本實(shí)用新型涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED倒裝工藝支架。

背景技術(shù)：

LED倒裝封裝工藝是在傳統(tǒng)封裝工藝的基礎(chǔ)上，將芯片的發(fā)光區(qū)與電極區(qū)不設(shè)計(jì)在同一個(gè)平面這時(shí)則由電極區(qū)面朝向倒裝支架杯底部進(jìn)行貼裝，現(xiàn)有的倒裝支架，其金屬基板通常設(shè)計(jì)為正、負(fù)極性基板，正、負(fù)極性基板左右對(duì)稱 且間隔布置，正、負(fù)極性基板之間成型絕緣間隙，此種倒裝支架在進(jìn)行封裝時(shí)，若要實(shí)現(xiàn)高功率，則只能使用多顆芯片并聯(lián)或選擇高壓芯片，而目前倒裝芯片單顆電壓一般為3V左右，且基本都為恒流驅(qū)動(dòng)，故多顆芯片并聯(lián)實(shí)現(xiàn)高功率時(shí)，由于分配到每顆芯片兩端的電壓相同，當(dāng)芯片一致性差別較大時(shí)，則通過每顆芯片兩端電流就會(huì)不一致，從而導(dǎo)致芯片所發(fā)出的亮度也不一致，繼而影響封裝后LED燈珠亮度的一致性；而目前高壓倒裝芯片技術(shù)并不成熟，成本也相對(duì)較高，亟待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理、使用方便的LED倒裝工藝支架，通過支架的特殊結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行倒裝封裝過程，使用穩(wěn)流驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)倒裝芯片貼裝串聯(lián)來構(gòu)成高壓芯片，從而控制封裝LED燈珠亮度的一致性，并且在同等大功率要求條件下，使用低電壓倒裝芯片串聯(lián)得到高壓芯片，在成本上明顯優(yōu)勢(shì)于市面上尚未成熟的高壓芯片，實(shí)用性更強(qiáng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：它包含樹脂基座和LED引線框架；所述的LED引線框架的下表面上側(cè)設(shè)置有一對(duì)對(duì)稱的正、負(fù)極焊盤引線框架；所述的正、負(fù)極焊盤引線框架間設(shè)置有一號(hào)間隔，正、負(fù)極焊盤引線框架豎直下方設(shè)置有電極導(dǎo)通焊盤引線框架，所述的電極導(dǎo)通焊盤引線框架與正、負(fù)極焊盤引線框架間設(shè)置有二號(hào)間隔，所述的LED引線框架的底側(cè)和外側(cè)面上均設(shè)置有凹陷狀溝槽；所述的樹脂基座包括樹脂基座上半部和樹脂基座下半部；所述的樹脂基座上半部蓋設(shè)在LED引線框架的上表面，且和LED引線框架構(gòu)成一個(gè)反射碗杯；所述的樹脂基座下半部填設(shè)在一號(hào)間隔、二號(hào)間隔和凹陷狀溝槽內(nèi)，樹脂基座下半部的外側(cè)面與LED引線框架的外側(cè)面齊平；所述的LED引線框架的底側(cè)和外側(cè)面均局部露設(shè)于樹脂基座外部；所述的LED引線框架的上表面露設(shè)與反射碗杯內(nèi)底，除樹脂填充以外的部分設(shè)置有鍍銀層，所述鍍銀層分正、負(fù)極鍍銀層及電極導(dǎo)通鍍銀層，其分別垂直對(duì)應(yīng)于LED引線框架下表面的正、負(fù)極焊盤引線框架及電極導(dǎo)通焊盤引線框架。

進(jìn)一步地，所述的一號(hào)間隔距離0.15-0.20mm。

進(jìn)一步地，所述的二號(hào)間隔距離為0.05-0.20mm。

進(jìn)一步地，所述的反射碗杯深度設(shè)置為0.35-0.40mm。

進(jìn)一步地，所述的樹脂基座為耐熱型不飽和環(huán)氧樹脂基座或硅樹脂基座。

進(jìn)一步地，所述LED引線框架為有銅或者銅合金且表面全鍍銀制成的引線框架。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型有益效果為：本實(shí)用新型所述的一種LED倒裝工藝支架，通過支架的特殊結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行倒裝封裝過程，使用穩(wěn)流驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)倒裝芯片貼裝串聯(lián)來構(gòu)成高壓芯片，從而控制封裝LED燈珠亮度的一致性，并且在同等大功率要求條件下，使用低電壓倒裝芯片串聯(lián)得到高壓芯片，在成本上明顯優(yōu)勢(shì)于市面上尚未成熟的高壓芯片，實(shí)用性更強(qiáng)，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型的俯視圖。

