專利名稱:等離子體處理方法以及等離子體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用等離子體對被處理件的表面實(shí)施蝕刻、堆積(成膜)、清洗等處理的等離子體處理方法以及裝置。
背景技術(shù)：
對于基板等被處理件(以下簡稱基板)表面的等離子體處理，是按照如下的方式進(jìn)行的。即，首先將基板搬入真空容器內(nèi)，并載置在支承臺上。在使真空容器的內(nèi)部成為減壓狀態(tài)后，向真空容器內(nèi)導(dǎo)入處理用氣體(等離子體氣體)，采用各種方法投入能量而將等離子體氣體等離子體化。通過適宜地設(shè)定導(dǎo)入的等離子體氣體的種類和投入的能量等，對基板進(jìn)行蝕刻、堆積、清洗等處理。
這里，通常為了便于操作，是將基板首先載置·固定在托盤上，然后，將載置了基板的托盤載置在真空容器內(nèi)的支承臺上。即，基板和托盤被一同裝入真空容器內(nèi)，在處理后，與托盤一同從真空容器中取出，然后進(jìn)行后續(xù)工序的處理。在完成了規(guī)定的處理之后，從托盤上取下基板。
在支承臺上進(jìn)行等離子體處理的期間，由于等離子體的能量被施加于基板，所以基板的溫度上升。在該溫度上升過高時(shí)，基板本身的特性發(fā)生變化或劣化，會導(dǎo)致光致抗蝕劑的燒壞。因此，在多數(shù)的情況下，在等離子體處理期間，進(jìn)行基板的冷卻。通常是通過冷卻載置了該基板的支承臺，進(jìn)行基板的冷卻。
在如上述那樣在基板與支承臺之間存在托盤的情況下，即使托盤使用熱傳導(dǎo)率良好的材料，如果支承臺與托盤的接觸面、以及托盤與基板的接觸面的熱傳導(dǎo)不良，則基板不能被充分地冷卻。對于支承臺和托盤，以往是利用機(jī)械式(mechanical)卡盤或靜電吸盤等來確保充分的緊密接觸性，并且根據(jù)情況，在此基礎(chǔ)上，還具有在兩者之間流通熱傳導(dǎo)率良好的氦氣的機(jī)構(gòu)。因此，在支承臺與托盤之間的熱傳導(dǎo)方面不存在大的問題。
專利文獻(xiàn)1特開平5-160258號公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平5-245967號公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開平8-124975號公報(bào)專利文獻(xiàn)4特開2003-257907號公報(bào)專利文獻(xiàn)5特開2005-150312號公報(bào)但是，由于重視托盤和基板的移動性，所以在兩者之間不能使用上述那樣的卡盤方法。然而，如果只是單純地將基板載置在托盤上，則在減壓狀態(tài)下，兩者之間被真空隔熱。在此情況下，基板的熱不能充分地傳導(dǎo)到支承臺上，即使在支承臺上特意地設(shè)置了冷卻裝置，也不能達(dá)到冷卻的效果，從而使基板溫度上升。另外，在等離子體處理中，有時(shí)是將多片小直徑晶片搬送到真空容器中，并同時(shí)進(jìn)行等離子體處理，但以往的機(jī)械式卡盤存在著不能將多片基板同時(shí)固定在托盤上，而且，如果固定晶片端部，則基板表面的處理的均勻性下降，使得有效的處理面積減小等缺點(diǎn)。而靜電吸盤則如上述那樣，不能冷卻被載置在托盤上的基板。
雖然通過在托盤與基板之間涂抹油脂來提高兩者之間的緊密接觸性，可提高兩者之間的熱傳導(dǎo)率，但是在等離子體處理中，因一部分油脂的汽化而污染真空容器的內(nèi)部和基板表面。另外，油脂還具有粘接托盤和基板的效果，但如果要增強(qiáng)熱傳導(dǎo)率的提高效果，則該粘接力也增強(qiáng)，因而在將基板從支承臺上剝離時(shí)對基板施加不合理的力，產(chǎn)生損傷基板的問題。另外，在等離子體處理之后還需要利用有機(jī)溶劑除去油脂。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要達(dá)到的目的是，提供一種在等離子體處理時(shí)、以及其前后，能夠?qū)⒒迩袑?shí)地固定在托盤上，提高其處理性和操作性，并且在必要時(shí)能夠容易地將基板從托盤上剝離的方法和裝置。
