專利名稱:薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
諸如液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的平板顯示器包括若干對場致電極和位于其間的光電有源層。LCD包括液晶層，作為光電有源層，而OLED包括有機(jī)發(fā)光層，作為光電有源層。
一對場致電極中的一個(gè)電極，即像素電極，通常連接至用于將電信號傳輸至像素電極的開關(guān)元件，并且光電有源層將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，以顯示圖像。
具有三個(gè)端子的薄膜晶體管(TFT)用于平板顯示器中的開關(guān)元件，并且在該平板顯示器上還設(shè)置有多條信號線，諸如柵極線和數(shù)據(jù)線。柵極線傳輸用于控制TFT的信號，該TFT將來自數(shù)據(jù)線的信號施加到像素電極上。
在LCD中，通過接通的TFT而被供以數(shù)據(jù)電壓的像素電極與共用電極相配合而產(chǎn)生電場，以對液晶電容器進(jìn)行充電。由于當(dāng)柵極接通電壓改變?yōu)闁艠O斷開電壓時(shí)像素電壓可能會下降一些，所以LCD包括被稱為“存儲電容器”的附加電容器，用于在TFT斷開之后增強(qiáng)液晶電容器的電壓存儲能力。存儲電容器有助于保持統(tǒng)一的像素電壓。
因此，LCD受益于其具有盡可能大的電容的存儲電容器。

發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板包括基板；包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線，柵極線和存儲電極線形成在基板上；柵極絕緣層，形成在柵極線、存儲電極線、和基板上；半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線和漏電極，形成在半導(dǎo)體層和柵極絕緣層上；存儲導(dǎo)體，形成在柵極絕緣層上，由與數(shù)據(jù)線相同的層構(gòu)成，并與數(shù)據(jù)線相隔開，并且該存儲導(dǎo)體利用連接件電連接至存儲電極；鈍化層，形成在數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲導(dǎo)體上；以及透明電極，形成在鈍化層上并連接至漏電極。
柵極絕緣層可以比鈍化層更厚，并且透明電極和存儲導(dǎo)體彼此交疊，以與夾在其間的鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
存儲導(dǎo)體可以通過存儲電極而被供以存儲電壓。
鈍化層可以具有露出存儲導(dǎo)體的一部分的孔。
TFT陣列面板可以進(jìn)一步包括形成在透明電極的一部分上的有機(jī)絕緣體和形成在有機(jī)絕緣體上的反射電極。
反射電極可以在有機(jī)絕緣體的邊緣處物理及電連接至透明電極。
存儲導(dǎo)體可以設(shè)置在包含反射電極的區(qū)域中。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板包括基板；柵極線，其包括柵電極并形成在基板上；柵極絕緣層，其形成在柵極線和基板上；半導(dǎo)體層，其形成在柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線、漏電極、和包括存儲電極的存儲電極線，形成在半導(dǎo)體層和柵極絕緣層上；鈍化層，其形成在數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲電極線上；以及透明電極，其形成在鈍化層上并連接至漏電極。
存儲電極線可以基本平行于數(shù)據(jù)線而延伸。
柵極絕緣層可以比鈍化層更厚，并且透明電極和包括存儲電極的存儲電極線彼此交疊，以與夾在其間的鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
存儲電極線可以被供以存儲電壓。
TFT陣列面板可以進(jìn)一步包括形成在透明電極的一部分上的有機(jī)絕緣體和形成在有機(jī)絕緣體上的反射電極。
反射電極可以在有機(jī)絕緣體的邊緣處物理及電連接至透明電極。
存儲導(dǎo)體可以設(shè)置在包含反射電極的區(qū)域中。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造TFT陣列面板的方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線；在柵極線、存儲電極線、和基板上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在柵極絕緣層和半導(dǎo)體層上形成數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲導(dǎo)體；在數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲導(dǎo)體上形成鈍化層；以及在鈍化層上形成連接至漏電極的像素電極。
該方法可以進(jìn)一步包括在鈍化層中形成露出存儲導(dǎo)體的孔；在柵極絕緣層中形成露出存儲電極的接觸孔；以及形成連接件，該連接件將存儲導(dǎo)體通過接觸孔電連接至存儲電極。
形成像素電極以及形成連接件的步驟可以同時(shí)進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造TFT陣列面板的方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線；在柵極線和基板上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在柵極絕緣層和半導(dǎo)體層上形成數(shù)據(jù)線、漏電極、和包括存儲電極的存儲電極線；在數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲電極線上形成鈍化層；以及在鈍化層上形成連接至漏電極的像素電極。
柵極絕緣層可以比鈍化層更厚，并且像素電極和包括存儲電極的存儲電極線彼此交疊，以與夾在其間的鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
該方法可以進(jìn)一步包括在像素電極的一部分上形成有機(jī)絕緣體；以及在有機(jī)絕緣體上形成反射電極。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板包括基板；包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線，柵極線和存儲電極線形成在基板上，柵極絕緣層，形成在柵極線、存儲電極線、和基板上，并具有露出存儲電極的接觸孔；半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線和漏電極，形成在半導(dǎo)體層和柵極絕緣層上；存儲導(dǎo)體，形成在柵極絕緣層上，由與數(shù)據(jù)線相同的層構(gòu)成，并與數(shù)據(jù)線分隔開，并且該存儲導(dǎo)體通過柵極絕緣層的接觸孔電連接至存儲電極；鈍化層，形成在數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲導(dǎo)體上；以及像素電極，形成在鈍化層上并連接至漏電極。
存儲導(dǎo)體可以通過存儲電極被供以存儲電壓。
鈍化層可以具有露出漏電極的接觸孔，并且像素電極可以通過接觸孔電連接至漏電極。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線；在柵極線、存儲電極線、和基板上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上沉積本征非晶硅層；在本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅層；對非本征非晶硅層和本征非晶硅層以及柵極絕緣層進(jìn)行圖案化，以形成非本征半導(dǎo)體圖案和本征半導(dǎo)體圖案，以及在柵極絕緣層中形成露出存儲電極的一部分的第一接觸孔；同時(shí)，在柵極絕緣層和非本征半導(dǎo)體圖案上形成數(shù)據(jù)線和漏電極，并形成通過第一接觸孔連接至存儲電極的存儲導(dǎo)體；在數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲導(dǎo)體上形成具有露出漏電極的第二接觸孔的鈍化層；以及在鈍化層上形成通過第二接觸孔連接至漏電極的像素電極。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板包括基板；包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線，柵極線和存儲電極線形成在基板上；柵極絕緣層，形成在柵極線、存儲電極線、和基板上，并具有露出整個(gè)存儲電極的接觸孔；半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線和漏電極，形成在半導(dǎo)體層和柵極絕緣層上；鈍化層，形成在數(shù)據(jù)線和漏電極上；以及像素電極，連接至漏電極并形成在鈍化層上，其中，像素電極和存儲電極彼此交疊，以與夾在其間的鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
鈍化層可以具有包括下層和上層的雙層結(jié)構(gòu)，并且上層可以厚于下層。
可以去除存儲電極上方的鈍化層的上層。
下層可以包括無機(jī)絕緣體，并且上層可以包括有機(jī)絕緣體。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造TFT陣列面板的方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線；在柵極線、存儲電極線、和基板上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上沉積本征非晶硅層；在本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅層；對非本征非晶硅層和本征非晶硅層以及柵極絕緣層進(jìn)行圖案化，以形成非本征半導(dǎo)體圖案和本征半導(dǎo)體圖案，以及在柵極絕緣層中形成露出存儲電極的一部分的第一接觸孔；在柵極絕緣層和非本征半導(dǎo)體圖案上形成數(shù)據(jù)線和漏電極；在數(shù)據(jù)線和漏電極上形成具有露出漏電極的第二接觸孔的鈍化層；以及在鈍化層上形成通過第二接觸孔連接至漏電極的像素電極。
