專利名稱：高密度電連接器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電裝置的相互連接，更具體地說，涉及自對準的可變形的高密度并阻抗可調(diào)的電連接器。
相關技術的描述在集成電路(IC)領域內(nèi)的技術發(fā)展已經(jīng)形成對更快并更緊湊的系統(tǒng)的要求。在許多應用中重量輕的緊湊結構自身就是一個要求。技術發(fā)展也趨向于更復雜的系統(tǒng)，它們包括越來越多的部件，這些部件需要彼此連接起來。為了使新系統(tǒng)滿足不同部件之間快速訪問的要求，在該系統(tǒng)的不同部件之間的通路的長度必須保持在一定限度以內(nèi)。
當系統(tǒng)的復雜程度增加時，部件之間的路徑的長度也增加。為了不超過這些部件之間的最大可用距離，把這些部件做得越來越小，并且，把它們裝得越來越緊密。因此，已經(jīng)發(fā)展了多芯片模塊，這使得把未封裝的集成電路非常緊密地組裝起來成為可能。
事實上，在不同的有源部件之間的距離變得不比如果把整個系統(tǒng)集成在相同的平面單塊上從整體上看大很多。如果只能使用連接起來的芯片/部件的一個平面，由性能要求決定需要在一個復雜的系統(tǒng)中彼此連通的部件之間的最大距離將變得不必要地大，這是因為在該最大距離以內(nèi)只能達到在相同平面中的部件。
可以使用三維結構克服這一問題。這意謂著由一個部件伸展的連接線不僅可以達到在相同平面內(nèi)的部件，而且可以達到位于該部件可以直接接近的平面的上方或下方的平面中的部件?？梢砸詭追N不同的方式實現(xiàn)這一點首先，系統(tǒng)有連接到一個底平面的模塊；第二，系統(tǒng)由粘在一起的芯片構成；第三，系統(tǒng)在芯片的一個塔狀構造的側面上有豎直的連接，這些系統(tǒng)都在一定意義上是三維的系統(tǒng)。這些三維結構沒有解決在所有部件之間短通路的問題。當部件在空間上靠近并被長的連線連接時，不能解決此問題。當按照上述方法中的第一種方法連接兩個部件時，例如在兩個相鄰的不同的多芯片模塊上兩個位于中心的部件的連接，此二模塊在其轉向處通過一個橫向通路，通過在芯片的側面上的一個短的豎直通路，然后通過在另外的芯片上的最后橫向通路連接起來，這一點變得更明顯。如果使用多于一個芯片堆，所述的第二種方法同樣不能實現(xiàn)相鄰的芯片之間短的相互連接的連線。如果考慮彼此靠著而不是在彼此連接的兩個堆的頂部上的兩個芯片的情況，就會容易地相信這一點。
隨著電路的復雜性增加，要求進/出連接的密度增加，并要求這種連接不會使性能變壞，即阻抗可以調(diào)節(jié)，或電感/電容可以忽略。隨著密度的增加，對對準的要求也提高，并且，這一要求越高，使用自對準就越重要，這是因為高精度主動對準加速成本增加。
當連接復雜系統(tǒng)的不同部分時，隨著系統(tǒng)的復雜性增加，不得不替換這些部分中的一部分或更多部分以便獲得有效的系統(tǒng)的危險也在增加。以相關的頻率和操作條件充分地試驗組成的部分的困難加大。
已經(jīng)有了使用高密度微突起的概念，但是它們實際上不是阻抗可控的，這也包括阻抗的準控制。
Maracos Karnezos的歐洲專利申請0295914 A3描述了金屬化的彈性突起。使用這些突起通過夾子連接把兩個表面在電路上連接起來。通過彈性可以消除幾乎所有由于熱引起的機械應力?？梢园褜щ姳砻娣珠_，而不會變得無序。
本發(fā)明的概述本發(fā)明描述了獲得彈性電連接器的一種技術，這些連接器是阻抗可控的，有高的連接密度，并且在安裝過程中和在使用中是高精度自對準的。對準和電連接的作用是在同一結構中。對準是以在一部分中的伸出的V形突起和在另一部分中的V形凹槽為基礎。凹槽可以為5個角部的五面體或棱錐的形狀，而突起可以為截斷的5個角部的五面體或截斷的棱錐的形狀。突起和凹槽有相應的連接器通路。