為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提供一種將被處理件載置在托盤上，進(jìn)一步將該托盤載置在支承臺上，通過等離子體對該被處理件的表面進(jìn)行處理的等離子體處理方法，其特征在于，利用熱剝離粘接構(gòu)件粘接托盤和被處理件。
這里，所謂熱剝離粘接構(gòu)件是指在達(dá)到規(guī)定以上的溫度時(shí)剝離的粘接部件。本發(fā)明可適宜地使用例如在專利文獻(xiàn)1～5中所記載的發(fā)泡剝離性薄板或發(fā)泡剝離劑。但是，在專利文獻(xiàn)1～5中未記載在等離子體處理容器內(nèi)使用發(fā)泡剝離性薄板或發(fā)泡剝離劑。當(dāng)然，在本發(fā)明中，除了這樣的發(fā)泡剝離性薄板、發(fā)泡剝離劑以外，只要是通過加熱，其粘接力減弱或失去粘接力的粘接部件，可使用任意的粘接部件。
上述的“載置在托盤上”或“載置在支承臺上”不是針對重力方向的上下而言，而只是針對單一方向而言。即，例如在支承臺被配置在重力方向的上部，利用某種方法將托盤固定在其下面，在該托盤的下面利用熱剝離粘接構(gòu)件粘接了被處理件的情況下，也屬于本發(fā)明的范圍。
上述“等離子體處理”包括等離子體蝕刻處理、等離子體成膜處理、等離子體清洗處理等使用了等離子體的所有的處理。
在向等離子體處理中的被處理件輸入的熱量少的情況下，被處理件的溫度不會有太大的上升，但隨著投入能量的增加，被處理件的溫度上升。由于不希望該等離子體處理中的被處理件的溫度超過熱剝離粘接構(gòu)件的剝離溫度，所以在等離子體處理時(shí)希望對支承臺進(jìn)行冷卻。
對于托盤與被處理件的粘接，希望在托盤的表面設(shè)置槽，一邊將被處理件與托盤之間的氣體從該槽釋放，一邊進(jìn)行粘接。
在使用設(shè)有槽的托盤的情況下，希望隔著配置在被處理件周圍的密封件載置蓋，以機(jī)械方式將蓋按壓在被處理件上，且向由被處理件、密封件以及蓋形成的施壓室內(nèi)注入氣體，由此按壓被處理件的整個(gè)面，將被處理件粘接在托盤上。在這種情況下，希望在進(jìn)行所述按壓時(shí)，對被處理件的下面實(shí)施排氣。這里，所謂“下面”是指被處理件的與施壓室相反一側(cè)的面。
希望使用下述的被處理件粘接裝置，進(jìn)行表面具有槽的托盤與被處理件的粘接。即，該裝置是用于將板狀的被處理件均勻地粘接在表面具有槽的托盤上的被處理件粘接裝置，其特征在于，具備配置在與該被處理件的上面的周圍對應(yīng)的位置的密封件；隔著該密封件配置在被處理件的上側(cè)的蓋；按壓該密封件且將該蓋固定在該托盤上的固定機(jī)構(gòu)；和用于向由被處理件、密封件以及蓋形成的施壓室內(nèi)注入氣體的施壓機(jī)構(gòu)。
希望上述被處理件粘接裝置具備對施壓室周圍的空間進(jìn)行減壓的減壓機(jī)構(gòu)。
(發(fā)明效果)本發(fā)明的等離子體處理方法或等離子體處理裝置由于在等離子體處理中及其前后將被處理件切實(shí)地固定在托盤上，所以容易進(jìn)行被處理件的向處理室(真空容器)的搬入或搬出等操作。另外，在等離子體處理中，由于可高效率地將基于對被處理件投入的能量而產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)至托盤和支承臺，所以可抑制被處理件的溫度上升。其效果比冷卻了支承臺的情況更為顯著。
而且，在結(jié)束了等離子體處理，并且將被處理件和托盤從處理室中取出，并進(jìn)行了必要的后續(xù)處理后，只需將熱剝離粘接構(gòu)件加熱到規(guī)定的剝離溫度以上，即可將被處理件從托盤上剝離。因此，在處理的整體過程中，不會對被處理件施加不合理的力，可迅速地進(jìn)行等離子體處理。并且，由于不使用油脂，所以可省略其清洗工序。