形成鈍化層的步驟可以包括在基板上沉積下部鈍化層；在下部鈍化層上沉積上部鈍化層；形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案具有與位置相關(guān)的厚度并露出上部鈍化層的一部分；蝕刻上部鈍化層、下部鈍化層、和柵極絕緣層，以形成分別露出柵極線、數(shù)據(jù)線、和漏電極的第二接觸孔、第三接觸孔、和第四接觸孔；減小光刻膠圖案的高度，以露出存儲電極上方的上部鈍化層；利用已減小高度的光刻膠圖案作為掩模來蝕刻上部鈍化層，以去除上部鈍化層，以及去除已減小高度的光刻膠圖案，并且柵極絕緣層的厚度可以厚于下部鈍化層的厚度。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖2和圖3是沿線II-II和III-III截取的圖1所示TFT陣列面板的截面圖；圖4、圖7、圖10、圖13、和圖16是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖；圖5和圖6是沿線V-V和VI-VI截取的圖4所示TFT陣列面板的截面圖；圖8和圖9是沿線VIII-VIII和IX-IX截取的圖7所示TFT陣列面板的截面圖；圖11和圖12是沿線XI-XI和XII-XII截取的圖10所示TFT陣列面板的截面圖；圖14和圖15是沿線XIV-XIV和XV-XV截取的圖13所示TFT陣列面板的截面圖；圖17和圖18是沿線XVII-XVII和XVIII-XVIII截取的圖16所示TFT陣列面板的截面圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖20和圖21是沿線XX-XX和XXI-XXI截取的圖19所示TFT陣列面板的截面 圖22、圖25、圖28、和圖31是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖；圖23和圖24是沿線XXIII-XXIII和XXIV-XXIV截取的圖22所示TFT陣列面板的截面圖；圖26和圖27是沿線XXVI-XXVI和XXVII-XXVII截取的圖25所示TFT陣列面板的截面圖；圖29和圖30是沿線XXIX-XXIX和XXX-XXX截取的圖28所示TFT陣列面板的截面圖；圖32和圖33是沿線XXXII-XXXII和XXXIII-XXXIII截取的圖31所示TFT陣列面板的截面圖；圖34是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖35和圖36是沿線XXXV-XXXV和XXXVI-XXXVI截取的圖34所示TFT陣列面板的截面圖；圖37是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖38和圖39是沿線XXXVIII-XXXVIII和XXXIX-XXXIX截取的圖37所示TFT陣列面板的截面圖；圖40是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖41和圖42是沿線XLI-XLI和XLII-XLII截取的圖40所示TFT陣列面板的截面 圖43、圖46、圖49、和圖52是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖；圖44和圖45是沿線XLIV-XLIV和XLV-XLV截取的圖43所示TFT陣列面板的截面圖；圖47和圖48是沿線XLVII-XLVII和XLVIII-XLVIII截取的圖46所示TFT陣列面板的截面圖；圖50和圖51是沿線L-L和LI-LI截取的圖49所示TFT陣列面板的截面圖；圖53和圖54是沿線LIII-LIII和LIV-LIV截取的圖52所示TFT陣列面板的截面圖；圖55是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖56和圖57是沿線LVI-LVI和LVII-LVII截取的圖55所示TFT陣列面板的截面圖；圖58、圖61、圖64、和圖67是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖；圖59和圖60是沿線LIX-LIX和LX-LX截取的圖58所示TFT陣列面板的截面圖；圖62和圖63是沿線LXII-LXII和LXIII-LXIII截取的圖61所示TFT陣列面板的截面圖；圖65和圖66是沿線LXV-LXV和LXVI-LXVI截取的圖64所示TFT陣列面板的截面 圖68和圖69是沿線LXVIII-LXVIII和LXIX-LXIX截取的圖67所示TFT陣列面板的截面圖；圖70是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖71和圖72是沿線LXXI-LXXI和LXXII-LXXII截取的圖70所示TFT陣列面板的截面圖；圖73至圖82是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的圖70至圖72所示TFT陣列面板的截面圖。
具體實(shí)施方式以下將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
附圖中，為了清楚起見，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度被放大了?？梢岳斫?，當(dāng)指出諸如層、膜、區(qū)域、或基板的一個(gè)元件位于另一個(gè)元件“上”時(shí)，它可以“直接”位于另一個(gè)元件上或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)指出一個(gè)元件“直接”位于另一個(gè)元件上時(shí)，則不存在中間元件。
首先，將參照圖1至圖3詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)陣列面板。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，而圖2和圖3是沿線II-II和III-III截取的圖1所示TFT陣列面板的截面圖。
多條柵極線121和多條存儲電極線131形成在諸如透明玻璃或塑料的絕緣基板110上。
每條柵極線121均包括向下突出的柵電極124和端部129，該端部具有大面積，以便于與另一層或外部驅(qū)動電路相接觸。用于產(chǎn)生柵極信號的柵極驅(qū)動電路(未示出)可以安裝在柔性印刷電路(FPC)膜(未示出)上，該柔性印刷電路膜可以附于基板110上、直接安裝在基板110上、或集成在基板110上。柵極線121可以延伸成連接至驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路可以集成在基板110上。
存儲電極線131被供以預(yù)定電壓，并基本平行于柵極線121而延伸。每條存儲電極線131位于兩條相鄰的柵極線121之間，且靠近兩條相鄰柵極線121中的一條。每條存儲電極線131均包括向上和向下延展的存儲電極137。但是，存儲電極線131可以具有不同的形狀和布置。
柵極線121和存儲電極線131可以由諸如Al和Al合金的含Al金屬、諸如Ag和Ag合金的含Ag金屬、諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ta、或Ti制成。但是，它們可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性質(zhì)的兩層導(dǎo)電膜(未示出)。兩層膜中的一層可以由包括含Al金屬、含Ag金屬、和含Cu金屬的低電阻率金屬制成，用于減少信號延遲或電壓降。另一層膜可以由諸如含Mo金屬、Cr、Ta、或Ti等的材料制成，這些材料與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其它材料具有良好的物理、化學(xué)、和電接觸特性。兩層膜組合的良好實(shí)例是下部Cr膜和上部Al(合金)膜以及下部Al(合金)膜和上部Mo(合金)膜。但是，柵極線121和存儲電極線131可以由各種金屬或?qū)w制成。
柵極線121和存儲電極線131的側(cè)邊相對于基板110的表面傾斜，并且其傾角在大約30度至80度的范圍內(nèi)。
優(yōu)選地由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲電極線131上。柵極絕緣層140具有露出存儲電極137的一部分的多個(gè)接觸孔178。
優(yōu)選地由氫化非晶硅(簡寫為“a-Si”)或多晶硅制成的多個(gè)半導(dǎo)體帶151形成在柵極絕緣層140上。每個(gè)半導(dǎo)體帶151基本沿縱向延伸，并包括朝向柵電極124分支出來的突起154。半導(dǎo)體帶151在柵極線121和存儲電極線131附近變寬，使得半導(dǎo)體帶151覆蓋柵極線121和存儲電極線131的較大面積。
多個(gè)歐姆接觸帶和島161和165形成在半導(dǎo)體帶151上。歐姆接觸161和165優(yōu)選地由大量摻雜n型雜質(zhì)(諸如磷)的n+氫化a-Si制成，或者它們可以由硅化物制成。每個(gè)歐姆接觸帶161包括多個(gè)突起163，并且突起163和歐姆接觸島165成對地位于半導(dǎo)體帶151的突起154上。
半導(dǎo)體帶151以及歐姆接觸161和165的側(cè)邊相對于基板110的表面傾斜，并且其傾角優(yōu)選地在大約30度至80度的范圍內(nèi)。
多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、和多個(gè)存儲導(dǎo)體177形成在歐姆接觸161、163、165和柵極絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號，并基本上沿縱向延伸，以交叉柵極線121和存儲電極線131。每條數(shù)據(jù)線171包括朝向柵電極124突出的源電極173和端部179，該端部具有大面積，以便于與另一層或外部驅(qū)動電路相接觸。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(未示出)可以安裝在FPC膜(未示出)上，該FPC膜可以附于基板110上、直接安裝在基板110上、或集成在基板110上。數(shù)據(jù)線171可以延伸成連接至可以集成在基板110上的驅(qū)動電路。
漏電極175與數(shù)據(jù)線171相隔開，并被設(shè)置成相對于柵電極124與源電極173相對。每個(gè)漏電極175包括寬端部和窄端部。寬端部通過接觸孔185連接至透明電極192，而窄端部被源電極173部分地包圍。
柵電極124、源電極173、和漏電極175以及半導(dǎo)體帶151的突起154一起構(gòu)成具有溝道的TFT，該溝道形成在設(shè)置于源電極173與漏電極175之間的突起154中。
存儲導(dǎo)體177由與數(shù)據(jù)線171相同的層構(gòu)成，并與數(shù)據(jù)線171和漏電極175相隔開，而且該存儲導(dǎo)體可以具有中間帶有孔的矩形形狀，所述孔對應(yīng)于柵極絕緣層140的接觸孔178。存儲導(dǎo)體177通過柵極絕緣層140的接觸孔178而電連接至存儲電極137。
數(shù)據(jù)線171、漏電極175、和存儲導(dǎo)體177可以由諸如Mo、Cr、Ta、Ti、或其合金的難熔金屬制成。但是，它們可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括難熔金屬膜(未示出)和低電阻率導(dǎo)電膜(未示出)。多層結(jié)構(gòu)的良好實(shí)例是包括下部Cr/Mo(合金)膜和上部Al(合金)膜的雙層結(jié)構(gòu)以及下部Mo(合金)膜、中間Al(合金)膜、和上部Mo(合金)膜的三層結(jié)構(gòu)。但是，數(shù)據(jù)線171、漏電極175、和存儲導(dǎo)體177可以由各種金屬或?qū)w制成。
數(shù)據(jù)線171、漏電極175、和存儲導(dǎo)體具有傾斜的邊緣輪廓，并且其傾角在大約30度至80度的范圍內(nèi)。
