專利名稱:等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置等使用的等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板(下面稱為PDP)，基本由前板和后板構(gòu)成。前板包括玻璃基板，由玻璃基板的主表面上的透明電極和匯流電極(bus electrode)構(gòu)成的條狀顯示電極，覆蓋顯示電極的作為電容器操作的介電玻璃層以及介電層上形成的氧化鎂(MgO)制得的保護(hù)層。
作為玻璃基板，使用可以容易制造大面積平坦區(qū)域的浮置法(floatmethod)制造。在顯示電極中，在由薄膜成形方法形成的透明電極上使用確保導(dǎo)電性的銀(Ag)膏形成預(yù)定的圖案。其后，通過燒結(jié)形成匯流電極。通過涂布和燒結(jié)介電質(zhì)膏形成介電層，以覆蓋由透明電極和匯流電極構(gòu)成的顯示電極。最后，在介電層上使用薄膜成形方法形成由MgO構(gòu)成的保護(hù)層。
另一方面，后板包括玻璃基板，玻璃基板的主表面上形成的條狀尋址電極，覆蓋尋址電極的介電層，介電層上形成的障壁，以及各障壁間形成在介電層上發(fā)出紅色、綠色或藍(lán)色光的熒光體層。
將前板和后板以電極形成側(cè)彼此相對(duì)地氣密封裝。將諸如氖(Ne)-氙(Xe)等的放電氣體以400Torr～600Torr的壓力填充到由障壁分割的放電空間。PDP在顯示電極上選擇性地施加圖像信號(hào)電壓從而發(fā)生氣體放電，通過該放電產(chǎn)生的紫外線激勵(lì)各色的熒光體層發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色的光?！兜入x子體顯示板全論》(內(nèi)持平樹、御子柴茂生合著、(日本)工業(yè)調(diào)查會(huì)出版、1997年5月1日、p79-p80)中揭示了以此方式顯示彩色圖像的實(shí)例。
圖像顯示使用將一幀圖像分割為多個(gè)子場(chǎng)(SF)的灰度表示方式。通過該方式，為了控制放電，一個(gè)子場(chǎng)分割為初始化階段、尋址階段、維持階段和擦除階段。作為在用以選擇要點(diǎn)亮的象素的尋址階段期間進(jìn)行穩(wěn)定的尋址放電的技術(shù)，日本特開平10-334809號(hào)公報(bào)，日本特開2003-132801號(hào)公報(bào)和日本特開2004-103273號(hào)公報(bào)公開了在保護(hù)層的MgO中添加數(shù)百ppm到百分之幾的硅(Si)或鋁(Al)元素以改善保護(hù)層的電子發(fā)射特性的技術(shù)。
此外，日本特開2000-267625號(hào)公報(bào)和《PDP中各個(gè)部件的特性及最新的開發(fā)實(shí)例》(株式會(huì)社信息機(jī)構(gòu)，2004年3月26日，P216-P218)公開了將初始化階段期間的放電波形變?yōu)榫哂芯徠碌钠胀ň匦蚊}沖，并抑制由于各放電單元的形狀差異或熒光體的帶電狀態(tài)的不同而引起的尋址放電電壓的變化的技術(shù)。
但是，近年來對(duì)于具有高清晰度、高灰度以及低功耗的圖像顯示裝置(諸如高清晰度電視屏幕)的期待不斷增高。特別是近年來期待全系列(full-specification)高清晰度的42英寸的電視屏幕，其象素?cái)?shù)為1920×1125，各放電單元的間距為小到0.15mm×0.48mm。因此高清晰度的PDP中，亮度和效率的降低的問題變得特別明顯。
通過將PDP內(nèi)的放電氣體中Xe的濃度設(shè)定為至少5％(高于現(xiàn)有濃度)或使用交叉狀的障壁作為增加亮度和效率的措施。但是，為了高亮度化而將PDP內(nèi)的放電氣體中的Xe濃度設(shè)為5％以上或使用交叉的障壁的情況下，驅(qū)動(dòng)電壓大幅度上升并發(fā)生不穩(wěn)定的尋址放電，而不能提供高質(zhì)量的圖像。當(dāng)Xe濃度增高時(shí)，Xe離子的量增大，MgO更易于濺射，保護(hù)層的壽命縮短的問題又會(huì)出現(xiàn)。
