專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說(shuō)，涉及一種對(duì)半導(dǎo)體器件的改進(jìn)，這種半導(dǎo)體器件在布線導(dǎo)體層上重疊著不同的夾層絕緣膜并在周邊區(qū)沒(méi)有布線導(dǎo)體與布線導(dǎo)體重復(fù)區(qū)接近。
一個(gè)半導(dǎo)體器件形成有一夾層絕緣膜，用以覆蓋一層經(jīng)圖形加工的布線導(dǎo)體層，并在某些情況時(shí)，夾層絕緣膜是由多層不同的絕緣膜重疊形成的。例如，由于先進(jìn)的器件圖形和布線圖形的微細(xì)加工技術(shù)使半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的成品率下降，因此采用了一種冗余結(jié)構(gòu)，其中的失效存貯單元、失效的行或失效的列由備份的單元、行或列頂替。在通常情況下，用備份單元取代失效的存貯單元是采用激光束或類(lèi)似的手段熔斷熔線改變電路的連接實(shí)現(xiàn)的。在此情況下，這種熔線是由低層布線導(dǎo)體層形成的，倘若熔線被一層厚的絕緣膜覆蓋著，則因激光束的能量被厚的絕緣膜吸收，熔線就難以完全被熔斷。另一方面，熔線若是曝露出來(lái)，就很易于熔斷熔線，然而，這里要擔(dān)心熔斷的熔線會(huì)被進(jìn)入器件的水分所短路，會(huì)降低可靠性。
因而，最好是在熔線上形成適當(dāng)厚度的絕緣膜。在實(shí)際當(dāng)中一般控制在熔線上形成的絕緣膜厚度在1000埃左右。為了便于控制絕緣膜的厚度，典型的現(xiàn)有技術(shù)是實(shí)行在熔線上形成兩層絕緣膜。
參閱

圖1，示出一例現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的剖面視圖，該器件有供由備份單元取代失效單元的熔線。在所示器件中，在由器件隔離氧化層3限定的硅襯底1的器件形成區(qū)中，所形成的晶體管是由一對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)2以及按指定順序重疊在一對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)2之間區(qū)域上的一層?xùn)叛趸?A和一層?xùn)烹姌O4B組成的。此后，淀積一層TEOSBPSG(四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)硼磷硅玻璃)薄膜5，然后進(jìn)行平整化熱處理。此外，一層約2000埃厚的硅化鎢膜將作為低層的布線導(dǎo)體層形成在TEOSBPSG膜5的上面，然后按預(yù)定形狀進(jìn)行圖形加工，使得低層布線導(dǎo)體層的一部分形成為熔線6x。
接著，形成一層厚度約為1500埃的氧化硅膜7覆蓋住熔線6X和TEOSBPSG膜5，另一層厚度約為5000埃的TEOSBPSG膜8則淀積在氧化硅膜7上，這樣就形成了一個(gè)多層結(jié)構(gòu)的夾層絕緣膜。此外，為了表面軟熔的目的進(jìn)行一次熱處理，此后若有必要?jiǎng)t用已知的光刻技術(shù)在可能的上層布線導(dǎo)體層和下面的襯底(如雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)2)或是下層布線導(dǎo)體層之間形成供連接的接觸孔。在包含接觸孔的區(qū)域上形成厚度為9000埃左右的一層鋁布線導(dǎo)體層，然后經(jīng)圖形加工形成上層布線導(dǎo)體層9。此外，為了提高抗?jié)裉匦?，在整個(gè)表面上形成一層保護(hù)膜10。然后，在對(duì)鋁焊點(diǎn)(未示出)上面的保護(hù)膜腐蝕窗口的過(guò)程中，熔線6X上面的絕緣膜也被腐蝕形成一個(gè)窗口11。
在形成窗口11的過(guò)程中，TEOSBPSG膜8的腐蝕速率約為每分鐘600-700埃，而在另一方面，氧化硅膜7的腐蝕速率則約每分鐘400-500埃。因而，即使腐蝕時(shí)間較正常時(shí)間略微延長(zhǎng)，由于有氧化硅膜7起一種止蝕的作用，就有可能較為容易地控制熔線6X上的絕緣膜的厚度。這樣熔線6X就肯定避免了曝露，使得能用激光束的方法輕易地熔斷熔線6X。
然而，在上述工藝生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件中碰到過(guò)一個(gè)問(wèn)題。在軟熔的熱處理步驟中，由于在TEOSBPSG膜8和氧化硅膜7之間有不同的熱收縮系數(shù)，使氧化硅膜7收縮，使得由氧化硅膜7的收縮所產(chǎn)生的應(yīng)力作用在低層布線導(dǎo)體層6上，結(jié)果引起形成低層布線導(dǎo)體層(相應(yīng)于熔線6X)的導(dǎo)體在一個(gè)平面方向內(nèi)移動(dòng)，使得往往會(huì)與鄰近的一個(gè)布線導(dǎo)體接近或是接觸(即構(gòu)成電學(xué)短路)，譬如說(shuō)是接觸。特別是，在半導(dǎo)體存貯器中有一讀出放大器區(qū)、一寄存器區(qū)和一譯碼器區(qū)設(shè)置在存貯單元區(qū)的附近，這種現(xiàn)象在存貯單元區(qū)的周邊、即在一個(gè)區(qū)域內(nèi)重復(fù)同一圖形的區(qū)域邊緣區(qū)容易出現(xiàn)。
本發(fā)明的發(fā)明人的一項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)，越靠近重復(fù)圖形區(qū)的邊緣，由應(yīng)力引起的移動(dòng)量就越大。例如，在所形成的圖形區(qū)內(nèi)對(duì)同一圖形重復(fù)了十五次時(shí)，在重復(fù)圖形區(qū)之內(nèi)幾乎沒(méi)有出現(xiàn)移動(dòng)，但在重復(fù)圖形區(qū)的外邊緣區(qū)移動(dòng)量就大增。此外，還發(fā)現(xiàn)只要單一的或基本的重復(fù)圖形變得長(zhǎng)而細(xì)，就變得容易出現(xiàn)移動(dòng)。
其產(chǎn)生的原因考慮如下由于一個(gè)沒(méi)有能夠緩沖或削弱應(yīng)力的圖形的區(qū)域在重復(fù)圖形區(qū)的外邊擴(kuò)展，所產(chǎn)生的應(yīng)力直接作用在重復(fù)圖形區(qū)邊緣區(qū)內(nèi)的圖形上，從而移動(dòng)邊緣區(qū)內(nèi)的圖形。另一方面，由于邊緣區(qū)的圖形被移動(dòng)，所產(chǎn)生的應(yīng)力得到緩沖和削弱，使得從重復(fù)圖形區(qū)的邊緣區(qū)向其中心區(qū)逐漸減少移動(dòng)量。
在重復(fù)圖形區(qū)內(nèi)，由于上層布線導(dǎo)體是通過(guò)接觸孔與下面的襯底或低層布線導(dǎo)體相連的，接觸孔的圖形與下面的襯底有固定關(guān)系。在這種連接中，考慮到若鄰近的接觸孔之間的間隙增大，則在鄰近的接觸孔之間的區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)移動(dòng)，移動(dòng)量隨著離開(kāi)接觸孔的距離而增大。因而，一般會(huì)認(rèn)為在不包含接觸孔的區(qū)域不可避免變長(zhǎng)的長(zhǎng)而細(xì)的圖形中容易出現(xiàn)移動(dòng)。
參閱圖2，其中示出了一例重復(fù)圖形區(qū)的布局圖形，沿著圖2中B-B線的剖面視圖示于圖3。在這些圖中，對(duì)與圖1所示類(lèi)似的單元給以同一標(biāo)號(hào)，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明并省略掉對(duì)它們解釋。
如圖2所示，由硅化鎢形成的細(xì)長(zhǎng)布線導(dǎo)體圖形6A、6B和6C是跨越在晶體管上設(shè)置的。從圖2和圖3可見(jiàn)，這此細(xì)長(zhǎng)的布線導(dǎo)體圖形6A、6B和6C沒(méi)有固定到下層或襯底上的接觸孔。此外，所示圖形是向圖形的左側(cè)方向重復(fù)，使得布線導(dǎo)體圖形6C是處于重復(fù)圖形區(qū)的邊緣位置。此外，在布線圖形6C的右側(cè)，沒(méi)有一個(gè)與其同層(低層布線導(dǎo)體)的圖形延伸區(qū)。而且，上層鋁布線9形成并與雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)2相連的接觸點(diǎn)是形成在布線導(dǎo)體圖形6B和6C之間。
參閱圖4，其中示出與圖3類(lèi)似的剖面視圖，并且圖示了布線導(dǎo)體圖形因應(yīng)力而移動(dòng)的情形。布線導(dǎo)體圖形6B和6C是沿圖4的右手方向移動(dòng)的。結(jié)果如圖4所示使布線導(dǎo)體圖形6B與接觸孔9極為接近，并在某些情況下，與接觸孔9短路。
為了避免布線導(dǎo)體圖形的移動(dòng)，日本專利申請(qǐng)初審公開(kāi)號(hào)JP-A-4-348054提出有意地在下層絕緣膜中設(shè)置溝槽并在下層絕緣膜上形成布線導(dǎo)體層，在這種狀況下，部分布線導(dǎo)體層卡進(jìn)形成在下層絕緣膜中的溝槽內(nèi)。參閱圖5A，這是示于JP-A-4-348054中的一幅布局圖，沿圖5A中的C-C線的剖面視圖示于圖5B。
如圖5A和5B所示，溝槽24是采用通常的接觸孔形成工藝形成在一層硼磷硅玻璃(BPSG)膜23上，而B(niǎo)PSG膜23形成在一層在硅襯底21上形成的場(chǎng)氧化膜22上，而一層布線導(dǎo)體層25則形成在有溝槽24的BPSG膜23上。一部分布線導(dǎo)體層25進(jìn)入溝槽24，使得布線導(dǎo)體層25在溝槽24的位置處栓系或固定在BPSG膜23上。
然而，在這種技術(shù)中，若是在要形成溝槽24的BPSG膜23的區(qū)域下面存在一層低層布線導(dǎo)體層26，布線導(dǎo)體層25就會(huì)變得與低層布線導(dǎo)體層26易于短路。因此，在溝槽24下面是難以形成象晶體管之類(lèi)的單元的。特別是，由于單元是以很高的密度在上述讀出放大器區(qū)、寄存器區(qū)和譯碼器區(qū)內(nèi)設(shè)置，倘若在這些區(qū)域內(nèi)形成溝槽，半導(dǎo)體存貯器的集成度就要顯著下降。
因此，本發(fā)明的一項(xiàng)目的就是要提供一種克服了上述常規(guī)技術(shù)缺陷的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的另一項(xiàng)目的是要提供一種半導(dǎo)體器件，它能避免在布線圖形重復(fù)區(qū)的邊緣區(qū)內(nèi)布線導(dǎo)體圖形移動(dòng)，從而避免布線導(dǎo)體圖形的短路。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述和其它目的是按照本發(fā)明通過(guò)具有重復(fù)圖形區(qū)的半導(dǎo)體器件進(jìn)行的，在半導(dǎo)體器件的重復(fù)圖形區(qū)內(nèi)重復(fù)排列單一的布線圖形并覆蓋著多層絕緣膜，其中的改進(jìn)在于有同一層形成的多個(gè)虛設(shè)導(dǎo)體如同布線圖形導(dǎo)體那樣形成在重復(fù)圖形區(qū)的一個(gè)邊緣區(qū)的鄰近區(qū)域內(nèi)。
在一項(xiàng)實(shí)施例中，多層絕緣膜是用分別為氧化硅的一層薄膜和TBOSBPSG的一層薄膜的重疊層組成的。虛設(shè)導(dǎo)體如同布線圖形的導(dǎo)體那樣是由相同的布線材料形成的。
本發(fā)明的上述和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)從以下參照附圖對(duì)本發(fā)明最佳實(shí)施例進(jìn)行的描述中將會(huì)明顯可見(jiàn)。
圖1為具有供備份單元取代失效單元的熔線的半導(dǎo)體器件一例現(xiàn)有技術(shù)的剖面視圖2為一例重復(fù)圖形區(qū)的布局圖形圖；圖3為沿圖2的B-B線的剖面視圖；圖4為與圖3相似但示出由于應(yīng)力使布線導(dǎo)體圖形移動(dòng)的視圖；圖5A是為避免布線導(dǎo)體移動(dòng)的現(xiàn)有技術(shù)示例的布局圖形圖；圖5B為沿圖5A的C-C線的剖面視圖；圖6為本發(fā)明半導(dǎo)體器件一項(xiàng)實(shí)施例中的重復(fù)圖形區(qū)的布局圖形圖；以及圖7為沿圖6的A-A的剖面視圖。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D6和7對(duì)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的一項(xiàng)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖6為半導(dǎo)體器件實(shí)施例中重復(fù)圖形區(qū)的布局圖形圖，圖7則為沿圖6的A-A線的剖面視圖。
如圖7所示，形成一層器件隔離氧化膜3用以在硅襯底1的主表面上限定一處器件形成區(qū)。在硅襯底1的主表面上按指定順序淀積一層?xùn)叛趸ず鸵粚佣嗑Ч枘?，然后，?jīng)選擇性腐蝕在器件形成區(qū)內(nèi)形成一層?xùn)叛趸?A和一個(gè)柵電極4B。此外，用柵電極4B作掩膜向硅襯底1的主表面引入雜質(zhì)在柵電極的相對(duì)兩側(cè)形成作為源/漏區(qū)的一對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)2。這樣就形成了一個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
此后，在整個(gè)表面上淀積一層TEOSBPSG膜5，然后，進(jìn)行平整化的熱處理。此外，一層厚度約為2000埃的硅化鎢膜將成為一層低層布線導(dǎo)體形成在TEOSBPSG膜5上，然后，加工成預(yù)定形狀的圖形，使其形成多個(gè)布線導(dǎo)體圖形6A至6C以及虛設(shè)導(dǎo)體圖形6D與6E和熔線6X(在圖6和圖7中未示出，但如圖1所示)，所有這些都用相應(yīng)的一部分低層布線導(dǎo)體層形成。
接著，形成一層厚度約為1500埃的氧化硅膜7覆蓋住導(dǎo)體圖形6A至6E以及熔線6X和TEOSBPSG膜5，并在氧化硅膜7上淀積厚度約為5000埃的另一層TEOSBPSG膜8，這樣就形成了一個(gè)多層結(jié)構(gòu)的絕緣膜。此外，為了表面軟熔的目的進(jìn)行一次熱處理，然后，若有需要，采用已知的光刻技術(shù)形成接觸孔，用以連接可能的上層布線導(dǎo)體層和下面的襯底(如雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)2)或低層布線導(dǎo)體層。在包含接觸孔的區(qū)域上形成厚度在9000埃左右的一層鋁布線導(dǎo)體層，然后經(jīng)圖形加工形成上層布線導(dǎo)體層9。此外，在整個(gè)表面上形成一層保護(hù)膜10，以提高抗潮濕特性。
此后，在刻蝕鋁焊點(diǎn)(未示出)上面的保護(hù)膜窗口的過(guò)程中，也對(duì)熔線6X上的保護(hù)膜10進(jìn)行了選擇刻蝕，并對(duì)其下面的TEOSBPSG膜8進(jìn)行選擇性刻蝕達(dá)到預(yù)定的深度，以此形成如圖1所示熔斷熔線的窗口11。
從對(duì)圖2與6的比較可見(jiàn)，在所示半導(dǎo)體器件的實(shí)施例中，由硅化鎢布線導(dǎo)體層在重復(fù)圖形區(qū)100形成的布線導(dǎo)體圖形6A到6C是用于形成熔線6X，它與圖2的已有技術(shù)示例類(lèi)似，而在此外，由硅化鎢低層布線導(dǎo)體層形成的虛設(shè)導(dǎo)體圖形6D和6E卻和半導(dǎo)體器件的電路運(yùn)行無(wú)關(guān)，它們?cè)O(shè)置在鄰近重復(fù)圖形區(qū)100的周邊區(qū)域內(nèi)并在重復(fù)圖形區(qū)100的外側(cè)擴(kuò)展。在所示實(shí)施例中，虛設(shè)的導(dǎo)體圖形6D和6E具有和布線導(dǎo)體圖形6A至6C相同的寬度，并設(shè)置成與布線導(dǎo)體圖形6A至6C相平行擴(kuò)展。
于是，按照上述的安排，在如前所述的上層布線導(dǎo)體層形成之前進(jìn)行的軟熔熱處理步驟中，由于TEOSBPSG膜8和氧化硅膜7之間熱收縮系數(shù)的差別引起對(duì)氧化硅膜7的收縮作用，這種收縮作用的應(yīng)力很可能作用到低層布線導(dǎo)體層上(相當(dāng)于導(dǎo)體6A到6E以及熔線6X)，但由于虛設(shè)導(dǎo)體圖形6D和6E形成在布線導(dǎo)體圖形6C的附近，而位于重復(fù)布線圖形區(qū)100邊緣的布線導(dǎo)體圖形6C已不再是包括虛設(shè)導(dǎo)體圖形6D和6E的擴(kuò)展的重復(fù)圖形區(qū)的最外層導(dǎo)體圖形了，這樣就在接近布線導(dǎo)體圖形6C的區(qū)域內(nèi)防止了易于在重復(fù)圖形區(qū)的邊緣區(qū)發(fā)生的布線導(dǎo)體圖形的移動(dòng)。
考慮到其中的原因，一個(gè)沒(méi)有緩沖或削弱應(yīng)力作用的圖形又不是在重復(fù)圖形區(qū)外部的區(qū)域的狀態(tài)，是靠虛設(shè)導(dǎo)體圖形6D和6消除應(yīng)力的，結(jié)果使作用在布線導(dǎo)體圖形6A、6B和6C上的應(yīng)力是按同等條件緩沖或削弱的，這就抑制了移動(dòng)的發(fā)生。
倘若有時(shí)偶然地虛設(shè)導(dǎo)體6D和6E自身被移動(dòng)以致吸收應(yīng)力，則會(huì)加強(qiáng)由虛設(shè)導(dǎo)體6D和6E作用的緩沖或削弱應(yīng)力的效應(yīng)。因而，虛設(shè)導(dǎo)體6D和6E最好盡可能地作得薄。特別是，若使寬度與長(zhǎng)度比不超過(guò)1∶20，能使這種效應(yīng)更為有效。
所示實(shí)施例包括兩個(gè)平行設(shè)置的虛設(shè)導(dǎo)體，但虛設(shè)導(dǎo)體的數(shù)目絲毫不受所示實(shí)施例的限制，并能按照需要自由選擇。然而，發(fā)明人證實(shí)，在重復(fù)圖形區(qū)內(nèi)，在內(nèi)部平行設(shè)置十五個(gè)布線導(dǎo)體圖形的區(qū)域沒(méi)有出現(xiàn)移動(dòng)。因此就可以認(rèn)為，倘若設(shè)置十五個(gè)虛設(shè)導(dǎo)體，最好是二十個(gè)虛設(shè)導(dǎo)體，幾乎就能完全避免移動(dòng)。此外，虛設(shè)導(dǎo)體可以用與布線導(dǎo)體圖形不同的材料形成，但是最好還是用與布線導(dǎo)體圖形相同的材料形成，這是為了強(qiáng)化應(yīng)力釋放效果。
此外，從基本概念出發(fā)，倘若虛設(shè)導(dǎo)體設(shè)置成覆蓋著在重復(fù)圖形區(qū)之外擴(kuò)展的一個(gè)周邊區(qū)，則考慮就更為充分。倘若虛設(shè)導(dǎo)體設(shè)置成避開(kāi)用同一層設(shè)置的如重復(fù)圖形區(qū)的布線導(dǎo)體圖形的布線導(dǎo)體圖形區(qū)域，則考慮就更充分。此外，為了防止虛設(shè)導(dǎo)體產(chǎn)生不利影響，諸如使布線導(dǎo)體圖形產(chǎn)生噪音，可將虛設(shè)導(dǎo)體連接到任意固定的電位上，例如接地電位或是等于電源電壓一半的固定電位。除此之外，本發(fā)明對(duì)有熔線的半導(dǎo)體器件再無(wú)絲毫限制，并能應(yīng)用于任何常規(guī)的半導(dǎo)體器件。
順便提起，形成虛設(shè)圖形的技術(shù)曾由例如日本專利申請(qǐng)初審公開(kāi)號(hào)JP-A-61-194771公開(kāi)過(guò)。然而，那是想通過(guò)在鄰近區(qū)域內(nèi)形成一個(gè)虛設(shè)圖形用以緩和出現(xiàn)在一個(gè)存貯單元區(qū)和一半導(dǎo)體器件中的鄰近區(qū)之間的表面臺(tái)階，使得全部平整化。此外，美國(guó)專利5,251,168提出圍繞存貯單元區(qū)設(shè)置虛設(shè)單元。設(shè)置這些虛設(shè)單元是為了防止由存貯單元區(qū)外的影響所引起的存貯單元漏電。因而，在這些出版物中公開(kāi)的虛設(shè)圖形沒(méi)有削弱應(yīng)力的目的。
如以上所見(jiàn)，在一個(gè)具有重復(fù)圖形區(qū)的半導(dǎo)體器件區(qū)中，重復(fù)排列著單一的布線圖形并覆蓋著多層絕緣薄膜，按照本發(fā)明，與布線圖形的導(dǎo)體同一層形成的多個(gè)虛設(shè)布線導(dǎo)體形成在重復(fù)圖形區(qū)的邊緣區(qū)的鄰近區(qū)內(nèi)。采用這種安排，虛設(shè)布線導(dǎo)體能夠獲得作用在布線圖形上的應(yīng)力，這種應(yīng)力是由軟熔時(shí)發(fā)生的絕緣膜收縮引起的。這樣就能防止布線導(dǎo)體移動(dòng)以避免在半導(dǎo)體器件中出現(xiàn)短路，以此可以提高半導(dǎo)體器件的可靠性。
本發(fā)明參照了具體的實(shí)施例進(jìn)行了圖示和說(shuō)明。然而，要注意到本發(fā)明絲毫不受具體圖解結(jié)構(gòu)的限制，可在附屬權(quán)利的范圍內(nèi)可以進(jìn)行改變和修正。
權(quán)利要求
1.一種具有重復(fù)圖形區(qū)的半導(dǎo)體器件，在所述重復(fù)圖形區(qū)重復(fù)排列著單一的布線圖形并由多層絕緣膜覆蓋，其特征在于改進(jìn)為與布線圖形導(dǎo)體同層形成的多個(gè)虛設(shè)布線導(dǎo)體形成在布線圖形重復(fù)區(qū)的邊緣區(qū)的鄰近區(qū)域內(nèi)。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于多層絕緣膜是分別地由一層氧化硅膜和一層TEOSBPSG(四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)硼磷硅玻璃)膜的重疊層組成的。
3.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于虛設(shè)導(dǎo)體是用與布線圖形導(dǎo)體相同的布線材料形成的。
4.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述布線圖形的所述導(dǎo)體包括為半導(dǎo)體存貯器的冗余電路而形成的熔線，其中，在所述熔線上形成一層氧化硅膜，并在所述氧化硅膜上形成一層TEOSBPSG膜，以及選擇性地形成一個(gè)窗口使其自半導(dǎo)體存貯器的表面到達(dá)靠近所述熔線上的一段深度。
5.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述虛設(shè)布線導(dǎo)體是與所述布線圖形的所述導(dǎo)體平行設(shè)置的，并使所述虛設(shè)導(dǎo)體的長(zhǎng)與寬比例不超過(guò)1∶20。
6.按照權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述虛設(shè)布線導(dǎo)體包括至少十五個(gè)虛設(shè)布線導(dǎo)體。
全文摘要
在具有重復(fù)圖形區(qū)的一種半導(dǎo)體器件中，在重復(fù)圖形區(qū)重復(fù)排列著單一的布線圖形并覆蓋著由一層氧化硅膜和一層TEOSBPSG膜組成的多層絕緣膜，在重復(fù)圖形區(qū)的邊緣區(qū)的鄰近區(qū)域內(nèi)形成與布線圖形導(dǎo)體同層形成的虛設(shè)導(dǎo)體。這樣，定位在重復(fù)圖形區(qū)邊緣的最外層導(dǎo)體不再是在包括虛設(shè)導(dǎo)體在內(nèi)的一個(gè)擴(kuò)展的重復(fù)圖形區(qū)中的最外層導(dǎo)體。這樣，由于氧化硅膜和TEOSBPSG膜的不同熱收縮系數(shù)引起氧化硅收縮產(chǎn)生的應(yīng)力作用在重復(fù)圖形區(qū)的最外層導(dǎo)體上，這種應(yīng)力由此而得到緩沖，以致防止了最外層導(dǎo)體的移動(dòng)，也防止了由最外層導(dǎo)體移動(dòng)引起的短路。
文檔編號(hào)H01L27/105GK1156333SQ9612065
公開(kāi)日1997年8月6日 申請(qǐng)日期1996年11月15日 優(yōu)先權(quán)日1995年11月15日
發(fā)明者浦憲司 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社