歐姆接觸161和165僅被置于下面的半導(dǎo)體帶151與位于其上的上面的導(dǎo)體171和175之間，并減小它們之間的接觸電阻。雖然半導(dǎo)體帶151在大部分地方窄于數(shù)據(jù)線171，但是如上所述，半導(dǎo)體帶151的寬度在柵極線121和存儲電極線131附近變寬，以使得表面輪廓順滑，從而防止數(shù)據(jù)線171的斷開。但是，半導(dǎo)體帶151包括一些未由數(shù)據(jù)線171和漏電極175所覆蓋的露出的部分，例如位于源電極173與漏電極175之間的部分。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175、存儲導(dǎo)體177、和半導(dǎo)體帶151的露出部分上。鈍化層180可以由諸如氮化硅和氧化硅的無機(jī)絕緣體制成。
鈍化層180具有分別露出數(shù)據(jù)線171的端部179和漏電極175的接觸孔182和185。鈍化層180和柵極絕緣層140具有露出柵極線121的端部129的多個(gè)接觸孔181。鈍化層180具有露出存儲導(dǎo)體177的一部分的多個(gè)孔186。
多個(gè)透明電極192以及多個(gè)接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。多個(gè)連接件78形成在通過孔186而露出的存儲導(dǎo)體177上以及通過接觸孔178而露出的存儲電極137上。
如上所述，利用連接件78，存儲導(dǎo)體177通過接觸孔178電連接至存儲電極137，該連接件形成在通過孔186而露出的存儲導(dǎo)體177以及通過接觸孔178而露出的存儲電極137上。因此，連接件78使得存儲導(dǎo)體177電連接至存儲電極137，從而存儲導(dǎo)體177被供以存儲電壓。
多個(gè)有機(jī)絕緣體187形成在透明電極192、存儲導(dǎo)體177、連接件78、和鈍化層180上。有機(jī)絕緣體187可以具有感光性和良好的平坦化特性。
有機(jī)絕緣體187具有浮凸的表面。每個(gè)反射電極194沿有機(jī)絕緣體187的浮凸表面而彎曲，以具有突出的圖案和下陷的圖案。反射電極194的突出圖案和下陷圖案增強(qiáng)了反射效率。每個(gè)有機(jī)絕緣體187可以設(shè)置在每個(gè)透明電極192的一部分上。在柵極線121的端部129以及數(shù)據(jù)線171的端部179的區(qū)域中去除有機(jī)絕緣體187。
像素電極191包括透明電極192和反射電極194，該反射電極設(shè)置在有機(jī)絕緣體187上，并沿有機(jī)絕緣體187的浮凸表面而彎曲。
透反(transflective)LCD液晶顯示器包括分別由透明電極192和反射電極194限定的透射區(qū)TA和反射區(qū)RA。
詳細(xì)地說，設(shè)置于從有機(jī)絕緣體187暴露的透明電極192的露出部分的下方和上方的區(qū)域是透射區(qū)TA，而設(shè)置在反射電極194的下方和上方的區(qū)域是反射區(qū)RA。
每個(gè)存儲導(dǎo)體177設(shè)置在反射區(qū)RA中。
在透射區(qū)TA中，來自設(shè)置于TFT陣列面板100下方的背光單元(未示出)的光穿過LC層3，以顯示所期望的圖像。在反射區(qū)RA中，入射到RA上的諸如太陽光或環(huán)境光的外部光穿過共用電極面板200，并穿過LC層3，到達(dá)反射電極194。接著，外部光被反射電極194反射，并再次穿過LC層3，以顯示所期望的圖像。
透明電極192優(yōu)選地由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體制成，而反射電極194優(yōu)選地由諸如Ag、Al、Cr、或其合金的反射導(dǎo)體制成。但是，反射電極194可以具有雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括由諸如Al、Ag、或其合金的低電阻率反射金屬制成的上層(未示出)和由與ITO或IZO具有良好的物理、化學(xué)、和電接觸特性的諸如Mo和Mo合金、Cr、Ta或Ti等金屬制成的下層(未示出)。
反射電極194在透射區(qū)TA和反射區(qū)RA的邊緣處物理及電連接至透明電極192。
透明電極192以及與其連接的反射電極194通過接觸孔185而物理及電連接至漏電極175，使得包括透明電極192和反射電極194的像素電極191接收來自漏電極175的數(shù)據(jù)電壓。
被供以數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與被供以共用電壓的相對的顯示器面板(未示出)的共用電極(未示出)相配合而產(chǎn)生電場，該電場決定了設(shè)置于兩個(gè)電極之間的液晶層(未示出)的液晶分子(未示出)的方向。像素電極191和共用電極形成被稱為“液晶電容器”的電容器，該電容器在TFT斷開之后存儲所施加的電壓。
透明電極192與電連接至存儲電極137的存儲導(dǎo)體177相交疊，并且被夾在其間的鈍化層180分隔開。透明電極192和電連接至存儲電極137的存儲導(dǎo)體177構(gòu)成被稱為“存儲電容器”的附加電容器，該電容器增強(qiáng)了液晶電容器的電壓存儲能力。
傳統(tǒng)的LCD包括由彼此交疊的像素電極和存儲電極線以及夾在其間的柵極絕緣層一起構(gòu)成的儲存電容器。但是，如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板包括由彼此交疊的透明電極192和存儲導(dǎo)體177以及夾在其間的鈍化層180一起構(gòu)成的存儲電容器。
其中，彼此交疊且平行的兩個(gè)導(dǎo)體的電容C由C≈εA/d確定。這里，ε是夾在兩個(gè)導(dǎo)體之間的絕緣體的介電常數(shù)，A是彼此交疊的導(dǎo)體面積，而d是兩個(gè)導(dǎo)體之間的距離。如果絕緣體的介電常數(shù)相等，則電容隨著彼此交疊的導(dǎo)體面積的增加而增加，并隨著兩個(gè)導(dǎo)體之間的距離的增加而減少。因此，為了增加電容C，可以增加彼此交疊的導(dǎo)體面積，或者可以減小兩個(gè)導(dǎo)體之間的距離。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板中，柵極絕緣層140可以具有與鈍化層180基本相同的介電常數(shù)，并且柵極絕緣層140的厚度D1可以厚于鈍化層180的厚度D2。柵極絕緣層140的厚度D1可以比鈍化層180的厚度D2厚大約2倍。
因此，如果彼此交疊的導(dǎo)體面積相等，那么包括兩個(gè)導(dǎo)體及夾在其間的鈍化層180的電容器可以具有比包括兩個(gè)導(dǎo)體及夾在其間的柵極絕緣層140的電容器更高的電容C。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板包括存儲電容器，該存儲電容器包括彼此交疊的透明電極192和存儲導(dǎo)體177以及夾在其間的鈍化層180。
LCD的公知存儲電容器包括彼此交疊的像素電極和存儲電極以及夾在其間的柵極絕緣層。因此，雖然存儲導(dǎo)體177具有與公知的存儲電容器的存儲電極相同的面積，但根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲電容器可以具有比公知的存儲電容器更高的電容。
其中，彼此交疊的導(dǎo)體面積可以被增大，以便于增加電容，進(jìn)而可以減小LCD的孔徑比。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲電容器包括彼此交疊的透明電極192和存儲導(dǎo)體177以及夾在其間的具有較薄厚度D2的鈍化層180，從而雖然存儲導(dǎo)體177具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，但該存儲電容器具有比公知的存儲電容器更高的電容。
現(xiàn)在，將參照圖4至圖18以及圖1至圖3詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1至3所示的TFT陣列面板的制造方法。
圖4、圖7、圖10、圖13、和圖16是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖，圖5和圖6是沿線V-V和VI-VI截取的圖4所示TFT陣列面板的截面圖，圖8和圖9是沿線VIII-VIII和IX-IX截取的圖7所示TFT陣列面板的截面圖，圖11和圖12是沿線XI-XI和XII-XII截取的圖10所示TFT陣列面板的截面圖，圖14和圖15是沿線XIV-XIV和XV-XV截取的圖13所示TFT陣列面板的截面圖，以及圖17和圖18是沿線XVII-XVII和XVIII-XVIII截取的圖16所示TFT陣列面板的截面圖。
參照圖4至圖6，通過濺射等方法在絕緣基板110上沉積金屬層，再通過光刻及蝕刻對該金屬層進(jìn)行圖案化，以形成包括柵電極124和端部129的多條柵極線121以及包括存儲電極137的多條存儲電極線131。
接著，在基板110上沉積柵極絕緣層140，進(jìn)而在柵極絕緣層140上形成包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151以及包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161，如圖7至圖9所示。這里，在具有柵極線121和存儲電極線131的基板110上順序地沉積柵極絕緣層140、本征a-Si層、和非本征a-Si層，再通過光刻和蝕刻對非本征a-Si層和本征a-Si層進(jìn)行圖案化。
接著，在非本征半導(dǎo)體帶161和164以及柵極絕緣層140上沉積金屬層，再通過光刻和蝕刻對該金屬進(jìn)行圖案化，以形成包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、以及多個(gè)存儲導(dǎo)體177。
之后，去除非本征半導(dǎo)體帶164的未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175所覆蓋的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161以及多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接著，沉積鈍化層180，并通過光刻(及蝕刻)，對鈍化層以及柵極絕緣層140進(jìn)行圖案化，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、漏電極175、和存儲電極137的多個(gè)接觸孔181、182、185、和178，以及露出存儲導(dǎo)體177的一部分的多個(gè)孔186，如圖13至圖15所示。鈍化層180的厚度D1比柵極絕緣層140的厚度D2薄大約一半或更多。
參照圖16至圖18，在基板110上形成多個(gè)透明電極192、多個(gè)接觸輔助件81和82、以及多個(gè)連接件78。
最后，如圖1至圖3所示，在基板110的一部分上形成多個(gè)有機(jī)絕緣體187，接著在有機(jī)絕緣體187上形成多個(gè)反射電極194。這里，每個(gè)有機(jī)絕緣體187設(shè)置在每個(gè)透明電極192的一部分上，并具有浮凸表面。