通常，對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電壓上升造成不穩(wěn)定放電的問題，使用MgO中添加Si或Al元素以增大從MgO的電子發(fā)射量的方法。但是，盡管與僅由MgO構(gòu)成保護(hù)層的情況相比，驅(qū)動(dòng)電壓有輕微降低，該方法仍然不能為尋址階段相對(duì)長的高清PDP穩(wěn)定地尋址放電。
特別是，具有增高的Xe濃度在5％以上的高清PDP中，為了尋址掃描的高速化和尋址放電的穩(wěn)定化以及低電壓化的目的，向MgO中添加Si或Al會(huì)產(chǎn)生如下問題。即，初始化放電中，通過利用介電層上的壁電荷的方法試圖點(diǎn)亮PDP時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓與現(xiàn)有的MgO保護(hù)層的情況相比較低，但是MgO保護(hù)層的良好的電子發(fā)射特性甚至?xí)沟迷诔跏蓟烹娭行纬傻谋陔姾上?，從而造成點(diǎn)亮失敗(尋址失敗)和圖像質(zhì)量下降。
為了尋址放電的穩(wěn)定化和尋址電壓降低的目的，使用緩坡電壓波形的情況下，點(diǎn)亮失敗(尋址失敗)的發(fā)生更加顯著。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的PDP中至少具有電極和介電層的前板和后板彼此相對(duì)設(shè)置以形成放電空間，并在放電空間中填充放電氣體，其中介電層上設(shè)置添加有Si和Al中的至少一種元素的MgO制得的保護(hù)層，并且放電氣體中至少包含Xe和氫氣(H2)。
如上構(gòu)成的PDP可以實(shí)現(xiàn)不會(huì)發(fā)生尋址放電期間的點(diǎn)亮失敗(尋址失敗)，具有高亮度和低操作電壓，并且可以實(shí)現(xiàn)長時(shí)間的穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)。
圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板(PDP)的主要構(gòu)成的截面透視圖。
圖2為圖1的沿2-2線的截面圖。
圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例的PDP的驅(qū)動(dòng)波形圖。
圖4A為示出本發(fā)明實(shí)施例的PDP在初始化階段期間的驅(qū)動(dòng)波形中壁電荷的形態(tài)的圖。
圖4B為示出本發(fā)明實(shí)施例的PDP在初始化階段終了時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形中壁電荷的形態(tài)的圖。
圖4C為示出本發(fā)明實(shí)施例的PDP在尋址階段開始時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形中壁電荷的形態(tài)的圖。
圖4D為示出本發(fā)明實(shí)施例的PDP在尋址階段期間的驅(qū)動(dòng)波形中壁電荷的形態(tài)的圖。
附圖標(biāo)記說明1 前板2 后板3 前玻璃基板4 掃描電極4a、5a 透明電極4b、5b 匯流電極5 維持電極6 顯示電極7、11 介電層
8 保護(hù)層9 后玻璃基板10 尋址電極12 障壁13 熒光體層13R (紅色)熒光體層13G (綠色)熒光體層13B (藍(lán)色)熒光體層14 放電空間具體實(shí)施方式
下面使用本發(fā)明實(shí)施例的PDP。
實(shí)施例圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例的PDP的主要構(gòu)成的截面透視圖。圖2為圖1沿2-2線的截面圖。如圖1所示，PDP由彼此相對(duì)設(shè)置以形成放電空間的前板1和后板2構(gòu)成。
