技術(shù)編號：8262163
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在現(xiàn)有RFLDMOS工藝流程中，為了改善RFLDMOS器件輸出電容，提升器件射頻性 能，常常需要使用深達(dá)10微米的厚場氧層（G-Field)工藝來降低器件輸出電容，厚場氧層 是形成在漏端焊盤的正下方，當(dāng)厚場氧層的厚度增加后，漏極和襯底之間的介質(zhì)層厚度增 力口，所以漏極和襯底之間形成的寄生電容會減少，所以通過增加厚場氧層的厚度能降低器 件輸出電容。由于厚場氧層位于核心器件區(qū)域，我們不能直接采用熱氧化工藝來形成厚場 氧層?，F(xiàn)有技術(shù)中需要對厚場氧層進(jìn)行單獨制作...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。