現(xiàn)在，將參照圖19至圖21詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖19是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，而圖20和圖21是沿線XX-XX和XXI-XXI截取的圖19所示TFT陣列面板的截面圖。
如圖19至圖21所示，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的分層結(jié)構(gòu)與圖1至圖3所示的基本相同。
多條柵極線121和多條存儲電極線131形成在基板110上。每條柵極線121包括柵電極124和端部129，并且每條存儲電極線131包括存儲電極137。柵極絕緣層140、包括突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、以及包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165順序地形成在柵極線121和存儲電極線131上。
多個(gè)漏電極175、包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、以及多個(gè)存儲導(dǎo)體177形成在歐姆接觸161和165及柵極絕緣層140上，并且鈍化層180形成在其上。鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181和182，鈍化層180具有露出漏電極175的多個(gè)接觸孔187以及露出存儲導(dǎo)體177的一部分的多個(gè)孔186，并且柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔178。多個(gè)像素電極191、多個(gè)接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上，并且多個(gè)連接件78形成在通過孔178而露出的存儲導(dǎo)體177上。
但是，與圖1至圖3所示的TFT陣列面板不同，存儲電極線131、存儲電極137、和存儲導(dǎo)體177靠近且等距地設(shè)置在兩條相鄰柵極線121之間。然而，存儲電極線131和存儲導(dǎo)體177可以具有各種形狀和布置。在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中沒有有機(jī)絕緣體187和反射電極194。
在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中，像素電極191與電連接至存儲電極137的存儲導(dǎo)體177相交疊，以與夾在其間的鈍化層180一起構(gòu)成存儲電容器。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板包括由彼此交疊的像素電極191和存儲導(dǎo)體177以及夾在其間的鈍化層180一起構(gòu)成的儲存電容器。LCD的公知存儲電容器包括彼此交疊的像素電極和存儲電極以及夾在其間的柵極絕緣層。因此，即使存儲導(dǎo)體177具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲電容器也可以具有比公知的存儲電容器更高的電容。
因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板可以包括存儲電容器，即使存儲導(dǎo)體177具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，該存儲電容器也具有比公知的存儲電容器更高的電容，從而可以不減小包括該TFT陣列面板的LCD的孔徑比。
現(xiàn)在，將參照圖22至圖33以及圖19至圖21詳細(xì)描述根據(jù)本實(shí)施例的圖19至圖21所示TFT陣列面板的制造方法。
圖22、圖25、圖28、和圖31是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖，圖23和圖24是沿線XXIII-XXIII和XXIV-XXIV截取的圖22所示TFT陣列面板的截面圖，圖26和圖27是沿線XXVI-XXVI和XXVII-XXVII截取的圖25所示TFT陣列面板的截面圖，圖29和圖30是沿線XXIX-XXIX和XXX-XXX截取的圖28所示TFT陣列面板的截面圖，以及圖32和圖33是沿線XXXII-XXXII和XXXIII-XXXIII截取的圖31所示TFT陣列面板的截面圖。
參照圖22至圖24，通過濺射等方法，在絕緣基板110上沉積金屬層，再通過光刻及蝕刻對該金屬層進(jìn)行圖案化，以形成包括柵電極124和端部129的多條柵極線121以及包括存儲電極137的多條存儲電極線131。
在基板110上沉積柵極絕緣層140，接著在基板110上順序地沉積本征a-Si層和非本征a-Si層，并且通過光刻和蝕刻對非本征a-Si層和本征a-Si層進(jìn)行圖案化，以形成包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161和包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151，如圖25至圖27所示。
參照圖28至圖30，在非本征半導(dǎo)體帶161和164以及柵極絕緣層140上沉積金屬層，再通過光刻和蝕刻對該金屬進(jìn)行圖案化，以形成包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、以及多個(gè)存儲導(dǎo)體177。之后，去除非本征半導(dǎo)體帶164的未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175所覆蓋的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161以及多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接著，沉積鈍化層180。這里，鈍化層180的厚度比柵極絕緣層140的厚度薄大約一半或更多。
通過光刻(及蝕刻)，對所沉積的鈍化層180以及柵極絕緣層140進(jìn)行圖案化，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、漏電極175、和存儲電極137的多個(gè)接觸孔181、182、185、和178，以及露出存儲導(dǎo)體177的一部分的多個(gè)孔186，如圖31至圖33所示。
最后，在基板上沉積諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體，并通過光刻及蝕刻對該透明導(dǎo)體進(jìn)行圖案化，以形成多個(gè)像素電極192、多個(gè)接觸輔助件81和82、以及多個(gè)連接件78，如圖19至圖21所示。
現(xiàn)在將參照圖34至圖36詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖34是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，并且圖35和圖36是沿線XXXV-XXXV和XXXVI-XXXVI截取的圖34所示TFT陣列面板的截面圖。
多條柵極線121形成在絕緣基板110上。每條柵極線121包括柵電極124和端部129。
柵極絕緣層140形成在柵極線121和基板110上。
多個(gè)半導(dǎo)體帶151形成在絕緣層140上。每個(gè)半導(dǎo)體帶151基本沿縱向延伸，并包括朝向柵電極124分支出來的突起154。半導(dǎo)體帶151在柵極線121附近變寬，使得半導(dǎo)體帶151覆蓋柵極線121的較大面積。
多個(gè)歐姆接觸帶和島161和165形成在半導(dǎo)體帶151上。每個(gè)歐姆接觸帶161包括多個(gè)突起163，并且突起163和歐姆接觸島165成對地位于半導(dǎo)體帶151的突起154上。
多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、和多條存儲電極線172形成在歐姆接觸161、163、和165以及柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號，并基本沿縱向延伸，以與柵極線121相交叉。每條數(shù)據(jù)線171包括朝向柵電極124突出的源電極173和端部179，該端部具有較大的面積，以便與另一層或外部驅(qū)動電路相接觸。漏電極175與數(shù)據(jù)線171隔開，并設(shè)置成相對于柵電極124與源電極173相對。每個(gè)漏電極175包括寬端部和窄端部。寬端部通過接觸孔185連接至透明電極192，而窄端部被源電極173部分地包圍。
柵電極124、源電極173、和漏電極175以及半導(dǎo)體帶151的突起154一起構(gòu)成具有溝道的TFT，該溝道形成在設(shè)置于源電極173與漏電極175之間的突起154中。
每條存儲電極線172包括向上和向下延展的存儲電極176。存儲電極線172被供以預(yù)定電壓，并基本平行于數(shù)據(jù)線171而延伸。同時(shí)，存儲電極線172可以由與數(shù)據(jù)線171相同的材料制成，其與數(shù)據(jù)線171和漏電極175隔開，并且大部分設(shè)置在對應(yīng)于反射電極194的區(qū)域中。存儲電極線172的端部被供以來自存儲驅(qū)動件的存儲電壓。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175、存儲電極線172、和半導(dǎo)體帶151的露出部分上。鈍化層180可以由諸如氮化硅和氧化硅的無機(jī)絕緣體制成。鈍化層180可以具有比柵極絕緣層140的厚度薄大約一半或更多的厚度。鈍化層180具有分別露出數(shù)據(jù)線171的端部179和漏電極175的多個(gè)接觸孔182和185。鈍化層180和柵極絕緣層140具有露出柵極線121的端部129的多個(gè)接觸孔181。
多個(gè)透明電極192和多個(gè)接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
具有感光性和良好平坦特性的多個(gè)有機(jī)絕緣體187形成在透明電極192和鈍化層180上。多個(gè)反射電極194形成在有機(jī)絕緣體187上。有機(jī)絕緣體187具有浮凸表面。每個(gè)反射電極194沿有機(jī)絕緣體187的浮凸表面彎曲，以具有突出的圖案和下陷的圖案。反射電極194的突出圖案及下陷圖案增強(qiáng)了反射效率。每個(gè)有機(jī)絕緣體187可以設(shè)置在每個(gè)透明電極192的一部分上。在柵極線121的端部129和數(shù)據(jù)線171的端部179的區(qū)域中去除有機(jī)緣體187。
像素電極191包括透明電極192和反射電極194，該反射電極設(shè)置在有機(jī)絕緣體187上，并沿著有機(jī)絕緣體187的浮凸表面彎曲。
透反LCD液晶顯示器包括分別由透明電極192和反射電極194限定的透射區(qū)TA和反射區(qū)RA。詳細(xì)地說，設(shè)置于從有機(jī)絕緣體187暴露的透明電極192的露出部分的下方和上方的區(qū)域是透射區(qū)TA，而設(shè)置在反射電極194的下方和上方的區(qū)域是反射區(qū)RA。
反射電極194在透射區(qū)TA和反射區(qū)RA的邊緣處物理及電連接至透明電極192。
每個(gè)存儲電極176設(shè)置在反射區(qū)RA中。