本發(fā)明的基本思想在于，采用它自身的結構對準。這意謂著可以由阻抗可控的高接觸密度得到多接觸點的位置，而對準結構相對而言要大得多。這產(chǎn)生在高精度的同時是彈性的連接。本發(fā)明解決了當使用時金屬層或其它層中微小的缺陷的問題和可能的由熱造成的不匹配問題。同時多個(多于三個)連接需要單個接觸點的柔性或可變形能力或其它能力，如對精度的要求，即要求所有接觸點在同一平面中的要求將是極高和很難實現(xiàn)的。
本發(fā)明有多通路阻抗可控的高密度總線，通過在一個精密模塑的彈性突起上形成金屬線例如通路的圖樣，把它制作出來，該突起裝配到在高精度刻蝕的凹槽的壁上類似地形成圖樣的線上。
本發(fā)明可以采用低成本平板印刷術和硅微結構技術得到?jīng)]有物理的扇形分支的阻抗可調(diào)節(jié)的高密度多通路連接器。也正是自對準的概念不要求分開的本體，并利用基底的結構的一個預先制作出的改變，基本上與在基底上形成金屬連接的圖樣的同時制作出來。
可以在多種微電子系統(tǒng)中使用本發(fā)明，例如，使高密度模塊小型化，在模塊與母板之間使用，在集成電路與模塊或板之間使用，在三維(3D)結構中不同的高度之間使用，或者，一般地做為基底之間非常高密度的可拆下的連接使用。
在許多情況下，要求能拆開電子系統(tǒng)，并再次把它們裝在一起，而不用焊接或類似操作。這意謂著使用連接器。有大量的連接器可供使用，但是，沒有一個有與本發(fā)明的連接器對應的密度，本發(fā)明的連接器對于高達幾兆赫(GHz)的頻率有可控的阻抗，同時有非常高的密度，即不需要物理的扇形分支。彈性是一個重要的特點，即使有小的物理缺陷或由于不同的熱膨脹或其它的膨脹使尺寸有變化，對于所有通路保證足夠的接觸壓力。關于對準，許多連接器利用接觸點用來對準。對于非常小尺寸的單個接觸點來說，這可能要求高程度的預先對準，或者當強迫對準時，可能導致毀壞。相反，用類似的金屬線使彈性的對準結構和相應的裝配凹槽形成圖樣，這些金屬線是由電路伸展的金屬線的一部分。這意謂著以非常高的精度得到了堅固的對準，并且，不占據(jù)額外的空間。通過在凹槽中制作出接地通路或接地平面和接觸通路，也在基底上制作出類似的接地通路和在突起上制作出接觸通路，將形成連接器結構。除了形成突起和凹槽以外，這要求簡單的額外的加工步驟，電連接線的接觸點和連接也可以與一般的形成連接圖樣的過程為一體。
本發(fā)明的一個優(yōu)點在于，它對于需要非常短的電通路的系統(tǒng)給出了一個解決方案。
本發(fā)明的另一個優(yōu)點在于，它給出了一種緊湊的包裝系統(tǒng)。
本發(fā)明的又一個優(yōu)點在于，整個系統(tǒng)容易修理，并因此，單個的部件容易更換，并且，可以沒有任何實際成本也沒有與除去壞了的部件有關的潛在的損壞地進行這種更換。安裝不包括焊接或粘接等。
現(xiàn)在將在對優(yōu)選實施例的詳細描述和附圖的幫助下進一步描述本發(fā)明。
附圖的簡要描述

圖1示出了一個三維多芯片模塊的一個剖面；圖2示出了自對準并阻抗可調(diào)節(jié)的連接器的一個示意性剖面；圖3示出了帶有兩倍密度連接器的自對準并阻抗可調(diào)節(jié)的連接器的另一個示意性剖面；圖4示出了自對準并阻抗可調(diào)節(jié)的連接器的另一個示意性剖面，該連接器帶有通過連接器連到信號通路的接地通路；圖5示出了圖3的示意性頂視圖；圖6a-b示出了另一種連接器的剖面；圖7示出了另一種帶有導電裝置的兩倍密度連接器的剖面。
實施例的詳細描述可以在多種微電子系統(tǒng)中使用本發(fā)明，這些系統(tǒng)用于彈性的電接觸件和裝在內(nèi)部的芯片的對準。本發(fā)明可以用在多芯片模塊中，特別是在安裝芯片之前難以確定芯片的質(zhì)量的情況下使用。本發(fā)明可以用在現(xiàn)在有許多問題的情況，例如，有倒焊芯片的情況，或在線路板上的情況，在該板與芯片之間熱膨脹系數(shù)極為不匹配。修理常常可能是危險的和費錢的，并且，在某些類型的MCM器件中基本上是不可能的。
