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光檢測裝置的制作方法

文檔序號:6816393閱讀:222來源:國知局
專利名稱:光檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光檢測裝置,特別地,但不是專門地,涉及用于篡改檢測應(yīng)用的光檢測裝置。
在一個半導(dǎo)體集成電路(IC)中,例如,一個銀行智能卡,如果該IC卡落在一個不誠實的人的手中,它就容易受到涉及安全的攻擊。該IC卡可以被進行反向操作,以顯示或者更改包含在該IC卡中的功能和信用數(shù)據(jù)。眾所周知,這樣一種IC已經(jīng)被解密封,甚至其上層保護層的鈍化可能已被去除。
US專利號4,952,796描述了包含一個電流發(fā)生器的一個電路,該電流發(fā)生器產(chǎn)生流向一個反偏晶體管結(jié)的電流。如果對該晶體管進行光照,在該結(jié)中的反向電流就增加,并且在該結(jié)的極上的電壓就降低。
這種結(jié)構(gòu)的一個問題是輸入光將在

圖1的晶體管11和2中產(chǎn)生反向電流,并且這個問題將影響在輸出端所檢測到的電壓降。進一步,上述電路的偏置和電流產(chǎn)生功能更容易受制造過程變化的影響。
應(yīng)該使電流消耗,特別是一個智能卡中的電流消耗,保持最小值,并且該反向電流反過來將影響該器件的電流消耗。最后,上述電路占據(jù)大部分有用的半導(dǎo)體區(qū)域,這對一個智能卡又是不利的,在智能卡中,空間的需求是非常珍貴的。
本發(fā)明的目的是提供一個光檢測裝置,以減輕上述不利因素。
根據(jù)本發(fā)明,提供了一個光檢測裝置,該光檢測裝置包括一個加偏晶體管,其作用是提供一個偏置電流;一個反偏晶體管,該反偏晶體管有被該偏置電流反偏的一個控制極以及有一個導(dǎo)電極;和,一個電阻,連接在一個供電電源和該反偏晶體管的導(dǎo)電極之間;其中從該反偏晶體管的導(dǎo)電極上的電壓降可以檢測到輸入的可見光。
這樣就提供了一個光檢測裝置,它可以不產(chǎn)生寄生反向電流,并且不容易受到制造過程變化的影響。
現(xiàn)在僅參考一個圖來描述本發(fā)明的一個示例性的實施方式,該單個圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個光檢測裝置的一個優(yōu)選實施方式。
參考該單個圖,顯示了一個光檢測裝置10,它被安排成與一個IC進行集成。
該裝置10包括一第一晶體管1,該晶體管1有連接到一個供電電壓Vdd的一個柵極,一個連接到一個接地極Vss的源極,和經(jīng)過一第一高阻抗電阻3連接到供電電壓Vdd的一個漏電極。這樣,該晶體管1被安排成提供下面將要描述的一個偏置電流。
該裝置10的一第二晶體管2有與該第一晶體管1的漏極相連的一個柵極,一個連接到一個接地板Vss的源極,和經(jīng)過一第二高阻抗電阻4連接到供電電壓Vdd的一個漏電極5,該漏電極5進一步連接到一個輸出端6。該高阻抗電阻4是一個未摻雜的多晶硅電阻。
在工作中,通過接收從該第一晶體管的漏電極來的偏置電流,該晶體管2的柵極被安排成為反向偏置。
當(dāng)該晶體管2的漏電極5被輸入可見光照射時,就在該漏電極5與接地極Vss之間產(chǎn)生一個較小的反向電流。這個小電流降低了漏電極5上的電壓,并且這個電壓降可以被連接到輸出端6的電路結(jié)構(gòu)(沒有顯示出來)所檢測出來。
因為該第二高阻抗電阻是一個未摻雜的多晶硅電阻,所以極小的電流也能夠被檢測出來,這使裝置10對輸入光非常靈敏。
沒有產(chǎn)生任何寄生反向電流,并且在裝置10的制造過程中,制造該第一和第二高阻抗電阻3和4時僅需要一個電阻率處理(resistivity process),這不會引入能夠嚴(yán)重影響裝置10的性能的變化。
應(yīng)該理解,可以對上面所描述的一個實施方式進行修改。例如,產(chǎn)生偏置電流的結(jié)構(gòu)可以與上面所描述的精確結(jié)構(gòu)不同。另外,該第一和第二高阻抗電阻的制造材料可以不是未摻雜的多晶硅材料,而是其它材料。
權(quán)利要求
1.一個光檢測裝置,包括一個加偏晶體管,其作用是提供一個偏置電流;一個反偏晶體管,該反偏晶體管有被該偏置電流反偏的一個控制極和一個導(dǎo)電極;和,一個電阻,連接在一個供電電源和該反偏晶體管的導(dǎo)電極之間;其中從該反偏晶體管的導(dǎo)電極上的電壓降可以檢測到輸入的可見光。
2.如權(quán)利要求1的裝置,其中該電阻是一個高阻抗電阻。
3.如權(quán)利要求1的裝置,其中該電阻是一個未摻雜的多晶硅電阻。
4.如權(quán)利要求1,2或者3的裝置,其中該加偏電路包含一個加偏晶體管,該加偏晶體管有經(jīng)過一個偏置電阻連接到供電電壓的一個導(dǎo)電極。
5.如權(quán)利要求4的裝置,其中該偏置電阻是一個高阻抗電阻。
6.如權(quán)利要求5的裝置,其中該偏置電阻是一個未摻雜的多晶硅電阻。
7.一個光檢測裝置,基本上同前面所描述和如附圖所示。
全文摘要
一個光檢測裝置有一個被安排成為一個反偏晶體管提供一個偏置電流的加偏晶體管。該反偏晶體管有經(jīng)過一個高阻抗電阻連接到供電電壓的一個漏電極。通過檢測該漏電極上的電壓降可以檢測輸入可見光。
文檔編號H01L31/10GK1242093SQ97180956
公開日2000年1月19日 申請日期1997年11月3日 優(yōu)先權(quán)日1996年11月21日
發(fā)明者約翰·赫蘭, 格雷厄姆·亨利·思塔特 申請人:摩托羅拉有限公司
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