透明電極192以及與其連接的反射電極194通過接觸孔185物理及電連接至漏電極175，使得包括透明電極192和反射電極194的像素電極191接收來自漏電極175的數(shù)據(jù)電壓。被供以數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與被供以共用電壓的相對的顯示面板(未示出)的共用電極(未示出)相配合而產(chǎn)生電場，該電場決定了兩個(gè)電極之間設(shè)置的液晶層(未示出)的液晶分子(未示出)的方向。像素電極191和共用電極形成被稱為“液晶電容器”的電容器，該電容器在TFT斷開之后存儲所施加的電壓。
透明電極192與包括存儲電極176的存儲電極線172相交疊，并被夾在其間的鈍化層180分隔開。
透明電極192和包括存儲電極176的存儲電極線172以及夾在其間的鈍化層180一起構(gòu)成存儲電容器。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板包括由彼此相交疊的透明電極192和包括存儲電極176的存儲電極線172以及夾在其間的鈍化層180一起所構(gòu)成的存儲電容器。
柵極絕緣層140可以具有與鈍化層180基本相同的介電常數(shù)，并且柵極絕緣層140的厚度D1可以比鈍化層180的厚度D2厚大約兩倍。
因此，如果彼此交疊的導(dǎo)體面積相等，則包括兩個(gè)導(dǎo)體和夾在它們之間的鈍化層180的電容器可以具有比包括兩個(gè)導(dǎo)體和夾在它們之間的柵極絕緣層140的電容器高兩倍或更多的電容。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板包括由彼此相交疊的透明電極192和包括存儲電極176的存儲電極線172以及夾在其間的鈍化層180一起所構(gòu)成的存儲電容器。
LCD的公知存儲電容器包括彼此交疊的像素電極和存儲電極以及夾在其間的柵極絕緣層。因此，即使存儲電極176具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲電容器也可以具有比公知的存儲電容器更高的電容。
因此，即使存儲電極176具有與傳統(tǒng)存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板也可以包括具有比傳統(tǒng)存儲電容器更高的電容的存儲電容器。換句話說，包括TFT陣列面板的本發(fā)明不會減小LCD的孔徑比。在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中，存儲電極176被直接供以來自外部存儲驅(qū)動件的存儲電壓，這與根據(jù)前面實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲導(dǎo)體177是相反的，該存儲導(dǎo)體通過接觸孔178被間接地供以來自存儲電極137的存儲電壓。因此，在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中，對應(yīng)于接觸孔178的面積可以用在存儲導(dǎo)體中，從而，即使存儲電容器具有與前面的存儲電容器相同的電容，存儲電極的總面積也可以減少。
根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法與根據(jù)前面實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法基本類似。
參照圖34至圖37，在基板110上形成包括柵電極124和端部129的多條柵極線121。
接著，在基板110上沉積柵極絕緣層140，然后，在柵極絕緣層140上形成包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151和包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161。在非本征半導(dǎo)體帶161和164及柵極絕緣層140上形成包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、和包括存儲電極176的多條存儲電極線172，此后，去除非本征半導(dǎo)體帶164的未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175所覆蓋的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接著，沉積鈍化層180。這里，鈍化層180的厚度可以比柵極絕緣層140的厚度薄大約一半或更多。通過光刻(及蝕刻)，對所沉積的鈍化層180以及柵極絕緣層140一起進(jìn)行圖案化，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、和漏電極175的多個(gè)接觸孔181、182、和185。
接著，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極192以及多個(gè)接觸輔助件81和82。
最后，在基板的一部分上形成多個(gè)有機(jī)絕緣體187，進(jìn)而在有機(jī)絕緣體187上形成多個(gè)反射電極194。這里，有機(jī)絕緣體187具有浮凸表面。每個(gè)反射電極194沿有機(jī)絕緣體187的浮凸表面彎曲，以具有突出的圖案和下陷的圖案。
反射電極194在透射區(qū)和反射區(qū)的邊緣處物理及電連接至透明電極192。
但是，與根據(jù)前面實(shí)施例的制造方法不同，存儲電極線172與數(shù)據(jù)線171一起形成，并基本平行于數(shù)據(jù)線171而延伸，且被直接供以來自外部存儲驅(qū)動件的存儲電壓，而無需前面實(shí)施例中所示出的接觸孔。
接著，將參照圖37至圖39詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖37是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，而圖38和圖39是沿線XXXVIII-XXXVIII和XXXIX-XXXIX截取的圖37所示TFT陣列面板的截面圖。
如圖37至圖39所示，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的分層結(jié)構(gòu)與圖34至圖36所示的基本相同。
多條柵極線121形成在絕緣基板110上。
柵極絕緣層140、包括朝向柵電極124分支出來的多個(gè)突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、包括多個(gè)突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161、和多個(gè)歐姆接觸島165形成在基板110上。
傳輸數(shù)據(jù)信號并基本沿縱向延伸以交叉柵極線121的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、和多條存儲電極線172形成在歐姆接觸161、163、和165以及柵極絕緣層140上，并且鈍化層180形成在其上。鈍化層180可以具有比柵極絕緣層140的厚度薄大約一半或更多的厚度。
鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181、182、和185。
多個(gè)像素電極191和多個(gè)接觸助件81和82形成在鈍化層180上。
多個(gè)像素電極191以及多個(gè)接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
但是，與圖34至圖36所示的TFT陣列面板不同，在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中沒有有機(jī)絕緣體187和反射電極194。
根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板包括由彼此交疊的像素電極191和存儲導(dǎo)體177以及夾在其間的鈍化層180一起所構(gòu)成的存儲電容器。
因此，即使存儲導(dǎo)體177具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板也可以包括具有比公知存儲電容器更高電容的存儲電容器，從而可以不減小包括TFT陣列面板的LCD的孔徑比。
在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中，存儲電極176被直接供以來自外部存儲驅(qū)動件的存儲電壓，這與根據(jù)前面實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲導(dǎo)體177是相反的，該存儲導(dǎo)體通過接觸孔178被間接地供以來自存儲電極137的存儲電壓。
因此，在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中，對應(yīng)于接觸孔178的面積可以用在存儲導(dǎo)體中，從而，即使存儲電容器具有與前面的存儲電容器相同的電容，存儲電極的總面積也可以減少。
現(xiàn)在，將參照圖40至圖42，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖40是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，而圖41和圖42是沿線XLI-XLI和XLII-XLII截取的圖40所示TFT陣列面板的截面圖；如圖40至圖42所示，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的分層結(jié)構(gòu)與圖19至圖20所示的基本類似。
多條柵極線121和多條存儲電極線131形成在基板110上。每條柵極線121包括柵電極124和端部129，并且每條存儲電極線131包括存儲電極137。
柵極絕緣層140、包括突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、和包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161以及多個(gè)歐姆接觸島165順序地形成在柵極線121和存儲電極線131上。
多個(gè)漏電極175、包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、以及多個(gè)存儲導(dǎo)體177形成在歐姆接觸161和165以及柵極絕緣層140上，并且鈍化層180形成于其上。
鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181、182、和185，并且柵極絕緣層140具有露出存儲電極的多個(gè)接觸孔141。
多個(gè)像素電極191以及多個(gè)接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
但是，與圖19至圖21所示的TFT陣列面板不同，每個(gè)存儲導(dǎo)體177具有無孔的并覆蓋整個(gè)存儲電極137的矩形形狀，并且存儲導(dǎo)體177通過柵極絕緣層140的接觸孔141直接物理及電連接至存儲電極137，而無需連接件。