首先說明前板1。前玻璃基板3的背面板2側(cè)的表面上，設(shè)置條狀掃描電極4和維持電極5并夾入表面放電間隙(gap)從而形成顯示電極6。即顯示電極6由平行設(shè)置的成對(duì)的掃描電極4和維持電極5形成。掃描電極4和維持電極5由氧化銦(ITO)和氧化錫(SnO2)等的透明導(dǎo)電性材料形成的透明電極4a、5a、以及其上形成的比透明電極4a、5a的寬度窄且導(dǎo)電性好的匯流電極(bus electrode)4b、5b構(gòu)成。匯流電極4b、5b中的每一個(gè)均由諸如Ag薄膜(厚度2μm～10μm)，Al薄膜(厚度0.1μm～1μm)和鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)積層薄膜(厚度0.1μm～1μm)中任一者構(gòu)成。
在形成有顯示電極6的前玻璃基板3上，形成介電層7用以覆蓋顯示電極6，例如，介電層7由具有PbO-SiO2-B2O3-ZnO-BaO系的玻璃成分的介電質(zhì)玻璃材料制得，并在介電層7上的全部區(qū)域上進(jìn)一步積層形成保護(hù)層8。保護(hù)層8由主要成分為MgO的薄膜形成。此處，保護(hù)層8由主成分為MgO添加諸如30ppm～50000ppm的Si和Al中的至少一種而組成。
然后說明后板2。后玻璃基板9的前面板1側(cè)的表面上，形成條狀尋址電極(address electrode)10。進(jìn)一步形成介電層11以覆蓋尋址電極10。在介電層11上，例如，在尋址電極10之間的位置處，設(shè)置條狀障壁(barrier rib)12。在障壁12和介電層11形成的條狀凹部中，以單元間距0.16mm(42英寸的HD-TV的情況下)依次形成由帶正電荷的(Y，Gd)BO3:Eu或Y2O3:Eu形成的紅色熒光體層13R，由帶負(fù)電荷的Zn2SiO4:Mn或帶正電荷的(Y，Gd)BO3:Tb形成的綠色熒光體層13G以及由帶正電荷的BaMgAl10O17:Eu形成的藍(lán)色熒光體層13B。
上述構(gòu)成的前板1和后板2相對(duì)配置，如圖1所示，從而尋址電極10和顯示電極6彼此垂直，由障壁12和各色的熒光體層13R、13G、13B構(gòu)成的條狀凹部和保護(hù)層8圍繞形成放電空間14。前板1和后板2的外周部由玻璃封裝，同時(shí)在放電空間14填充放電氣體以完成PDP。因此，顯示電極6和尋址電極10交叉的區(qū)域形成進(jìn)行圖像顯示的放電單元。在放電空間14中，以約400Torr～600Torr(包括400Torr和600Torr)范圍內(nèi)的壓力填充放電氣體。
PDP通過各放電單元發(fā)生放電而產(chǎn)生短波的紫外線(波長約為147nm)，紫外線激勵(lì)各色熒光體層13R、13G、13B發(fā)光，從而進(jìn)行圖像顯示。
本發(fā)明的實(shí)施例，作為填充放電空間14的氣體含有從氦(He)，氖(Ne)，氬(AR)中任選的至少一者，以及氙(Xe)和H2，且Xe的濃度在5％以上。另一方面，H2的濃度在30ppm～10000ppm(包括端點(diǎn))的范圍內(nèi)，優(yōu)選地在50ppm～1000ppm(包括端點(diǎn))的范圍內(nèi)。
放電氣體中Xe的濃度高可以實(shí)現(xiàn)高亮度化，但Xe的濃度升高也會(huì)使得放電電壓增大，因此需要電路部件和PDP的耐高電壓的構(gòu)造，這也是功耗上升，部件成本增加的原因。
但是，本發(fā)明的實(shí)施例中的PDP具有如下組合具有濃度高達(dá)至少5％的Xe并添加30ppm～10000ppm H2的放電氣體和添加Si或Al的MgO保護(hù)層8。其結(jié)果是實(shí)現(xiàn)高亮度化，尋址放電穩(wěn)定，并抑制放電電壓的上升。本發(fā)明的實(shí)施例中，尋址放電穩(wěn)定的同時(shí)可以抑制放電電壓上升的理由如下。
即，現(xiàn)有的技術(shù)中，單純向MgO的保護(hù)層添加Si或Al的情況下，放電期間保護(hù)層的表面進(jìn)行濺射(sputtering)時(shí)保護(hù)層中的Si或Al從保護(hù)層分離，使得只有MgO再次附著在保護(hù)層的表面上，因此保護(hù)層表面的Si或Al的濃度減小了。因此，添加Si或Al不能長期提供電子發(fā)射效果。
但是，本發(fā)明的實(shí)施例中，放電氣體中存在適量的H2時(shí)，可以抑制保護(hù)層8的Si或Al的濺射，并且MgO中的Si或Al的量可以一直保持恒定和穩(wěn)定。作為其理由是氫原子H的原子半徑和質(zhì)量都比Mg、Al、Si、O小，因此可以在放電空間中或MgO晶格中比較快速地移動(dòng)。從而MgO晶體中獲取的H2可以作為緩沖劑(buffer)抑制Si或Al從MgO中分離。H2的添加可以抑制壁電荷的消失。