圖1示出了可以使用本發(fā)明的一個示例，但是本發(fā)明不限于這一領域。本發(fā)明當然可以用于任何種類的微系統(tǒng)中，甚至亞微系統(tǒng)中。圖1示出了一個三維(3D)多芯片模塊100的一個剖面。此三維模塊由二維(2D)多芯片模塊構成，這些模塊由硅(Si)基底106-114組成，這些基底有裝在其上的集成電路芯片122-136。這些硅基底106-114設有一個接地平面，從而在模塊的不同平面之間以及對于整個三維(3D)多芯片模塊100得到了良好的屏蔽。在基底106-114上，特別是不在二維(2D)多芯片模塊的堆的頂面106和底面114上的那些基底上，也裝有無源芯片、通路芯片或通路116-121，這些通路構成三維(3D)多芯片模塊100的相鄰高度之間的連接。
為了得到阻抗匹配的連接器，見圖2，使用了V形凹槽刻蝕的接觸凹槽202。在通路芯片116-121的頂面使用了彈性的突起結構206，而在基底的底面上制作出V形接觸凹槽202，設置這些凹槽是為了得到容易組裝/拆開和為了好的對準，見同時注冊的專利申請″對于集成電路的包裝結構″。
在優(yōu)選實施例中，集成電路芯片122-136和通路芯片116-121是裝在基底106-114上的倒焊芯片。這種設置使得可以在安裝倒焊芯片的集成電路芯片122-136與相鄰的基底106-114的底面之間提供好的熱接觸。
只靠施加在頂部冷卻器102的頂平面138和該結構的底部冷卻器104的底平面140上的壓縮作用力把三維(3D)多芯片模塊100的每個高度的集成電路芯片122-136和每個單個的通路芯片116-121保持在一起。
為了得到這種堆積起來的結構，設置有彈性的突起，它們把通路芯片116-121連接到基底106-114的相鄰的平面上，并靠把模塊在冷卻器102、104的頂平面138和底平面140上一起壓成模塊得到接觸。借助于加在模塊100的最外面部分上的夾子的裝置提供壓縮作用力142。
使用形成圖樣的金屬層，以建立多重壓力型非永久的電連接，這種連接對于高速數(shù)據(jù)傳輸是阻抗可調(diào)節(jié)的。
圖2示出了一個這樣的連接器結構200的一個剖面。一第一部分204由兩個金屬層結構組成覆蓋著非各向同性刻蝕出來的V形凹槽202的一第一信號通路212和第一接地通路或接地平面210，在它們之間有介電層。一第二部分208由相應的金屬層組成覆蓋著彈性突起206的一第二接地平面226和一第二信號通路224，彈性突起裝配進V形凹槽202中。當把第一和第二部分204和205裝在一起時，第一和第二信號通路212和224彼此接觸。當放在一起時，此接觸是自對準的，見同時注冊的專利申請″用于彈性定位的凹槽中的突起″。由于彈性的突起206，即使由于例如出現(xiàn)熱膨脹而有移動，仍將保持電接觸。如圖2中構形的第一和第二信號通路212、224意謂著雙重的安全性，這是因為彈性的突起206和凹槽202的兩側壁分別用相同的通路覆蓋著。換句話說，如果出現(xiàn)大的移動并且只有突起206的一側壁與V形凹槽022接觸，仍將保持電接觸。第一和第二接地通路或接地平面210、226由任何適當?shù)慕饘贅嫵?。第一信號通路金?12需要是一種沒有任何絕緣表面氧化物層的金屬，即任何稀有金屬。第二信號通路金屬224需要是一種沒有任何絕緣表面氧化物層的可延展金屬，例如金。這些通路和接地金屬層被介電層214和216分開。第一介電層214由共形地覆蓋著V形凹槽壁的任何介電層構成，例如聚對苯二甲基。第二介電層224由任何介電層構成，或由與突起206相同的彈性材料構成。