因此，即使包括TFT陣列面板的LCD的孔徑比不減小，包括在存儲電容器中的存儲導(dǎo)體的總面積也增加。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板包括由彼此交疊的像素電極191和存儲導(dǎo)體177以及夾在其間的鈍化層180一起所構(gòu)成的存儲電容器。
傳統(tǒng)LCD存儲電容器包括彼此交疊的像素電極和存儲電極以及夾在其間的柵極絕緣層。因此，即使存儲導(dǎo)體177具有與傳統(tǒng)存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲電容器也可以具有比傳統(tǒng)存儲電容器更高的電容。
因此，即使存儲導(dǎo)體177具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板也可以包括具有比傳統(tǒng)存儲電容器更高電容的儲存電容器，從而可以不減小包括TFT陣列面板的LCD的孔徑比。
存儲導(dǎo)體177覆蓋整個(gè)存儲電極137，使得即使包括TFT陣列面板的LCD的孔徑比可能減小，存儲導(dǎo)體177的面積也會增加，以增大存儲電容器的容量。
現(xiàn)在將參照圖43至54以及圖40至圖42，詳細(xì)描述根據(jù)本實(shí)施例的圖40至圖42所示的TFT陣列面板的制造方法。
圖43、圖46、圖49、和圖52是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖，圖44和圖45是沿線XLIV-XLIV和XLV-XLV截取的圖43所示TFT陣列面板的截面圖，圖47和圖48是沿線XLVII-XLVII和XLVIII-XLVIII截取的圖46所示TFT陣列面板的截面圖，圖50和圖51是沿線L-L和LI-LI截取的圖49所示TFT陣列面板的截面圖，以及圖53和圖54是沿線LIII-LIII和LIV-LIV截取的圖52所示TFT陣列面板的截面圖。
參照圖43至圖45，通過濺射等方法在絕緣基板110上沉積金屬層，再通過光刻及蝕刻對該金屬層進(jìn)行圖案化，以形成包括柵電極124和端部129的多條柵極線121以及包括存儲電極137的多條存儲電極線131。
在基板110上沉積柵極絕緣層140，接著在基板110上順序地沉積本征a-Si層和非本征a-Si層，并且通過光刻和蝕刻對非本征a-Si層和本征a-Si層以及柵極絕緣層140一起進(jìn)行圖案化，以分別形成包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161、包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151、以及露出存儲電極137的多個(gè)接觸孔141，如圖46至圖48所示。
參照圖49至圖51，在非本征半導(dǎo)體帶161和164以及柵極絕緣層140上沉積金屬層，再通過光刻和蝕刻對該金屬進(jìn)行圖案化，以形成包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、以及多個(gè)存儲導(dǎo)體177。之后，去除非本征半導(dǎo)體帶164的未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175所覆蓋的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161以及多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接著，沉積鈍化層180。這里，鈍化層180的厚度比柵極絕緣層140的厚度薄大約一半或更多。通過光刻(及蝕刻)，對所沉積的鈍化層180以及柵極絕緣層140一起進(jìn)行圖案化，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、和漏電極175的多個(gè)接觸孔181、182、和185。
最后，在基板上沉積諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體，并通過光刻和蝕刻對該透明導(dǎo)體進(jìn)行圖案化，以形成多個(gè)像素電極192以及多個(gè)接觸輔助件81和82，如圖40至圖42所示。
現(xiàn)在將參照圖55至圖57詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖55是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，而圖56和圖57是沿線LVI-LVI和LVII-LVII截取的圖55所示TFT陣列面板的截面圖。
如圖55至圖57所示，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的分層結(jié)構(gòu)與圖40至圖42所示的基本類似。
包括柵電極124和端部129的多條柵極線121以及包括存儲電極137的多條存儲電極線131形成在基板110上。具有露出整個(gè)存儲電極137的多個(gè)接觸孔142的柵極絕緣層140、包括突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、和包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161以及多個(gè)歐姆接觸島165順序地形成在柵極線121和存儲電極線131上。
多個(gè)漏電極175以及包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171形成在歐姆接觸161和165以及柵極絕緣層140上，并且鈍化層180形成在其上。鈍化層180覆蓋由接觸孔142露出的存儲電極137。鈍化層180可以具有比柵極絕緣層140的厚度薄大約一半或更多的厚度。
鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181、182、和185。
多個(gè)像素電極191以及多個(gè)接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
但是，與圖40和圖42所示的TFT陣列面板不同，不存在通過接觸孔141物理及電連接至存儲電極137的存儲導(dǎo)體177。根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板包括通過柵極絕緣層140的接觸孔142被完全露出的存儲電極。
在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中，柵極絕緣層140具有露出整個(gè)存儲電極137的相對較大的接觸孔142，并且通過接觸孔142被露出的存儲電極137與像素電極191相交疊，以便與夾在其間的鈍化層180一起形成存儲電容器。
因此，即使該存儲導(dǎo)體177具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲電容器也可以具有比公知存儲電容器更高的電容，其中，公知存儲電容器包括彼此交疊的像素電極和存儲電極以及夾在其間的柵極絕緣層。
現(xiàn)在，將參照圖58至圖69，詳細(xì)描述根據(jù)本實(shí)施例的圖55至圖57所示的TFT陣列面板的制造方法。
圖58、圖61、圖64、和圖67是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的TFT陣列面板的布局圖，圖59和圖60是沿線LIX-LIX和LX-LX截取的圖58所示TFT陣列面板的截面圖，圖62和圖63是沿線LXII-LXII和LXIII-LXIII截取的圖61所示TFT陣列面板的截面圖，圖65和圖66是沿線LXV-LXV和LXVI-LXVI截取的圖64所示TFT陣列面板的截面圖，以及圖68和圖69是沿線LXVIII-LXVIII和LXIX-LXIX截取的圖67所示TFT陣列面板的截面圖。
如圖58至圖60所示，在基板110上形成包括柵電極124和端部129的多條柵極線121以及包括存儲電極137的多條存儲電極線131。
在基板110上沉積柵極絕緣層140，接著在基板110上順序地沉積本征a-Si層和非本征a-Si層，并且通過光刻和蝕刻，對非本征a-Si層和本征a-Si層以及柵極絕緣層140一起進(jìn)行圖案化，以分別形成包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161和包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151，以及露出整個(gè)存儲電極137的多個(gè)接觸孔142，如圖61至63所示。
參照圖64至圖66，在非本征半導(dǎo)體帶161和164上形成包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171以及多個(gè)漏電極175，之后，去除非本征半導(dǎo)體帶164的未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175覆蓋的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接著，沉積鈍化層180。這里，鈍化層180的厚度比柵極絕緣層140的厚度薄大約一半或更多。
通過光刻(及蝕刻)，對所沉積的鈍化層180以及柵極絕緣層140一起進(jìn)行圖案化，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、和漏電極175的多個(gè)接觸孔181、182、和185。
最后，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極192以及多個(gè)接觸輔助件81和82，如圖55至圖57所示。
接著，將參照圖70至圖72，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖70是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，而圖71和圖72是沿線LXXI-LXXI和LXXII-LXXII截取的圖70所示TFT陣列面板的截面圖。
根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的分層結(jié)構(gòu)與圖55至圖57所示的基本類似。
包括柵電極124和端部129的多條柵極線121以及包括存儲電極137的多條存儲電極線131形成在基板110上。
具有露出整個(gè)存儲電極137的多個(gè)接觸孔142的柵極絕緣層140、包括突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、和包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161以及多個(gè)歐姆接觸島165順序形成在柵極線121和存儲電極線131上。
多個(gè)漏電極175以及包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171形成在歐姆接觸161和165以及柵極絕緣層140上。鈍化層180形成在其上。
但是，與圖55至圖57所示的TFT陣列面板不同，鈍化層180具有雙層結(jié)構(gòu)，包括下層180p和上層180q。上層180q比下層180p更厚并且具有平坦表面。設(shè)置在存儲電極137上方的上層180q被去除。
下層180p可以由諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣體制成，而上層180q可以由有機(jī)絕緣體制成。
鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181、182、和185。
多個(gè)像素電極191以及多個(gè)接觸輔助件81和82形成在鈍化層180的上層180q或下層180p上。
在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板中，通過接觸孔142露出的存儲電極137與像素電極191相交疊，以與夾在其間的鈍化層180的下層180p一起構(gòu)成存儲電容器。
現(xiàn)在，將參照圖73至圖82，詳細(xì)描述根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法。
根據(jù)本實(shí)施例的圖70至圖72所示TFT陣列面板的制造方法與根據(jù)前面實(shí)施例的圖55至圖57所示TFT陣列面板的制造方法基本類似。
在基板110上形成包括柵電極124和端部129的多條柵極線121以及包括存儲電極137的多條存儲電極線131，在基板110上沉積柵極絕緣層140，接著在基板110上順序地沉積本征a-Si層和非本征a-Si層，并且通過光刻和蝕刻，對非本征a-Si層和本征a-Si層以及柵極絕緣層140一起進(jìn)行圖案化，以分別形成包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161和包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151，以及露出整個(gè)存儲電極137的多個(gè)接觸孔142。
在非本征半導(dǎo)體帶161和164上形成包括源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171以及多個(gè)漏電極175，之后，去除非本征半導(dǎo)體帶164的未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175覆蓋的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
沉積鈍化層180。通過光刻(及蝕刻)，對所沉積的鈍化層180以及柵極絕緣層140一起進(jìn)行圖案化，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、和漏電極175的多個(gè)接觸孔181、182、和185，并且同時(shí)去除設(shè)置在存儲電極137上方的鈍化層180的上層180q?，F(xiàn)在將參照圖73至圖82描述形成這種結(jié)構(gòu)的方法。圖73至圖82是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的其制造方法的中間步驟中的圖70至圖72所示TFT陣列面板的截面圖。
參照圖73和圖74，在基板110上沉積鈍化層180的下層180p和上層180q，并且在鈍化層180的上層180q上沉積光刻膠膜400。
通過光掩模(未示出)使光刻膠膜400曝光，并顯影，從而經(jīng)顯影的光刻膠具有與位置相關(guān)的厚度A、B和C，如圖75和圖76所示。
通過幾種技術(shù)獲得光刻膠圖案的與位置相關(guān)的厚度，例如，通過在光掩模上設(shè)置半透明區(qū)域B以及光傳輸透明區(qū)域A和遮光的不透明區(qū)域C。
半透明區(qū)域可以具有狹縫圖案、格子圖案，或者包括具有中間透射率或中間厚度的薄膜。當(dāng)使用狹縫圖案時(shí)，優(yōu)選地，狹縫的寬度或狹縫之間的距離小于用于光刻工藝的曝光器的辨析率。
如圖75和圖76所示，可以完全去除設(shè)置在區(qū)域A中的光刻膠膜，可以不完全地去除設(shè)置區(qū)域B中的光刻膠膜，以及可以不去除設(shè)置在區(qū)域C中的光刻膠膜。
設(shè)置在區(qū)域B中的光刻膠膜與設(shè)置在區(qū)域C中的光刻膠膜的厚度比根據(jù)后續(xù)處理步驟中的工藝條件來調(diào)節(jié)。優(yōu)選地，設(shè)置在區(qū)域B中的光刻膠膜的厚度等于或小于設(shè)置在區(qū)域C中的光刻膠膜的厚度的一半。
另一個(gè)實(shí)例是使用可回流的(reflowable)光刻膠。詳細(xì)地說，一旦通過使用僅具有透明區(qū)域和不透明區(qū)域的普通曝光掩模來形成由可回流材料制成的光刻膠圖案，則對光刻膠圖案進(jìn)行回流處理，使其流到?jīng)]有光刻膠的區(qū)域上，從而形成較薄的部分。
接著，使用光刻膠膜400作為掩模來蝕刻鈍化層180的上層180q和下層180p以及柵極絕緣層140，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、和漏電極175的多個(gè)接觸孔181、182、和185，如圖77和圖78所示。
接著，如圖79和圖80所示，在光刻膠膜400上進(jìn)行灰化，從而全部去除設(shè)置在區(qū)域B中的光刻膠膜，并減小設(shè)置在區(qū)域C中的光刻膠膜的厚度。
參照圖81和圖82，使用設(shè)置在區(qū)域C中的剩余的光刻膠膜作為掩模來蝕刻鈍化層180的上層180q，從而去除設(shè)置在存儲電極上方的上層180q，而下層180p保留在存儲電極上方。
最后，通過灰化等去除設(shè)置在區(qū)域C中的剩余的光刻膠膜。
如上所述，在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法中，通過使用一個(gè)光掩模的光刻和蝕刻對鈍化層180的上層180q和下層180p以及柵極絕緣層140進(jìn)行圖案化，以形成分別露出柵極線121的端部129、數(shù)據(jù)線171的端部179、和漏電極175的多個(gè)接觸孔181、182、和185，并同時(shí)去除設(shè)置在存儲電極137上方的鈍化層180的上層180q。
接著，形成多個(gè)像素電極191以及多個(gè)接觸輔助件81和82，如圖70至圖72所示。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板包括存儲電容器，該存儲電容器包括彼此交疊的兩個(gè)導(dǎo)體以及夾在其間的鈍化層180。
因此，即使存儲導(dǎo)體具有與公知存儲電容器的存儲電極相同的面積，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的存儲電容器也可以具有比公知的存儲電容器更高的電容。
在上述實(shí)施例中，很多膜被描述成具有單一層，但是它們可以具有雙層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)。
在上述實(shí)施例中，TFT陣列面板被描述成用于LCD中，但是它們可以適用于包括TFT的其它顯示面板中，例如，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器等。
雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)用的示例性實(shí)施例的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是可以理解本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，相反，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求
的精神和范圍之內(nèi)的各種更改和等同替換。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括基板；包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線，所述柵極線和所述存儲電極線形成在所述基板上；柵極絕緣層，形成在所述柵極線、所述存儲電極線、和所述基板上；半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線和漏電極，形成在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上；存儲導(dǎo)體，其形成在所述柵極絕緣層上，由與所述數(shù)據(jù)線相同的層構(gòu)成，且與所述數(shù)據(jù)線分隔開，并且所述存儲導(dǎo)體利用連接件電連接至所述存儲電極；鈍化層，其形成在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極、和所述存儲導(dǎo)體上；以及透明電極，其形成在所述鈍化層上，并連接至所述漏電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的TFT陣列面板，其中，所述柵極絕緣層比所述鈍化層厚，并且彼此交疊的所述透明電極和所述存儲導(dǎo)體以及夾在其間的所述鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲導(dǎo)體通過所述存儲電極被供以存儲電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的TFT陣列面板，其中，所述鈍化層具有露出所述存儲導(dǎo)體的一部分的孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的TFT陣列面板，進(jìn)一步包括有機(jī)絕緣體，其形成在所述透明電極的一部分上；以及反射電極，其形成在所述有機(jī)絕緣體上。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的TFT陣列面板，其中，所述反射電極在所述有機(jī)絕緣體邊緣處物理及電連接至所述透明電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲導(dǎo)體設(shè)置在包含所述反射電極的區(qū)域中。
8.一種TFT陣列面板，包括基板；柵極線，其包括柵電極并形成在所述基板上；柵極絕緣層，其形成在所述柵極線和所述基板上；半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線、漏電極、和包括存儲電極的存儲電極線，形成在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上；鈍化層，其形成在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極、和所述存儲電極線上；以及透明電極，其形成在所述鈍化層上，并連接至所述漏電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲電極線基本平行于所述數(shù)據(jù)線而延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的TFT陣列面板，其中，所述柵極絕緣層比所述鈍化層厚，并且所述透明電極和包括所述存儲電極的所述存儲電極線彼此交疊，以與夾在其間的所述鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求
