本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板和陣列基板的制備方法。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管(thinfilmtransistorcrystal，tft)根據(jù)有源層的不同材料，可以劃分為非晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管，其中，氧化物薄膜晶體管，例如銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)薄膜晶體管由于具有電子遷移率高、透明性好、漏電流低等優(yōu)點(diǎn)，因此，備受面板制造廠商的青睞，而且，氧化物薄膜晶體管的制備工藝與非晶硅薄膜晶體管的制備工藝兼容性較好，現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管的顯示面板的生產(chǎn)產(chǎn)線不需要額外進(jìn)行產(chǎn)線的升級或改造，既可生產(chǎn)氧化物薄膜晶體管的顯示面板，從而進(jìn)一步使面板制造廠商更佳青睞氧化物薄膜晶體管。

氧化物薄膜晶體管的顯示面板包括陣列基板，陣列基板包括基底和形成在基底上的氧化物薄膜晶體管和鈍化層，氧化物薄膜晶體管包括有源層、源極和漏極，源極和漏極位于有源層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)，且分別與有源層的兩端相連，鈍化層覆蓋源極、漏極和有源層。為提高氧化物薄膜晶體管的電學(xué)特性，鈍化層的材料選用氧化硅，氧化硅在沉積過程中，沉積氣體可以在高溫的作用下電離產(chǎn)生氧離子，氧離子可以注入有源層內(nèi)，從而可以減少有源層內(nèi)的缺陷，相應(yīng)提高氧化物薄膜晶體管的電學(xué)特性，但是，由于源極和漏極的材料為電阻率較低的銅、鋁等金屬材料，上述金屬材料在高溫且氧離子濃度較高的條件下，容易發(fā)生氧化，導(dǎo)致其電阻率變大，從而使陣列基板的信號延遲量較大，進(jìn)而影響顯示面板的顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板和陣列基板的制備方法，用以至少部分解決現(xiàn)有陣列基板的源極和漏極容易被氧化的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括基底和形成在所述基底上的源極、漏極、有源層和鈍化層，所述有源層覆蓋所述源極和/或所述漏極，所述鈍化層覆蓋所述有源層。

優(yōu)選的，所述有源層覆蓋所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極同層設(shè)置；所述鈍化層與所述漏極對應(yīng)的位置形成有貫穿所述鈍化層和所述有源層的第一過孔；

所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極相連。

優(yōu)選的，所述有源層覆蓋所述源極；所述鈍化層上未與所述源極對應(yīng)的位置形成有貫穿所述鈍化層的第二過孔，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層相連；

所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極覆蓋所述漏極。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括形成在所述基底上的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述源極同層設(shè)置，所述有源層覆蓋所述數(shù)據(jù)線。

優(yōu)選的，所述有源層覆蓋所述漏極；所述鈍化層上未與所述漏極對應(yīng)的位置形成有貫穿所述鈍化層的第三過孔，所述源極通過所述第三過孔與所述有源層相連；所述鈍化層上與所述漏極對應(yīng)的位置形成有貫穿所述鈍化層和所述有源層的第四過孔；

所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極通過所述第四過孔與所述漏極相連。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括形成在所述基底上的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述源極同層設(shè)置，所述像素電極覆蓋所述數(shù)據(jù)線和/或所述源極。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括：

在基底上形成源極的圖形和/或漏極的圖形；

在形成有所述源極的圖形和/或所述漏極的圖形的基底上形成有源層的圖形，所述有源層的圖形覆蓋所述源極的圖形和/或所述漏極的圖形；

在形成有所述有源層的圖形的基底上形成鈍化層的圖形，所述鈍化層的圖形覆蓋所述有源層的圖形。

優(yōu)選的，所述在基底上形成源極的圖形和/或漏極的圖形的步驟具體包括：在所述基底上沉積源漏極薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述源極的圖形和所述漏極的圖形；

所述在形成有所述源極的圖形和/或所述漏極的圖形的基底上形成有源層的圖形的步驟具體包括：在形成有所述源極的圖形和所述漏極的圖形的基底上沉積有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形，所述有源層的圖形覆蓋所述源極的圖形和所述漏極的圖形；