本發(fā)明所針對的被處理件，包括硅和化合物等的半導(dǎo)體、玻璃和樹脂等的絕緣體、金屬等的導(dǎo)體等任意種類。另外，關(guān)于其形狀，當(dāng)然可以是大面積單片板的晶片狀部件，也可以是將多個(gè)小芯片狀部件排列配置的部件。
通過在托盤表面設(shè)置槽，在將托盤和被處理件粘接時(shí)，能夠?qū)⒈惶幚砑c托盤之間的氣體通過槽排出到外部，因此，可防止在托盤與被處理件之間殘留氣體。由此，可進(jìn)一步提高從被處理件向托盤的熱傳導(dǎo)性，從而可更加切實(shí)地抑制等離子體處理中的被處理件的溫度上升。
通過在被處理件的上部設(shè)置施壓室，向施壓室內(nèi)注入氣體，按壓被處理件的整個(gè)面，將被處理件粘接在托盤上，能夠以均勻的壓力按壓被處理件的整個(gè)面，因此，可防止在托盤與被處理件之間的一部分殘留氣體，從而可進(jìn)一步提高托盤與被處理件的粘接性。
此時(shí)，即使機(jī)械方式的按壓對密封件施加的壓力產(chǎn)生了偏傾，也可以通過對被處理件的下面進(jìn)行排氣，來修正該偏傾，對密封件施加均勻的壓力。
圖1是在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中使用的陰極耦合型等離子體CVD裝置的概略構(gòu)成圖。
圖2是表示托盤、發(fā)泡剝離性薄板、和基板的關(guān)系的剖視圖，(a)表示粘接狀態(tài)，(b)表示剝離狀態(tài)。
圖3是表示托盤的一個(gè)適宜的實(shí)施方式的托盤15A的俯視圖(a)，以及表示在將基板14粘接在托盤15A上時(shí)，能夠從基板14與托盤15A之間將氣體排出的縱剖視圖(b)。
圖4是表示用于粘接托盤和被處理件的裝置的一個(gè)實(shí)施方式的縱剖視圖。
圖5是表示粘接裝置30的載置臺30A的俯視圖。
圖6是表示粘接裝置30的蓋30B的仰視圖。
圖7是放大表示1個(gè)施壓室35的周圍的縱剖視圖。
圖8是在溫度上升測定試驗(yàn)中使用的托盤和基板的立體圖。
圖9是在溫度上升測定試驗(yàn)中使用的ICP等離子體蝕刻裝置的概略構(gòu)成圖。
圖10是溫度上升測定試驗(yàn)條件的表。
圖11是溫度上升測定試驗(yàn)條件的結(jié)果的表。
圖12是溫度上升測定試驗(yàn)條件的結(jié)果的表。
圖中10-等離子體CVD裝置；11-真空容器；12-上部電極；13-下部電極；14、42-被處理件(基板)；15、15A、43-托盤；16、41-發(fā)泡剝離性薄板；17-加熱臺；21-槽；22-托盤的端部；30-粘接裝置；30A-載置臺；30B-蓋；30C-夾鉗；31-空間；31A-載置臺的中央部；33-排出口；34-排氣室O形環(huán)；35-施壓室；36-氣體注入口；37-密封件；44-熱敏標(biāo)簽(thermo label)；45-熱敏標(biāo)簽保護(hù)膜。
具體實(shí)施方式下面，結(jié)合圖1，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是陰極耦合型等離子體CVD裝置10的剖視圖。在上下分割型的真空容器11內(nèi)，大致平行地配置有上部電極12和下部電極13。在上部電極12的下面設(shè)有多個(gè)細(xì)的氣體導(dǎo)入口，另一方面，在下部電極13內(nèi)設(shè)有冷卻裝置。在電路方面，上部電極12和容器11接地，另一方面下部電極13被施加高頻電力。另外，在本實(shí)施例中，下部電極13作為上述支承臺發(fā)揮作用。
使用了本等離子體CVD裝置10的被處理件(以下稱為基板)14的處理方法如下面所述。
首先，如圖2(a)所示，在真空容器11的外部，在由氧化鋁等構(gòu)成的托盤15上隔著發(fā)泡剝離性薄板16載置基板14。發(fā)泡剝離性薄板16在常溫下具有粘性，但通過加熱，含有成分產(chǎn)生發(fā)泡，從而失去粘接性。例如，可使用日東電工株式會社制“リバアルフア”(注冊商標(biāo))。