放電氣體中的Xe的濃度在5％或5％以上時(shí)，放電期間的Xe離子的濃度的增大會(huì)提高濺射率，會(huì)產(chǎn)生更加強(qiáng)烈的MgO的Si或Al的分離。因此，Xe濃度高的放電氣體中，為保持放電的穩(wěn)定性，抑制壁電荷消失，放電氣體中加入H2作為其組成部分是非常有效的。
本發(fā)明的實(shí)施例中，做成MgO中Si或Al添加量不同和放電氣體中Xe和H2濃度不同的PDP并評(píng)估其性能。表1顯示其結(jié)果。
表1
*；PDP號(hào)碼1，2，5，14，15為比較例表1中，表示出做成的各PDP的保護(hù)層的狀態(tài)和放電氣體的狀態(tài)以及點(diǎn)亮評(píng)估的結(jié)果。PDP標(biāo)號(hào)1、2、5、14和15是與本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行比較的比較例，PDP標(biāo)號(hào)3、4、6～13為本發(fā)明實(shí)施例的PDP。表1中，作為本發(fā)明的實(shí)施例的PDP，MgO中的Si或Al的濃度為30ppm～50000ppm、放電氣體中的H2的濃度為30ppm～10000ppm，Xe的濃度為5％～50％，其余的放電氣體為Ne。通過圖3所示的、使用緩坡(gradually-sloping)初始化波形的驅(qū)動(dòng)波形來點(diǎn)亮每個(gè)PDP。檢查尋址放電期間的放電穩(wěn)定性(尋址失敗)，同時(shí)評(píng)估掃描脈沖電壓(即，用以保持壁電荷穩(wěn)定的電壓)(圖3中Vs)。此處，PDP標(biāo)號(hào)1、2、5和14中H2的濃度在5ppm以下(直至檢測(cè)界限)表示不主動(dòng)向放電氣體中添加H2。
尋址失敗發(fā)生時(shí)，本來點(diǎn)亮的象素不發(fā)生放電，因此成為引起畫面質(zhì)量劣化的原因。關(guān)于尋址放電的穩(wěn)定性，表1的評(píng)價(jià)標(biāo)號(hào)為◎符號(hào)表示尋址放電非常穩(wěn)定，顯示屏幕沒有閃爍；○符號(hào)表示尋址放電穩(wěn)定，顯示屏幕中沒有影響觀看的嚴(yán)重閃爍；△符號(hào)表示輕微的放電不穩(wěn)定，并出現(xiàn)一些放電失敗。優(yōu)選地，尋址時(shí)保持壁電荷所需的電壓Vs較小。通常，電壓Vs在150V或更高時(shí)，可耐受該電壓的通用IC較少。即使使用具有至少150V耐電壓的IC時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓變高因此IC的發(fā)熱量變大，容易引起放電失敗。因此電壓Vs優(yōu)選為較小，最好在80V以下。
從表1的結(jié)果中可以判斷，MgO中添加Si或Al的PDP標(biāo)號(hào)2、3、4、5、6～14，通過添加30ppm以上的Si或Al可以明顯減少尋址失敗的發(fā)生。但是，另一方面，表1中H2的濃度在檢測(cè)界限以下而只是向MgO中添加Si或Al的PDP標(biāo)號(hào)2、5、14中，電壓Vs變高。通過PDP標(biāo)號(hào)2、5的結(jié)果顯示，隨著Si或Al的濃度變高，尋址放電更加穩(wěn)定，但是電壓Vs傾向于更高。對(duì)于不添加Si或Al的PDP標(biāo)號(hào)1和15，尋址放電不穩(wěn)定，電壓Vs也輕微增高。如PDP標(biāo)號(hào)11～13的結(jié)果所示，可以向MgO同時(shí)添加Al和Si，這種情況下各濃度的總和在100ppm到50000ppm(包括100ppm和50000ppm)的范圍內(nèi)可以產(chǎn)生同樣的效果。
通過以上可以判斷，本發(fā)明實(shí)施例的PDP標(biāo)號(hào)3、4和6～13同時(shí)滿足尋址放電穩(wěn)定且保持電荷所需的電壓Vs在80V以下這兩個(gè)條件。