圖3是本實(shí)用新型的側(cè)視圖。

圖4是本實(shí)用新型的背面圖。

圖5是本實(shí)用新型中LED引線框架上表面立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本實(shí)用新型中LED引線框架底面立體結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

樹脂基座1、樹脂基座上半部1-1、樹脂基座下半部1-2、LED引線框架2、正、負(fù)極焊盤引線框架2-1、電極導(dǎo)通焊盤引線框架2-2、外側(cè)面2-3、一號(hào)間隔2-4、二號(hào)間隔2-5、凹陷狀溝槽3、反射碗杯4、鍍銀層5、正、負(fù)極鍍銀層5-1、電極導(dǎo)通鍍銀層5-2。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。

參看如圖1-圖6所示，本具體實(shí)施方式采用的技術(shù)方案是：它包含樹脂基座1和LED引線框架2；所述的LED引線框架2的下表面上側(cè)設(shè)置有一對(duì)對(duì)稱的正、負(fù)極焊盤引線框架2-1；所述的正、負(fù)極焊盤引線框架2-1間設(shè)置有一號(hào)間隔2-4，正、負(fù)極焊盤引線框架2-1豎直下方設(shè)置有電極導(dǎo)通焊盤引線框架2-2，所述的電極導(dǎo)通焊盤引線框架2-2與正、負(fù)極焊盤引線框架2-1間設(shè)置有二號(hào)間隔2-5，所述的LED引線框架2的底側(cè)和外側(cè)面2-3上均設(shè)置有凹陷狀溝槽3；所述的樹脂基座1包括樹脂基座上半部1-1和樹脂基座下半部1-2；所述的樹脂基座上半部1-1蓋設(shè)在LED引線框架2的上表面，且和LED引線框架2構(gòu)成一個(gè)反射碗杯4；所述的樹脂基座下半部1-2填設(shè)在一號(hào)間隔2-4、二號(hào)間隔2-5和凹陷狀溝槽3內(nèi)，并從LED引線框架2的外側(cè)面2-3將LED引線框架2包裹??；所述的LED引線框架2的底側(cè)和外側(cè)面2-3均有部分露設(shè)于樹脂基座1外部；所述的LED引線框架2的上表面露設(shè)與反射碗杯4內(nèi)底，除樹脂填充以外的部分設(shè)置有鍍銀層5，所述鍍銀層5分正、負(fù)極鍍銀層5-1及電極導(dǎo)通鍍銀層5-2，其分別垂直對(duì)應(yīng)于引線框架2下表面的正、負(fù)極焊盤引線框架2-1及電極導(dǎo)通焊盤引線框架2-2。

進(jìn)一步地，所述的一號(hào)間隔2-4距離0.15-0.20mm。

進(jìn)一步地，所述的二號(hào)間隔2-5距離為0.05-0.20mm。

進(jìn)一步地，所述的反射碗杯4深度設(shè)置為0.35-0.40mm。

進(jìn)一步地，所述的樹脂基座1為耐熱型不飽和環(huán)氧樹脂基座或硅樹脂基座。

進(jìn)一步地，所述LED引線框架2為有銅或者銅合金且表面全鍍銀制成的引線框架。

本具體實(shí)施方式的工作原理：在進(jìn)行封裝時(shí)，可選擇低電壓倒裝芯片6，將其與LED引線框架2上的鍍銀層5利用共晶焊技術(shù)焊接起來，實(shí)現(xiàn)電極串聯(lián)，從而構(gòu)成高壓芯片，在總電壓保持不變的情況下，通過每個(gè)芯片兩端的電流一致，繼而控制封裝LED燈珠亮度的一致性，并且在同等大功率要求條件下，使用低電壓倒裝芯片串聯(lián)得到高壓芯片在成本上明顯優(yōu)勢(shì)于市面上尚未成熟的高壓芯片。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本具體實(shí)施方式有益效果為：本具體實(shí)施方式所述的一種LED倒裝工藝支架，通過支架的特殊結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行倒裝封裝過程，使用穩(wěn)流驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)倒裝芯片貼裝串聯(lián)來構(gòu)成高壓芯片，從而控制封裝LED燈珠亮度的一致性，并且在同等大功率要求條件下，使用低電壓倒裝芯片串聯(lián)得到高壓芯片，在成本上明顯優(yōu)勢(shì)于市面上尚未成熟的高壓芯片，實(shí)用性更強(qiáng)，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。

以上所述，僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案所做的其它修改或者等同替換，只要不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。