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用于電渦流傳感器的標(biāo)定方法、厚度測(cè)量方法、裝置及化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備與流程

文檔序號(hào):40392152發(fā)布日期:2024-12-20 12:15閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種用于電渦流傳感器的標(biāo)定方法,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述修正后第一基值信號(hào)和所述第二基值信號(hào),對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正,得到所述修正后晶圓信號(hào),包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào),確定所述目標(biāo)修正量的公式如下:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述確定所述晶圓信號(hào)相對(duì)于所述第二基值信號(hào)的信號(hào)變化量的公式如下:

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述修正后第一基值信號(hào)和所述信號(hào)變化量,確定修正后晶圓信號(hào)的公式如下:

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)和所述修正后第一基值信號(hào),確定所述標(biāo)定信息的公式如下:

9.一種厚度測(cè)量方法,其特征在于,包括:

10.一種用于電渦流傳感器的標(biāo)定裝置,其特征在于,包括:

11.一種厚度測(cè)量裝置,其特征在于,包括:

12.一種化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備,其特征在于,包括:拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器;

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其特征在于,所述控制器還用于執(zhí)行以下處理:

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備,其特征在于,所述控制器執(zhí)行的所述根據(jù)所述修正后第一基值信號(hào)和所述第二基值信號(hào),對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正,得到所述修正后晶圓信號(hào),包括:

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備,其特征在于,所述控制器還用于執(zhí)行以下處理:

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備,其特征在于,所述控制器執(zhí)行的所述根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào),確定所述目標(biāo)修正量的公式如下:

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于,所述控制器執(zhí)行的所述確定所述晶圓信號(hào)相對(duì)于所述第二基值信號(hào)的信號(hào)變化量的公式如下:

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備,其特征在于,所述控制器執(zhí)行的所述根據(jù)所述修正后第一基值信號(hào)和所述信號(hào)變化量,確定修正后晶圓信號(hào)的公式如下:

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備,其特征在于,所述控制器執(zhí)行的所述根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)和所述修正后第一基值信號(hào),確定所述標(biāo)定信息的公式如下:

20.一種化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備,其特征在于,包括:拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器;

21.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,該程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法或者如權(quán)利要求9所述的方法。

22.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,其特征在于,包括計(jì)算機(jī)指令,所述計(jì)算機(jī)指令指示計(jì)算設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法或者如權(quán)利要求9所述的方法。


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于電渦流傳感器的標(biāo)定方法、厚度測(cè)量方法、裝置及化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備,該方法包括:在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前,獲取電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào);在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過程中,獲取電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào),并獲取電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào);根據(jù)第一激勵(lì)信號(hào)和第二激勵(lì)信號(hào),對(duì)晶圓信號(hào)進(jìn)行修正,得到修正后晶圓信號(hào);建立根據(jù)修正后晶圓信號(hào)確定的標(biāo)定信息與預(yù)先確定的晶圓厚度之間的映射關(guān)系,以對(duì)電渦流傳感器進(jìn)行標(biāo)定。本方案提高了通過電渦流傳感器測(cè)量得到的金屬薄膜厚度的準(zhǔn)確性。

技術(shù)研發(fā)人員:田芳馨,路新春,王同慶,趙德文,劉杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者:華海清科股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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