不向放電氣體添加H2的情況下，向MgO添加Si或Al的添加量增加時(shí)電壓Vs增加的理由考慮為以下機(jī)制。參照?qǐng)D3、圖4說明該機(jī)制。圖3為PDP的驅(qū)動(dòng)波形的圖，圖4為圖3的驅(qū)動(dòng)波形的預(yù)定定時(shí)處、壁電荷的形態(tài)。即圖4A～圖4D所示為圖3中緩坡電壓波形進(jìn)行初始化時(shí)，圖3中所示的定時(shí)(a)～(d)處的放電單元內(nèi)的電荷(壁電荷)的形態(tài)。從定時(shí)(a)到(b)，通過緩坡電壓波形微弱放電，使得放電單元內(nèi)的電極之間的部分積蓄壁電荷，處于接近放電開始電壓的狀態(tài)。即，如圖4A所示，在定時(shí)(a)，對(duì)掃描電極4施加正電壓，因此掃描電極4側(cè)的介電層7上積蓄負(fù)電荷。另一方面，在其他電極的介電層7和熒光體層13上積蓄相對(duì)的正電荷。如圖4B所示，在定時(shí)(b)，減弱外部的電壓供給以使電極間施加的電場(chǎng)強(qiáng)度接近放電開始電壓的狀態(tài)，將在定時(shí)(a)積蓄的壁電荷在某種程度上調(diào)整為壁電荷中和的狀態(tài)。各電極間對(duì)應(yīng)于放電開始電壓的電場(chǎng)施加到放電空間。該狀態(tài)為初始化期間的終了狀態(tài)。
然后，用以選擇要在維持階段點(diǎn)亮的放電單元的尋址階段期間的定時(shí)(c)參照?qǐng)D4C說明，定時(shí)(d)參照?qǐng)D4D說明。在定時(shí)(c)，即在進(jìn)行放電單元的尋址放電的定時(shí)(d)以外的時(shí)間段中，將電壓Vs(即，用以保持初始化期間積蓄的壁電荷穩(wěn)定的掃描脈沖電壓)施加到掃描電極4。即，該電壓Vs用作具有弱化各壁電荷產(chǎn)生的各電極間的電場(chǎng)的極性的電壓。然后，在尋址放電時(shí)，停止施加電壓Vs，并且放電單元內(nèi)的電極間的電場(chǎng)返回到接近放電開始電壓的定時(shí)(b)的狀態(tài)。因此，與圖像同步地，施加超過電極間的放電開始電壓的正電壓到尋址電極10，以發(fā)生強(qiáng)烈放電并進(jìn)行單元的選擇。此時(shí)，因?yàn)樵诮咏烹婇_始電壓的狀態(tài)下進(jìn)行使用緩坡電壓波形的初始化驅(qū)動(dòng)，因此，與現(xiàn)有的使用脈沖波形的初始化波形相比，施加到尋址電極的電壓大幅度減小。通過依次掃描所有的掃描電極4進(jìn)行選擇放電單元的尋址放電，可以為由矩陣配置的電極構(gòu)成的PDP的整個(gè)表面上的全部象素選擇放電單元。
但是利用緩坡電壓波形形成壁電荷的驅(qū)動(dòng)方法中，必須保持初始化期間形成的壁電荷，因此壁電荷的穩(wěn)定保持和電子發(fā)射特性的提高成為相沖突的特性。即隨著電子發(fā)射特性提高，MgO保護(hù)層8傾向于向放電空間中發(fā)射積蓄的電子，因此保持壁電荷的穩(wěn)定變得困難。因此，需要高電壓Vs來保持掃描電極4的介電層7上形成的壁電荷穩(wěn)定。
此處，如表1中的PDP標(biāo)號(hào)2～14所示，Si或Al的添加量為30ppm以上，與PDP標(biāo)號(hào)1和15中沒有添加物的情況相比，尋址放電的穩(wěn)定性更好，其原因?yàn)?，大量添加的Si或Al在MgO中形成淺雜質(zhì)準(zhǔn)位(a shallow impurityorder)作為電子的供給源，因此電子發(fā)射特性提高。但是，表1中的PDP標(biāo)號(hào)3、4、6～13顯示，添加30ppm以上的Si或Al到MgO中，且添加30ppm的H2到放電氣體中，可以同時(shí)提高電子發(fā)射特性并且保持壁電荷穩(wěn)定。其原因?yàn)椋ㄟ^H2的添加，放電單元內(nèi)的放電開始電壓下降，圖3的定時(shí)(b)，即圖4B的狀態(tài)中，正壁電荷和負(fù)壁電荷的吸引力(force attracting)變小，可以抑制壁電荷的中和。