本發(fā)明是以有任何功能的兩部件的高精度彈性對準為基礎的，其中，彈性突起同時用于高精度的對準和可變形的彈性電連接器。使用形成圖樣的金屬層建立多重電壓力型非永久的電連接。這些連接對于高速數(shù)據(jù)傳輸是阻抗可調(diào)節(jié)的。
當對準凹槽202采用例如硅晶片(100)的非各向同性刻蝕制作時，將得到最精密的對準。同樣，最理想的彈性突起206將通過采用一個非各向同性刻蝕(100)的硅晶片和高精度平板印刷術，共形地覆蓋的脫開劑層和可固化的硅酮化合物形成。在同時提交的專利申請″用來制作彈性突起的方法″和″用于彈性定位的凹槽中的突起″中描述了如何制作突起和凹槽并把它們對準的更詳細的方法。當制作出V形凹槽202和截斷的突起206時，將通過某種預先對準來放置這些部分，使得突起206的頂部在凹槽202的周邊以內(nèi)。通過小心地施加壓力218、220，可能是重力，突起的傾斜的壁230、232將滑到傾斜的壁222、228上，以在平行于突起206或凹槽202的基底表面的方向上得到非常嚴格的對準，因此使突起206在凹槽202中對準。采用平板印刷術相對于突起206在凹槽202中以高精度設置通路212、224，這些通路自動地對準，并且，利用突起206的彈性，通路212、224將與它們的對應物相接觸，而不管微小的厚度上的差別，也不管由于微結晶等出現(xiàn)的金屬粗糙度的差別。另外，由于這種彈性，部件204、208之間可以出現(xiàn)膨脹的小差別，而不損害接觸或使部件204、208經(jīng)受大的應力。
這里將描述如何制作連接器200。使用硅覆蓋一塊拋光的(100)硅晶片，此晶片在下面將稱為模具晶片，此后，使用一個掩模沉積保護層，并形成圖樣，該掩模正好與模具晶片的晶軸方向?qū)省ｋS后，在硅層中刻蝕出由掩模確定的開孔，隨后，把模具晶片暴露給非各向同性的刻蝕劑，它產(chǎn)生凹槽，此凹槽的側壁被硅平面(111)限定?？梢岳^續(xù)進行刻蝕，直到刻蝕出完全的細長結構為止，或最好可以在此之前停止，使得形成截斷的細長的結構。
隨后，通過相同的步驟使用一個類似的但是是鏡像的掩模，此掩模以非常高的精度復制第一個掩模，來在一個晶片中得到類似的但是成鏡像的凹槽，該晶片包括將被對準的部件。這些凹槽必須是像在第一晶片中的凹槽那樣陡，或更陡。模具晶片也可以包括某些進一步的對準機構，使它可以與基底自對準，在該基底上模塑出彈性的突起。用某種脫開劑覆蓋模具晶片，把這些脫開劑非常薄并完全共形地涂布，以便保持嚴格的幾何形狀。對于設有突起的部分，最合理的步驟是首先如通常那樣產(chǎn)生金屬層和介電層。隨后，使用旋轉、刮削或噴涂，用可固化的彈性化合物，把帶有未分開的基底的平板或者把模具晶片覆蓋到一個可控的厚度。隨后，為了使突起對于基底結構嚴格地對準，使用對準特點對晶片和未分開的基底加壓，使得化合物可以把相對的表面變溫。隨后，可能把包裝物放在真空中，除去空氣氣泡，再在升高的溫度下使化合物固化。隨后，使模具晶片與基底分開。通過使用剛硬的模具晶片和基底，可以在真空中這樣做，由于該化合物可以氣密地裝配到模具上。對于特殊的應用，基底可以由可變形的材料制作，這種材料可以使分開變得容易。
對于突起結構部分，最合理的步驟是首先如通常那樣產(chǎn)生金屬層226和介電層214，隨后制作突起，之后，在凸起之上構成單獨金屬通路224的圖案，并通過通路使與以前的金屬層接觸。在原理上，可以首先制作接地通路或接地平面，隨后，繼續(xù)在突起上沉積金屬和介電層。然而，這可能排除了在突起下面通過線路或接地平面的可能性，并且，情況不總是各種介電的路徑和金屬的通路可以足夠地變形，使得在變形的突起上可以保持完好。
通過在把它們分開之前采用與在例如激光器或集成電路或基底上已經(jīng)存在的結構對準的光平板印刷掩模，或者采用非各向同性刻蝕或者采用其它技術制作凹槽。隨后，正常地加工凹下的部分204，即沉積金屬層210和介電層214，只是介電層214和金屬通路212的圖樣必須共形地沉積，為的是保存凹槽202的對準性能。另外，必須足夠共形地沉積保護層，使得在保護層中曝光的圖樣可以分辨，并且，曝光裝置的焦深應該足夠。
在把凹槽等分開之后，現(xiàn)在可以把它們放在突起部分上，凹槽與突起自對準。取決于突起和凹槽的形狀和尺寸，預先對準的程度可以改變。
原則上，可以首先制作出介電層和金屬通路的一般性的沉積和圖樣，然后由凹槽的區(qū)域把金屬和介電物質(zhì)刻蝕掉，形成圖樣，并刻蝕出凹槽，進一步重新沉積并形成金屬通路，介電層和只局部地使用的保護層的圖樣。
當使用外部壓力把部件裝配到一起時，不作任何永久的安裝，使得為了替換和修理可以把部件容易地與它的對準的結構分開。
在突起的外面的被模塑材料的薄部件中，形成通到金屬通路的通路，這些金屬通路可以非常緊密地與突起接觸。
在圖3中示出了一第一替代實施例。此圖示出了有加倍密度的連接器的一種可能性。制作過程的步驟和所包括的材料與在圖2中所描述的情況相同。然而，在圖3所示的情況下，在突起和凹槽的每一側面上有兩個不同的通路。通路的圖樣也在圖5的總線接觸件的示意性頂視圖中示出。
在圖4中示出了本發(fā)明的一第二替代實施例。制作過程的步驟和所包括的材料與在圖2中所描述的情況相同，區(qū)別是采用通路把接地平面連接到信號線的高度。圖4示意性地示出了自對準并阻抗可調(diào)的連接器的一個剖面，此連接器帶有通過該連接器連在信號路徑上的接地路徑。為了得到最終的電性能，采用同一彈性突起把信號線和接地平面都連接到本質(zhì)上相同的位置。
圖5示意性地示出了自對準并阻抗可調(diào)的連接器的頂視圖，該連接器帶有圖3的替代實施例的加倍密度的導電裝置。
圖6a-b示出了替代連接器600的一個剖面。該連接器600有一第一部分602和一第二部分604。第一部分有沿著部分602的邊緣的信號路徑606，見圖6b，它們在第一部分的底部連接到接觸墊612上。第二部分604有在基底614上的一個引導框架610和沿著該引導框架610的信號路徑608。兩部分的結構使得每一部分的至少一個邊緣有傾斜的壁616、618。如果芯片設有傾斜的壁，正常的墊可以與在傾斜的壁上伸展并如前面所描述的那樣把引導框架與成圖樣的金屬路徑裝配起來的路徑交換。
可以改變前面描述的優(yōu)選實施例，但是對精度有某些損失。突起可以有與凹槽不同的形狀。為此，可以不采用非各向同性的刻蝕，而采用某種其它的刻蝕，或機械加工。為此，凹槽和突起不必須有相同的形狀，只要突起可以以自取中心的方式裝配進凹槽并且實現(xiàn)接觸即可。化合物可以不是硅酮化合物，例如是聚氨酯，或某種其它的彈性或半彈性化合物。
通過重復使用幾個步驟，可以制作出一個可變形的模具，使得該模具與基底的脫開變得容易，但是，僅只在損失精度的條件下才能作到這一點。
假設金屬圖樣的分辨率比突起的最小尺寸好，優(yōu)選實施例給出一維的最高密度，即可能的最緊密線間隔。如果突起的最小尺寸等價于金屬圖樣分辨率，得到每單位面積較高的接觸密度將是可能的。在這種情況下，可以采用緊密地排列在一個表面上的自取中的多個超微型突起，在該表面上金屬不是在突起上形成圖樣而是在突起的外面形成圖樣。
在這種情況下，由于突起的尺寸非常小，連接也可以是阻抗可控的。然而，因為突起的峰必須在現(xiàn)在是非常小的凹槽的周邊以內(nèi)，所以預先對準可能困難得多，除非在該結構中也有某些粗對準的特點。
如果彈性材料能夠″理想地″共形沉積在凹槽的壁上，可以另外地使用一個硬的突起。實現(xiàn)這一點的一種方式可能是使用一個模具，它可以充滿部件，而不是所有凹槽，從而留下到凹槽壁的一個短的距離，彈性組份可以在此距離內(nèi)固化。
這種類型的連接有多種可能的應用。與通孔的通路相結合，可以實現(xiàn)在同一平面中MCM之間的總線接觸。如所要求的那樣與不同的扇狀分支的方案相結合，這些連接可以用做通常的小節(jié)距高頻連接器。它們可能比傳統(tǒng)的電連接器每個連接占用少得多的空間，同時保持正確的特征阻抗。這是由于小的節(jié)距和高精度的對準，以及由于把接地平面帶到接觸點的結果。
除了對于制作電子裝置的標準過程技術以外，此連接器裝置需要一些過程，比如V形凹槽刻蝕、突起的澆鑄、共形的絕緣涂層的沉積以及在大的臺階上的平板印刷術。所有這些可以由現(xiàn)有的或改進的半導體/薄膜過程實現(xiàn)。
為了得到最大的精度，必須有用脫開劑覆蓋模具的裝置，這些脫開劑為共形得非常好和非常薄的層。上面已經(jīng)描述了這樣做的方法。對于這種最大精度的情況，帶有與晶體方向?qū)实谋砻姘伎拥膯尉Э梢杂米錾虡I(yè)的硅晶片，這些晶體方向可以用于非各向同性刻蝕。
與凹槽和突起的層厚度和外形相比，需要相當共形地沉積介電金屬層和保護層。對于金屬層的沉積來說，通常是采用標準的薄膜沉積技術。對于介電層來說，最可能不能用旋轉涂布，限制了對材料的選擇。然而，仍然有許多材料和過程，例如由聚對苯二甲基方法中選擇。保護層的選擇變得更窄，這是因為絕大多數(shù)保護層是由旋轉涂布沉積出來的。而旋轉涂布在這種情況下認為是不可能的。仍然有兩個已知的替代物。一種是采用新穎的保護材料，通過在真空中蒸發(fā)沉積它們。對于這種方法，沒有實際的商業(yè)過程可供使用，但是商業(yè)上可購到的材料，它們有保護性能，并可以用這種方法沉積。另一種替代物是一種類型的電鍍保護層。這在商業(yè)上是可購到的，并主要用于在印刷線路板上保護穿過平板的孔中的金屬。這些電鍍的保護層要求有一個金屬層，可以把此金屬層偏置，為的是使增量出現(xiàn)，這將是只有在突起上和在凹槽中需要形成圖樣的層是金屬層的情況。介電層也需要形成圖樣，以便得到通路，然而，這將不是在突起上，或在凹槽中，而是在它們的外面，在這些位置可以使用更多的傳統(tǒng)保護層，以使它們蓋住孔或凹槽，以形成圖樣，即使這些保護層的厚度不太均勻也行。也可以沉積一個金屬硬掩模，并使它形成圖樣，用來使介電層形成圖樣。
使用微機械加工技術，已經(jīng)表明非常高密度的連接器產(chǎn)生了微型部件，看上去與傳統(tǒng)的連接器相同，但是，尺寸小得多。這些是邊緣型連接器，原則上，可以把它們制作成小到它們不需要任何線圖樣的物理扇形分支。然而，不能把它們做成金屬化的一個整體部分。相反，它們是分開的部件，它們需要焊接或等價操作才能使用。關于它們的強度和耐磨損性能知道得極少。
已經(jīng)表明，彈性突起可以用于單通路的目的。在這里，每個通路有一個分開的突起，把一個表面裝配在相對的表面上。原則上，可以把這些突起做成小到不需要物理上的扇形分支。在這種情況下，也可以把它們看作阻抗可控的。然而，這些方案沒有任何固有的對準裝置。
與薄膜狀的過程相比，在此種過程中，用平板印刷的方法生產(chǎn)出許多預先設置的物品需要分開的微型部件的解決方法將絕不是非常便宜的，這些部件必須單個地精密處理。
圖7示出了替代連接器突起700的一個剖面。該連接器突起包括兩個金屬層結構，一個介電介質(zhì)704和一個彈性結構216。該金屬層結構可以是一個接地通路或接地平面702和一個信號通路706。把接地平面702制作在突起206上，該突起包括彈性結構216。接地平面也有穿過介電介質(zhì)704向上的一個連接，并部分地覆蓋住介電介質(zhì)704。把信號通路706的其它金屬層結構制作在介電介質(zhì)704上。
上面描述的本發(fā)明還可以以另外的具體形式實施，而不偏離本發(fā)明的精神和基本特點。因此，可以認為這里的實施例在所有的方面是說明性的，而不是限制性的，本發(fā)明的范圍由所附的權利要求書而不是由上面的描述所規(guī)定，因此，意圖是在其中包括在權利要求的等價物的含義和范圍內(nèi)的改變。
權利要求
1.一種連接器，其包括至少一第一部分和一第二部分，每個第一部分和第二部分有至少一個傾斜的壁，其特征在于，一第一部分的傾斜的壁(228，616)和一第二部分傾斜的壁(230，418)有相同的傾斜，其特征還在于，第一部分有至少一個導電通路(212，606)，其特征還在于，第二部分有至少一個導電通路(224，608)，其中當把第一部分與第二部分裝配在一起時，這些導電通路彼此接觸。
2.按照權利要求1中所述的連接器，第一部分有V形凹槽而第二部分有突起，其特征還在于，V形凹槽(202)有至少一個導電通路(212)，其特征在于，突起結構(206)有至少一個導電通路(224)，其特征還在于，突起裝配進V形凹槽中，其中當把第一部分(204)與第二部分(208)裝配在一起時，這些導電通路彼此接觸。
3.按照權利要求2中所述的連接器，其特征在于，第一部分(204)有兩個金屬層結構，至少一個第一導電通路(212)和至少一個第一接地平面(210)，其中金屬層覆蓋著V形凹槽(202)。
4.按照權利要求2中所述的連接器，其特征在于，第二部分(208)有兩個金屬層結構，至少一個第二信號通路(224)和至少一個第二接地平面(226)，其中信號通路部分地覆蓋著突起(206)。
5.按照權利要求2中所述的連接器，其特征在于，第二部分(208)有兩個由至少一個導電通路(706)構成的金屬層結構，至少一個接地平面(702)和一個介電介質(zhì)(704)，其中把接地平面和導電通路制作在突起(206)的頂面上，并且，介電介質(zhì)把導電通路與接地平面分開。
6.按照權利要求2中所述的連接器，其特征在于，導電通路由金屬層構成，這些金屬層有雙倍密度，第一部分(204)有至少一個第一信號通路(306)，至少一個第三信號通路(310)和至少一個第一接地平面(302)，其中金屬層覆蓋著V形凹槽(202)，其特征在于，第二部分(208)有至少一個第二信號通路(308)，至少一個第四信號通路(312)和至少一個第二接地平面(304)，其中信號通路部分地覆蓋著突起(206)，其特征還在于，當把第一部分與第二部分裝配在一起時，第一與第三信號通路(306，304)和第二與第四信號通路(310，312)彼此接觸。
7.按照權利要求2中所述的連接器，其特征在于，導電通路由金屬層構成，這些金屬層有雙倍密度，第一部分(204)有至少一個第一信號通路(402)和至少一個第一接地通路(406)，其中第一信號通路部分地覆蓋著V形凹槽(202)，其特征還在于，第二部分(208)有至少一個第二信號通路(408)和至少一個第二接地通路(408)，其中金屬層覆蓋著突起(206)，從而，第二接地通路蓋著V型槽，其特征還在于，當把第一部分與第二部分裝配在一起時，第一與第二信號通路和第一與第二接地通路彼此接觸。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于微電子系統(tǒng)中的自對準的可變形的高密度并且阻抗可調(diào)節(jié)的電連接器。本發(fā)明解決了同時進行電連接和對準的問題。有一第一部分(204)的連接器(200)由兩個金屬層結構,一第一信號通路(212)和覆蓋著V形凹槽(202)的一第一接地通路(210)構成。該連接器也有一第二部分(208),它由相應的金屬層結構,覆蓋著彈性突起(206)的一第二信號通路(224)和一第二信號接地平面(226)構成,把它裝配進V形凹槽(202)中。當把第一部分與第二部分(204,208)裝配在一起時,第一與第二信號通路(212,224)彼此接觸。當放在一起時,此接觸是自對準的。即使由于熱膨脹出現(xiàn)移動時,仍將保持電接觸。
文檔編號H01L23/66GK1241297SQ97180869
公開日2000年1月12日 申請日期1997年12月19日 優(yōu)先權日1996年12月19日
發(fā)明者L·H·赫瑟爾波姆, J·P·博德 申請人:艾利森電話股份有限公司