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一種發(fā)光二極管的制作方法

文檔序號(hào):11762446閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種發(fā)光二極管,其特征在于:包括發(fā)光二極管主體,所述發(fā)光二極管主體包括基板、晶片和封裝殼,所述基板連接所述封裝殼,所述封裝殼上設(shè)置有凹槽,所述晶片設(shè)置在所述凹槽下方的基板上;沿所述晶片的四周設(shè)置有至少兩條絕緣的導(dǎo)熱陶瓷帶,基板內(nèi)設(shè)置有供所述導(dǎo)熱陶瓷帶底部伸入的凹坑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述晶片的底部與基板之間設(shè)置有鋁層,用于將光線反射。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述凹槽內(nèi)壁上靠近基板設(shè)置有第一反射面、第二反射面和第三反射面,所述第一反射面與基板的夾角小于所述第二反射面與基板的夾角,所述第二反射面與基板的夾角小于第三反射面與基板的夾角。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述基板為金屬基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述基板底部設(shè)置有散熱座,所述散熱座的底部設(shè)置有柵格狀散熱架。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述基板為高導(dǎo)熱陶瓷基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述封裝殼的材料為環(huán)氧樹脂。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述晶片包括紅光晶片、藍(lán)光晶片和綠光晶片,兩兩晶片之間的基板上設(shè)置有絕熱帶。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種發(fā)光二極管,其特征在于:所述第一反射面與基板的夾角為40度,所述第二反射面與基板的夾角為60度,所述第三反射面與基板的夾角為75度。

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