備中的托盤結(jié)構(gòu)，通過在放置晶片的圓形槽中的凸臺表面設(shè)置凹槽，凹槽在工藝加工過程中不與晶片接觸，從而降低晶片在工藝加工過程中中心區(qū)域的溫度。同時(shí)工藝氣體在凹槽內(nèi)運(yùn)行，為晶片傳遞熱量，使整個(gè)晶片在工藝加工過程中的溫度更均衡。避免由于溫度不均勻造成的晶片周圍和中間工藝結(jié)果不同。
【IPC分類】H01L21-683
【公開號】CN104576484
【申請?zhí)枴緾N201310475745
【發(fā)明人】榮延棟, 武學(xué)偉
【申請人】北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月12日