將這樣固定了基板的托盤15載置在下部電極13上，利用靜電吸盤等將托盤15固定在下部電極13上。在關(guān)閉了真空容器11后，從上部電極12向真空容器11內(nèi)導(dǎo)入處理氣體，同時(shí)對下部電極13施加高頻電力。由此，處理氣體被等離子體化，在基板14上進(jìn)行成膜。在此期間，在下部電極13的冷卻裝置中以規(guī)定流量流過冷卻液，避免基板14上升到規(guī)定溫度以上。
在結(jié)束了規(guī)定時(shí)間的處理后，停止高頻電力的施加，在充分吸取并除去真空容器11內(nèi)的處理氣體后，向真空容器11內(nèi)導(dǎo)入空氣，打開真空容器11。解除托盤15的夾固，從下部電極13上取下托盤15，并取出到真空容器11的外部。然后，如圖2(b)所示，將托盤15載置在加熱臺17上，通過加熱到規(guī)定的剝離溫度以上，使發(fā)泡剝離性薄板16失去粘接力，以便能夠從托盤上取下基板14。準(zhǔn)備有各種在不同的溫度下發(fā)泡并失去粘接力的發(fā)泡剝離性薄板16。例如，準(zhǔn)備有上述日東電工株式會社制的“リバアルフア”，即在90℃、120℃、150℃等時(shí)剝離的薄板?？筛鶕?jù)基板14的種類和等離子體處理?xiàng)l件在這些中適宜地選擇使用。
下面，結(jié)合圖3，對作為托盤的一個(gè)適宜的實(shí)施方式的托盤15A進(jìn)行說明。圖3(a)是托盤15A的俯視圖。托盤15A在載置基板14一側(cè)的表面上設(shè)有槽21。在該例中，槽21形成為蜂巢(蜂窩)狀，并且延伸到托盤15的端部22。
通過這樣地設(shè)置槽21，如圖3(b)的縱剖視圖所示，在使用發(fā)泡剝離性薄板16，將基板14粘接在托盤15A上時(shí)，通過從基板14向托盤15A施加壓力，能夠?qū)陌l(fā)泡剝離性薄板16被壓出的氣體從槽21通過端部22釋放到外部。因此，能夠防止粘接后在托盤15A與基板14之間殘留氣體，相比沒有槽21的情況，可提高托盤15A與基板14的粘接性。因此，在利用等離子體CVD裝置10在基板14上進(jìn)行成膜時(shí)，能夠?qū)⒒?4的熱更加切實(shí)地釋放到托盤15A，從而能夠防止基板14上升到規(guī)定溫度以上。另外，在圖3(b)中，為了便于說明，將槽21表示為與圖3(a)所示的蜂巢狀不同的形狀。
為了切實(shí)地獲得上述的效果，優(yōu)選使槽21的形成面積在托盤15A表面面積的5％以上。但是，如果槽21所占的面積過大，則從基板14向托盤15A的熱傳導(dǎo)效率下降，因此，希望該面積在40％以下。另外，關(guān)于槽21的深度，考慮到通過槽21的空氣的傳導(dǎo)以及熱的傳導(dǎo)效率，優(yōu)選為10μm～200μm。
這里，槽21也可以形成為正方格子狀或三角格子狀等蜂巢狀以外的形狀。另外，槽21即使不像圖3所示那樣延伸到端部22，只要槽21形成在比基板14的面更大的范圍內(nèi)，即可達(dá)到設(shè)置槽的目的，即，將托盤與基板之間的發(fā)泡剝離性薄板所含有的氣體排出到外部的目的。
下面，結(jié)合圖4～圖7，對粘接托盤和基板的粘接裝置30進(jìn)行說明。圖4是粘接裝置30的縱剖視圖。粘接裝置30具有載置托盤的載置臺30A、覆蓋載置臺30A的蓋30B、和將載置臺30A和蓋30B重疊固定的夾鉗30C。
結(jié)合圖4和載置臺30A的俯視圖即圖5，對載置臺30A的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。載置臺30A的上面的中央部31A比周圍低一級，從而通過利用蓋30B覆蓋載置臺30A，在該中央部31A形成排氣室31。在中央部31A內(nèi)，形成有用于嵌入托盤的凹部32。在中央部31A內(nèi)的從凹部32離開的位置上設(shè)有用于排出排氣室31內(nèi)的空氣的排出口33。另外，在中央部31A的周圍，設(shè)有用于保持排氣室31內(nèi)的氣密的排氣室O形環(huán)34。
結(jié)合圖4和蓋30B的仰視圖即圖6對蓋30B的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在將蓋30B蓋在載置臺30A上時(shí)處于凹部32的正上方的位置，與各個(gè)凹部32一一對應(yīng)地形成有凹入到蓋30B的下面的上側(cè)的施壓室35。在各個(gè)施壓室35的上面，設(shè)有用于注入氣體的氣體注入口36。在本實(shí)施例中所注入的氣體是氮?dú)?，但對于氣體的種類沒有特殊的限制。另外，在各個(gè)施壓室35的周圍，設(shè)有密封件(O形環(huán))37，該密封件37在將被處理件載置在凹部32上時(shí)，被配置在與被處理件的上面的周圍對應(yīng)的位置。
結(jié)合圖4和放大了圖4中用虛線包圍的1個(gè)施壓室35的附近的圖即圖7，對粘接裝置30的動作進(jìn)行說明。首先，使用者將托盤15A嵌入凹部32內(nèi)，在托盤15A上隔著發(fā)泡剝離性薄板16載置基板14。然后，使用者將蓋30B蓋在載置臺30A上，利用夾鉗30C將兩者固定。由此，將蓋30B以按壓密封件37的方式固定在托盤15A上。然后，將空氣從排出口33排出，將排氣室31內(nèi)減壓。由此，即便由夾鉗30C對密封件37施加的壓力產(chǎn)生偏傾，也能夠修正該偏傾，對密封件37施加均勻的壓力。
然后，從氣體注入口36向各個(gè)施壓室35供給氮?dú)?。由此，基?4的表面被施加均勻的壓力，使基板14粘接在托盤15A上。此時(shí)，殘留在托盤15A與基板14之間的空氣，通過托盤15A的槽，從排出口33排出。
供給施壓室35的氣體的壓力大于大氣壓，并且，為了在對基板不施加不必要的力的條件下，將基板粘接在托盤上，希望該壓力為0.2MPa～5MPa。
這里，表示了在1臺粘接裝置中設(shè)置了7組凹部32、施壓室35、氣體注入口36以及密封件37的示例，但該數(shù)量是任意的。
在使用了發(fā)泡剝離性薄板的情況和未使用該薄板的情況下，進(jìn)行了測定等離子體處理時(shí)的基板的溫度上升如何變化的試驗(yàn)。在等離子體處理裝置中使用了サムコ株式會社制的RIE-200感應(yīng)結(jié)合型等離子體蝕刻裝置。圖8表示其概略結(jié)構(gòu)。關(guān)于基板，使用了帶有50×50×0.2mm的熱氧化膜的Si芯片，關(guān)于發(fā)泡剝離性薄板，使用了日東電工株式會社制的“リバアルフア”No.3195M。關(guān)于托盤，在第1試驗(yàn)中使用了Ni被覆氧化鋁板(Al2O3/Ni)，在第2試驗(yàn)中使用了表面氧化的硅晶片(SiO2/Si)。另外，“リバアルフア”No.3195M的粘接力為3.7N/20mm，剝離溫度為120℃。第1試驗(yàn)中的托盤的Ni被覆是用于在支承臺上的靜電吸附。
如圖9所示，利用發(fā)泡剝離性薄板41將基板42固定在托盤43上，在基板42的表面和托盤43的表面上分別了貼附溫度測定用熱敏標(biāo)簽44。另外，為了保護(hù)熱敏標(biāo)簽44免受等離子體的影響，在熱敏標(biāo)簽44上貼附了カプトンテ一プ(デユポン社的注冊商標(biāo))45。另外，為了進(jìn)行比較，還進(jìn)行了不使用發(fā)泡剝離性薄板，只單純地將基板載置在托盤上的情況下的試驗(yàn)。
將這樣準(zhǔn)備的托盤43和基板42裝入上述等離子體處理裝置中，在如圖10所示的處理?xiàng)l件下進(jìn)行了等離子體蝕刻處理。圖11表示在這些處理期間的基板42表面的最高溫度的測定結(jié)果。在氧化鋁托盤的情況下，通過使用發(fā)泡剝離性薄板41，基板溫度降低了10℃。而且，在硅托盤的情況下，甚至降低了35～40℃。
在進(jìn)行了等離子體蝕刻處理之后，將托盤43從等離子體處理裝置中取出，并載置在未圖示的熱板上。對熱板通電，加熱托盤43，在其溫度逐漸上升到150℃時(shí)，發(fā)泡剝離性薄板產(chǎn)生發(fā)泡，失去粘接力，從而能夠容易地將基板42從托盤43上剝離。
然后，使用φ50mm×0.2mm的藍(lán)寶石(sapphire)(Al2O3)作為基板42，使用Ni被覆氧化鋁板(Al2O3/Ni)作為托盤43，進(jìn)行了等離子體蝕刻處理。處理?xiàng)l件為，氣體種類是Cl2/SiCl4＝50/5(sccm)、ICP/偏壓＝800/500(W)、處理時(shí)間為10分鐘、壓力為0.6Pa。圖12表示其最高溫度的測定結(jié)果。在接入電力小的情況下，使用發(fā)泡剝離性薄板41的引起的溫度下降雖然還是10℃，但在增大了接入電力時(shí)，其溫度下降的效果變得顯著，甚至下降了約140℃。
在進(jìn)行了等離子體蝕刻處理之后，與上述同樣，將托盤43從等離子體處理裝置中取出，將其載置在未圖示的熱板上進(jìn)行加熱，使托盤43逐漸上升到150℃。由此，發(fā)泡剝離性薄板發(fā)泡而失去粘接力，從而能夠容易地將基板42從托盤43上剝離。
進(jìn)行了確認(rèn)在具有上述槽的托盤15A上隔著發(fā)泡剝離性薄板粘接了藍(lán)寶石基板時(shí)的藍(lán)寶石基板的剝離難易程度的試驗(yàn)。在此試驗(yàn)中，(i)使用粘接裝置30進(jìn)行了粘接的試驗(yàn)樣品A；(ii)不使用粘接裝置30，將藍(lán)寶石基板隔著發(fā)泡剝離性薄板載置在托盤15A上，通過利用手從藍(lán)寶石基板的上面對該基板的整個(gè)面施加壓力，進(jìn)行了粘接的試驗(yàn)樣品B；和(iii)同樣不使用粘接裝置30，將藍(lán)寶石基板隔著發(fā)泡剝離性薄板載置在托盤15A上，通過利用手只對藍(lán)寶石基板上的不進(jìn)行等離子體處理的周邊部施加壓力，進(jìn)行了粘接的試驗(yàn)樣品C。
關(guān)于這3個(gè)試驗(yàn)樣品，在使用鑷子將藍(lán)寶石基板夾起時(shí)，試驗(yàn)樣品C的情況是，藍(lán)寶石基板立刻從托盤15A上剝離。另外，試驗(yàn)樣品B的情況是，雖然與試驗(yàn)樣品C相比，剝離比較困難，但藍(lán)寶石基板最終還是從托盤15A上剝離下來。然而，試驗(yàn)樣品A的情況則是，即使將藍(lán)寶石基板夾起到試驗(yàn)樣品B的藍(lán)寶石基板發(fā)生了剝離的位置，也未發(fā)生剝離。
另外，實(shí)際上，在進(jìn)行等離子體處理時(shí)，形成在基板表面上的抗蝕劑會因?yàn)楸皇┘硬痪鶆虻牧Χ鴵p壞，基于這些原因，不能像試驗(yàn)樣品B那樣用手對藍(lán)寶石基板的整個(gè)面施加壓力。因此，只有在用手施加壓力來進(jìn)行粘接的情況下才能夠像試驗(yàn)樣品C那樣只對周邊部施加壓力，粘接力變得比試驗(yàn)樣品B更弱。因此，希望使用粘接裝置30切實(shí)地進(jìn)行粘接。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理方法，是將被處理件載置在托盤上，進(jìn)一步將該托盤載置在支承臺上，通過等離子體對該被處理件的表面進(jìn)行處理的等離子體處理方法，其特征在于，利用熱剝離粘接構(gòu)件粘接托盤和被處理件。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的等離子體處理方法，其特征在于，在等離子體處理時(shí)對該支承臺進(jìn)行冷卻。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于，熱剝離粘接構(gòu)件是發(fā)泡剝離劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于，熱剝離粘接構(gòu)件是發(fā)泡剝離性薄板。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于，在托盤的表面設(shè)置槽，一邊將被處理件與托盤之間的氣體從該槽釋放，一邊粘接托盤和被處理件。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的等離子體處理方法，其特征在于，在托盤的表面中槽所占有的面積的比例為5％～40％。
7.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的等離子體處理方法，其特征在于，槽的深度為10μm～200μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的等離子體處理方法，其特征在于，隔著配置在被處理件周圍的密封件載置蓋，以機(jī)械方式將蓋按壓在被處理件上，且向由被處理件、密封件以及蓋形成的施壓室內(nèi)注入氣體，由此按壓被處理件的整個(gè)面，將被處理件粘接在托盤上。
9.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述氣體的壓力為0.2MPa～5MPa。
10.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的等離子體處理方法，其特征在于，在進(jìn)行所述按壓時(shí)，對被處理件的下面實(shí)施排氣。
11.一種等離子體處理裝置，是將被處理件載置在托盤上，進(jìn)一步將該托盤載置在支承臺上，通過等離子體對該被處理件的表面進(jìn)行處理的等離子體處理裝置，其特征在于，具備粘接托盤和被處理件的熱剝離粘接構(gòu)件。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的等離子體處理裝置，其特征在于，設(shè)有冷卻該支承臺的冷卻裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求
11或12所述的等離子體處理裝置，其特征在于，熱剝離粘接構(gòu)件是發(fā)泡剝離劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求
11或12所述的等離子體處理裝置，其特征在于，熱剝離粘接構(gòu)件是發(fā)泡剝離性薄板。
15.根據(jù)權(quán)利要求
11或12所述的等離子體處理裝置，其特征在于，托盤在其表面具有槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在托盤的表面中槽所占有的面積的比例為5％～40％。
17.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的等離子體處理裝置，其特征在于，槽的深度為10μm～200μm。
18.一種被處理件粘接裝置，是用于將板狀的被處理件均勻地粘接在表面具有槽的托盤上的被處理件粘接裝置，其特征在于，具備配置在與該被處理件的上面的周圍對應(yīng)的位置的密封件；隔著該密封件配置在被處理件的上側(cè)的蓋；按壓該密封件且將該蓋固定在該托盤上的固定機(jī)構(gòu)；和用于向由被處理件、密封件以及蓋形成的施壓室內(nèi)注入氣體的施壓機(jī)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的被處理件粘接裝置，其特征在于，具備對施壓室周圍的空間進(jìn)行減壓的減壓機(jī)構(gòu)。
專利摘要
本發(fā)明提供一種在進(jìn)行等離子體處理時(shí)及其前后，通過將被處理件(基板)切實(shí)地固定在托盤上，可提高處理性和操作性，并且在必要時(shí)能夠容易地將基板從托盤上剝離的方法以及裝置。在將載置在托盤上的基板載置在支承臺上，通過等離子體對基板的表面進(jìn)行處理的等離子體處理方法中，利用熱剝離粘接構(gòu)件粘接托盤和基板。作為熱剝離粘接構(gòu)件，可適宜地使用發(fā)泡剝離性薄板。由于熱剝離粘接構(gòu)件通常具有粘接性，所以在等離子體處理前后，托盤與基板被切實(shí)地固定，從而可獲得良好的操作性，另一方面，在處理后，只需將托盤加熱到規(guī)定的剝離溫度以上，即可容易地將基板從托盤上剝離。
文檔編號H01L21/67GK1992162SQ200610173257
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月15日
發(fā)明者西宮智靖, 扇谷浩通, 平本道廣 申請人:莎姆克株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan