專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及具有中空半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體裝置，在這種封裝中，半導(dǎo)體芯片被加蓋密封(Cap-Sealed)于多層絲焊基板的空腔之內(nèi)。
圖9是用于圖示說明現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝的透視圖，

圖10是圖9所示的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。在這些圖中，參考標(biāo)號(hào)1是一個(gè)半導(dǎo)體芯片，2是鋁制或金制細(xì)絲，3是用FR4，BT等樹脂制作的多層絲焊基板，4是用鉛和錫制作的焊球，5是用BT樹脂制作的蓋(cap)、6是用于密封蓋5的密封樹脂，7是用銅，銅合金等等制作的金屬板，8a是一個(gè)小電容值的片狀陶瓷電容器，8b是一個(gè)大電容值的片狀電容器，9是用鋁、銅等制成的散熱片。
在現(xiàn)有的中空式半導(dǎo)體封裝中，眾多的焊球4在多層絲焊基板3的表面上排列成一個(gè)陣列，半導(dǎo)體芯片1和把半導(dǎo)體芯片1與多層絲焊基板3電連起來的金屬絲2被放置在多層絲焊基板3中心的空腔內(nèi)，而且半導(dǎo)體芯片1和金屬絲2等等用蓋5密封起來。另一方面，在多層絲焊基板3的表面的中心部位上已經(jīng)形成了用銅、銅合金等等制作的金屬板7，用于散發(fā)半導(dǎo)體芯片1所產(chǎn)生的熱，而金屬板7已裝附到用鋁、銅等制作的散熱片9上。
上述討論過的片狀電容器8a和8b對(duì)例如消除噪聲，為確保超過50MHz的半導(dǎo)體芯片的高速是必不可少的。在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，這樣的片狀電容器，如圖10所示，被裝配到上面提到過的多層絲焊基板3的表面上。
但是，就如圖10所畫出的那樣，比如說當(dāng)把一個(gè)小電容值的片狀電容8a裝配到多層絲焊基板3的表面上的時(shí)候，不利的是必須把散熱片9安裝到片狀電容器8a的上邊，結(jié)果作為一個(gè)整體半導(dǎo)體裝置將形成厚的厚度。當(dāng)把一個(gè)大電容值的片狀電容器8b裝配到多層絲焊基板3的表面上時(shí)，必須把散熱片9裝配為不和大電容值片狀電容器8b沖突，以致于必須把散熱片作成小尺寸，故缺點(diǎn)是產(chǎn)生了從半導(dǎo)體芯1上散熱不足和散熱效率低的問題。此外，如圖10所示，當(dāng)把大電容器值片狀電容器8b裝配到多層絲焊基板3的表面上時(shí)，由于不利的外部環(huán)境條件，片狀電容器8b可能從多層絲焊基板3上移開。
因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種消除了現(xiàn)有裝置的上邊討論過的缺點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種其整體厚度即便是裝配上一個(gè)諸如片狀電容器的片狀部件時(shí)也是薄的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，在這種裝置中即便是裝配上一個(gè)諸如片狀電容器時(shí)也可應(yīng)用尺寸大的散熱片。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，在這種裝置中不必?fù)?dān)心諸如片狀電容器的片狀部件從基板上移開。
對(duì)于上述所考慮的目的，本發(fā)明可歸納為這樣一個(gè)半導(dǎo)體裝置，它具有一個(gè)基板，基板上帶有一個(gè)用于在其中裝配半導(dǎo)體器件的空腔。該半導(dǎo)體裝置在空腔的周邊有降下一個(gè)臺(tái)階的表面，用于在其上邊裝配片狀部件。半導(dǎo)體裝置還具有一個(gè)已被裝配于空腔之中的半導(dǎo)體器件，一個(gè)已被裝配到降下一個(gè)臺(tái)階的表面上并可和半導(dǎo)體器件一起使用的片狀部件。諸如內(nèi)部引線的電連裝置被配置在基板上，用于對(duì)腔內(nèi)的半導(dǎo)體器件和在臺(tái)階上的與外部電路相連的片狀部件進(jìn)行電連。密封裝置被附加到基板上，用于密封腔內(nèi)的半導(dǎo)體器件和降下臺(tái)階表面上的片狀部件。
