本申請涉及半導(dǎo)體激光器,尤其涉及一種半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng)及光纖激光器。
背景技術(shù):
1、半導(dǎo)體激光器在通訊、軍事、醫(yī)療等領(lǐng)域越來越廣泛,半導(dǎo)體激光器作為一種半導(dǎo)體元器件,市場對半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用需求不斷增加。近年來,高功率、高光束質(zhì)量的半導(dǎo)體激光器得到了飛速發(fā)展。目前制備半導(dǎo)體激光器的傳統(tǒng)方法是在泵浦源光纖后熔接光纖光柵再熔接有源光纖,且泵浦源光纖一般有別于有源光纖。這種制備方法會產(chǎn)生較多熔接點,容易出現(xiàn)熔接不良的問題。
2、申請內(nèi)容
3、本申請實施例提供一種半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng)及光纖激光器,通過光纖刻寫形成光纖光柵減少熔接點數(shù)量,避免熔接不良的問題。
4、一方面,本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),所述半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng)包括:
5、殼體;
6、泵浦芯片,所述泵浦芯片用于發(fā)射泵浦光;
7、準直模塊,所述準直模塊用于固定準直透鏡及泵浦源光纖;
8、準直透鏡,所述準直透鏡位于所述泵浦芯片的出光側(cè),所述準直透鏡用于對所述泵浦光進行準直;
9、泵浦源光纖,所述泵浦源光纖位于所述準直透鏡的出光側(cè),所述泵浦源光纖上包括通過光纖刻寫形成的光纖光柵;
10、所述泵浦芯片、所述準直模塊、所述準直透鏡和所述泵浦源光纖均設(shè)置在所述殼體中。
11、在一些可能的實施例中,所述半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng)還包括端帽,所述端帽設(shè)置在所述準直透鏡和所述泵浦源光纖之間。
12、在一些可能的實施例中,所述光纖光柵與所述端帽之間的距離為5毫米-10毫米。
13、在一些可能的實施例中,所述光纖光柵的帶寬為38-40毫米。
14、在一些可能的實施例中,所述光纖光柵為高反光柵。
15、在一些可能的實施例中,所述泵浦源光纖為無源光纖。
16、第二方面,本申請實施例提供一種光纖激光器,所述光纖激光器包括如上任一項所述的半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),還包括:增益光纖,所述增益光纖設(shè)置在所述光纖光柵的出光側(cè)。
17、在一些可能的實施例中,所述增益光纖包括一級增益光纖和二級增益光纖,所述半導(dǎo)體激光器還包括低反光柵,所述低反光柵設(shè)置在所述一級增益光纖和所述二級增益光纖之間。
18、在一些可能的實施例中,所述增益光纖和所述泵浦源光纖為同規(guī)格光纖。
19、在一些可能的實施例中,所述半導(dǎo)體激光器還包括剝模器,所述剝模器位于所述二級增益光纖的出光側(cè)。
20、本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng)及光纖激光器,準直系統(tǒng)包括:準直模塊,用于固定透鏡及光纖,泵浦芯片用于發(fā)射泵浦光,準直透鏡組位于泵浦芯片的出光側(cè),用于對泵浦光進行準直;泵浦源光纖,泵浦源光纖位于準直透鏡的出光側(cè),泵浦源光纖上包括通過光纖刻寫形成的光纖光柵;泵浦源、準直透鏡和泵浦源光纖均設(shè)置在殼體中。本申請通過在泵浦源光纖上進行光纖刻寫形成光纖光柵,且將光纖光柵集成在準直系統(tǒng)中,無需外接光柵;減少光柵數(shù)量降低成本的同時,也降低了熔接點數(shù)量,減少熔接不良的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1.一種半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),其特征在于,所述半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng)還包括端帽,所述端帽設(shè)置在所述準直透鏡和所述泵浦源光纖之間,所述端帽與所述泵浦源光纖熔接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),其特征在于,所述光纖光柵與所述端帽之間的距離為5毫米-10毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),其特征在于,所述光纖光柵的帶寬為38-40毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),其特征在于,所述光纖光柵為高反光柵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),其特征在于,所述泵浦源光纖為無源光纖。
7.一種光纖激光器,其特征在于,所述光纖激光器包括如權(quán)利要求1-6任一項所述的半導(dǎo)體激光器準直系統(tǒng),還包括:增益光纖,所述增益光纖設(shè)置在所述光纖光柵的出光側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纖激光器,其特征在于,所述增益光纖包括一級增益光纖和二級增益光纖,所述半導(dǎo)體激光器還包括低反光柵,所述低反光柵設(shè)置在所述一級增益光纖和所述二級增益光纖之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纖激光器,其特征在于,所述增益光纖和所述泵浦源光纖為同規(guī)格光纖。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纖激光器,其特征在于,所述半導(dǎo)體激光器還包括剝模器,所述剝模器位于所述二級增益光纖的出光側(cè)。