本技術(shù)涉及晶圓拋光，尤其涉及一種用于電渦流傳感器的標(biāo)定方法、厚度測(cè)量方法、裝置及化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、晶圓制造過(guò)程中會(huì)通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光（chemical?mechanical?polishing，cmp）對(duì)晶圓上設(shè)置的金屬薄膜表面進(jìn)行平坦化處理，化學(xué)機(jī)械拋光可以通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備實(shí)現(xiàn)。

2、在化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行cmp的過(guò)程中，化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備會(huì)帶動(dòng)晶圓使其的金屬薄膜抵接在拋光墊上，并帶動(dòng)晶圓相對(duì)于表面被供給有拋光液的拋光墊移動(dòng)，以?huà)伖饩A的金屬薄膜，并且，在化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行cmp的過(guò)程中，拋光墊遠(yuǎn)離晶圓的一側(cè)還設(shè)置有電渦流傳感器，當(dāng)在垂直于拋光墊的方向上與電渦流傳感器相對(duì)的晶圓的金屬薄膜厚度發(fā)生變化時(shí)，電渦流傳感器的輸出信號(hào)也會(huì)發(fā)生變化，因此，在獲取到電渦流傳感器的輸出信號(hào)后，可以根據(jù)該輸出信號(hào)確定標(biāo)定信息，再根據(jù)預(yù)先確定的標(biāo)定信息與金屬薄膜厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定當(dāng)前進(jìn)行cmp的晶圓的金屬薄膜厚度。

3、但是，電渦流傳感器的輸出信號(hào)是根據(jù)電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的信號(hào)而產(chǎn)生的，即電渦流傳感器的信號(hào)源使電渦流傳感器的線(xiàn)圈產(chǎn)生交變電磁場(chǎng)，該交變電磁場(chǎng)使電渦流傳感器產(chǎn)生輸出信號(hào)。然而化學(xué)機(jī)械拋光環(huán)境復(fù)雜，對(duì)電渦流傳感器的影響較大，例如，化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備使用一段時(shí)間后，電渦流傳感器自身老化、拋光環(huán)境溫度對(duì)線(xiàn)圈的影響和拋光液對(duì)線(xiàn)圈的影響等，會(huì)造成根據(jù)電渦流傳感器的輸出信號(hào)確定的標(biāo)定信息與金屬薄膜厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系發(fā)生變化，此時(shí)對(duì)于標(biāo)定信息和金屬薄膜厚度，二者之間的實(shí)際對(duì)應(yīng)關(guān)系相對(duì)于預(yù)先確定的對(duì)應(yīng)關(guān)系變化較大；此外，化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程自身的溫度、拋光液情況等均會(huì)對(duì)電渦流傳感器的測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生影響。因此，目前通過(guò)電渦流傳感器測(cè)量得到的金屬薄膜厚度的準(zhǔn)確性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種用于電渦流傳感器的標(biāo)定方法、厚度測(cè)量方法、裝置及化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備，以至少部分解決上述問(wèn)題。

2、根據(jù)本技術(shù)的第一方面，提供了一種用于電渦流傳感器的標(biāo)定方法，包括：在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)；在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào)，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào)；根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào)，對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正，得到修正后晶圓信號(hào)；建立根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)確定的標(biāo)定信息與預(yù)先確定的晶圓厚度之間的映射關(guān)系，以對(duì)所述電渦流傳感器進(jìn)行標(biāo)定。

3、根據(jù)本技術(shù)的第二方面，提供了一種厚度測(cè)量方法，包括：基于上述第一方面所述的方法，確定多個(gè)晶圓厚度與各自對(duì)應(yīng)的標(biāo)定信息之間的映射關(guān)系；在所述化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)；在所述化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào)，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào)；根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào)，對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正，得到修正后晶圓信號(hào)；根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)確定標(biāo)定信息；根據(jù)所述標(biāo)定信息與所述映射關(guān)系，確定晶圓厚度。

4、根據(jù)本技術(shù)的第三方面，提供了一種用于電渦流傳感器的標(biāo)定裝置，包括：第一獲取單元，用于在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)；第二獲取單元，用于在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào)，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào)；第一修正單元，用于根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào)，對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正，得到修正后晶圓信號(hào)；關(guān)系確定單元，用于建立根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)確定的標(biāo)定信息與預(yù)先確定的晶圓厚度之間的映射關(guān)系，以對(duì)所述電渦流傳感器進(jìn)行標(biāo)定。

5、根據(jù)本技術(shù)的第四方面，提供了一種厚度測(cè)量裝置，包括：關(guān)系獲取單元，用于基于上述第一方面所述的方法，確定多個(gè)晶圓厚度與各自對(duì)應(yīng)的標(biāo)定信息之間的映射關(guān)系；第三獲取單元，用于在所述化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)；第四獲取單元，用于在所述化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào)，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào)；第二修正單元，用于根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào)，對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正，得到修正后晶圓信號(hào)；信息確定單元，用于根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)確定標(biāo)定信息；厚度確定單元，用于根據(jù)所述標(biāo)定信息與所述映射關(guān)系，確定晶圓厚度。

6、根據(jù)本技術(shù)的第五方面，提供了一種化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備，包括：拋光盤(pán)、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器；所述拋光盤(pán)的一側(cè)設(shè)置有拋光墊；所述承載頭，用于限位待拋光的晶圓，以使所述晶圓的一圓面上設(shè)置的金屬薄膜抵接在拋光墊上，并帶動(dòng)所述晶圓相對(duì)于所述拋光墊運(yùn)動(dòng)，以對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；所述供液裝置，用于在對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中向所述拋光墊供給拋光液；所述電渦流傳感器，設(shè)置在所述拋光盤(pán)上，用于對(duì)所述晶圓的厚度進(jìn)行測(cè)量；所述控制器，用于執(zhí)行以下處理：在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)；在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào)，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào)；根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào)，對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正，得到修正后晶圓信號(hào)；建立根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)確定的標(biāo)定信息與預(yù)先確定的晶圓厚度之間的映射關(guān)系，以對(duì)所述電渦流傳感器進(jìn)行標(biāo)定。

7、根據(jù)本技術(shù)的第六方面，提供了一種化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備，包括：拋光盤(pán)、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器；所述拋光盤(pán)的一側(cè)設(shè)置有拋光墊；所述承載頭，用于限位待拋光的晶圓，以使所述晶圓的一圓面上設(shè)置的金屬薄膜抵接在拋光墊上，并帶動(dòng)所述晶圓相對(duì)于所述拋光墊運(yùn)動(dòng)，以對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；所述供液裝置，用于在對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中向所述拋光墊供給拋光液；所述電渦流傳感器，設(shè)置在所述拋光盤(pán)上，用于對(duì)所述晶圓的厚度進(jìn)行測(cè)量；所述控制器，用于執(zhí)行以下處理：基于上述第一方面所述的方法，確定多個(gè)晶圓厚度與各自對(duì)應(yīng)的標(biāo)定信息之間的映射關(guān)系；在所述化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)；在所述化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào)，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào)；根據(jù)所述第一激勵(lì)信號(hào)和所述第二激勵(lì)信號(hào)，對(duì)所述晶圓信號(hào)進(jìn)行修正，得到修正后晶圓信號(hào)；根據(jù)所述修正后晶圓信號(hào)確定標(biāo)定信息；根據(jù)所述標(biāo)定信息與所述映射關(guān)系，確定晶圓厚度。

8、根據(jù)本技術(shù)的第七方面，提供了一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述第一方面所述的方法或者上述第二方面所述的方法。

9、根據(jù)本技術(shù)的第八方面，提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)指令，所述計(jì)算機(jī)指令指示計(jì)算設(shè)備執(zhí)行上述第一方面所述的方法或者上述第二方面所述的方法。

10、根據(jù)本技術(shù)提供的用于電渦流傳感器的標(biāo)定方案，在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前，獲取電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)，在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，獲取電渦流傳感器的信號(hào)源產(chǎn)生的第二激勵(lì)信號(hào)，并獲取電渦流傳感器采集到的晶圓信號(hào)，然后根據(jù)第一激勵(lì)信號(hào)和第二激勵(lì)信號(hào)，對(duì)晶圓信號(hào)進(jìn)行修正，得到修正后晶圓信號(hào)，再建立根據(jù)修正后晶圓信號(hào)確定的標(biāo)定信息與預(yù)先確定的晶圓厚度之間的映射關(guān)系，以對(duì)電渦流傳感器進(jìn)行標(biāo)定。由此，相比于直接根據(jù)晶圓信號(hào)得到標(biāo)定信息，本技術(shù)中是根據(jù)修正后晶圓信號(hào)得到標(biāo)定信息的，修正后晶圓信號(hào)是根據(jù)第一激勵(lì)信號(hào)和第二激勵(lì)信號(hào)對(duì)晶圓信號(hào)進(jìn)行修正的，第一激勵(lì)信號(hào)和第二激勵(lì)信號(hào)分別是在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光前和對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中由信號(hào)源產(chǎn)生的信號(hào)，信號(hào)源產(chǎn)生的信號(hào)是使電渦流傳感器的線(xiàn)圈產(chǎn)生交變電磁場(chǎng)的信號(hào)，基于此，修正后晶圓信號(hào)考慮到了幾乎不受化學(xué)機(jī)械拋光的溫度、拋光液、線(xiàn)圈和電渦流傳感器老化等影響的信號(hào)源產(chǎn)生的第一激勵(lì)信號(hào)和第二激勵(lì)信號(hào)，可以使電渦流傳感器自身老化、拋光環(huán)境溫度對(duì)線(xiàn)圈的影響和拋光液對(duì)線(xiàn)圈的影響等因素對(duì)修正后晶圓信號(hào)的干擾較小，進(jìn)而在化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備實(shí)際進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中，對(duì)于根據(jù)修正后晶圓信號(hào)得到的標(biāo)定信息與晶圓的厚度，二者之間的實(shí)際映射關(guān)系相對(duì)于本技術(shù)中的映射關(guān)系變化較小，因此，提高了通過(guò)電渦流傳感器測(cè)量得到的金屬薄膜厚度的準(zhǔn)確性。