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電芯及用電設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):40395073發(fā)布日期:2024-12-20 12:18閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種電芯,其特征在于,包括外殼和電極組件,所述電極組件容納于所述外殼內(nèi),所述電極組件為疊片式結(jié)構(gòu);

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第一正極極片的厚度小于所述第二正極極片的厚度,所述第一負(fù)極極片的厚度小于所述第二負(fù)極極片的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電芯,其特征在于,所述第一極片組還包括距離所述第二極片組最遠(yuǎn)的第一外側(cè)極片,所述第一外側(cè)極片包括第一外側(cè)集流體,所述第一外側(cè)集流體僅在面向所述第二極片組的一側(cè)設(shè)置有活性物質(zhì)層;

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第一正極極片的厚度大于所述第二正極極片的厚度,所述第一負(fù)極極片的厚度大于所述第二負(fù)極極片的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電芯,其特征在于,所述第一極片組還包括距離所述第二極片組最遠(yuǎn)的第一外側(cè)極片,所述第一外側(cè)極片包括第一外側(cè)集流體,所述第一外側(cè)集流體僅在面向所述第二極片組的一側(cè)設(shè)置有活性物質(zhì)層;

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第一正極極片的厚度為d1,所述第一負(fù)極極片的厚度為d2,所述第二正極極片的厚度為d3,所述第二負(fù)極極片的厚度為d4;

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第一正極極片的厚度為d1,所述第一負(fù)極極片的厚度為d2,所述第二正極極片的厚度為d3,所述第二負(fù)極極片的厚度為d4;

8.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的電芯,其特征在于,所述第一外側(cè)極片的厚度為d5,所述第二外側(cè)極片組的厚度為d6,滿足:0<|d6-d5|≤90μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第一正極集流體的厚度和所述第二正極集流體的厚度相同,所述第一負(fù)極集流體的厚度和所述第二負(fù)極集流體的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述電極組件滿足以下條件中的其中一者:

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第二極片組中距離所述第一極片組最近的一個(gè)極片為第二端部極片,所述第二端部極片包括與所述第一極片組重疊的第一區(qū)域和與所述第一極片組不重疊的第二區(qū)域;

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述外殼包括沿所述第一方向相對(duì)設(shè)置的第一壁和第二壁,所述第一壁包括第一子壁、第二子壁以及第一連接壁,沿遠(yuǎn)離所述第二壁的方向,所述第一子壁凸出于所述第二子壁,所述第一連接壁連接所述第一子壁和所述第二子壁;

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電芯,其特征在于,沿所述第一方向,所述第一子壁和第二子壁之間的距離為l,滿足:0.2mm≤l≤5mm。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電芯,其特征在于,0.2mm≤l≤1.5mm。

15.一種用電設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)所述的電芯,所述電芯用于提供電能。


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電芯及用電設(shè)備,屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。電芯包括外殼和電極組件,電極組件容納于外殼內(nèi),電極組件為疊片式結(jié)構(gòu);電極組件包括第一極片組和第二極片組,第一極片組和第二極片組沿第一方向排布,沿第二方向,第二極片組的長(zhǎng)度大于第一極片組的長(zhǎng)度,第一極片組包括沿第一方向?qū)盈B設(shè)置的第一正極極片和第一負(fù)極極片,第二極片組包括沿第一方向?qū)盈B設(shè)置的第二正極極片和第二負(fù)極極片;第一正極集流體、第一負(fù)極集流體、第二正極集流體和第二負(fù)極集流體沿第一方向的兩個(gè)表面均設(shè)置有活性物質(zhì)層;其中,第一正極極片的厚度和第二正極極片的厚度不同,第一負(fù)極極片的厚度和第二負(fù)極極片的厚度不同。上述電芯具備較高的能量密度。

技術(shù)研發(fā)人員:李斯棠,張國(guó)文,程一峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者:寧德新能源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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