Rfldmos器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種射頻橫向擴(kuò)散金 屬氧化物半導(dǎo)體（RFLDMOS)器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)有RFLDMOS工藝流程中，為了改善RFLDMOS器件輸出電容，提升器件射頻性 能，常常需要使用深達(dá)10微米的厚場氧層（G-Field)工藝來降低器件輸出電容，厚場氧層 是形成在漏端焊盤的正下方，當(dāng)厚場氧層的厚度增加后，漏極和襯底之間的介質(zhì)層厚度增 力口，所以漏極和襯底之間形成的寄生電容會減少，所以通過增加厚場氧層的厚度能降低器 件輸出電容。由于厚場氧層位于核心器件區(qū)域，我們不能直接采用熱氧化工藝來形成厚場 氧層?，F(xiàn)有技術(shù)中需要對厚場氧層進(jìn)行單獨(dú)制作，制作工藝步驟主要為：利用硬掩膜打開需 要形成厚場氧層的區(qū)域；在該區(qū)域中刻蝕形成多個深溝槽；進(jìn)行熱氧化層將厚場氧層的區(qū) 域中溝槽之間的硅氧化一部分；之后淀積多晶硅將深溝槽完全填滿；再采用熱氧化工藝對 多晶硅進(jìn)行氧化，最后在厚場氧層的區(qū)域形成包裹有硅的熱氧化層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)即為厚場 氧層，由于厚場氧層的厚度能夠由深溝槽的深度決定，所以厚場氧層能夠做的較厚。
[0003] 同時，為了提升RFLDMOS器件柵可靠性，改善柵源漏電（IGSS)失效率，現(xiàn)有技術(shù)中 需要在多晶硅柵引出的魚骨柵下面做一層墊氧化層，其中魚骨柵下面的墊氧化層和柵氧化 層鄰接且要求該墊氧化層的厚度大于柵氧化層的厚度，魚骨柵直接由延伸到墊氧化層上方 的多晶硅柵組成。所以現(xiàn)有技術(shù)中多晶硅柵和魚骨柵是同時形成的，但是柵氧化層和魚骨 柵下面的墊氧化層由于具有不同的厚度，兩者需要采用不同的工藝形成。現(xiàn)有技術(shù)中形成 墊氧化層的工藝包括：專門做一次較薄的局部場氧（L0C0S)工藝來形成墊氧化層；或者使 用雙柵氧化（DualGate0X)工藝來實現(xiàn)，即通過兩層氧化層的生長的方法，其中一層氧化 工藝專門淀積一層厚氧化層來作為墊氧化層。這兩種方法均會耗費(fèi)大量的工藝步驟。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中形成厚場氧層和形成魚骨柵下面的墊氧化層都是單獨(dú)進(jìn)行，各自需要 較多的工藝步驟，所以工藝復(fù)雜，制作成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種RFLDMOS器件的制造方法，能將魚骨柵下 的墊氧化層的工藝集成到厚場氧層的工藝中，能使魚骨柵下的墊氧化層制作工藝簡單，降 低工藝成本。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的RFLDMOS器件的制造方法包括如下步驟：
[0007] 步驟一、在一P型重?fù)诫s的硅襯底上形成P型外延層。
[0008] 步驟二、依次在所述P型外延層上形成第一墊氧化層和第二氮化硅層，由所述第 一墊氧化層和所述第二氮化硅層組成硬掩膜層。
[0009] 步驟三、采用光刻工藝定義出厚場氧層的形成區(qū)域，所述厚場氧層的形成區(qū)域位 于后續(xù)形成的漏端焊盤的正下方；將所述厚場氧層的形成區(qū)域的所述硬掩模層去除并露出 所述P型外延層表面。
[0010] 步驟四、采用光刻刻蝕工藝在所述厚場氧層的形成區(qū)域中進(jìn)行硅刻蝕并形成多個 深溝槽，所述深溝槽的底部深入到所述硅襯底中。
[0011] 步驟五、采用第一次熱氧化工藝對形成所述深溝槽后的所述厚場氧層的形成區(qū)域 中的硅進(jìn)行氧化并形成第三熱氧化層，所述第三熱氧化層位于所述深溝槽的底面和側(cè)面并 所述深溝槽之間的硅包裹起來，所述深溝槽中還留有間隙。
[0012] 步驟六、在形成所述第三熱氧化層的所述硅襯底正面淀積第四多晶硅層，所述第 四多晶硅層將所述深溝槽完全填充；采用回刻工藝將所述深溝槽外部的所述第四多晶硅層 去除。
[0013] 步驟七、采用光刻工藝定義出魚骨柵的形成區(qū)域，將所述魚骨柵的形成區(qū)域的所 述硬掩模層去除并露出所述P型外延層表面。
[0014] 步驟八、采用第二次熱氧化工藝對所述第四多晶硅層和所述魚骨柵的形成區(qū)域的 硅同時進(jìn)行氧化，所述第二次熱氧化工藝在所述第四多晶硅層的頂部形成第四熱氧化層、 在所述魚骨柵的形成區(qū)域形成第五熱氧化層。
[0015] 步驟九、采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝對形成所述第四熱氧化層和所述第五熱氧化層的 所述硅襯底進(jìn)行平坦化，由平坦化后的所述第四熱氧化層、所述第三熱氧化層以及包裹在 所述第四熱氧化層和所述第三熱氧化層中的硅組成所述厚場氧層；去除所述硬掩膜層。
[0016] 步驟十、依次形成RFLDM0S器件的柵氧化層和多晶硅柵，所述柵氧化層和所述第 五熱氧化層相鄰接，所述多晶硅柵延伸到所述第五熱氧化層上方，由延伸到所述第五熱氧 化層上方的所述多晶硅柵組成所述魚骨柵。
[0017] 步驟十一、形成所述RFLDM0S器件的P阱，N型漂移區(qū)，N+區(qū)組成的源區(qū)和漏區(qū)， P+區(qū)組成的P阱引出區(qū)。
[0018] 進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中形成的所述P型外延層的厚度為5微米?10微米。
[0019]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中形成的所述第一墊氧化層的厚度為100A?400A。
[0020] 進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中形成的所第二氮化硅層的厚度為1500A。
[0021]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟五中形成的所述第三熱氧化層的厚度為1. 5微米?3微米。
[0022] 進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟八中形成的所述第四熱氧化層和所述第五熱氧化層的厚度 都為0. 5微米?1微米。
[0023]進(jìn)一步的改進(jìn)是，還包括如下步驟：
[0024] 步驟十二、在所述源區(qū)、所述漏區(qū)、所述P阱引出區(qū)和所述多晶硅柵的表面形成金 屬硅化物，其中所述源區(qū)和所述P阱引出區(qū)表面的所述金屬硅化物連接在一起。
[0025] 步驟十三、淀積層間膜；采用光刻刻蝕工藝對所述層間膜進(jìn)行刻蝕并形成接觸孔， 并在所述接觸孔中填充金屬；所述接觸孔的底部分別和所述多晶硅柵、所述P阱引出區(qū)、所 述源區(qū)和所述漏區(qū)表面的所述金屬硅化物接觸。
[0026] 步驟十四、淀積金屬層，對所述金屬層進(jìn)行圖形化分別形成柵極、P阱引出電極、源 極和漏極，所述漏極通過所述漏端焊盤引出。
[0027]本發(fā)明能將魚骨柵下的墊氧化層的工藝集成到厚場氧層的工藝中，能使魚骨柵下 的墊氧化層即第五熱氧化層的制作工藝簡單，降低工藝成本。所以本發(fā)明采用簡單的工藝 就能同時制備具有厚場氧層和魚骨柵下的墊氧化層的RFLDM0S器件，其中厚場氧層位于漏 端焊盤正下方，能夠大大降低漏端和硅襯底之間的寄生電容，從而能夠改善器件的輸出電 容，提升器件的頻率特性；而魚骨柵下的墊氧化層能夠提升器件的柵可靠性，改善器件的 IGSS失效率。
【附圖說明】
[0028] 下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：
[0029] 圖1是本發(fā)明實施例方法的流程圖；
[0030] 圖2-圖8是本發(fā)明實施例方法的各步驟中的器件結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0031] 如圖1所示，是本發(fā)明實施例方法的流程圖；如圖2至圖8所示，是本發(fā)明實施例 方法的各步驟中的器件結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實施例RFLDM0S器件的制造方法包括如下步 驟：
[0032] 步驟一、如圖2所示，在一P型重?fù)诫s的硅襯底1上形成輕摻雜的P型外延層2。 較佳為，所述P型外延層2的厚度為為5微米?10微米。
[0033] 步驟二、如圖2所示，依次在所述P型外延層2上形成第一墊氧化層4和第二氮化 硅層5,由所述第一墊氧化層4和所述第二氮化硅層5組成硬掩膜層。較佳為，所述第一墊 氧化層4的厚度為l〇〇A?400A。所第二氮化硅層5的厚度為1500A。
[0034] 步驟三、如圖2所示，采用光刻工藝定義出厚場氧層的形成區(qū)域，所述厚場氧層的 形成區(qū)域位于后續(xù)形成的漏端焊盤的正下方；將所述厚場氧層的形成區(qū)域的所述硬掩模層 去除并露出所述P型外延層2表面。
[0035] 步驟四、如圖2所示，采用光刻刻蝕工藝在所述厚場氧層的形成區(qū)域中進(jìn)行硅刻 蝕并形成多個深溝槽3A，所述深溝槽3A的底部深入到所述硅襯底1中。
[0036] 步驟五、如圖3所示，采用第一次熱氧化工藝對