10所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲電極線被供以存儲電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的TFT陣列面板，進(jìn)一步包括有機(jī)絕緣體，其形成在所述透明電極的一部分上；以及反射電極，其形成在所述有機(jī)絕緣體上。
13.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的TFT陣列面板，其中，所述反射電極在所述有機(jī)絕緣體的邊緣處物理及電連接至所述透明電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲導(dǎo)體設(shè)置在包含所述反射電極的區(qū)域中。
15.一種制造TFT陣列面板的方法，所述方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線；在所述柵極線、所述存儲電極線、和所述基板上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述柵極絕緣層和所述半導(dǎo)體層上形成數(shù)據(jù)線、漏電極、和存儲導(dǎo)體；在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極、和所述存儲導(dǎo)體上形成鈍化層；以及在所述鈍化層上形成連接至所述漏電極的像素電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的方法，進(jìn)一步包括在所述鈍化層中形成露出所述存儲導(dǎo)體的孔；在所述柵極絕緣層中形成露出所述存儲電極的接觸孔；以及形成連接件，其將所述存儲導(dǎo)體通過所述接觸孔電連接至所述存儲電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求
16所述的方法，其中，同時(shí)進(jìn)行形成所述像素電極的步驟和形成所述連接件的步驟。
18.一種TFT陣列面板的制造方法，所述方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線；在所述柵極線和所述基板上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述柵極絕緣層和所述半導(dǎo)體層上形成數(shù)據(jù)線、漏電極、和包括存儲電極的存儲電極線；在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極、和所述存儲電極線上形成鈍化層；以及在所述鈍化層上形成連接至所述漏電極的像素電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的方法，其中，所述柵極絕緣層比所述鈍化層厚，并且所述像素電極和包括所述存儲電極的所述存儲電極線彼此交疊，以與夾在其間的所述鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
20.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的方法，進(jìn)一步包括在所述像素電極的一部分上形成有機(jī)絕緣體；以及在所述有機(jī)絕緣體上形成反射電極。
21.一種TFT陣列面板，包括基板；包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線，所述柵極線和所述存儲電極線形成在所述基板上；柵極絕緣層，形成在所述柵極線、所述存儲電極、和所述基板上，并具有露出所述存儲電極的接觸孔；半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線和漏電極，形成在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上；存儲導(dǎo)體，其形成在所述柵極絕緣層上，由與所述數(shù)據(jù)線相同的層構(gòu)成，且與所述數(shù)據(jù)線分隔開，并且存儲導(dǎo)體通過所述柵極絕緣層的所述接觸孔電連接至所述存儲電極；鈍化層，其形成在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極、和所述存儲導(dǎo)體上；以及像素電極，其形成在所述鈍化層上，并連接至所述漏電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求
21所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲電極線被供以存儲電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲導(dǎo)體通過所述存儲電極被供以存儲電壓。
24.根據(jù)權(quán)利要求
23所述的TFT陣列面板，其中，所述柵極絕緣層比所述鈍化層厚，并且所述像素電極和所述存儲導(dǎo)體彼此交疊，以與夾在其間的所述鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
25.根據(jù)權(quán)利要求
21所述的TFT陣列面板，其中，所述鈍化層具有露出所述漏電極的接觸孔，并且所述像素電極通過所述接觸孔電連接至所述漏電極。
26.一種制造TFT陣列面板的方法，所述方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線；在所述柵極線、所述存儲電極線、和所述基板上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積本征非晶硅層；在所述本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅層；對所述非本征非晶硅層和所述本征非晶硅層以及所述柵極絕緣層進(jìn)行圖案化，以形成非本征半導(dǎo)體圖案、本征半導(dǎo)體圖案，并在所述柵極絕緣層中形成露出所述存儲電極的一部分的第一接觸孔；在所述柵極絕緣層和所述非本征半導(dǎo)體圖案上形成數(shù)據(jù)線和漏電極，并且同時(shí)形成通過所述第一接觸孔連接至所述存儲電極的存儲導(dǎo)體；在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極、和所述存儲導(dǎo)體上形成鈍化層，所述鈍化層具有露出所述漏電極的第二接觸孔；以及在所述鈍化層上形成通過所述第二接觸孔連接至所述漏電極的像素電極。
27.根據(jù)權(quán)利要求
26所述的方法，其中，所述柵極絕緣層比所述鈍化層厚，并且所述像素電極和所述存儲導(dǎo)體彼此交疊，以與夾在其間的所述鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
28.一種TFT陣列面板，包括基板；包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線，所述柵極線和所述存儲電極線形成在所述基板上；柵極絕緣層，形成在所述柵極線、所述存儲電極線、和所述基板上，并具有露出整個(gè)所述存儲電極的接觸孔；半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線和漏電極，形成在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上；鈍化層，其形成在所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極上；以及像素電極，其連接至所述漏電極并形成在所述鈍化層上，其中，所述像素電極和所述存儲電極彼此交疊，以與夾在其間的所述鈍化層一起構(gòu)成存儲電容器。
29.根據(jù)權(quán)利要求
28所述的TFT陣列面板，其中，所述存儲電極線被供以存儲電壓。
30.根據(jù)權(quán)利要求
29所述的TFT陣列面板，其中，所述柵極絕緣層比所述鈍化層厚。
31.根據(jù)權(quán)利要求
28所述的TFT陣列面板，其中，所述鈍化層具有包括下層和上層的雙層機(jī)構(gòu)，并且所述上層厚于所述下層。
32.根據(jù)權(quán)利要求
31所述的TFT陣列面板，其中，在所述存儲電極上方，所述鈍化層的所述上層被去除。
33.根據(jù)權(quán)利要求
31所述的TFT陣列面板，其中，所述下層包括無機(jī)絕緣體，而所述上層包括有機(jī)絕緣體。
34.一種TFT陣列面板的制造方法，所述方法包括在基板上形成包括柵電極的柵極線和包括存儲電極的存儲電極線；在所述柵極線、所述存儲電極線、和所述基板上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上沉積本征非晶硅層；在所述本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅層；對所述非本征非晶硅層和所述本征非晶硅層以及所述柵極絕緣層進(jìn)行圖案化，以形成非本征半導(dǎo)體圖案、本征半導(dǎo)體圖案，并在所述柵極絕緣層中形成露出所述存儲電極的一部分的第一接觸孔；在所述柵極絕緣層和所述非本征半導(dǎo)體圖案上形成數(shù)據(jù)線和漏電極；在所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極上形成鈍化層，所述鈍化層具有露出所述漏電極的第二接觸孔；以及在所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述第二接觸孔連接至所述漏電極。
35.根據(jù)權(quán)利要求
34所述的方法，其中，所述柵極絕緣層的厚度大于所述鈍化層的厚度。
36.根據(jù)權(quán)利要求
34所述的方法，其中，所述鈍化層具有包括下層和上層的雙層結(jié)構(gòu)，其中，所述上層厚于所述下層，并且在所述存儲電極上方所述上層被去除。
37.根據(jù)權(quán)利要求
36所述的方法，其中，形成所述鈍化層的步驟包括在所述基板上沉積下部鈍化層；在所述下部鈍化層上沉積上部鈍化層；形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案具有與位置相關(guān)的厚度并露出所述上部鈍化層的一部分；蝕刻所述上部鈍化層、所述下部鈍化層、和所述柵極絕緣層，以形成分別露出所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、和所述漏電極的第二接觸孔、第三接觸孔、和第四接觸孔；減小所述光刻膠圖案的高度，以露出所述存儲電極上方的所述上部鈍化層；使用所述減小高度的光刻膠圖案作為掩模來蝕刻所述上部鈍化層，以去除所述上部鈍化層；以及去除所述減小高度的光刻膠圖案，其中，所述柵極絕緣層的厚度厚于所述下部鈍化層的厚度。
專利摘要
一種用于顯示器的TFT陣列面板，具有柵極絕緣層，該柵極絕緣層具有與鈍化層基本相同的介電常數(shù)，并可以厚于該鈍化層，同時(shí)，存儲電容器包括彼此交疊的像素電極和存儲電極以及夾在其間的鈍化層，從而即使存儲導(dǎo)體具有與以前相同的面積，存儲電容器也具有比公知存儲電容器更高的電容。
文檔編號H01L23/522GK1992292SQ200610156346
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月29日
發(fā)明者梁英喆, 樸大真, 林智淑, 樸涌基 申請人:三星電子株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan