專利名稱：氣體回收設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種設(shè)有一化學(xué)氣相淀積(“CVD”)裝置的氣體回收設(shè)備，所述CVD裝置包括一氣體輸入部分，該部分具有一條用來供應(yīng)稀釋惰性氣體的惰性氣體供應(yīng)通道以及一條用來供應(yīng)清洗氣體的清洗氣體供應(yīng)通道，每條所述通道都與CVD裝置連結(jié)，此外，CVD裝置還包括一個用來釋放廢氣的廢氣排放部分。本發(fā)明還涉及一種設(shè)有一腐蝕裝置的氣體回收設(shè)備，所述腐蝕裝置包括一個氣體輸入部分，該部分具有一條用來供應(yīng)稀釋惰性氣體的惰性氣體供應(yīng)通道以及一條用來供應(yīng)腐蝕氣體的腐蝕氣體供應(yīng)通道，每條所述通道都與腐蝕裝置連結(jié)，此外，腐蝕裝置還包括一個用來釋放廢氣的廢氣排放部分。
在一種具有CVD裝置的氣體回收設(shè)備中，CVD裝置裝備有一個氣體輸入部分，該部分具有一條用來供應(yīng)稀釋惰性氣體的惰性氣體供應(yīng)通道以及一條用來供應(yīng)清洗氣體的清洗氣體供應(yīng)通道，每條所述通道都與CVD裝置相連。CVD裝置還設(shè)有一個廢氣排放部分，它用來排放廢氣，以及在所述CVD裝置中產(chǎn)生的雜質(zhì)，例如二氧化硅(SiO2)、多晶硅、氮化硅、金屬硅化物以及非晶硅。因為這些雜質(zhì)對CVD裝置中的產(chǎn)品具有不利的影響，所以必須將它們從CVD裝置內(nèi)除去。因此，已經(jīng)采用將一種清洗氣體引入所述CVD裝置的方法，以便將這些雜質(zhì)轉(zhuǎn)變成易揮發(fā)物質(zhì)并除去它們。即，如果把一種能與這些雜質(zhì)反應(yīng)從而使它們轉(zhuǎn)變成氣態(tài)組分的化合物，例如三氟化氮(NF3)引入所述CVD裝置中，二氧化硅(SiO2)就被三氟化氮(NF3)轉(zhuǎn)變成氟化硅(SiF4)而從CVD裝置中除去。在過量的清洗氣體由于沒有完全地與雜質(zhì)起反應(yīng)而保留在CVD裝置中的情況下，它可與廢氣混合在一起。特別是，在清洗氣體是有害的情況下，因為必須將其轉(zhuǎn)變?yōu)闊o害的，所以已經(jīng)提出了一種用來回收清洗氣體的氣體回收設(shè)備。
另外，在一種用于使與半導(dǎo)體薄膜或類似物起反應(yīng)的腐蝕氣體與半導(dǎo)體薄膜等接觸從而進行腐蝕的腐蝕裝置中，基于同樣的理由，也希望回收腐蝕氣體。
因此，可以發(fā)明一種液化并回收清洗氣體或者腐蝕氣體的技術(shù)。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于這類清洗或者腐蝕氣體通常都很昂貴，因此在進行無害處理后放掉這些氣體是很不經(jīng)濟的。所以，希望開發(fā)出一種能經(jīng)濟有效地利用這些氣體的技術(shù)。
本發(fā)明的一個目的是提供一種具有較高的回收效率和較低的運行成本的氣體回收設(shè)備。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種氣體回收設(shè)備，它用以液化、回收清洗氣體或者腐蝕氣體，以便再次使用所回收的清洗氣體或腐蝕氣體。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種能以低成本有效地回收有害氣體的裝置和方法。
根據(jù)本發(fā)明，用來實現(xiàn)上述目的的氣體回收設(shè)備的特征結(jié)構(gòu)可概括如下。
這種設(shè)備可以包括一個設(shè)有一氣體輸入部分的CVD裝置，該部分具有一用來供應(yīng)稀釋惰性氣體的惰性氣體供應(yīng)通道以及一用來供應(yīng)清洗氣體的清洗氣體供應(yīng)通道，每條所述通道都與CVD裝置連接。該CVD裝置還配備有一個用來釋放廢氣的廢氣體排放部分，一條用來循環(huán)來自CVD裝置的廢氣的廢氣循環(huán)通道，一個用來冷卻和液化廢氣中的清洗氣體的冷卻部分以及一個用來回收已在冷卻部分中液化的清洗氣體的回收部分；此外還設(shè)置了一條氣體再循環(huán)通道，用來將在回收部分中回收的清洗氣體供給氣體輸入部分。
在另一個實施例中，這種設(shè)備可以包括一個設(shè)有一氣體輸入部分的腐蝕裝置，該部分具有一條用來供應(yīng)稀釋惰性氣體的惰性氣體供應(yīng)通道以及一條用來供應(yīng)腐蝕氣體的腐蝕氣體供應(yīng)通道，每條所述通道都與腐蝕裝置相連。該腐蝕裝置還設(shè)有一個用來釋放廢氣的廢氣排放部分，一條用來循環(huán)來自腐蝕裝置的廢氣的廢氣循環(huán)通道，一個用來冷卻和液化廢氣中的腐蝕氣體的冷卻部分，以及一個用來回收在冷卻部分中液化的腐蝕氣體的回收部分；此外，還提供了一條氣體再循環(huán)通道，它用來將在回收部分中回收的腐蝕氣體供給氣體輸入部分。
稀釋惰性氣體可以包括一種沸點低于清洗氣體或者腐蝕氣體沸點的氣體。該設(shè)備還可包括一個供應(yīng)部分，用來供應(yīng)成分與稀釋惰性氣體相同的處于液態(tài)的冷卻的惰性氣體；一個惰性氣體循環(huán)部分，該部分借助于冷卻的惰性氣體的汽化而冷卻下來；以及一個惰性氣體排放部分，用來排出在惰性氣體循環(huán)部分中汽化的冷卻惰性氣體，由此構(gòu)成了所述的冷卻部分。惰性氣體排放部分可以連接到惰性氣體供應(yīng)通道上。
清洗氣體和/或腐蝕氣體最好包括三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、三氟化氯(ClF3)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、氯化氫(HCl)、氟氣(F2)和氯氣(Cl2)中的至少任何一個。
另外，惰性氣體最好是氮氣。


圖1是本發(fā)明的氣體回收設(shè)備的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的氣體回收設(shè)備的示意圖。
通過構(gòu)成一種氣體回收設(shè)備，由此使來自CVD裝置或者腐蝕裝置的廢氣在冷卻部分的廢氣循環(huán)部分中冷卻下來，就有可能從CVD裝置或者腐蝕裝置中回收清洗氣體和/或腐蝕氣體。由于提供了一條用于將氣體從回收部分供往氣體輸入部分的氣體再循環(huán)通道，就有可能重新使用在回收部分中回收的清洗氣體和/或腐蝕氣體。
如果將其沸點低于清洗氣體或者腐蝕氣體兩者之一的冷卻的惰性氣體供給所述冷卻部分的惰性氣體循環(huán)部分，就能把冷卻部分冷卻到低于清洗氣體和腐蝕氣體沸點的溫度。因此，無需使用壓縮機之類的動力，只要讓冷卻的惰性氣體在惰性氣體循環(huán)部分中汽化，就能使清洗氣體和/或腐蝕氣體液化。
由于所選的冷卻惰性氣體與用來稀釋清洗氣體和/或腐蝕氣體的稀釋惰性氣體的成分相同，并且用來排放冷卻的惰性氣體的惰性氣體排放部分與CVD裝置或者腐蝕裝置的惰性氣體供應(yīng)通道相連，在所述惰性氣體循環(huán)部分中汽化的冷卻惰性氣體可以用作為稀釋惰性氣體而引入CVD裝置或者腐蝕裝置。
甚至當(dāng)清洗氣體或者腐蝕氣體對環(huán)境有害時，由于能回收它的有效成分，清洗氣體或者腐蝕氣體也不會對環(huán)境產(chǎn)生消極影響。在清洗氣體或腐蝕氣體價格昂貴的情況下，由于清洗氣體或者腐蝕氣體在CVD裝置或者腐蝕裝置中的使用率提高，因而使用大量的清洗氣體或腐蝕氣體的必要性減少，同時能降低生產(chǎn)成本。
由于冷卻清洗氣體和/或腐蝕氣體時不使用壓縮機之類的動力，故而可以高效率地冷卻廢氣，并且能可靠地液化和回收清洗氣體和/或腐蝕氣體。
如果冷卻的惰性氣體被用作CVD裝置或腐蝕裝置的稀釋惰性氣體，就能提供一種只需設(shè)置一個惰性氣體供應(yīng)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)簡單的氣體回收設(shè)備。由于使用了一個惰性氣體供應(yīng)系統(tǒng)來供應(yīng)冷卻的惰性氣體和稀釋惰性氣體，也可以降低工作成本。
如果清洗氣體或腐蝕氣體含有三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、三氟化氯(ClF3)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、氯化氫(HCl)、氟氣(F2)和氯氣(Cl2)中的至少一種，就會產(chǎn)生許多優(yōu)點。具體地說，可以有效地汽化CVD裝置中的雜質(zhì)以及腐蝕裝置中要被腐蝕的物質(zhì)。甚至當(dāng)使用低密度的清洗氣體或腐蝕氣體時，CVD裝置和腐蝕裝置也能有效地工作，并且可以限制清洗氣體或腐蝕氣體的用量，從而節(jié)省工作成本，并且容易回收清洗氣體或腐蝕氣體。
清洗氣體和腐蝕氣體最好是能在CVD裝置或者腐蝕裝置中分解以生成鹵素基團(例如氯基團、氟基團或碘基團)的氣體。
此外，最好用氮氣作惰性氣體，因為它非常便宜，并且沸點比各種清洗氣體和腐蝕氣體的沸點低。
下面參照附圖，介紹本發(fā)明的一個實施例。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的氣體回收設(shè)備是這樣構(gòu)成的，即在CVD裝置A的廢氣排放管A4的下游通過過濾裝置B以及吸附裝置C設(shè)置一個回收裝置主體D。在回收裝置主體D中設(shè)置一個用來儲存通過冷卻廢氣而生成的液體的儲存部分D2，另外，一個提純所述儲存部分D2中所儲存的液體的純化裝置E和一個有害物質(zhì)排除裝置F相連接并相通，所述有害物質(zhì)排除裝置F用來除掉來自所述回收裝置主體D以及純化裝置E的氣體成分中的有害物質(zhì)。
CVD裝置A包括一個用于形成硅膜(它將被用于一個薄膜晶體管“TFT”液晶或類似物中)的容器A1以及一個氣體混合和調(diào)節(jié)裝置G，所述裝置G用于將通過在氮氣中混入1％的三氟化氮(NF3)而制備的混合的清洗氣體引入容器A1。容器A1設(shè)有一根原料氣輸入管A2，它供入用來形成例如硅膜的原料氣；一根從所述氣體混合和調(diào)節(jié)裝置G輸入氣體的混合的清洗氣體輸入管A3以及一根用于從所述容器內(nèi)部排出廢氣的廢氣排放管A4。在容器A1的內(nèi)部設(shè)有用來安裝用以在其上形成硅膜的基片的諸如基片固定件(未示出)以及等離子體發(fā)生部分(未示出)。
與所述的廢氣排放管A4相連的過濾裝置B具有下述結(jié)構(gòu)，即在其內(nèi)部做出一個過濾器(未示出)，它用于過濾來自廢氣排放管A4的廢氣，以便除去在CVD裝置A中產(chǎn)生的諸如硅組分之類的固體組分。另外，還設(shè)有一根排放管B1，由此能從廢氣中過濾出固體組分。
與排放管B1相連的吸附裝置C的構(gòu)成使得在其內(nèi)部做出一個吸附柱(未示出)，它用于吸附并去除來自所述排放管B1的廢氣中所含的、沸點高于清洗或者腐蝕氣體(例如三氟化氮NF3)的氣體組分，例如水份和二氧化碳氣體。另外，還設(shè)有一根排放管C1，由此能吸附并去除這些高沸點氣體。
回收裝置主體D包括一個絕熱箱1。在絕熱箱1中安裝著一個冷卻劑罐2，從而包括一個冷卻部分D4以及一個導(dǎo)入部分3，所述導(dǎo)入部分3用來將廢氣從排放管C1輸入在絕熱箱1和冷卻劑罐2之間的空間。在絕熱箱1的下部形成一個儲存部分D2，以便儲存絕熱箱1內(nèi)的冷凝的液體，并設(shè)置一根回收管4，以便回收儲存部分D2內(nèi)的液體。在絕熱箱1的內(nèi)部還形成一個用以循環(huán)廢氣的廢氣循環(huán)部分D1。在冷卻劑罐2的外圓周表面上做出多個翅片5，以便使在廢氣循環(huán)部分D1中流動的廢氣與同一個冷卻劑罐2的接觸面積較大。
在冷卻劑罐2中設(shè)置一根供應(yīng)例如液氮的供應(yīng)管6，從而形成一個液氮供應(yīng)部分；另外還設(shè)有一根惰性氣體回收管7，以便從冷卻劑罐2中排出由于液氮在冷卻劑罐2內(nèi)蒸發(fā)而產(chǎn)生的氮氣，從而形成一個惰性氣體循環(huán)部分D3，冷卻的惰性氣體就在此處循環(huán)流動。
純化裝置E如此構(gòu)成，即設(shè)有一臺精餾設(shè)備(未示出)，以便精餾通過回收管4回收的液體，從而可以由精餾獲得純凈的清洗氣體，例如三氟化氮(NF3)。所得到的三氟化氮(NF3)將作為清洗氣體供給CVD裝置A。
有害物質(zhì)排除裝置F的構(gòu)造能將例如等離子體或者熱的高能量施加到在回收裝置主體D的廢氣循環(huán)部分中還未被液化的氣體以及來自所述純化裝置E的廢氣上，以便完全分解殘留或者混入其中的三氟化氮(NF3)，從而使該氣體成為無害氣體，并允許釋放到大氣中。
氣體混合和調(diào)節(jié)裝置G如下所述的構(gòu)成，即使一根惰性氣體供應(yīng)管G1和一根用以供應(yīng)清洗氣體的清洗氣體供應(yīng)管G2與裝置G連通，此處所述的惰性氣體供應(yīng)管G1用于混合并供應(yīng)來自回收裝置主體D的惰性氣體回收管7的氮氣和濃度可調(diào)的氮氣。將從惰性氣體回收管7中回收的氮氣、供自惰性氣體供應(yīng)管G1的氮氣以及供自清洗氣體供應(yīng)管G2的三氟化氮氣體(NF3)進行混合，以制備混合的清洗氣體。這種混合氣體中可以包括氮氣和混入其中的1％的三氟化氮(NF3)。使經(jīng)過制備的混合的清洗氣體從一個混合的清洗氣體排出口G3自由地排出?；旌系那逑礆怏w輸入管A3從混合的清洗氣體排出口G3通到容器A1，從而將混合的清洗氣體供給容器A1。
當(dāng)容器A1中產(chǎn)生雜質(zhì)并且必須要清洗時，首先關(guān)閉容器A1的原料氣輸入管A2，取出容器A1內(nèi)的基片，并將液氮供給回收裝置主體D的惰性氣體循環(huán)部分D3。在所述回收裝置主體D的冷卻部分充分冷卻之后，開啟容器A1以及混合的清洗氣體的輸入管A3，將含有三氟化氮氣體的混合的清洗氣體導(dǎo)入容器A1。由于三氧化氮氣體與雜質(zhì)起反應(yīng)，由此使雜質(zhì)汽化，于是容器A1的內(nèi)部得到清洗。此時，如果三氟化氮氣體相對過剩，含有過量的三氟化氮氣體的廢氣就易于流入廢氣排出管A4。通過借助于過濾裝置B去除混在廢氣中呈固態(tài)的雜質(zhì)，并且再通過借助于吸附裝置C從廢氣中去除高沸點的氣體，就易于將廢氣轉(zhuǎn)變成一種如下所述的氣體，即只含有三氟化氮氣體以及混在氮氣中的低沸點氣體。當(dāng)這種廢氣循環(huán)通過回收裝置主體D的廢氣循環(huán)部分時，通過使廢氣與冷卻劑罐2及在冷卻劑罐2上設(shè)置的翅片5接觸，而使廢氣冷卻下來，由此使三氟化氮氣體凝結(jié)并向下流動，積聚在儲存部分D2中。如果積聚了預(yù)定數(shù)量的液態(tài)三氟化氮，該液體就由回收管4進行回收，送往純化裝置E，為重新使用而提純。此外，由冷卻部分中的冷卻的惰性氣體產(chǎn)生的氮氣通過惰性氣體回收管7運送到氣體混合和調(diào)節(jié)裝置G中，用作稀釋惰性氣體。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，回收裝置主體可以包括一個如同儲存部分D2的可拆卸的儲存罐，作為絕熱箱的一部分，用來儲存液化的廢氣。如圖2中所示的實施例那樣，可以設(shè)置兩個這樣的絕熱箱或者儲存罐從而可以有選擇地使用它們。由于絕熱箱或者儲存罐可以在將它們從氣體回收設(shè)備上取下之后進行運輸，這樣一種設(shè)置即使在純化裝置必須設(shè)置在遠處時，也能有效地回收清洗氣體或者腐蝕氣體。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可以省略氣體混合和調(diào)節(jié)裝置，并可以用設(shè)置在將氣體直接送往CVD裝置的惰性氣體供應(yīng)管G1和清洗氣體供應(yīng)管G2上的閥門自由地調(diào)節(jié)將被送入容器A1的混合的清洗氣體成分。
在本發(fā)明中所采用的清洗氣體可以包括三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、三氟化氯(ClF3)四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、氯化氫(HCl)、氟氣(F2)以及氯氣(Cl2)。這些氣體可以用于CVD裝置的清洗。當(dāng)使用三氟化氮(NF3)時，可以除去包括硅組分，例如二氧化硅(SiO2)、多晶硅、金屬硅化物(例如硅化鎢(WSix))的雜質(zhì)。
在本發(fā)明中所采用的惰性氣體，其沸點最好低于所述清洗氣體的沸點。當(dāng)使用氮氣時，由于氮氣的沸點低于上述的各種清洗氣體的沸點，并且價格相對便宜，因此可適用性較高。但是，也可以使用氬氣或其它氣體。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，氣體回收設(shè)備可以不是應(yīng)用于上述的CVD裝置，而是應(yīng)用于一種腐蝕裝置，該腐蝕裝置的構(gòu)造使得在將一個掩模(mask)施加到一個其上具有氣相淀積的硅膜的基片上之后，所述基片的未被掩模覆蓋的表面被腐蝕氣體腐蝕。另外，腐蝕裝置相當(dāng)于圖1中所示的CVD裝置，而且腐蝕氣體相當(dāng)于清洗氣體。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，混合的清洗氣體調(diào)節(jié)裝置設(shè)置在上述的CVD裝置中，并將混合的清洗氣體輸入管通常稱為氣體輸入部分。在未提供混合的清洗氣體調(diào)節(jié)裝置的情況下，將惰性氣體供應(yīng)管和所述的清洗氣體供應(yīng)管的組合統(tǒng)稱為氣體輸入部分。通常將廢氣排出管A4和排放管B1、C1的組合統(tǒng)稱為廢氣排放部分。而將來自儲存部分D2的液化的清洗氣體或者腐蝕氣體通過回收管4并穿過純化裝置回收的部分統(tǒng)稱為回收部分。本發(fā)明不受上述實施例中的結(jié)構(gòu)的限制，只要該裝置能回收液化的清洗氣體或者腐蝕氣體即可。
盡管在上文中已經(jīng)結(jié)合專門的實施例詳細介紹了本發(fā)明，但是對于本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員而言，仍然可以在不超越本發(fā)明的精神和范圍的情況下作出各種變化和改進并采用等效形式。
權(quán)利要求
1.一種氣體回收設(shè)備，它包括一個CVD裝置，它包括一個氣體輸入部分，一條用來供應(yīng)稀釋的惰性氣體的惰性氣體供應(yīng)通道，一條用來供應(yīng)清洗氣體的清洗氣體供應(yīng)通道，以及一條廢氣排放通道，用于排放來自所述CVD裝置的廢氣；一個回收裝置主體，它與所述CVD裝置連通，并包括一個用來循環(huán)來自所述CVD裝置的廢氣的廢氣循環(huán)部分，一個用來冷卻和液化留在所述廢氣中的任何清洗氣體的冷卻部分以及一個回收部分，用來回收在所述冷卻部分中液化的清洗氣體；以及一條氣體再循環(huán)通道，它用來將在所述回收部分中回收的所述清洗氣體供給所述的氣體輸入部分。
2.一種氣體回收設(shè)備，它包括一個腐蝕裝置，它包括一個氣體輸入部分，一條用來供應(yīng)稀釋惰性氣體的惰性氣體供應(yīng)通道，一條用來供應(yīng)腐蝕氣體的腐蝕氣體供應(yīng)通道以及一個廢氣排放通道，該通道用于排出來自所述腐蝕裝置的廢氣；一個回收裝置主體，它與所述腐蝕裝置連通，并包括一個用來使來自所述腐蝕裝置的廢氣循環(huán)的廢氣循環(huán)部分，一個用來冷卻和液化留在所述廢氣中的任何腐蝕氣體的冷卻部分以及一個回收部分，該部分用來回收在所述冷卻部分中被液化的腐蝕氣體；以及一條氣體再循環(huán)通道，它用來將在所述回收部分中回收的所述腐蝕氣體供給所述的氣體輸入部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體回收設(shè)備，其特征為，所述的稀釋惰性氣體包括一種沸點低于所述清洗氣體或腐蝕氣體的沸點的氣體；所述設(shè)備進一步包括一個供應(yīng)部分，一個能由所述冷卻的惰性氣體的汽化熱冷卻下來的惰性氣體循環(huán)部分以及一個用來排出在所述惰性氣體循環(huán)部分中汽化的所述冷的惰性氣體的惰性氣體排放部分，其中的所述供應(yīng)部分用來供應(yīng)組分與所述稀釋惰性氣體的相同并處于液態(tài)的冷卻惰性氣體；而且所述的惰性氣體排放部分與所述的惰性氣體供應(yīng)通道連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體回收設(shè)備，其特征為，所述清洗氣體包括從下述的一組氣體中選出的一種氣體，即所述的一組氣體包括三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、三氟化氯(ClF3)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、氯化氫(HCl)、氟氣(F2)以及氯氣(Cl2)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體回收設(shè)備，其特征為，所述的稀釋惰性氣體是氮氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體回收設(shè)備，其特征為，所述的稀釋惰性氣體包括一種沸點低于所述清洗氣體或腐蝕氣體的沸點的氣體；所述設(shè)備還包括一個供應(yīng)部分，一個惰性氣體循環(huán)部分以及一個惰性氣體排放部分，其中的供應(yīng)部分用來供應(yīng)成分與所述的稀釋惰性氣體的成分相同并處于液態(tài)的冷的惰性氣體，所述的惰性氣體循環(huán)部分能由所述的冷卻惰性氣體的汽化熱冷卻下來，而所述的惰性氣體排放部分用來排出在所述惰性氣體循環(huán)部分中汽化的所述冷卻惰性氣體；而且所述的惰性氣體排放部分與所述的惰性氣體供應(yīng)通道連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體回收設(shè)備，其特征為，所述的腐蝕氣體包括從下述的一組氣體中選出的一種氣體，即所述的一組氣體包括三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、三氟化氯(ClF3)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、氯化氫(HCl)、氟氣(F2)以及氯氣(Cl2)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體回收設(shè)備，其特征為，所述的稀釋惰性氣體是氮氣。
9.一種用于回收在處理容器中使用的處理氣體的方法，它包括以下步驟(a)將一種處理氣體用于處理容器中，以便實施所述處理容器的清洗或者基片的腐蝕；(b)從所述處理容器中排出所述的處理氣體；(c)通過將所述的處理氣體冷卻到一個低于其沸點的溫度而液化所述排出的處理氣體，從而產(chǎn)生液化的回收處理氣體；以及(d)將所述的回收處理氣體引入所述的處理容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，所述的處理氣體是一種清洗氣體，而所述的處理容器是一個CVD裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，所述的處理氣體是一種腐蝕氣體，而所述的處理容器是一個腐蝕裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，在所述的排出所述處理氣體的步驟之后，還包括過濾所述處理氣體的步驟，以便從所述處理氣體中過濾出固體。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，還包括從所述處理氣體中吸附并去除沸點高于所述處理氣體的沸點的其它氣體的步驟，所述的吸附和去除步驟發(fā)生在所述排放步驟之后。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，還包括提純所述液化的回收處理氣體，以便產(chǎn)生基本上純凈的處理氣體的步驟，所述的提純步驟發(fā)生在所述的液化步驟之后。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，所述液化步驟還包括使所述排出的處理氣體處于與一種液態(tài)的第二氣體保持熱傳導(dǎo)聯(lián)系狀態(tài)的步驟，所述的第二氣體的沸點低于所述處理氣體的沸點，從而將所述排出的處理氣體冷卻到一個低于所述處理氣體的所述沸點溫度的溫度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，所述的第二氣體是惰性氣體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，還包括使所述第二氣體與所述回收處理氣體混合的步驟，所述混合步驟發(fā)生在所述輸入步驟之前。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于回收處理氣體的方法，其特征為，還包括使所述第二氣體與所述的回收處理氣體混合的步驟，所述混合步驟發(fā)生在所述的使所述排出的處理氣體處于與所述第二氣體保持熱傳導(dǎo)聯(lián)系狀態(tài)的步驟之后。
全文摘要
本發(fā)明的氣體回收設(shè)備有一CVD裝置，它包括具有惰性氣體供應(yīng)通道以及清洗氣體供應(yīng)通道的氣體輸入部分，這些通道都與CVD裝置相連；還設(shè)有廢氣排放部分，廢氣循環(huán)部分，冷卻部分以及回收部分；稀釋惰性氣體包括沸點低于清洗氣體的氣體；供應(yīng)成分與稀釋惰性氣體相同的液態(tài)冷惰性氣體的供應(yīng)部分、由冷惰性氣體的汽化熱冷卻的惰性氣體循環(huán)部分以及惰性氣體排放部分構(gòu)成冷卻部分；惰性氣體排放部分連接惰性氣體供應(yīng)通道。
文檔編號H01L21/3065GK1150240SQ9611028
公開日1997年5月21日 申請日期1996年7月16日 優(yōu)先權(quán)日1995年7月17日
發(fā)明者野沢成禎, 富田伸二 申請人:締酸株式會社