本文所述實施方式一般涉及一種用于將具有不同厚度的無切縫式基板傳送通過CVD腔室的設(shè)備。更確切地，本文所述實施方式涉及厚度控制變化。

背景技術(shù)：

在半導體處理中，基板經(jīng)受各種工藝(諸如化學氣相沉積(CVD)工藝)以便在基板上制造各種裝置。一般來說，基板僅僅使用一次，并且最終分成多個裝置。在太陽能產(chǎn)業(yè)中，與單個基板相關(guān)聯(lián)的硅的成本占到最終太陽能電池模塊成本的約40％。硅的高成本會對太陽能技術(shù)的可行性和成本效益造成嚴重限制。

無切縫硅是這樣的技術(shù)：提供了單個硅模板，并且所述硅模板可作為基板來多次重復用于半導體處理中。單個無切縫式基板可用作用于形成許多單獨基板的模板，這可減少與從硅制造基板相關(guān)聯(lián)的成本。無切縫式基板模板(諸如單晶硅基板)一般經(jīng)受劈裂工藝(cleaving process)，其中模板的一部分除去，隨后用作用于制造各種半導體裝置的基板。一般來說，可在劈裂基板以形成高質(zhì)量硅基板之前執(zhí)行外延沉積工藝。隨后，模板可被重復使用多次，但是在重復使用模板時，模板厚度將隨時間減少。

當工藝結(jié)果對氣體流場敏感時，許多半導體工藝會受到精細控制，以考慮到諸如沉積均勻性的各種處理參數(shù)。氣流可尤其對其內(nèi)保持模板的設(shè)備的幾何形狀敏感。此外，基板搬運可取決于基板厚度。在無切縫硅工藝中，模板厚度在每次重復使用模板時都會減少。如果工藝不考慮到模板厚度的變化，模板的厚度的變化會不利地影響其上所執(zhí)行的工藝。

因此，本領(lǐng)域所需要的是考慮到無切縫硅基板厚度變化的設(shè)備。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本文所述實施方式一般涉及一種用于厚度控制變化的設(shè)備。

在一個實施方式中，提供一種用于處理基板的設(shè)備。所述設(shè)備可以包括：第一載體，所述第一載體具有形成在其中的第一多個凹槽；第二載體，所述第二載體具有形成在其中的第二多個凹槽；和一或多個側(cè)壁，所述一或多個側(cè)壁將所述第一載體與所述第二載體耦接起來。所述設(shè)備還可具有V形處理空間，所述V形處理空間包括開口和頂(vertex)。所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽可彼此相對地定位。

所述第一載體和所述第二載體可通過基部構(gòu)件來在所述V形處理空間的出口處耦接。

所述第一載體與所述第二載體之間的角度可在3°與6°之間。

所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽中的每個凹槽的深度可被選擇為與設(shè)置在其中的基板的厚度相適。

所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽的所述深度可在每行凹槽中從所述開口至所述頂而增加。

所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽的所述深度可在每行凹槽中從所述開口至所述頂而減少。

深度選擇構(gòu)件可被設(shè)置在所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽中，所述深度選擇構(gòu)件可具有以下厚度，所述厚度是針對設(shè)置在所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽中的基板的厚度所選擇的。

所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽中的每個凹槽的側(cè)壁可以是漸縮的。

在另一實施方式中，提供一種用于處理基板的設(shè)備。所述設(shè)備可以包括具有多個凹槽的第一載體和第二載體，所述多個凹槽具有形成在其中的第一深度。一或多個側(cè)壁可以將所述第一載體與所述第二載體耦接，并且V形處理空間可以包括開口和頂。所述第一載體和所述第二載體的所述多個凹槽可彼此相對地定位。

所述第一深度可在800μm與1100μm之間。

所述設(shè)備可進一步包括具有第二多個凹槽的第三載體和第四載體，所述第二多個凹槽的深度在500μm與800μm之間。

所述設(shè)備可進一步包括具有第三多個凹槽的第五載體和第六載體，所述第三多個凹槽的深度在300μm與500μm之間。

在又一實施方式中，提供一種用于處理基板的設(shè)備。所述設(shè)備可以包括：第一載體，所述第一載體具有形成在其中的第一多個凹槽；和第二載體，所述第二載體設(shè)置成平行于所述第一載體。所述第二載體可以具有形成在其中的第二多個凹槽，所述第二多個凹槽可與所述第一多個凹槽相對定位。一或多個側(cè)壁可以將所述第一載體與所述第二載體耦接起來，并且大體上空間恒定的處理空腔可形成在所述第一載體、所述第二載體以及所述一或多個側(cè)壁之間。

所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽的深度可被選擇為與設(shè)置在其中的基板的厚度相適。

深度選擇構(gòu)件可被設(shè)置在所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽中，所述深度選擇構(gòu)件可具有以下厚度，所述厚度與設(shè)置在所述第一多個凹槽和所述第二多個凹槽中的基板的厚度相關(guān)。

附圖說明

因此，為了詳細理解本公開內(nèi)容的上述特征結(jié)構(gòu)的方式，上文簡要概述的本公開內(nèi)容的更具體的描述可以參照實施方式進行，一些實施方式在附圖中示出。然而，應(yīng)當注意，附圖僅示出本公開內(nèi)容的典型實施方式，且因此附圖不應(yīng)被視為本公開內(nèi)容的范圍的限制，因為本公開內(nèi)容可以允許其他等效實施方式。

圖1A至圖1E描繪在各個處理階段的無切縫式基板。

圖2是載體設(shè)備的橫截面透視圖。

圖3是載體設(shè)備的透視圖。

圖4A是工藝模塊的透視圖。

圖4B是具有設(shè)置在其中的圖3的載體設(shè)備的圖4A的工藝模塊的透視圖。

圖5是線性處理設(shè)備的示意圖。

圖6是基板載體的平面圖。

圖7A至圖7D是載體設(shè)備的橫截面圖。

圖8是載體設(shè)備的橫截面圖。

圖9是載體設(shè)備的橫截面圖。

圖10是載體設(shè)備的橫截面圖。

圖11是載體設(shè)備的橫截面圖。

為了促進理解，已盡可能使用相同元件符號指定各圖所共有的相同元件?？闪私獾?，一個實施方式中公開的元件可有利地用于其他實施方式，而無需具體地詳述。

具體實施方式

本文所述實施方式一般涉及一種用于處理具有不同厚度的基板的設(shè)備。在無切縫式基板處理中，模板可被重復使用多次以形成基板。在每個重復使用時，模板厚度都會變化。受工藝氣體的流動動態(tài)性影響的沉積工藝一般會對許多變量敏感，諸如要處理的基板與其內(nèi)可設(shè)置基板的基座表面有關(guān)的厚度。對于所重復使用的模板，當模板厚度變化時，反應(yīng)空間以及邊界層動態(tài)性變化，并且給定工藝的結(jié)果也變化，從而導致工藝間的不均勻性。為了抵消這種不均勻性，將模板設(shè)置在具有與模板厚度相適的深度的凹槽中。凹槽深度可選擇為使得基板的頂表面和基座表面是大體上共平面的。

