技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開一種低溫多晶硅TFT陣列基板制備方法及陣列基板。制備方法包括在襯底基板上依次形成非晶硅膜層和多晶硅膜層；通過一次構(gòu)圖工藝對所述非晶硅膜層和所述多晶硅膜層進(jìn)行圖案化處理，使所述非晶硅膜層形成遮光層圖形，并使所述多晶硅層形成有源層圖形。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法省去了一次構(gòu)圖工藝，簡化了低溫多晶硅TFT陣列基板的制備工藝，提高了低溫多晶硅TFT陣列基板的生產(chǎn)效率并降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：班圣光;曹占鋒;姚琪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.08.31
技術(shù)公布日：2017.11.10