低溫多晶硅tft基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低溫多晶硅TFT基板。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫多晶石圭(LowTemperature Poly-silicon, LTPS)薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)在高分辨率有源液晶顯不器(Active MatrixLiquid Crystal Display,AMLCD)以及有機(jī)發(fā)光二極管(Active-Matrix Organic Light Emitting D1de,AM0LED)顯示器領(lǐng)域有很大的應(yīng)用價(jià)值和潛力。
[0003]與非晶硅(a-Si)技術(shù)相比，LTPS TFT的迀移率高，器件穩(wěn)定性好。LTPS TFT的迀移率可達(dá)幾十至幾百cm2/Vs，可以滿足高分辨率AMIXD及AM0LED顯示器的要求。因此，低溫多晶硅顯示器的反應(yīng)速度較快，且有高亮度、高解析度與低耗電量等優(yōu)點(diǎn)。除了作為像素開(kāi)關(guān)，LTPS TFT還可以構(gòu)建周邊驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)片上集成系統(tǒng)。
[0004]但是多晶硅受光照影響會(huì)造成器件不穩(wěn)定，漏電流增大，造成面板顯示不正常，因此一般在制作TFT器件之前要制作一道遮光金屬層(Shielding Metal)進(jìn)行遮光。
[0005]請(qǐng)參閱圖1，為一種現(xiàn)有的低溫多晶硅TFT基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在制作TFT器件300之前，先在基板100上制作遮光金屬層200，然后制作TFT器件300，所述遮光金屬層200可以實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT器件300所在的區(qū)域進(jìn)行遮光，避免了 TFT器件300中的多晶硅層400受到光照影響，保證了 TFT器件300的穩(wěn)定性。
[0006]但是，單獨(dú)制作一道遮光金屬層200就意味著需要在制程中多使用一道光罩，這樣既增加了制程，降低了生產(chǎn)效率，同時(shí)也造成了生產(chǎn)成本的提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅TFT基板，采用黑色矩代替遮光金屬層對(duì)TFT器件進(jìn)行遮蓋，保證TFT器件的性能穩(wěn)定，同時(shí)節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT基板，包括基板、設(shè)于所述基板上的第一緩沖層、設(shè)于所述第一緩沖層上的黑色矩陣、設(shè)于所述第一緩沖層與黑色矩陣上的第二緩沖層、設(shè)于所述第二緩沖層上的多晶硅層、設(shè)于所述多晶硅層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極、設(shè)于所述柵極絕緣層與柵極上的層間絕緣層、設(shè)于所述層間絕緣層上的源極與漏極、設(shè)于所述層間絕緣層、源極、及漏極上的平坦層、設(shè)于所述平坦層上的公共電極、設(shè)于所述公共電極上的鈍化層、及設(shè)于所述鈍化層上的像素電極；
[0009]其中，所述源極、漏極、柵極、及多晶硅層構(gòu)成一 TFT器件，所述黑色矩陣遮蓋所述TFT器件所在的區(qū)域，避免TFT器件受光照影響。
[0010]所述多晶硅層包括位于中間的溝道區(qū)、位于兩端的N型重?fù)诫s區(qū)、及位于所述溝道區(qū)與N型重?fù)诫s區(qū)之間的N型輕摻雜區(qū)。
[0011]所述柵極絕緣層、及層間絕緣層上對(duì)應(yīng)所述N型重?fù)诫s區(qū)的上方形成有第一過(guò)孔，所述源極與漏極分別經(jīng)由所述第一過(guò)孔與所述N型重?fù)诫s區(qū)相接觸。
[0012]所述平坦層上對(duì)應(yīng)所述漏極的上方形成有第二過(guò)孔，所述鈍化層包覆該第二過(guò)孔，并且所述鈍化層位于該第二過(guò)孔底部的部分上形成有第三過(guò)孔，所述像素電極經(jīng)由所述第三過(guò)孔與所述漏極相接觸。
[0013]所述公共電極與像素電極之間形成存儲(chǔ)電容。
[0014]所述基板為玻璃基板；所述第一緩沖層為氧化硅層；所述第二緩沖層為氮化硅層。
[0015]所述多晶硅層的材料為低溫多晶硅；所述柵極絕緣層為氮化硅層、氧化硅層、或二者的復(fù)合層。
[0016]所述柵極、源極、漏極的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0017]所述層間絕緣層為氮化硅層、氧化硅層、或二者的復(fù)合層。
[0018]所述公共電極、及像素電極的材料均為ΙΤ0。
[0019]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT基板，黑色矩陣位于低溫多晶硅TFT基板的第一緩沖層上，TFT器件位于被黑色矩陣遮蓋的區(qū)域，可避免TFT器件受到光照影響，確保TFT器件的穩(wěn)定性；并且省去了一道遮光金屬層的制程，減少一道光罩，節(jié)約了生產(chǎn)成本，使得黑色矩陣在實(shí)現(xiàn)自身作用(遮擋像素漏光)的同時(shí)，還可代替現(xiàn)有技術(shù)中的遮光金屬層實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT器件的遮光，實(shí)現(xiàn)了雙重作用。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0021]附圖中，
[0022]圖1為一種現(xiàn)有的低溫多晶硅TFT基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0025]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT基板，包括基板1、設(shè)于所述基板1上的第一緩沖層31、設(shè)于所述第一緩沖層31上的黑色矩陣2、設(shè)于所述第一緩沖層31與黑色矩陣2上的第二緩沖層32、設(shè)于所述第二緩沖層32上的多晶硅層4、設(shè)于所述多晶硅層4上的柵極絕緣層5、設(shè)于所述柵極絕緣層5上的柵極6、設(shè)于所述柵極絕緣層5與柵極6上的層間絕緣層7、設(shè)于所述層間絕緣層7上的源極81與漏極82、設(shè)于所述層間絕緣層7、源極81、及漏極82上的平坦層9、設(shè)于所述平坦層9上的公共電極91、設(shè)于所述公共電極91上的鈍化層92、及設(shè)于所述鈍化層92上的像素電極93 ;
[0026]其中，所述源極81、漏極82、柵極6、及多晶硅層4構(gòu)成一 TFT器件10，所述黑色矩陣2遮蓋所述TFT器件10所在的區(qū)域，避免TFT器件10受光照影響，確保TFT器件10的穩(wěn)定性。所述黑色矩陣2在實(shí)現(xiàn)自身作用(遮擋像素漏光)的同時(shí)，還可代替現(xiàn)有技術(shù)中的遮光金屬層實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT器件10的遮光，實(shí)現(xiàn)了雙重作用，并且省去了一道遮光金屬層的制程，減少一道光罩，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0027]具體的，所述多晶硅層4包括位于中間的溝道區(qū)41、位于兩端的N型重?fù)诫s區(qū)42、及位于所述溝道區(qū)41與N型重?fù)诫s區(qū)42之間的N型輕摻雜區(qū)43。
[0028]具體的，所述柵極絕緣層5、及層間絕緣層7上對(duì)應(yīng)所述N型重?fù)诫s區(qū)42的上方形成有第一過(guò)孔80，所述源極81與漏極82分別經(jīng)由所述第一過(guò)孔80與所述N型重?fù)诫s區(qū)42相接觸。
[0029]具體的，所述平坦層9上對(duì)應(yīng)所述漏極82的上方形成有第二過(guò)孔90，所述鈍化層92包覆該第二過(guò)孔90，并且所述鈍化層92位于該第二過(guò)孔90底部的部分上形成有第三過(guò)孔95，所述像素電極93經(jīng)由所述第三過(guò)孔95與所述漏極82相接觸。
[0030]具體的，所述公共電極91與像素電極93之間形成存儲(chǔ)電容Cst。
[0031]優(yōu)選的，所述基板1為玻璃基板；所述第一緩沖層31為氧化硅(Si02)層；所述第二緩沖層32為氮化硅(SiNx)層。
[0032]所述多晶硅層4的材料為低溫多晶硅；所述柵極絕緣層5為氮化硅層、氧化硅層、或二者的復(fù)合層。
[0033]所述柵極6、源極81、漏極82的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0034]所述層間絕緣層7為氮化硅層、氧化硅層、或二者的復(fù)合層。
[0035]所述公共電極91、及像素電極93的材料均為ΙΤ0 (氧化銦錫)。
[0036]綜上所述，本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT基板，黑色矩陣位于低溫多晶硅TFT基板的第一緩沖層上，TFT器件位于被黑色矩陣遮蓋的區(qū)域，可避免TFT器件受到光照影響，確保TFT器件的穩(wěn)定性；并且省去了一道遮光金屬層的制程，減少一道光罩，節(jié)約了生產(chǎn)成本，使得黑色矩陣在實(shí)現(xiàn)自身作用(遮擋像素漏光)的同時(shí)，還可代替現(xiàn)有技術(shù)中的遮光金屬層實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT器件的遮光，實(shí)現(xiàn)了雙重作用。
[0037]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，包括基板(1)、設(shè)于所述基板⑴上的第一緩沖層(31)、設(shè)于所述第一緩沖層(31)上的黑色矩陣(2)、設(shè)于所述第一緩沖層(31)與黑色矩陣(2)上的第二緩沖層(32)、設(shè)于所述第二緩沖層(32)上的多晶硅層(4)、設(shè)于所述多晶硅層(4)上的柵極絕緣層(5)、設(shè)于所述柵極絕緣層(5)上的柵極￠)、設(shè)于所述柵極絕緣層(5)與柵極(6)上的層間絕緣層(7)、設(shè)于所述層間絕緣層(7)上的源極(81)與漏極(82)、設(shè)于所述層間絕緣層(7)、源極(81)、及漏極(82)上的平坦層(9)、設(shè)于所述平坦層(9)上的公共電極(91)、設(shè)于所述公共電極(91)上的鈍化層(92)、及設(shè)于所述鈍化層(92)上的像素電極(93)； 其中，所述源極(81)、漏極(82)、柵極(6)、及多晶硅層(4)構(gòu)成一 TFT器件(10)，所述黑色矩陣(2)遮蓋所述TFT器件(10)所在的區(qū)域，避免TFT器件(10)受光照影響。2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述多晶硅層(4)包括位于中間的溝道區(qū)(41)、位于兩端的N型重?fù)诫s區(qū)(42)、及位于所述溝道區(qū)(41)與N型重?fù)诫s區(qū)(42)之間的N型輕摻雜區(qū)(43) ο3.如權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述柵極絕緣層(5)、及層間絕緣層(7)上對(duì)應(yīng)所述N型重?fù)诫s區(qū)(42)的上方形成有第一過(guò)孔(80)，所述源極(81)與漏極(82)分別經(jīng)由所述第一過(guò)孔(80)與所述N型重?fù)诫s區(qū)(42)相接觸。4.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述平坦層(9)上對(duì)應(yīng)所述漏極(82)的上方形成有第二過(guò)孔(90)，所述鈍化層(92)包覆該第二過(guò)孔(90)，并且所述鈍化層(92)位于該第二過(guò)孔(90)底部的部分上形成有第三過(guò)孔(95)，所述像素電極(93)經(jīng)由所述第三過(guò)孔(95)與所述漏極(82)相接觸。5.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述公共電極(91)與像素電極(93)之間形成存儲(chǔ)電容。6.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述基板(I)為玻璃基板；所述第一緩沖層(31)為氧化硅層；所述第二緩沖層(32)為氮化硅層。7.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述多晶硅層(4)的材料為低溫多晶硅；所述柵極絕緣層(5)為氮化硅層、氧化硅層、或二者的復(fù)合層。8.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述柵極(6)、源極(81)、漏極(82)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。9.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述層間絕緣層(7)為氮化硅層、氧化硅層、或二者的復(fù)合層。10.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述公共電極(91)、及像素電極(93)的材料均為ITO。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT基板，其黑色矩陣位于低溫多晶硅TFT基板的第一緩沖層上，TFT器件位于被黑色矩陣遮蓋的區(qū)域，可避免TFT器件受到光照影響，確保TFT器件的穩(wěn)定性；并且省去了一道遮光金屬層的制程，減少一道光罩，節(jié)約了生產(chǎn)成本，使得黑色矩陣在實(shí)現(xiàn)自身作用(遮擋像素漏光)的同時(shí)，還可代替現(xiàn)有技術(shù)中的遮光金屬層實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT器件的遮光，實(shí)現(xiàn)了雙重作用。
【IPC分類(lèi)】H01L27/12
【公開(kāi)號(hào)】CN105336745
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510641280
【發(fā)明人】許勇
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司, 武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月17日
【申請(qǐng)日】2015年9月30日