此處，在向MgO添加Si的濃度超過30ppm時(shí)出現(xiàn)尋址放電穩(wěn)定化的效果，并且在100ppm以上效果特別顯著。但是，50000ppm或更大時(shí)，MgO的結(jié)晶特性的下降導(dǎo)致尋址放電的不穩(wěn)定。另一方面，Al的濃度也在30ppm以上出現(xiàn)效果，在50000ppm以上同樣發(fā)生結(jié)晶性能惡化導(dǎo)致尋址放電的不穩(wěn)定。Si和Al的濃度合計(jì)在100ppm以上50000ppm以下的場(chǎng)合也獲得同樣的效果。
添加H2的濃度在30ppm～10000ppm之間會(huì)出現(xiàn)電壓Vs降低的效果，優(yōu)選地在50ppm～1000ppm范圍內(nèi)效果顯著。
表1中作為放電氣體的Xe的濃度為5％～50％僅為例示，放電氣體中的Xe濃度增加時(shí)，圖3中維持階段的維持脈沖電壓顯著上升。因此，表1所示的Xe濃度即使在50％也可以抑制尋址階段的掃描電壓的上升，但是因?yàn)樵谠摑舛认?，維持脈沖電壓上升顯著，所以作為實(shí)際的Xe濃度優(yōu)選地在5％～30％范圍內(nèi)。
如上所述，添加30ppm～50000ppm的Si或Al的MgO作為保護(hù)層，且在放電氣體中添加30ppm～10000ppm H2可以使PDP同時(shí)實(shí)現(xiàn)尋址放電的穩(wěn)定化以及保持壁電荷所需的掃描脈沖電壓的低電壓化，還可以提高保護(hù)層的耐濺射性。
在以上的說明中，使用了所謂的面放電型PDP。但是，本發(fā)明同樣適用于對(duì)向放電構(gòu)造的PDP或管陣列(tube array)結(jié)構(gòu)的PDP(T.Shinoda el al.，“New approach for wall display with fine tube array technology”，SIDSymposium 2002)。對(duì)于降低超過60英寸的大型PDP的功耗，本發(fā)明是更加有效的手段。
工業(yè)適用性本發(fā)明提供了一種可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定尋址放電、并可用低電壓驅(qū)動(dòng)的高亮度的PDP，因此對(duì)于高品質(zhì)的等離子體顯示裝置是有用的。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，其中至少具有電極和介電層的前板和后板彼此相對(duì)設(shè)置以形成放電空間，并在所述放電空間中填充放電氣體，所述等離子體顯示板包括所述介電層上設(shè)置的、添加有硅和鋁中至少一種元素的氧化鎂制得的保護(hù)層，所述放電氣體至少包含氙和氫氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的等離子體顯示板，其中所述保護(hù)層中所述硅和所述鋁之一的濃度為30ppm以上50000ppm以下，并且所述氫氣的濃度在10000ppm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的等離子體顯示板，其中所述保護(hù)層中所述硅和所述鋁的濃度合計(jì)為100ppm以上50000ppm以下，并且所述氫氣的濃度在10000ppm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求
2或3所述的等離子體顯示板，其中所述氙的濃度在5％以上30％以下。
專利摘要
一種等離子體顯示板，其中至少具有顯示電極(6)和介電層(7)的前板(1)和后板(2)相對(duì)設(shè)置以形成放電空間(14)，并且向放電空間(14)中填充放電氣體。在介電層(7)上設(shè)置添加有硅和鋁中的至少一種元素的氧化鎂制的保護(hù)層(8)。放電氣體至少包含氙和氫氣。保護(hù)層(8)的硅和鋁之一的濃度為30ppm以上50000ppm以下。氫氣的濃度在10000ppm以下。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1993795SQ200680000541
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年5月17日
發(fā)明者西村征起 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan