本實(shí)用新型涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管光源作為一種新興的第三代光源，因其具有工作壽命長、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，而普遍被市場(chǎng)看好。溫度對(duì)發(fā)光二極管的影響很大，如影響LED的使用壽命，光衰以及影響光的單色性等。所以有必要對(duì)LED進(jìn)行改進(jìn)，進(jìn)一步提高散熱效果，減少溫度對(duì)LED的影響。同時(shí)在多個(gè)晶片之間也會(huì)通過基板快速產(chǎn)生熱傳遞，互相影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管，具有散熱性能好、出光效果好、干擾性低特點(diǎn)，同時(shí)可以提高發(fā)光二極管的使用壽命。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為：

一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管主體，所述發(fā)光二極管主體包括基板、晶片和封裝殼，所述基板連接所述封裝殼，所述封裝殼上設(shè)置有凹槽，所述晶片設(shè)置在所述凹槽下方的基板上；沿所述晶片的四周設(shè)置有至少兩條絕緣的導(dǎo)熱陶瓷帶，基板內(nèi)設(shè)置有供所述導(dǎo)熱陶瓷帶底部伸入的凹坑。

進(jìn)一步地，所述晶片的底部與基板之間設(shè)置有鋁層，用于將光線反射。

更進(jìn)一步地，所述凹槽內(nèi)壁上靠近基板設(shè)置有第一反射面、第二反射面和第三反射面，所述第一反射面與基板的夾角小于所述第二反射面與基板的夾角，所述第二反射面與基板的夾角小于第三反射面與基板的夾角，可以大大的提高出光效果。

優(yōu)選地，所述基板為金屬基板。

進(jìn)一步地，所述基板底部設(shè)置有散熱座，所述散熱座的底部設(shè)置有柵格狀散熱架。當(dāng)被安裝至電路板時(shí)可以起到有效的熱傳遞，同時(shí)防止電路板的熱影響。

優(yōu)選地，所述基板為高導(dǎo)熱陶瓷基板。

優(yōu)選地，所述封裝殼的材料為環(huán)氧樹脂。

可選地，所述晶片包括紅光晶片、藍(lán)光晶片和綠光晶片，兩兩晶片之間的基板上設(shè)置有絕熱帶。可以防止由晶片之間的熱傳遞造成的晶片出光波長不穩(wěn)定情況。

優(yōu)選地，所述第一反射面與基板的夾角為40度，所述第二反射面與基板的夾角為60度，所述第三反射面與基板的夾角為75度。

本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管主體，所述發(fā)光二極管主體包括基板、晶片和封裝殼，所述基板連接所述封裝殼，所述封裝殼上設(shè)置有凹槽，所述晶片設(shè)置在所述凹槽下方的基板上；沿所述晶片的四周設(shè)置有至少兩條絕緣的導(dǎo)熱陶瓷帶，基板內(nèi)設(shè)置有供所述導(dǎo)熱陶瓷帶底部伸入的凹坑。所述晶片的底部與基板之間設(shè)置有鋁層，用于將光線反射；所述凹槽內(nèi)壁上靠近基板設(shè)置有第一反射面、第二反射面和第三反射面，所述第一反射面與基板的夾角小于所述第二反射面與基板的夾角，所述第二反射面與基板的夾角小于第三反射面與基板的夾角。該發(fā)光二極管具有良好的散熱性能和結(jié)構(gòu)，且可以大大的提高出光效果。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一種發(fā)光二極管的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，具體闡明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，附圖僅供參考和說明使用，不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型專利保護(hù)范圍的限制。

如圖1和2所示，一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管主體，所述發(fā)光二極管主體包括基板2、晶片3和封裝殼1，所述基板2連接所述封裝殼1，所述封裝殼1上設(shè)置有凹槽4，所述晶片3設(shè)置在所述凹槽4下方的基板2上；沿所述晶片2的四周設(shè)置有至少兩條絕緣的導(dǎo)熱陶瓷帶6，基板2內(nèi)設(shè)置有供所述導(dǎo)熱陶瓷帶6底部伸入的凹坑。

所述晶片3的底部與基板2之間設(shè)置有鋁層5，用于將光線反射。

所述凹槽4內(nèi)壁上靠近基板2設(shè)置有第一反射面41、第二反射面42和第三反射面43，所述第一反射面41與基板2的夾角小于所述第二反射面42與基板2的夾角，所述第二反射面42與基板2的夾角小于第三反射面43與基板2的夾角。具體地，所述第一反射面41與基板2的夾角為40度，所述第二反射面42與基板2的夾角為60度，所述第三反射面43與基板2的夾角為75度

所述基板2為金屬基板。

所述基板2底部設(shè)置有散熱座7，所述散熱座7的底部設(shè)置有柵格狀散熱架71，起到很好的防止所要安裝的電路板的熱干擾和自身的散熱效果，同時(shí)可以節(jié)約材料。

所述基板2為高導(dǎo)熱陶瓷基板。

所述封裝殼1的材料為環(huán)氧樹脂。

所述晶片3包括紅光晶片、藍(lán)光晶片和綠光晶片，兩兩晶片之間的基板2上設(shè)置有絕熱帶21。

以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，不能以此來限定本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍，因此依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。