本技術(shù)實(shí)施例涉及影像傳感器。

背景技術(shù)：

1、包括影像傳感器的集成電路(integrated?circuit；ic)廣泛用于現(xiàn)代電子裝置中，諸如攝影機(jī)及蜂巢式電話?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary?metal-oxidesemiconductor；cmos)影像傳感器(complementary?metal-oxide?semiconductor?imagesensor；cis)以變得普遍。與電荷耦接裝置(charge-coupled?device；ccd)相比較，cis由于低功耗、小像素大小、快速數(shù)據(jù)處理以及低制造成本而愈來愈有利。隨著像素大小變得較小，制造變得愈來愈困難，此是由于其限制像素之間的串?dāng)_。此等為唯一解決方案可提供改良效能的持續(xù)挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在一些實(shí)施例中，一種影像傳感器，包括：半導(dǎo)體襯底，具有前側(cè)及背側(cè)；光偵測器，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；一或多個(gè)鈍化層，位于所述背側(cè)上；以及背側(cè)深溝槽隔離(bdti)結(jié)構(gòu)，延伸至所述背側(cè)中以橫向地圍繞所述光偵測器，其中在第一區(qū)域內(nèi)，所述bdti結(jié)構(gòu)展現(xiàn)對(duì)應(yīng)于所述bdti結(jié)構(gòu)的寬度相對(duì)于所述bdti結(jié)構(gòu)的深度在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)及高于所述bdti結(jié)構(gòu)底部的高度處的不連續(xù)變化的突然變窄。

2、在一些實(shí)施例中，一種影像傳感器，包括；半導(dǎo)體襯底，包含前側(cè)及背側(cè)；光偵測器，排陣列于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；以及背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)，延伸至所述光偵測器之間的所述背側(cè)中，其中在第一區(qū)域中，所述背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)具有皆位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的上部部分及下部部分；其中所述下部部分比所述上部部分更窄且具有更高縱橫比；以及所述半導(dǎo)體襯底在所述上部部分與所述下部部分之間的接合點(diǎn)處形成突出部分。

技術(shù)特征：

1.一種影像傳感器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，在第二區(qū)域內(nèi)，所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)比在所述第一區(qū)域中更淺且不展現(xiàn)所述突然變窄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，還包括具有深度的切割道，其中寬度的所述突然變窄在所述深度處出現(xiàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像傳感器，其特征在于，所述上部鈍化層下降至所述半導(dǎo)體襯底中以形成所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像傳感器，其特征在于，所述上部鈍化層下降至所述半導(dǎo)體襯底中以形成所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的核心。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)包括襯底嵌入金屬柵格。

8.一種影像傳感器，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的影像傳感器，其特征在于，在所述第一區(qū)域內(nèi)，所述背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)以較大深度連續(xù)變窄至所述半導(dǎo)體襯底中。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的影像傳感器，其特征在于，還包括具有等于所述突出部分的深度的深度的切割道。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供用于背側(cè)深溝槽隔離(BDTI)結(jié)構(gòu)的溝槽，所述溝槽使用兩種蝕刻形成：高縱橫比蝕刻及口部蝕刻。溝槽具有較寬的上部部分(口部)及溝槽的下部部分。下部部分比上部部分更窄且具有更高縱橫比。溝槽展現(xiàn)上部部分與下部部分之間的寬度的步進(jìn)改變?？晒潭ㄏ虏坎糠值纳疃纫蕴峁└呖v橫比，但將所述縱橫比限制于可始終填充下部部分而不產(chǎn)生空隙的縱橫比。溝槽的整體深度可通過調(diào)整口部區(qū)域的深度來變化。所得BDTI結(jié)構(gòu)為影像傳感器提供比可使用單一溝槽蝕刻達(dá)成的更佳的光學(xué)效能特性。

技術(shù)研發(fā)人員：黃信耀,莊圣頡,孔書硯,黃信盛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240109
技術(shù)公布日：2024/12/19