密封裝置可以包括一個(gè)附加到基板上的蓋和被注入到一個(gè)空間中去的密封材料，該空間被限定于在蓋子和基板之間，用于密封空腔和用于把降低了一個(gè)臺(tái)階的表面上的片狀部件密封成囊狀包的樣子，上述降下一個(gè)臺(tái)階的表面可沿著空腔的整個(gè)周界線延伸。蓋可以包括一個(gè)凸出物，它被用于緊靠下降臺(tái)階表面的側(cè)壁上，或者換一種方案，下降臺(tái)階表面可以包括一個(gè)側(cè)壁，該側(cè)壁有一個(gè)被用來緊靠蓋的周邊的突出物。半導(dǎo)體裝置還可以包括一個(gè)附加到半導(dǎo)體器件上去的散熱器。
此外，蓋還可有一個(gè)形成于其中的凹槽，而在基板空腔中的用于把片狀部件裝配在其上邊的降下臺(tái)階表面則被安排為與蓋的凹槽的平面相對(duì)面的位置。
還有一種供選擇的方案，基板可以具有已形成于其中的用于在其中裝配片狀部件的凹坑，該凹坑被定位于與蓋的平面不是對(duì)面的位置上。
此外，基板還可以具有已形成于其中的凹坑，凹坑用于把片狀部件裝配在其里邊，并被定位于基板的空腔之內(nèi)與蓋的平面相對(duì)的位置。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，片狀部件可以是片狀電容器。
下邊將結(jié)合附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的最佳實(shí)施例，通過下列詳細(xì)描述本發(fā)明就更容易理解了。這些附圖是圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖。
圖2是本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖3是本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖。
圖4是本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖5是本發(fā)明的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖。
圖6是本發(fā)明的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖7是一透視圖，用于說明本發(fā)明的第3實(shí)施例的凹坑。
圖8是本發(fā)明的第4實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖9是現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體裝置的透視圖。
圖10是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖，圖2是第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。在這些圖中，數(shù)字標(biāo)號(hào)1是一個(gè)半導(dǎo)體芯片、2是鋁絲或金絲，3是例如用FR4或BT樹脂制成的多層絲焊基板，4是用鉛和錫制作的焊球，5是比如說用BT樹脂或陶瓷制作的蓋，5a是蓋的凸出部分，6是用于把蓋5和片狀電容器形成囊狀物的密封樹脂，6a是使用于蓋5的底面上的蓋樹脂，7是用銅、合金銅等制成的金屬板，8b是大電容值的片狀陶瓷電容器，9是用鋁，銅等制作的散熱器或散熱片。還有，在這個(gè)圖中，參考標(biāo)號(hào)10是用諸如金或銅等電導(dǎo)體制成的連接區(qū)(land)，它由多層絲焊基板3里邊的電源層10a和接地層10b的引線組成。這些連接區(qū)10處于降下臺(tái)階的表面12上邊。降下臺(tái)階的表面12是定位于比基板3的頂部表面低一個(gè)距離的位置處的基板3的表面，下降距離相當(dāng)于蓋5的厚度與蓋5下邊粘結(jié)劑6a的厚度之和。還有，在該圖中，參考標(biāo)號(hào)11是密封部分，用于用密封樹脂6把多層絲焊基板3和蓋5覆蓋起來。
在本實(shí)施例中，不帶有凸出部分5a的蓋5的外側(cè)周邊部分，在本發(fā)明中相當(dāng)于蓋5的“凹槽”部分。還有，把上邊提到過的密封樹脂灌注其中的密封部分11和蓋5的“凹槽”部分在基板3的厚度的方向上是處于相對(duì)立的關(guān)系。即，在本實(shí)施例中，是用消除蓋5的在基板厚度方向上與在其中裝配片狀電容器8b的區(qū)域具有對(duì)向關(guān)系的那一部分的辦法來形成蓋5，使得把被消除掉的部分明確表示為“凹槽”。還有，在厚度方向上與在其中裝配片狀電容器的區(qū)域并不處于對(duì)向關(guān)系的那一部分明確表示為未被開凹槽的凸出部分5a。這些凸出部分5a被用來相對(duì)于基板3的空腔精確地定位蓋5，用的辦法是當(dāng)蓋5被蓋上的時(shí)候，把它們放在緊靠基板空腔的側(cè)壁表面的地方。
還有，在本實(shí)施例中，在把片狀電容器裝配到其上邊的降下臺(tái)階的表面上形成了密封部分11，它帶有連接區(qū)10，連接區(qū)10是從多層絲焊基板內(nèi)部伸展出來的導(dǎo)體。關(guān)于把蓋5密封到密封部分11上，是將片狀電容器8b用一種導(dǎo)電性粘結(jié)劑(沒有畫出來)粘結(jié)到降低臺(tái)階的表面上邊的連接區(qū)10上，接著把蓋5用蓋樹脂6a密封，然后片狀電容器用密封樹脂6封成囊狀包。在本實(shí)施例中，在蓋5被用密封樹脂6封成囊狀包之前，先用蓋樹脂6a把蓋5密封起來，然后再把片狀電容器8b用密封樹脂6封成囊狀包。但是，片狀電容器8b也可不用蓋樹脂6a而用導(dǎo)電性粘結(jié)劑(沒有畫出來)粘結(jié)到連接區(qū)10上，然后，用密封樹脂6把蓋5和片狀電容器8b封成囊狀包。
如上所述，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，在基板3的蓋5一側(cè)上邊裝配許多大電容值的片狀電容器8b，目的是為使得半導(dǎo)體芯片比如說具有高于50MHz工作頻率的足夠的速度但半導(dǎo)體封裝的多層絲焊基板3的整體尺寸不變大。此外，由于蓋5被形成為帶有凸出部分5a，蓋5相對(duì)于基板3易于定位，以防蓋5離開正確的位置。再者，由于片狀電容器8b完全被密封樹脂6覆蓋了起來，防止了因外部環(huán)境的原因而脫落，增加了可靠性。此外，因?yàn)樵诙鄬咏z焊基板3的表面上不存在與片狀部件相沖突的其他部件，故可以使用具有良好的散熱效率的大的散熱片9。
雖然就如日本專利公報(bào)3-225859號(hào)(Japanese Patent Laid-Open No.3-225859)所公布的那樣，已提出一種在其中片狀電容器已形成于基板中的半導(dǎo)體裝置，但由于增加了制造基板的工序數(shù)目，使這種裝置的造價(jià)很高。與這樣的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置相反，作為其目的，本發(fā)明關(guān)于基板的規(guī)定允許在高頻工作，在造價(jià)方面要和現(xiàn)有技術(shù)基板的造價(jià)相似。
圖3是圖示說明本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖。圖4是示于圖3的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。這些圖中，參考標(biāo)號(hào)1是半導(dǎo)體芯片，2是鋁制或金制壓焊絲，3是用FR4或BT樹脂等制作的多層絲焊基板，4是用鉛和錫制作的焊球，5是用BT樹脂或陶瓷制作的蓋，6是把蓋5和片狀電容器封成囊狀包的密封樹脂，7是用銅或銅合金制作的金屬板、8b是大電容值的陶瓷片狀電容器、9是用鋁、銅等制作的熱沉或者散熱片、11是降下臺(tái)階表面12的密封部分，在這一部分中，用密封樹脂6把多層絲焊基板3和蓋5覆蓋起來，11a是形成于密封部分11中的凹坑或者埋頭孔(Counter-Sink)。在本實(shí)施例中，密封部分11是不和蓋5的平面對(duì)向的部分。在本實(shí)施例中，用諸如金、銅等導(dǎo)體制成的連接區(qū)10形成于密封部分11的凹坑11a之內(nèi)，所用的方法是把多層絲焊基板3里邊的電源層10a和接地層10b的引線延伸過來。
在本實(shí)施例中，當(dāng)把蓋5密封到密封部分11上去的時(shí)候，首先用導(dǎo)電性粘結(jié)劑(沒有畫出來)把片狀電容器8b粘結(jié)到連接區(qū)10上，之后，把蓋5和多個(gè)片狀電容器8b用密封樹脂6覆蓋起來。
根據(jù)本實(shí)施例，像已經(jīng)講述過的那樣，密封部分11被形成為帶有凹坑11a而且大電容值的片狀電容器8b被裝配到這些凹坑11a中的連接區(qū)10上。因此，就像在第1實(shí)施例中那樣，可以維持芯片的高速運(yùn)行(高于50MHz的工作頻率)，而且半導(dǎo)體封裝的多層絲焊基板3的外部形狀不變大。此外，由于蓋5的形狀可以和現(xiàn)有設(shè)計(jì)的蓋的形狀相同。故造價(jià)不會(huì)增加，再者，由于片狀電容器8b完全被密封樹脂6覆蓋了起來，故它們不會(huì)由于外力或環(huán)境的原因而從基板3上脫落下來。
雖然其上裝配有片狀電容器8b的連接區(qū)10被布置在密封部分11的凹坑11a里邊，而且這些凹坑被形成為這樣一種凹坑，它從基板3的空腔的中空部分連續(xù)延展，但本發(fā)明卻不受限于這種構(gòu)造，片狀部件所裝配到其上的連接區(qū)也可以形成于一個(gè)凹下去的部分之內(nèi)，這個(gè)凹下去的部分與空腔無關(guān)地形成于基板3的蓋密封端的表面內(nèi)。
圖5是一透視圖，用于圖示說明本發(fā)明的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，圖6是圖5的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。在這些圖中，參考標(biāo)號(hào)1是半導(dǎo)體芯片、2是鋁制或金制焊絲，3是用FR4或BT樹脂等制成的多層絲焊基板，4是用鉛和錫制成的焊球，5是用BT樹脂或陶瓷制成的蓋、6a是用于密封蓋5的蓋樹脂，7是用銅或銅合金制成的金屬板、8b是大電容值陶瓷片狀電容、9是用鋁、銅等制成的散熱片，10是用諸如金或銅等導(dǎo)體制成的連接區(qū)，11是一密封部分，在這一部分中，多層絲焊基板3和蓋5被覆蓋了起來。11b是一些凹坑或者埋頭孔，它們形成于多層絲焊基板3的密封部分11中與蓋5平面相對(duì)的部分的較低下層表面內(nèi)。即，如圖7所示，這些凹坑11b形成于基板3的密封部分11中，作為凹下的部分延伸到基板3的空腔內(nèi)蓋5所裝配到的部位的較低下層的地方。
在本實(shí)施例中，蓋5把用于裝配片狀電容器8b的整個(gè)部位都覆蓋起來。片狀電容器8b裝配到其上的密封部分11帶有許多凹坑11b，這些凹坑延伸到多層絲焊基板3的較低下層上去。密封部分上還配置有連接區(qū)10，連接區(qū)10是多層絲焊基板3中導(dǎo)體的延伸。連接區(qū)10采用把多層絲焊基板3里邊的電源層10a和接地層10b的引線延伸出來的辦法形成。
當(dāng)把蓋5密封到本實(shí)施例的密封部分11上去的時(shí)候，首先用導(dǎo)電粘結(jié)劑把片狀電容器粘結(jié)到連接區(qū)10上去(粘結(jié)劑沒畫出來)，然后用蓋樹脂6a蓋5和多個(gè)片狀電容器8b覆蓋起來。
根據(jù)本實(shí)施例，像已經(jīng)講述過的那樣，則密封部分11帶有若干凹坑11b，這些凹坑11b伸展到多層絲焊基板3的較低下層的表面上，片狀電容器8b被裝配到這些凹坑里邊。因此，就像在第1實(shí)施例中那樣，可以維持芯片在高于50MHz的工作頻率的高速運(yùn)作，同時(shí)，半導(dǎo)體封裝的多層絲焊基板3的外部構(gòu)造也不會(huì)變大。此外，由于蓋5的形狀可以作得與現(xiàn)有設(shè)計(jì)的形狀相同，故造價(jià)也不會(huì)增加。再者，由于片狀電容器8b完全被蓋樹脂6a蓋了起來，故它們不會(huì)因外力或環(huán)境而從基板上脫落。
圖8圖示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第4實(shí)施例。在圖8中，那些和示于圖6中的相同或相當(dāng)?shù)牟考紭?biāo)以相同的參考標(biāo)號(hào)。這本實(shí)施例中，用密封樹脂6把蓋5密封到多層絲焊基板3的蓋密封端的表面上。還有，在本實(shí)施例中，在基板3的腔內(nèi)與蓋5的平面相向的那一部分已在其中形成了和空腔呈連續(xù)狀態(tài)的凹下部分11c，且在這種凹下部分11c中形成了片狀電容器8b所裝配在其上的一些連接區(qū)(沒有畫出來)。因?yàn)樵诒緦?shí)施例中蓋5被配置于其板3的表面上邊。故基板3可以相應(yīng)地做得薄些。因此，根據(jù)本實(shí)施例，像在第3實(shí)施例中那樣，也可減小半導(dǎo)體裝置的整體厚度。
如已經(jīng)討論過的那樣，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于片狀部件被裝配到連接區(qū)上，這些連接區(qū)形成在與凹槽的平面相面向的部分中，這些凹槽是用于基板空腔的蓋子的，故蓋并不是被設(shè)置為超過片狀部件，結(jié)果使得半導(dǎo)體裝置的整體厚度減小。此外，由于片狀部件被裝配在基板的蓋密封端表面上而且并不和設(shè)于基板最前端表面上的散熱片沖突，故不會(huì)由于片狀部件的存在而給散熱片的大小強(qiáng)行施加什么限制。還有，由于片狀部件被裝配到比蓋和基板的最前端表面還低的高度上，故不會(huì)受到外力的影響，增加了可靠性。
此外，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于片狀部件裝配在那些凹坑中，凹坑形成于不與基板的蓋的平面相對(duì)面的部分里，故蓋平面不與片狀部件相向，使得半導(dǎo)體裝置的整體尺寸得以做得不大。另外，由于片狀部件裝配在基板的蓋密封端上且不與配置在基板最前端表面的散熱片沖突，故不會(huì)由于片狀部件的存在而對(duì)散熱片尺寸強(qiáng)行加上什么限制。再者，由于片狀部件裝在低于蓋和基板最前端表面的高度上，故它們被保護(hù)為不會(huì)掉下來，增加了可靠性。
還有，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，則由于已裝配上的片狀部件被蓋和圍繞著蓋的密封樹脂密封了起來，故這些片狀部件完全受到保護(hù)使之不會(huì)由于外部環(huán)境諸如各種機(jī)械力的原因而脫落，從而大大地改善了可靠性。
另外，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于那些片狀部件裝在下述凹坑中這些凹坑形成于基板的空腔中與蓋的平面相向的部分里，故片狀部件在基板平面的方向上與蓋并不是沖突的關(guān)系，使得半導(dǎo)體裝置的整體厚度尺寸是小的。此外，由于片狀部件裝配在基板的蓋密封端且不和配置于基板的最前端表面一側(cè)的散熱片沖突，故不會(huì)因片狀部件的存在而給散熱片的尺寸強(qiáng)加上什么限制。還有，由于片狀部件裝配在低于蓋和基板的最前端表面的高度上，故它們被保護(hù)為不會(huì)掉下來，增加了可靠性。
還有，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于片狀部件可以是用來消除噪聲的片狀電容器，消噪片狀電容器的裝配不像現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)中那樣把它們裝配到基板的最前端表面上，故不使半導(dǎo)體裝置的整體厚度增加。另外，由于片狀部件裝配在基板的蓋密封端且不和配置于基板的最前端表面一側(cè)的散熱片沖突，故不會(huì)因片狀部件的存在而給散熱片的大小強(qiáng)行加上什么限制。再有，由于片狀部件裝配在此蓋和基板的最前端表面低的高度上，故它們被保護(hù)為不受外力影響，增加了可靠性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，它具有具有一個(gè)空腔和一個(gè)降下臺(tái)階表面的基板?？涨挥糜谠谄渲醒b配半導(dǎo)體器件，降下臺(tái)階表面在腔的周界上，用于在其上邊裝配片狀部件；裝配在上述空腔中的半導(dǎo)體器件；裝配到上述降下臺(tái)階表面上并和上述半導(dǎo)體器一起工作的片狀部件；電連裝置，它配置于上述基板之中，用于把上述腔內(nèi)的上述半導(dǎo)體和上述臺(tái)階表面上與外部電路有關(guān)的上述片狀部件電連起來；附加到上述基板上的密封裝置，用于在上述腔內(nèi)密封上述半導(dǎo)體器件和把上述片狀部件密封到上述降下臺(tái)階表面上。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，這里上述密封裝置包括加到上述基板上的蓋和一種密封材料，這種材料被灌注到一個(gè)限定于蓋和基板之間的空間中去，用于密封上述腔體和用于在上述降下臺(tái)階表面上把上述片狀部件封成一個(gè)囊狀包。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中上述降下臺(tái)階表面沿著上述腔體的整個(gè)周邊伸展。
4.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體裝置，其中上述蓋包括一個(gè)凸出物，該凸出物被用于緊靠上述降下臺(tái)階表面的側(cè)壁。
5.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體裝置，其中上述降下臺(tái)階表面包括一個(gè)側(cè)壁，該側(cè)壁有一個(gè)被用于緊靠上述蓋的緊周邊。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，它還包括一個(gè)附加到上述半導(dǎo)體器件上的散熱器。
7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中上述蓋有一個(gè)形成于其中的凹槽、而且在基板的空腔中用于把上述片狀部件裝配在其上的上述降下臺(tái)階表面被定位為與上述蓋的凹槽的平面相向。
8.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中在上述基板里邊已經(jīng)形成了用于裝配上述片狀部件的凹部，該凹部被定位于不與上述蓋的平面相向的部分上。
9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中上述基板已在其里邊形成了一種用于把上述片狀部件裝配在其中的凹部，其位置在上述基板的上述空腔之內(nèi)與上述蓋的平面相對(duì)的部分上。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，它有一個(gè)基板，基板中有一用于并在其中裝半導(dǎo)體器元件的空腔和在腔的周邊上的降下臺(tái)階表面，用于并在其上邊裝配片狀部件。裝配在半導(dǎo)體器件和片狀部件易于由導(dǎo)體連到外部電路上?；迳霞由w并把密封材料灌注到蓋和基板之間的空間中使腔密封，并在可以沿著腔的整個(gè)周邊延伸的降下臺(tái)階表面上使片狀部件封成囊狀包。蓋可以包括一個(gè)用于緊靠到降下臺(tái)階表面?zhèn)缺谏系耐钩?，或者降下臺(tái)階表面可包括一個(gè)側(cè)壁，側(cè)壁有一用于緊靠到蓋的周邊上的凸出。還可有附加到半導(dǎo)體器件上的散熱器。
文檔編號(hào)H01L23/64GK1138215SQ9610362
公開日1996年12月18日 申請(qǐng)日期1996年3月18日 優(yōu)先權(quán)日1995年3月20日
發(fā)明者上田哲也, 柴田潤, 山世見之 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社