一般來說，硅CVD沉積工藝可以在質(zhì)量傳輸模式內(nèi)進行。提供給基板的工藝氣體一般將在邊界層上擴散，吸收到基板表面上，在基板表面上遷移并且分離，從基板表面處成核并且生長，通過解吸離開基板表面，并且擴散回到邊界層上。沉積工藝執(zhí)行的時間量影響基板上沉積的材料量?；迳铣练e均勻性可以通過邊界層的厚度、在邊界層上的工藝氣體質(zhì)量傳輸，和基板表面上的反應(yīng)物種反應(yīng)速率來控制。

工藝氣體的流動動態(tài)性會對邊界層的厚度造成強烈影響。將處理的基板可保持在基座或載體的凹槽或凹坑內(nèi)。邊界層的厚度會受設(shè)置在基座表面下方的凹槽中的基板的深度的影響。例如，與250μm厚的基板在相同基座中處理的1000μm厚的基板將相對于基座表面經(jīng)歷750μm偏移。如先前所提及，厚度變化以及與基座表面的關(guān)系對邊界層造成巨大影響，這最終影響沉積均勻性。

圖1A至圖1E描繪在各個處理階段的無切縫式基板的實例。圖1A描繪模板102，諸如可用作為用于硅基板的模板的單晶硅基板。模板102可以具有在約700μm與約1300μm之間、諸如約1000μm的厚度。模板102可以具有表面104，所述表面可經(jīng)受各種工藝以形成無切縫式基板。

圖1B描繪具有雙多孔層110形成在其上的模板102。本文所用術(shù)語“雙多孔的”可定義為具有不同的孔隙度的一或多個層。雙多孔層110可以包括高多孔層106和低多孔層108。高多孔層106可具有比低多孔層108更大的孔密度。濕法陽極氧化工藝可使用濕化學品執(zhí)行以形成雙多孔層110。例如，包括氟化氫、異丙醇和去離子水的溶液的濕化學品可提供給模板102，并且可施加電流來形成雙多孔層110以將濕化學品溶液的離子驅(qū)使至模板102。雙多孔層110可以具有在約1μm與約10μm之間、諸如約5μm的厚度。高多孔層106可以具有在約0.01μm與約0.50μm之間、諸如約0.25μm的厚度。在雙多孔層110已形成在模板102上之后，低多孔層108可退火以形成平滑的硅表面。退火工藝可以在氫氣環(huán)境下進行，并且可以通過各種加熱方法(諸如激光退火或加熱燈)執(zhí)行。

圖1C描繪低多孔層108上形成的裝置基板層112。裝置基板層112可以通過諸如硅外延沉積工藝的CVD工藝沉積。預見的是，除了硅以外的材料(諸如III-V族材料以及其他IV族材料)也可通過CVD工藝沉積。圖1D描繪具有形成在其上的裝置114且與模板102分離的裝置基板層112。裝置114可以是適于執(zhí)行所需功能的任何裝置，諸如太陽能電池、邏輯裝置、存儲裝置或類似裝置。裝置基板層112可以通過劈裂高多孔層106(未示出)，諸如通過機械分離工藝或通過退火工藝(諸如激光退火)與模板102分開。在已將具有裝置114形成在其上的裝置基板層112從模板102上劈出后，模板102的表面104可退火以使得模板表面104變得平滑。

圖1E描繪在劈裂和平滑后的模板102。模板102的厚度已經(jīng)過將材料從模板102表面除去而減少。模板102厚度可減少約雙多孔層110的厚度。隨后，模板可被重復使用多次，但是對于每個后續(xù)工藝周期而言，模板102厚度都將減少。因此，適配成考慮到模板102厚度的變化的用于傳送和處理模板102的設(shè)備是有用的。

圖2是載體設(shè)備200的橫截面透視圖。載體設(shè)備200可以具有第一載體202，所述第一載體可以具有形成在其中的第一多個凹槽208。第二載體204可以具有形成在其中的第二多個凹槽(未示出)。第一載體202和第二載體204可彼此相對地定位。一或多個側(cè)壁206可將第一載體202和第二載體204 耦接。第一載體202、第二載體204以及一或多個側(cè)壁206可以包含石墨材料。石墨材料可涂布有諸如碳化硅的陶瓷材料。涂層可以通過CVD工藝形成在石墨材料上，并且涂層可以具有在約60μm與約120μm之間的厚度。

第一載體202和第二載體204可以彼此相對，使得第一多個凹槽208面向第二多個凹槽。載體設(shè)備200可以具有其中工藝氣體可進入工藝空間205的開口201，以及其中工藝氣體可從工藝空間205排放出的出口區(qū)域203。工藝空間205可以包括V形形狀，使得第一載體202和第二載體204形成從約3°至約6°的角度。所述角度可從假想頂點測量，所述假想頂點可為在第一載體202和第二載體204延伸以彼此相接觸的情況下，第一載體202和第二載體204將會相交的點。工藝空間205可以從開口201向出口區(qū)域203逐漸減少。空間減少可為從開口201向出口區(qū)域203大體上線性的。

在質(zhì)量傳輸模式操作下，工藝氣體內(nèi)的反應(yīng)物種的量通常隨著沉積的繼續(xù)而減少。工藝空間205的幾何形狀會影響膜沉積。在前驅(qū)物流入開口201、穿過處理空間205、并且穿過開口區(qū)域203離開的反應(yīng)模式下，反應(yīng)物種可以初始濃度在開口201附近提供。隨著沉積進行，反應(yīng)物種從流過處理空間205的前驅(qū)氣體去除，并且可用于沉積在基板上的反應(yīng)物種的量隨著工藝氣體朝出口區(qū)域203移動而減少。為了防止反應(yīng)物種繼續(xù)減少，工藝空間205可漸縮以使得工藝空間205從開口201至出口區(qū)域203在空間上減少。漸減少的工藝空間205提供工藝氣體的流體動態(tài)性(諸如基板沉積表面和載體表面是共平面的)，使得基板上的沉積對于載體設(shè)備200內(nèi)設(shè)置的基板而言從開口201至出口區(qū)域203可以是均勻的。

第一載體202和第二載體204可以由基部構(gòu)件218在出口區(qū)域203處耦接。基部構(gòu)件218可以包含碳化硅涂布的石墨材料或是石英材料，并且可以適配成與用于傳送載體設(shè)備200通過在線處理設(shè)備中各種處理模塊的軌道配合?；繕?gòu)件218可以具有穿過其中而設(shè)置的一或多個出口端口，以便允許工藝氣體在出口區(qū)域203處從處理空間205中排放出去。由此，當載體設(shè)備200在處理模塊中進行處理時，處理空間205可耦接至排放系統(tǒng)。

在操作中，載體設(shè)備200可設(shè)置在框架設(shè)備212中，框架設(shè)備212可在傳輸和處理期間為載體設(shè)備200提供定位支撐?？蚣茉O(shè)備212可以具有頂部部分214，所述頂部部分可以在開口附近支撐載體設(shè)備200；和底部部分210，所述底部部分能夠耦接至基部構(gòu)件218?；繕?gòu)件218可整體地設(shè)置在底部部分210內(nèi)。基部構(gòu)件218背對處理空間250的表面可以連同可適配成與軌道配合的底部部分210形成具有延伸部的軌道?；繕?gòu)件218可耦接至軌道，或可沿著軌道滑動。軌道可以突出穿過工藝模塊?？蚣茉O(shè)備212可包含碳化硅、碳化硅涂布的石墨、或石英材料。熱反射器220可鄰近于一或多個側(cè)壁206設(shè)置，并且可以設(shè)置在一或多個側(cè)壁206與框架設(shè)備212之間。將在下文參考圖3更詳細地論述熱反射器。

圖3是載體設(shè)備300的透視圖。所述載體設(shè)備可類似于關(guān)于圖2所述載體設(shè)備200。第一載體202和第二載體204可由一或多個側(cè)壁(諸如第一側(cè)壁206和第二側(cè)壁207)耦接。第一載體202可以具有形成在其中的第一多個凹槽(未示出)，并且第二載體204可以具有形成在其中的第二多個凹槽(未示出)。第一載體202和第二載體204可以彼此相對，使得第一多個凹槽和第二多個凹槽面向彼此。

類似圖2，基部構(gòu)件218可適配成沿著軌道302行進?；繕?gòu)件218可直接與軌道302配合，或者底部部分210(參見圖2)可與軌道302配合。如果大小適當，底部部分210還可消除從耐熱材料制造軌道302的需要。軌道302可以包含熱穩(wěn)定的材料，諸如不透明的石英或碳化硅涂布的石墨，并且軌道302可適配成沿著線性路徑移動載體設(shè)備300。一或多個熱反射器220、222耦接至軌道302。第一熱反射器222可鄰近于第一側(cè)壁206來耦接至軌道302。第一熱反射器222可與第一側(cè)壁206隔開一定距離。第一熱反射器222可適配成沿著軌道302行進，使得第一熱反射器222在載體設(shè)備300沿著軌道302行進時維持與第一側(cè)壁206的固定距離。第二熱反射器220可鄰近于第二側(cè)壁207來耦接至軌道302。第二熱反射器222可與第二側(cè)壁207隔開一定距離。第二熱反射器220可適配成沿著軌道302行進，使得第二熱反射器220在載體設(shè)備300沿著軌道302行進時維持與第二側(cè)壁207的固定距離。底部部分210(參見圖2)也可以是熱反射器。

熱反射器220、222可以包含可在大于約1000℃的溫度下熱穩(wěn)定的材料，諸如石英材料。石英材料還可為反射的，這會致使電磁輻射遠離石英材料指向?？煞瓷涞氖⒉牧峡稍谔幚砥陂g將提供給載體設(shè)備300的雜散輻射遠離載體設(shè)備300指向。由此，熱反射器220、222可以形成熱屏蔽件，以有助于控制載體設(shè)備300溫度。熱反射器220、222還可以適配成在處理過程中維持載體設(shè)備300附近的熱量并且控制載體設(shè)備300的溫度。

圖4A是工藝模塊400的透視圖。工藝模塊400可以包括處理腔室，或者可以設(shè)置在處理腔室內(nèi)。工藝模塊400可以具有框架402，所述框架大小適于允許載體設(shè)備(諸如載體設(shè)備200或載體設(shè)備300)在處理期間容納在其中?？蚣?02可由諸如不銹鋼的材料形成。框架402可在處理期間經(jīng)受高溫，諸如約1000℃以上，并且框架402的內(nèi)部部分可以襯有包含熱穩(wěn)定材料(諸如不透明的石英)的襯層404。襯層404可耦接至框架402，并且可以充當熱屏蔽件以防止框架402的過熱。雖然示為被耦接至框架402的底部部分，但是襯層404也可以耦接至可經(jīng)受高溫的框架的任何部分。

軌道接收構(gòu)件406可耦接至框架402，并且可適配來接收平移構(gòu)件，諸如載體設(shè)備300的軌道302(參見圖3)。類似襯層404，軌道接收構(gòu)件406可以包含諸如不透明的石英的熱穩(wěn)定材料。一或多個排放端口408可設(shè)置成穿過軌道接收構(gòu)件406，并且可適配成將工藝氣體從工藝模塊400排放出來。另外，可將排放端口408耦接至泵。排放端口408可以可操作的方式來耦接至穿過基部構(gòu)件218(參見圖2相關(guān)描述)設(shè)置的孔并且可以排放載體設(shè)備200(參見圖2)的工藝空間中存在的工藝氣體。

工藝模塊400可進一步包括諸如氣體注入板的氣體歧管410，以向工藝模塊400提供工藝氣體。氣體歧管410可耦接至氣源(未示出)，所述氣源可向工藝模塊400提供工藝氣體，諸如三氯硅烷等等。氣體歧管410可以包含諸如不銹鋼的惰性材料，這種材料耐受處理氣體。

圖4B是具有圖3的載體設(shè)備設(shè)置在其中的圖4A的工藝模塊的透視圖。在操作中，載體設(shè)備300可以沿著軌道302線性移動，使得載體設(shè)備300可以設(shè)置在工藝模塊400內(nèi)。軌道302可以隨著載體設(shè)備300移動，或者載體設(shè)備300可相對于可以是固定的軌道302移動。雖然并未描繪，但是工藝模塊400或者說是其內(nèi)可設(shè)置工藝模塊400的腔室另外還可包括電磁輻射源，諸如一或多個加熱燈。在操作中，所述電磁輻射源可將載體設(shè)備300加熱至所需溫度以處理載體設(shè)備300內(nèi)設(shè)置的基板。處理溫度(諸如約600℃至約1200℃)會影響材料在基板上的沉積，使得硅在基板上的沉積會如先前所述那樣在質(zhì)量傳輸模式下進行。

圖5是線性處理設(shè)備500的示意圖。設(shè)備500可適配成用于線性處理無切縫式基板。雖然示為具有十個模塊，但是所述設(shè)備也可具有適配成執(zhí)行各種工藝以實現(xiàn)所需處理結(jié)果的不同數(shù)量的模塊。設(shè)備500可利用來處理無切縫硅基板。設(shè)備500可以包括一或多個工藝模塊，諸如工藝模塊400(參見圖4)或以線性方式來對齊的可供基板載體(諸如載體設(shè)備200或載體設(shè)備300(分別參見圖2和圖3))所行進穿過的腔室。

設(shè)備500可以包括適配成執(zhí)行各種工藝的各種類型工藝模塊。第一模塊502可以包括入口負載鎖定腔室，所述入口負載鎖定腔室可以接收具有未處理的基板設(shè)置在其中的載體設(shè)備。第一模塊502可耦接至第二模塊504，在所述第二模塊內(nèi)，可以執(zhí)行凈化工藝。氮氣凈化可以在第二模塊504中執(zhí)行，以便制備基板以供處理。

第三模塊506可耦接至第二模塊504，并且第三模塊506可適配成執(zhí)行凈化和預加熱工藝。可以執(zhí)行氫氣凈化，并且可預加熱第三模塊506達到在約650℃與約1050℃之間的溫度，諸如約850℃。第四模塊508可耦接至第三模塊506，并且可適配成執(zhí)行后續(xù)的凈化和加熱工藝?？梢詧?zhí)行氫氣凈化，并且第四模塊508的溫度可升高至在約1000℃與約1400℃之間的溫度，諸如在約1150℃與約1200℃之間的溫度。

第五模塊510可耦接至第四模塊508，第六模塊512可耦接至第五模塊510，第七模塊514可耦接至第六模塊512，并且第八模塊516可耦接至第七模塊514。模塊510、512、514和516可以包括CVD腔室。雖然示為具有四個CVD腔室，但是也可提供適配用于CVD處理的更多或更少的模塊。模塊510、512、514和516可以執(zhí)行CVD工藝，并且可以沉積各種材料，諸如含硅材料和各種摻雜物材料。在一個實例中，可以外延方式來沉積硅，并且可以沉積各種n或p型摻雜物。

第九模塊518可耦接至第八模塊516，并且可適配成執(zhí)行凈化工藝以及冷卻工藝。例如，第九模塊518可以執(zhí)行氫氣凈化工藝以及冷卻工藝，以將具有先前已在CVD模塊510、512、514和516中處理的基板的溫度降低至在約650℃與約1050℃之間的溫度，諸如約850℃的溫度。第十模塊520可耦接至第九模塊518，并且可適配成執(zhí)行凈化工藝以及冷卻工藝。凈化工藝可以提供氮氣凈化，并且冷卻工藝可使載體設(shè)備以及設(shè)置在其中的基板返回它們可搬運時所處溫度。負載鎖定腔室(未示出)可耦接至第十模塊520，并且額外的載體設(shè)備制備模塊(未示出)可適配成從第十模塊520向第一模塊502傳送載體設(shè)備。

圖6是基板載體600的平面圖?；遢d體600可以包括主體602，并且可以具有形成在其中的多個凹槽601。主體602可以包含諸如石墨材料的熱穩(wěn)定材料，所述熱穩(wěn)定材料可涂布碳化硅。所述碳化硅涂層可以在約60μm與約120μm之間，并且可以通過CVD或類似工藝沉積在主體602上?；遢d體600可適配成通過處理設(shè)備傳送一批基板或模板，所述處理設(shè)備諸如處理設(shè)備500(參見圖5)。

多個凹槽601可布置成各種形態(tài)。例如，第一行的凹槽604、第二行的凹槽606、第三行的凹槽608以及第四行的凹槽610可布置成網(wǎng)格圖案。每行604、606、608、610可以包括四個凹槽，使得多個凹槽601可成行和成列地對齊。雖然示為是大體方形形狀的，但是多個凹槽中的每個凹槽可適配成承載具有各種形狀的基板，諸如圓形基板。如果凹槽是圓形的，它們可交錯以增加載體600上的凹槽密度。預見的是，多個凹槽601的不同配置(諸如2×2網(wǎng)格、3×3網(wǎng)絡(luò)、4×4網(wǎng)格、5×5網(wǎng)格等等)可以形成在主體602中。在所示實例中，基板載體600可為載體設(shè)備200(參見圖2)的第一載體202和/或第二載體204。

多個凹槽601中的每個凹槽具有選擇來承載具有特定厚度或厚度范圍的基板的深度。例如，第一行的凹槽604中的每個凹槽可以具有在約900μm與約1100μm之間，諸如約1000μm的第一深度。第二行的凹槽606中的每個凹槽可以具有在約650μm與約900μm之間，諸如約750μm的第二深度。第三行的凹槽608中的每個凹槽可以具有在約400μm與約650μm之間，諸如約500μm的第三深度。第四行的凹槽610中的每個凹槽可以具有在約200μm與約400μm之間，諸如約300μm的第二深度。

基板載體600所承載的基板可承載在多個凹槽601中的可容納具有一定厚度的基板的一個凹槽中。例如，1000μm基板可由第一行的凹槽604中的凹槽承載，750μm基板可由第二行的凹槽606中的凹槽承載，500μm基板可由第三行的凹槽608中的凹槽承載，并且300μm基板可由第四行的凹槽610中的凹槽承載。如上所述，多個凹槽601的其他配置可以形成在主體602中，并且多個凹槽601的深度可相應(yīng)地調(diào)節(jié)以容納具有各種厚度的基板。處理的基板的表面可以是大體上共平面的。

預見的是，圖7至圖11所示載體設(shè)備可為圖2和圖3的載體設(shè)備，并且可相應(yīng)地適配用于制造載體設(shè)備。

圖7A至圖7D是載體設(shè)備的橫截面圖。圖7A描繪可包括第一載體702和第二載體704的第一載體設(shè)備700。第一載體702和第二載體704可以在約3°與約6°之間的角度彼此相對地定位。第一載體702和第二載體704可由適于承受處理溫度的熱穩(wěn)定材料(諸如碳化硅涂布的石墨)形成。第一載體702和第二載體704可以限定具有開口701和出口區(qū)域703的處理空間750。在操作中，工藝氣體可以通過開口701進入處理空間750并且通過出口區(qū)域703離開。在質(zhì)量流動模式下，材料可以沉積在由第一載體702和第二載體704承載的基板上。處理空間750可以從開口701至出口區(qū)域703在空間上逐漸減小，以考慮到在氣體從開口701向出口區(qū)域703行進時工藝氣體中反應(yīng)物種的減少。

一或多個第一凹槽706可以形成在第一載體702中。第一凹槽706可由第一基部區(qū)域712以及一或多個第一側(cè)壁714限定。一或多個第二凹槽708可以形成在第二載體704中。第二凹槽708還可以由第一基部區(qū)域712以及一或多個第一側(cè)壁714限定。第一載體702和第二載體704兩者可以包括第一端部區(qū)域711、709和第一隔板705、707，所述第一端部區(qū)域和第一隔板可以限定一或多個第一側(cè)壁714并且可從它們的相應(yīng)載體702、704朝向工藝空間750延伸。例如，第一載體702的第一端部區(qū)域711和第一隔板705可從第一基部區(qū)域712延伸，以便形成第一凹槽706。第一隔板705和707可從第一基部區(qū)域712延伸，以便形成另一第一凹槽706。第一隔板707和第一端部區(qū)域709可從第一基部區(qū)域712延伸，以便形成又一第一凹槽706。第二載體704的第二凹槽708可以類似方式限定。

第一載體702的第一端部區(qū)域711、709和第一隔板705、707的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近的第一平面。第二載體704的第一端部區(qū)域711、709和第一隔板705、707的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近的第二平面。在第一載體702的第一端部區(qū)域711的表面710與第二載體704的第一端部區(qū)域711的表面710之間的距離可以大體限定開口701。在第一載體702的第一端部區(qū)域709的表面710與第二載體704的第一端部區(qū)域709的表面710之間的距離可以大體限定出口區(qū)域703。

第一凹槽706的深度D₁可以限定在第一基部區(qū)域712與表面710之間。類似地，第二凹槽708的深度D₁可以限定在第一基部區(qū)域712與表面710之間。例如，第一凹槽706和第二凹槽708的深度D₁可以在約900μm與約1100μm之間，諸如約1000μm。因此，第一載體702和第二載體704可適配來處理具有約1000μm厚度的基板。因此，處理的基板的表面可與表面710是大體上共平面的，這就可在沉積工藝期間提供改良的氣流動態(tài)?；灞砻婧捅砻?10可以限定形成減少的處理空間750空間的平面，這可抑制反應(yīng)物種消耗并且提高邊界層動態(tài)性。

圖7B描繪可包括第三載體722和第四載體724的第二載體設(shè)備720。第三載體722和第四載體724可以在約3°與約6°之間的角度彼此相對地定位。第三載體722和第四載體724可由適于承受處理溫度的熱穩(wěn)定材料(諸如碳化硅涂布的石墨)形成。第三載體722和第四載體724可以限定具有開口701和出口區(qū)域703的處理空間750。在操作中，工藝氣體可以通過開口701進入處理空間750并且通過出口區(qū)域703離開。在質(zhì)量流動模式下，材料可以沉積在由第三載體722和第四載體724承載的基板上。處理空間750可以從開口701至出口區(qū)域703在空間上逐漸減小，以考慮到在氣體從開口701向出口區(qū)域703行進時工藝氣體中反應(yīng)物種的減少。

一或多個第三凹槽726可以形成在第三載體722中。第三凹槽726可由第二基部區(qū)域732以及一或多個第二側(cè)壁734限定。一或多個第四凹槽728可以形成在第四載體724中。第四凹槽728還可以由第二基部區(qū)域732以及一或多個第二側(cè)壁734限定。第三載體722和第四載體724兩者可以包括第二端部區(qū)域723、729和第二隔板725、727，所述第二端部區(qū)域和第二隔板可以限定一或多個第二側(cè)壁734并且可從它們的相應(yīng)載體722、724朝向工藝空間750延伸。例如，第三載體722的第二端部區(qū)域723和第二隔板725可從第二基部區(qū)域732延伸，以便形成第三凹槽726。第二隔板725和727可從第二基部區(qū)域732延伸，以便形成另一第三凹槽726。第二隔板727和第二端部區(qū)域729可從第二基部區(qū)域732延伸，以便形成又一第三凹槽726。第四載體724的第四凹槽728可以類似方式限定，其描述為了簡略起見將省略。

第三載體722的第二端部區(qū)域723、729和第二隔板725、727的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近設(shè)置的第一平面。第四載體724的第二端部區(qū)域723、729和第二隔板725、727的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近設(shè)置的第二平面。在第三載體722的第二端部區(qū)域723的表面710與第四載體724的第二端部區(qū)域723的表面710之間距離可以大體限定開口701。在第三載體722的第二端部區(qū)域729的表面710與第四載體724的第二端部區(qū)域729的表面710之間距離可以大體限定出口區(qū)域703。

第三凹槽726的深度D₂可以限定在第二基部區(qū)域732與表面710之間。類似地，第四凹槽728的深度D₂可以限定在第二基部區(qū)域732與表面710之間。第三凹槽726和第四凹槽728的深度D₂可以在約650μm與約900μm之間、諸如約750μm。因此，第三載體722和第四載體724可適配來處理具有約750μm厚度的基板。因此，處理的基板的表面可與表面710是大體上共平面的，這就可在沉積工藝期間提供改良的氣流動態(tài)。

圖7C描繪可包括第五載體742和第六載體744的第三載體設(shè)備740。第五載體742和第六載體744可以在約3°與約6°之間的角度彼此相對地定位。第五載體742和第六載體744可由適于承受處理溫度的熱穩(wěn)定材料(諸如碳化硅涂布的石墨)形成。第五載體742和第六載體744可以限定具有開口701和出口區(qū)域703的處理空間750。在操作中，工藝氣體可以通過開口701進入處理空間750并且通過出口區(qū)域703離開。在質(zhì)量流動模式下，材料可以沉積在由第五載體742和第六載體744承載的基板上。處理空間750可以從開口701至出口區(qū)域703在空間上逐漸減小，以考慮到在氣體從開口701向出口區(qū)域703行進時工藝氣體中反應(yīng)物種的減少。

一或多個第五凹槽746可以形成在第五載體742中。第五凹槽746可由第三基部區(qū)域752以及一或多個第三側(cè)壁754限定。一或多個第六凹槽748可以形成在第六載體744中。第六凹槽748還可以由第三基部區(qū)域752以及一或多個第三側(cè)壁754限定。第五載體742和第六載體744兩者可以包括第三端部區(qū)域743、749和第三隔板745、747，所述第三端部區(qū)域和第三隔板可以限定一或多個第三側(cè)壁754并且可從它們的相應(yīng)載體742、744朝向工藝空間750延伸。例如，第五載體742的第三端部區(qū)域743和第三隔板745可從第三基部區(qū)域752延伸，以便形成第五凹槽746。第三隔板745和747可從第三基部區(qū)域752延伸，以便形成另一第五凹槽746。第三隔板747和第三端部區(qū)域749可從第三基部區(qū)域752延伸，以便形成又一第五凹槽746。第六載體744的第六凹槽748可以類似方式限定，為了簡略起見，其描述將省略。

第五載體742的第三端部區(qū)域743、749和第三隔板745、747的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近設(shè)置的第一平面。第六載體744的第三端部區(qū)域743、749和第三隔板745、747的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近設(shè)置的第二平面。在第五載體742的第三端部區(qū)域743的表面710與第六載體744的第三端部區(qū)域743的表面710之間的距離可以大體限定開口701。在第五載體742的第三端部區(qū)域749的表面710與第六載體744的第三端部區(qū)域749的表面710之間的距離可以大體限定出口區(qū)域703。

第五凹槽746的深度D₃可以限定在第三基部區(qū)域752與表面710之間。類似地，第六凹槽748的深度D₃可以限定在第三基部區(qū)域752與表面710之間。例如，第五凹槽746和第六凹槽748的深度D₃可以在約400μm與約650μm之間，諸如約500μm。因此，第五載體742和第六載體744可適配來處理具有約500μm厚度的基板。因此，處理的基板的表面可與表面710是大體上共平面的，這就可在沉積工藝期間提供改良的氣流動態(tài)。

圖7D描繪可包括第七載體762和第八載體764的第四載體設(shè)備760。第七載體762和第八載體764可以在約3°與約6°之間的角度彼此相對地定位。第七載體762和第八載體764可由適于承受處理溫度的熱穩(wěn)定材料(諸如碳化硅涂布的石墨)形成。第七載體762和第八載體764可以限定具有開口701和出口區(qū)域703的處理空間750。在操作中，工藝氣體可以通過開口701進入處理空間750并且通過出口區(qū)域703離開。在質(zhì)量流動模式下，材料可以沉積在由第七載體762和第八載體764承載的基板上。處理空間750可以從開口701至出口區(qū)域703在空間上逐漸減小，以考慮到在氣體從開口701向出口區(qū)域703行進時工藝氣體中反應(yīng)物種的減少。

一或多個第七凹槽766可以形成在第七載體762中。第七凹槽766可由第四基部區(qū)域772以及一或多個第四側(cè)壁774限定。一或多個第八凹槽768可以形成在第八載體764中。第八凹槽768還可以由第四基部區(qū)域772以及一或多個第四側(cè)壁774限定。第七載體762和第八載體764兩者可以包括第四端部區(qū)域763、769和第四隔板765、767，所述第四端部區(qū)域和第四隔板可以限定一或多個第四側(cè)壁774并且可從它們的相應(yīng)載體762、764朝向工藝空間750延伸。例如，第七載體762的第四端部區(qū)域763和第四隔板765可從第四基部區(qū)域772延伸，以便形成第七凹槽766。第四隔板765和767可從第四基部區(qū)域772延伸，以便形成另一第七凹槽766。第四隔板767和第四端部區(qū)域769可從第四基部區(qū)域772延伸，以便形成又一第七凹槽766。第八載體764的第八凹槽768可以類似方式限定，其描述為了簡略起見將省略。

第七載體762的第四端部區(qū)域763、769和第四隔板765、767的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近設(shè)置的第一平面。第八載體764的第四端部區(qū)域763、769和第四隔板765、767的表面710可以占據(jù)與處理空間750鄰近設(shè)置的第二平面。在第七載體762的第四端部區(qū)域763的表面710與第八載體764的第四端部區(qū)域763的表面710之間距離可以大體限定開口701。在第七載體762的第四端部區(qū)域769的表面710與第八載體764的第四端部區(qū)域769的表面710之間的距離可以大體限定出口區(qū)域703。

第七凹槽766的深度D₄可以限定在第四基部區(qū)域772與表面710之間。類似地，第八凹槽768的深度D₄可以限定在第四基部區(qū)域772與表面710之間。例如，第七凹槽766和第八凹槽768的深度D₄可以在約200μm與約400μm之間，諸如約300μm。因此，第七載體762和第八載體764可適配來處理具有約300μm厚度的基板。因此，處理的基板的表面可與表面710是大體上共平面的，這就可在沉積工藝期間提供改良的氣流動態(tài)。

各自包括兩個相應(yīng)載體的載體設(shè)備700、720、740、760可用于處理設(shè)備(諸如設(shè)備500(參見圖5))中。具有不同厚度的模板(或基板)可承載于載體設(shè)備700、720、740、760的一個載體設(shè)備中，所述載體設(shè)備700、720、740、760中的相應(yīng)凹槽包括與將處理的模板的厚度匹配的深度。預見的是，載體設(shè)備700、720、740、760可一起用于適配成處理具有不同厚度的模板的系統(tǒng)。然而，載體設(shè)備700、720、740、760還可本身用來處理模板，所述模板具有與載體設(shè)備700、720、740、760內(nèi)設(shè)置的凹槽深度相關(guān)的厚度。

雖然圖7A至圖7D中描繪為具有四個載體設(shè)備700、720、740、760，但是也可利用更多或更少的載體設(shè)備來一起用來處理具有不同厚度的模板。例如，可以利用三個載體設(shè)備。在這個實例中，第一載體設(shè)備可以具有深度在約800μm與約1100μm之間的凹槽，第二載體設(shè)備可以具有深度在約500μm 與約800μm之間的凹槽，并且第三載體設(shè)備可以具有深度在約200μm與約500μm之間的凹槽。

載體設(shè)備700、720、740、760被描繪為各自具有三行凹槽。預見的是，更多行或更少行的凹槽可以形成在載體設(shè)備700、720、740、760中。例如，具有四行的載體，諸如載體600(參見圖6)可用作為載體設(shè)備中的載體。載體設(shè)備700、720、740、760中的兩個載體可為大體上相同的。載體設(shè)備700、720、740、760可為在延伸穿過開口701和出口區(qū)域703的垂直的對稱線上大體對稱。另外，放在載體設(shè)備700、720、740、760的凹槽中的模板可通過力的組合來保持在凹槽中，諸如載體設(shè)備700、720、740、760所定位的角度以及重力。

圖8描繪可包括第一多深度的載體802和第二多深度的載體804的多深度的載體設(shè)備800。第一多深度的載體802和第二多深度的載體804可以在約3°與約6°之間的角度彼此相對地定位。第一多深度的載體802和第二多深度的載體804可由適于承受處理溫度的熱穩(wěn)定材料(諸如碳化硅涂布的石墨)形成。第一多深度的載體802和第二多深度的載體804可以限定具有開口801和出口區(qū)域803的處理空間850。在操作中，工藝氣體可以通過開口801進入處理空間850并且通過出口區(qū)域803離開。在質(zhì)量流動模式下，材料可以沉積在由第一多深度的載體802和第二多深度的載體804承載的基板上。處理空間850可以從開口801至出口區(qū)域803在空間上逐漸減小，以考慮到在氣體從開口801向出口區(qū)域803行進時工藝氣體中反應(yīng)物種的減少。

一或多個凹槽806、808、810可形成在第一多深度的載體802和第二多深度的載體804中。雖然示為具有三行凹槽806、808、810，但可預見的是，可以在多深度的載體802、804中形成更多或更少行。為了簡略起見，第一多深度的載體802和第二多深度的載體804的凹槽806、808、810以及其他特征將會一起描述，其中這些特征是大體類似的。在必要時，將會描述第一多深度的載體802和第二多深度的載體804之間的差異。較淺深度凹槽806可以形成在多深度的載體802、804中。較淺深度凹槽806可由較淺底部區(qū)域816以及一或多個較淺側(cè)壁814限定。較淺側(cè)壁814可從表面812延伸到載體802、804中，到達較淺底部區(qū)域816。較淺深度凹槽806可以形成在較淺端部區(qū)域805與第一雙深度的隔板815之間。第一雙深度的隔板815可以包括與較淺深度凹槽806鄰近的較淺側(cè)壁814。

中等深度凹槽808可以形成在多深度的載體802、804中。中等深度凹槽808可由中等底部區(qū)域820以及一或多個中等側(cè)壁818限定。中等側(cè)壁818可從表面812延伸到載體802、804中，到達中等底部區(qū)域820。中等深度凹槽808可以形成在第一雙深度的隔板815與第二雙深度的隔板825之間。第一雙深度的隔板815可以包括與中等深度凹槽808鄰近的中等側(cè)壁818。第二雙深度的隔板825可以包括與中等深度凹槽808鄰近的中等側(cè)壁818。

較深深度凹槽810可以形成在多深度的載體802、804中。較深深度凹槽810可由較深底部區(qū)域824以及一或多個較深側(cè)壁822限定。較深側(cè)壁822可從表面812延伸到載體802、804中，到達較深底部區(qū)域824。較深深度凹槽810可以形成在第二雙深度的隔板825與較深端部區(qū)域835之間。第二雙深度的隔板825可以包括與較深深度凹槽810鄰近的較深側(cè)壁822。較深端部區(qū)域835可以包括與較深深度凹槽810鄰近的較深側(cè)壁822。

凹槽806、808、810布置可反過來。例如，載體設(shè)備800可繞水平軸線翻轉(zhuǎn)180°，使得較深深度凹槽810可取向在開口801附近，并且較淺深度凹槽806可取向在出口區(qū)域803附近。然而，第一多深度的載體802和第二多深度的載體804可以維持開口801，就像載體設(shè)備800未反過來那樣。還預見了載體設(shè)備800可繞垂直軸線旋轉(zhuǎn)180°，使得第二多深度的載體804可取向在第一多深度的載體802的位置處，如圖8所示。在這個實例中，第一多深度的載體802可取向在第二多深度的載體804的位置處。使得載體設(shè)備繞垂直軸線旋轉(zhuǎn)的能力是載體設(shè)備800顯示的對稱性的結(jié)果。

多深度的載體設(shè)備800被描繪為具有呈三個不同深度的凹槽。在一個實例中，較淺深度凹槽806可以具有在約800μm與約1100μm之間的深度。中等深度凹槽808可以具有在約500μm與約800μm之間的深度。較深深度凹槽810可以具有在約200μm與約500μm之間的深度。凹槽806、808、810可適配成承載具有在上述深度范圍內(nèi)的厚度的基板。

雖然示為具有三個不同深度凹槽，但是載體設(shè)備800可具有不同深度的更多或更少的凹槽。在另一實例中，載體設(shè)備800可具有四個不同深度的凹槽。例如，返回參考圖6，具有第一行的凹槽604、第二行的凹槽606、第三行的凹槽608和第四行的凹槽610的基板載體600可以是第一多深度的載體802和第二多深度的載體804。在這個實例中，第一行的凹槽604可以具有在約900μm與約1100μm之間，諸如約1000μm的第一深度。第二行的凹槽606可以具有在約650μm與約900μm之間，諸如約750μm的第二深度。第三行的凹槽608可以具有在約400μm與約650μm之間，諸如約500μm的第三深度。第四行的凹槽610可以具有在約200μm與約400μm之間，諸如約300μm的第四深度。

圖9描繪可包括第一恒定深度載體902和第二恒定深度載體904的恒定深度載體設(shè)備900。本文所用術(shù)語“恒定深度”可指處理具有范圍可從約150μm至約1100μm的厚度的基板的能力。恒定深度載體設(shè)備900可大體類似于載體設(shè)備700(參見圖7A)。一或多個深度選擇構(gòu)件912、914可以設(shè)置在凹槽906、908、910中的一或多個凹槽之內(nèi)，以便修改凹槽906、908、910深度。

第一恒定深度凹槽906可以形成在第一恒定深度載體902和第二恒定深度載體904兩者內(nèi)。第一恒定深度凹槽906可以具有在約900μm與約1100μm之間，諸如約1000μm的深度。第一深度選擇構(gòu)件912可以設(shè)置在第一恒定深度凹槽906內(nèi)。第一深度選擇構(gòu)件912可為薄片，并且可由化學上惰性且熱穩(wěn)定的材料(諸如碳化硅或碳化硅涂布的石墨)制成。第一深度選擇構(gòu)件912可為燒結(jié)或中空的，并且大小可設(shè)定為配合在第一恒定深度凹槽906內(nèi)。第一深度選擇構(gòu)件912可以具有約700μm的厚度。具有第一深度選擇構(gòu)件912設(shè)置在其中的第一恒定深度凹槽906的已修改深度可為約300μm，并且可適配來用于處理具有小于約300μm的厚度的基板。基板可放在第一恒定深度凹槽906中，接觸第一深度選擇構(gòu)件表面911。因此，處理的基板的表面可與第一恒定深度載體902和第二恒定深度載體904的表面916是大體上共平面的。

第二恒定深度凹槽908可以形成在第一恒定深度載體902和第二恒定深度載體904兩者內(nèi)。第二恒定深度凹槽908可以具有在約900μm與約1100μm之間，諸如約1000μm的深度。第二深度選擇構(gòu)件914可以設(shè)置在第二恒定深度凹槽908內(nèi)。第二深度選擇構(gòu)件914或者薄片可由化學上惰性且熱穩(wěn)定的材料(諸如碳化硅或碳化硅涂布的石墨)制成。第二深度選擇構(gòu)件914可燒結(jié)或中空，并且大小可設(shè)定為配合在第二恒定深度凹槽908內(nèi)。第二深度選擇構(gòu)件914可以具有約250μm的厚度。具有第二深度選擇構(gòu)件914設(shè)置在其中的第二恒定深度凹槽908的已修改深度可為約750μm，并且可適配來用于處理具有在約300μm與約750μm之間的厚度的基板。基板可放在第二恒定深度凹槽908中，接觸第二深度選擇構(gòu)件表面913。因此，處理的基板的表面可與第一恒定深度載體902和第二恒定深度載體904的表面916是大體上共平面的。

第三恒定深度凹槽910可大體上未被深度選擇構(gòu)件修改。恒定深度基部區(qū)域918可以形成在第一恒定深度載體902和第二恒定深度載體904之內(nèi)，并且可以具有在約900μm與約1100μm之間，諸如約1000μm的深度。由此，具有不同的厚度的基板可選擇為設(shè)置在適當凹槽中以供處理。深度選擇構(gòu)件912、914允許恒定深度載體設(shè)備900通過標準化在基板表面與載體設(shè)備900的表面916之間的關(guān)系而同時處理具有不同的大小的基板。深度選擇構(gòu)件可以用來將多深度的載體轉(zhuǎn)換成恒定深度載體，反之亦然。還預見了在需要時，可將多于一個深度選擇構(gòu)件設(shè)置在凹槽中，以便改變凹槽深度。

圖10描繪可包括第一斜邊載體1002和第二斜邊載體1004的斜邊載體設(shè)備1000。第一斜邊載體1002和第二斜邊載體1004可以在約3°與約6°之間的角度彼此相對地定位。第一斜邊載體1002和第二斜邊載體1004可由適于承受處理溫度的熱穩(wěn)定材料(諸如碳化硅涂布的石墨)形成。第一斜邊載體1002和第二斜邊載體1004可以限定具有開口1001和出口區(qū)域1003的處理空間1050。在操作中，工藝氣體可以通過開口1001進入處理空間1050并且通過出口區(qū)域1003離開。在質(zhì)量流動模式下，材料可以沉積在由第一斜邊載體1002和第二斜邊載體1004承載的基板上。處理空間1050可以從開口1001至出口區(qū)域1003在空間上逐漸減小，以考慮到在氣體從開口1001向出口區(qū)域1003行進時工藝氣體中反應(yīng)物種的減少。

當考慮斜邊凹槽1006、1008、1010的深度時，斜邊載體設(shè)備1000可大體類似于載體設(shè)備700、720、740和760中的任何一個(參見圖7A至圖7D)。然而，端部區(qū)域1015、1025和隔板1005、1007的幾何形狀可以不同。端部區(qū)域1015可從斜邊載體1002、1004朝著處理空間1050延伸，并且可以限定開口1001。側(cè)壁1024可從凹槽基部區(qū)域1022延伸，并且第一端部區(qū)域斜邊1018可以形成在側(cè)壁1024與表面1012之間。第一端部區(qū)域斜邊1018可以限定第一斜邊凹槽1006的一部分。類似地，關(guān)于從斜邊載體1002、1004延伸的端部區(qū)域1025，端部區(qū)域1025可朝處理空間1050延伸，但是可以限定出口區(qū)域1003。側(cè)壁1024可從凹槽基部區(qū)域1022延伸，并且第二端部區(qū)域斜邊1020可以形成在側(cè)壁1024與表面1012之間。第二端部區(qū)域斜邊1020可以限定第三斜邊凹槽1010的一部分。

第一斜邊載體1002和第二斜邊載體1004的隔板1005、1007還可包括一或多個斜邊1014、1016。第一斜邊隔板1005可以結(jié)合端部區(qū)域1015一起限定第一斜邊凹槽1006。第一斜邊隔板1005可從凹槽基部區(qū)域1022朝向處理空間1050延伸。第一斜邊1014可以形成在側(cè)壁1024與表面1012之間，并且可以向上面向開口1001。第二斜邊1016可以形成在側(cè)壁1024與表面1012之間，并且可以向下面向出口區(qū)域1003。第二斜邊凹槽1008可由第一斜邊隔板1005和第二斜邊隔板1007限定。第二斜邊隔板1007可大體類似于第一斜邊隔板1005。

斜邊1014、1016、1018、1020可全部取向成相對于側(cè)壁1024和表面1012成一角度。例如，斜邊1014、1016、1018、1020可大體不垂直于側(cè)壁1024或表面1012。斜邊1014、1016、1018、1020可以通過減少處理氣體可接觸設(shè)置在斜邊凹槽1006、1008、1010內(nèi)的基板的接觸輪廓來減少處理空間1050內(nèi)的氣流湍流。由此，處理的基板的表面可進一步標準化成斜邊載體1002、1004的表面1012。質(zhì)量流傳輸系統(tǒng)中的氣流動態(tài)性可以得到提高，這可使得膜沉積均勻性提高。斜邊1014、1016、1018、1020還可減少與將基板放在斜邊凹槽1006、1008、1010中關(guān)聯(lián)的公差。因此，可以減少基板周圍多余寬度，這可以提高氣流動態(tài)性。

圖11描繪空間大體上恒定的載體設(shè)備1100，所述載體設(shè)備可大體類似于載體設(shè)備700、720、740、760(參見圖7A至圖7D)中的任何一個?？臻g大體上恒定的載體設(shè)備1100還可結(jié)合諸如多深度的凹槽(參見圖8)、深度選擇構(gòu)件(參見圖9)和斜邊(參見圖10)的元件。為了簡略起見，將不描述空間大體上恒定的載體設(shè)備1100中類似關(guān)于圖7至圖10所述元件的元件。載體設(shè)備1100可以包括第一垂直取向載體1102和第二垂直取向載體1004。第一垂直取向載體1102和第二垂直取向載體1004可以約0°的角度來彼此相對地定位，使得第一垂直取向載體1102和第二垂直取向載體1004沿著相同垂直平面大體對齊。

開口1101可以限定在載體1102、1104的第一端部區(qū)域1105之間，并且載體1102、1104的表面112之間的距離A可以限定開口1101的寬度。出口區(qū)域1103可以限定在載體1102、1104的第二端部區(qū)域1111之間，并且載體1102、1104的表面112之間的距離B可以限定出口區(qū)域1103的寬度?？臻g大體上恒定的處理空間1050可以限定在載體1102、1104之間。距離A和距離B可為大體上相等的。凹槽1106、1108、1110可適配成在處理過程中容納并且承載基板。基板可通過靜電力保持在凹槽1106、1108、1110中。由此，可將靜電電荷施加來將基板維持在載體設(shè)備1100內(nèi)。

根據(jù)前述實施方式，就可實現(xiàn)具有不同厚度的模板(基板)的無切縫式基板成批處理。上述設(shè)備一般可以用于在線CVD設(shè)備并且所述設(shè)備可以同時對不同厚度的模板進行處理。所述設(shè)備可以單獨或以各種組合使用，以便實現(xiàn)在同時處理的具有不同厚度的模板上的膜沉積均勻性提高。本文所述的新穎設(shè)備提高了生產(chǎn)量，并且最終可降低與基板處理相關(guān)聯(lián)的成本。

盡管上述內(nèi)容是針對本公開內(nèi)容的實施方式，但也可在不脫離本公開內(nèi)容的基本范圍的情況下設(shè)計本公開內(nèi)容的其他和進一步實施方式，并且本公開內(nèi)容的范圍由隨附權(quán)利要求書來確定。