所述在形成有所述有源層的圖形的基底上形成鈍化層的圖形的步驟具體包括：在形成有所述有源層的圖形的基底上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜與所述漏極的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿所述鈍化層薄膜和所述有源層薄膜的第一過孔，以形成鈍化層的圖形；

在形成所述第一過孔之后，所述方法還包括：在形成有所述鈍化層的圖形的基底上沉積像素電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，以使所述像素電極的圖形通過所述第一過孔與所述漏極的圖形相連。

優(yōu)選的，所述在基底上形成源極的圖形和/或漏極的圖形的步驟具體包括：在所述基底上沉積源極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成所述源極的圖形；

所述在形成有所述源極的圖形和/或所述漏極的圖形的基底上形成有源層的圖形的步驟具體包括：在形成有所述源極的圖形的基底上沉積有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形，所述有源層的圖形覆蓋所述源極的圖形；

所述在形成有所述有源層的圖形的基底上形成鈍化層的圖形的步驟具體包括：在形成有有源層的圖形的基底上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜未與所述源極的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿所述鈍化層薄膜的第二過孔，以形成鈍化層的圖形；

在形成所述第二過孔之后，所述方法還包括：在形成有所述鈍化層圖形的基底上沉積漏極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成漏極的圖形，以使所述漏極的圖形通過所述第二過孔與所述有源層的圖形相連；

在形成有所述漏極的圖形的基底上沉積像素電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，以使所述像素電極的圖形覆蓋所述漏極的圖形。

優(yōu)選的，所述在基底上形成源極的圖形和/或漏極的圖形的步驟具體包括：在所述基底上沉積漏極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成所述漏極的圖形；

所述在形成有所述源極的圖形和/或所述漏極的圖形的基底上形成有源層的圖形的步驟具體包括：在形成有所述漏極的圖形的基底上沉積有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形，所述有源層的圖形覆蓋所述漏極的圖形；

所述在形成有所述有源層的圖形的基底上形成鈍化層的圖形的步驟具體包括：在形成有所述有源層的圖形的基底上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜未與所述漏極的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿所述鈍化層薄膜的第三過孔，以形成鈍化層的圖形；

在形成所述第三過孔之后，所述方法還包括：在形成有所述鈍化層圖形的基底上沉積源極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成源極的圖形，以使所述源極的圖形通過所述第三過孔與所述有源層的圖形相連；

通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜與所述漏極的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿所述鈍化層薄膜和所述有源層薄膜的第四過孔；

在形成有所述第四過孔的基底上沉積像素電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，以使所述像素電極的圖形通過所述第四過孔與所述漏極的圖形相連。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括基底和形成在基底上的源極、漏極、有源層和鈍化層，通過將有源層覆蓋源極和/或漏極，且鈍化層覆蓋有源層，從而在鈍化層的沉積過程中，沉積氣體中氧離子僅與有源層接觸，且不會與源極和漏極接觸，相應(yīng)氧離子不會氧化源極和漏極的材料，進(jìn)而在保證陣列基板的電學(xué)特性的前提下，減小陣列基板的信號延遲量，相應(yīng)提高顯示面板的顯示效果。

附圖說明

圖1為本實(shí)施例1提供的在基底上形成源極和漏極的示意圖；

圖2為本實(shí)施例1提供的在基底上形成有源層的示意圖；

圖3為本實(shí)施例1提供的在基底上形成鈍化層的示意圖；

圖4為本實(shí)施例1提供的在基底上形成像素電極的示意圖；

圖5為本實(shí)施例2提供的在基底上形成源極的示意圖；

圖6為本實(shí)施例2提供的在基底上形成有源層的示意圖；

圖7為本實(shí)施例2提供的在基底上形成鈍化層的示意圖；

圖8為本實(shí)施例2提供的在基底上形成漏極的示意圖；

圖9為本實(shí)施例2提供的在基底上形成像素電極的示意圖；

圖10為本實(shí)施例3提供的在基底上形成漏極的示意圖；

圖11為本實(shí)施例3提供的在基底上形成有源層的示意圖；

圖12為本實(shí)施例3提供的在基底上形成鈍化層的示意圖；

圖13為本實(shí)施例3提供的在基底上形成源極的示意圖；

圖14為本實(shí)施例3提供的在基底上形成第四過孔的示意圖；

圖15為本實(shí)施例3提供的在基底上形成像素電極的示意圖。

圖例說明：

1、基底2、源極3、漏極4、有源層5、鈍化層6、像素電極7、第一過孔8、柵極9、柵極絕緣層10、第二過孔11、第三過孔12、第四過孔

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的一種陣列基板和陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，結(jié)合圖4、圖9和圖15所示，所述陣列基板包括基底1和形成在基底1上的源極2、漏極3、有源層4和鈍化層5，有源層4覆蓋源極2和/或漏極3，鈍化層5覆蓋有源層4。

有源層4的材料可以為金屬氧化物，優(yōu)選的，有源層4的材料為銦鎵鋅氧化物,這樣，有源層4的電子遷移率較快，且漏電流較低。為進(jìn)一步提高有源層4的電學(xué)特性，鈍化層5的材料為氧化硅，在氧化硅的沉積過程中，沉積氣體可以在高溫的作用下電離產(chǎn)生氧離子，氧離子可以注入有源層4內(nèi)，從而可以減少有源層4的缺陷，相應(yīng)提高有源層4的電學(xué)特性。為減小陣列基板的信號延遲量，源極2和漏極3的材料為銅、鋁、銅合金或鋁合金等低電阻率材料。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，將有源層4覆蓋源極2和/或漏極3，且鈍化層5覆蓋有源層4，從而在鈍化層5的沉積過程中，沉積氣體中氧離子僅與有源層4接觸，且不會與源極2和漏極3接觸，相應(yīng)氧離子不會氧化源極2和漏極3的材料，進(jìn)而在保證陣列基板的電學(xué)特性的前提下，減小陣列基板的信號延遲量，相應(yīng)提高顯示面板的顯示效果。

以下結(jié)合實(shí)施例1、2和3，以及附圖4、9和15對陣列基板的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。

實(shí)施例1

本發(fā)明實(shí)施例1提供一種陣列基板，如圖4所示，所述陣列基板包括基底1和形成在基底1上的源極2、漏極3、有源層4、鈍化層5和像素電極6，源極2和漏極3同層設(shè)置，有源層4覆蓋源極2和漏極3，鈍化層5覆蓋有源層4，鈍化層5與漏極3對應(yīng)的位置形成有貫穿鈍化層5和有源層4的第一過孔7，像素電極6覆蓋第一過孔7，且通過第一過孔7與漏極3相連。

具體的，源極2和漏極3同層設(shè)置是指，通過一次成膜工藝在基底1上沉積用于形成源極2和漏極3的膜層，并通過一次構(gòu)圖工藝形成源極2的圖形和漏極3的圖形。源極2和漏極3間隔設(shè)置，源極2和漏極3之間的水平距離為l1。有源層4覆蓋源極2和漏極3，以及位于源極2和漏極3之間的間隔區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例1提供的陣列基板，將有源層4覆蓋源極2和漏極3，且鈍化層5覆蓋有源層4，從而在鈍化層5的沉積過程中，由于源極2和漏極3均被有源層4覆蓋，因此，沉積氣體中的氧離子僅與有源層4接觸，且不會與源極2和漏極3接觸，相應(yīng)氧離子不會氧化源極2和漏極3的材料，進(jìn)而在保證陣列基板的電學(xué)特性的前提下，減小陣列基板的信號延遲量，相應(yīng)提高顯示面板的顯示效果。

需要說明的是，所述陣列基板還可以包括形成在基底1上的數(shù)據(jù)線(圖中未繪示)，數(shù)據(jù)線與源極2同層設(shè)置，且與源極2相連，用于為源極2提供驅(qū)動信號。優(yōu)選的，有源層4還覆蓋數(shù)據(jù)線，這樣，在鈍化層5的沉積過程中，沉積氣體中的氧離子不會氧化數(shù)據(jù)線的材料，從而可以進(jìn)一步的減小陣列基板的信號延遲量。

優(yōu)選的，有源層4完全覆蓋源極2、漏極3和數(shù)據(jù)線，這樣，可以更進(jìn)一步減小陣列基板的信號延遲量。

需要說明的是，漏極3與第一過孔7對應(yīng)的位置由于未有鈍化層5的覆蓋，因此當(dāng)該位置直接暴露在外界環(huán)境中時，容易被氧化，使陣列基板的信號延遲量較大。為進(jìn)一步減小陣列基板的信號延遲量，像素電極6完全覆蓋第一過孔7，以將漏極3與第一過孔7對應(yīng)的位置與外界環(huán)境隔離。

像素電極6的材料可以為透明導(dǎo)電電極，優(yōu)選的，像素電極6的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化錫鋁。

如圖4所示，所述陣列基板還可以包括柵極8和柵極絕緣層9，柵極8位于源極2和漏極3鄰近基底1的一側(cè)，且柵極8在基底1的投影與源極2、漏極3和有源層4在基底1的正投影均部分重合，柵極絕緣層9位于柵極8與源極2和漏極3之間，用于將柵極8與源極2和漏極3間隔。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例1是以陣列基板的結(jié)構(gòu)為底柵結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明的。當(dāng)然，陣列基板的結(jié)構(gòu)為頂柵結(jié)構(gòu)也是可行的，當(dāng)陣列基板的結(jié)構(gòu)為頂柵結(jié)構(gòu)時，柵極8位于鈍化層5遠(yuǎn)離基底1的一側(cè)。

實(shí)施例2

本發(fā)明實(shí)施例2提供一種陣列基板，實(shí)施例2提供的陣列基板和實(shí)施例1提供的陣列基板的區(qū)別在于：有源層4覆蓋源極2，且未覆蓋漏極3。

具體的，如圖9所示，有源層4覆蓋源極2，鈍化層5覆蓋有源層4，鈍化層5上未與源極2對應(yīng)的位置形成有貫穿鈍化層5的第二過孔10，漏極3覆蓋第二過孔10，且通過第二過孔10與有源層4相連，像素電極6覆蓋漏極3。

其中，源極2位于有源層4鄰近基底1的一側(cè)，漏極3位于鈍化層5遠(yuǎn)離基底1的一側(cè)，源極2和漏極3是通過兩次構(gòu)圖工藝分別形成的，源極2和漏極3之間的水平距離為l2。

本發(fā)明實(shí)施例2提供的陣列基板，將有源層4覆蓋源極2，鈍化層5覆蓋有源層4，且鈍化層5上未與源極2對應(yīng)的位置形成有貫穿鈍化層5的第二過孔10，以使漏極3通過第二過孔10與有源層4相連，從而在鈍化層5的沉積過程中，由于源極2被有源層4覆蓋，且漏極3位于鈍化層5遠(yuǎn)離基底1的一側(cè)，因此，沉積氣體中的氧離子僅與有源層4接觸，且不會與源極2和漏極3接觸，相應(yīng)氧離子不會氧化源極2和漏極3的材料，進(jìn)而在保證陣列基板的電學(xué)特性的前提下，減小陣列基板的信號延遲量，相應(yīng)提高顯示面板的顯示效果。

優(yōu)選的，像素電極6完全覆蓋漏極3，這樣，像素電極6可以將漏極3與外界環(huán)境完全隔離，從而避免漏極3在外界環(huán)境的作用下發(fā)生氧化，進(jìn)而減小陣列基板的信號延遲量。

實(shí)施例2與實(shí)施例1相比，實(shí)施例1中的源極2和漏極3是通過一次構(gòu)圖工藝形成，因此，實(shí)施例1的陣列基板的制備工藝簡單。但是，實(shí)施例1中的源極2和漏極3之間的水平距離l1受構(gòu)圖工藝的分辨率的限制，源極2和漏極3之間的水平距離l1大于或等于構(gòu)圖工藝的分辨率，而實(shí)施例2中的源極2和漏極3之間的水平距離l2，由于源極2和漏極3是通過兩次構(gòu)圖工藝分別形成的，因此源極2和漏極3之間的水平距離l2不受構(gòu)圖工藝的分辨率的限制，源極2和漏極3之間的水平距離l2可以小于構(gòu)圖工藝的分辨率，因此，實(shí)施例2中源極2和漏極3所占的面積較小，相應(yīng)實(shí)施例2的陣列基板的開口率較高。

實(shí)施例3

本發(fā)明實(shí)施例3提供一種陣列基板，實(shí)施例3提供的陣列基板和實(shí)施例2提供的陣列基板的區(qū)別在于：有源層4覆蓋漏極3，且未覆蓋源極2。

具體的，如圖15所示，有源層4覆蓋漏極3，鈍化層5覆蓋有源層4，鈍化層5上未與漏極3對應(yīng)的位置形成有貫穿鈍化層5的第三過孔11，源極2覆蓋第三過孔11，且通過第三過孔11與有源層4相連，鈍化層5上與漏極3對應(yīng)的位置形成有貫穿鈍化層5和有源層4的第四過孔12，像素電極6覆蓋第四過孔12，且通過第四過孔12與漏極3相連。

本發(fā)明實(shí)施例3提供的陣列基板，將有源層4覆蓋漏極3，鈍化層5覆蓋有源層4，鈍化層5上未與漏極3對應(yīng)的位置形成有貫穿鈍化層5的第三過孔11，源極2覆蓋第三過孔11，且通過第三過孔11與有源層4相連，從而在鈍化層5的沉積過程中，由于漏極3被有源層4覆蓋，且源極2位于鈍化層5遠(yuǎn)離基底1的一側(cè)，因此，沉積氣體中的氧離子不會與源極2和漏極3接觸，相應(yīng)氧離子不會氧化源極2和漏極3的材料，進(jìn)而在保證陣列基板的電學(xué)特性的前提下，減小陣列基板的信號延遲量，相應(yīng)提高顯示面板的顯示效果。

優(yōu)選的，像素電極6覆蓋數(shù)據(jù)線和/或源極2，這樣，像素電極6可以將數(shù)據(jù)線和/或源極2與外界環(huán)境隔離，從而避免數(shù)據(jù)線和/或源極2在外界環(huán)境的作用下發(fā)生氧化，進(jìn)而減小陣列基板的信號延遲量。

實(shí)施例3與實(shí)施例2相比，實(shí)施例3中鈍化層5需要額外形成用于使像素電極6與漏極3連通的第四過孔12，因此，實(shí)施例2的陣列基板的制備工藝更為簡單，實(shí)施例2相比于實(shí)施例3為優(yōu)選實(shí)施例。

實(shí)施例4

本發(fā)明實(shí)施例4提供一種顯示面板，包括上述實(shí)施例1、2和3中任意一種陣列基板。所述顯示面板可以為液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板、電子紙、柔性顯示面板、觸摸屏等任何具有薄膜晶體管器件的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，以下結(jié)合圖1至15對陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。

本發(fā)明是以陣列基板為底柵結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明的，首先在基底1上沉積柵極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵極8的圖形，然后在形成有柵極8的圖形的基底1沉積柵極絕緣層薄膜，以形成柵極絕緣層9的圖形。

結(jié)合圖1至15所示，在形成柵極8的圖形和柵極絕緣層9的圖形之后，所述方法包括以下步驟：

步驟1，在基底1上形成源極2的圖形和/或漏極3的圖形。

具體的，在基底1上沉積源極和/或漏極金屬薄膜，并在源極和/或漏極金屬薄膜上涂覆正性光刻膠，然后采用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成源極2的圖形和/或漏極3的圖形。源極和/或漏極金屬薄膜的材料可以為銅、鋁、銅合金或鋁合金。

步驟2，在形成有源極2的圖形和/或漏極3的圖形的基底1上形成有源層4的圖形，有源層4的圖形覆蓋源極2的圖形和/或漏極3的圖形。

具體的，在形成有源極2和/或漏極3的基底1上沉積有源層薄膜，并在有源層薄膜上涂覆正性光刻膠，然后采用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成有源層4的圖形，有源層4的圖形覆蓋源極2和/或漏極3的圖形。有源層薄膜的材料可以為金屬氧化物，例如銦鎵鋅氧化物。

步驟3，在形成有有源層4的圖形的基底1上形成鈍化層5的圖形，鈍化層5的圖形覆蓋有源層4的圖形。

具體的，在形成有有源層4的基底1上沉積鈍化層薄膜，并在鈍化層薄膜上涂覆正性光刻膠，然后采用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成過孔，以形成鈍化層5的圖形。鈍化層薄膜的材料可以為氧化硅。

本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法，首先在基底1上形成源極2的圖形和/或漏極3的圖形，然后在基底1上形成有源層4的圖形，有源層4的圖形覆蓋源極2的圖形和/或漏極3的圖形，再在基底1上形成鈍化層5的圖形，鈍化層5的圖形覆蓋有源層4的圖形，從而在鈍化層5的沉積過程中，沉積氣體中的氧離子不會與源極2和漏極3接觸，相應(yīng)氧離子不會氧化源極2和漏極3的材料，進(jìn)而在保證陣列基板的電學(xué)特性的前提下，減小陣列基板的信號延遲量，相應(yīng)提高顯示面板的顯示效果。

以下結(jié)合實(shí)施例5、6和7，以及附圖1至15對陣列基板的制備方法的具體步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。

實(shí)施例5

結(jié)合圖1至圖4所示，在形成柵極8的圖形和柵極絕緣層9的圖形之后，所述方法具體包括以下步驟：

步驟11，在基底1上沉積源漏極金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成源極2的圖形和漏極3的圖形。

步驟12，在形成有源極2的圖形和漏極3的圖形的基底1上沉積有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層4的圖形，有源層4的圖形覆蓋源極2的圖形和漏極3的圖形。

步驟13，在形成有有源層4的圖形的基底1上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層薄膜與漏極3的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿鈍化層薄膜和有源層薄膜的第一過孔7，以形成鈍化層5的圖形。

在形成第一過孔7之后，所述方法還包括：

步驟14，在形成有鈍化層5的圖形的基底1上沉積像素電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極6的圖形，以使像素電極6的圖形通過第一過孔7與漏極3的圖形相連。

具體的，可以在像素電極薄膜上涂覆正性光刻膠，然后采用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成像素電極6的圖形。像素電極薄膜的材料可以為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化錫鋁。

實(shí)施例6

結(jié)合圖5至圖9所示，在形成柵極8的圖形和柵極絕緣層9的圖形之后，所述方法具體包括以下步驟：

步驟21，在基底1上沉積源極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成源極2的圖形。

步驟22，在形成有源極2的圖形的基底1上沉積有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層4的圖形，有源層4的圖形覆蓋源極2的圖形。

步驟23，在形成有有源層4的圖形的基底1上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層薄膜未與源極2的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿鈍化層薄膜的第二過孔10，以形成鈍化層5的圖形。

在形成第二過孔10之后，所述方法還包括：

步驟24,在形成有鈍化層5的圖形的基底1上沉積漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成漏極3的圖形，以使漏極3的圖形通過第二過孔10與有源層4的圖形相連。

步驟25，在形成漏極3的圖形的基底1上沉積像素電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極6的圖形，以使像素電極6的圖形覆蓋漏極3的圖形。

實(shí)施例7

結(jié)合圖10至圖15所示，在形成柵極8的圖形和柵極絕緣層9的圖形之后，所述方法具體包括以下步驟：

步驟31，在基底1上沉積漏極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成漏極3的圖形。

步驟32，在形成有漏極3的圖形的基底1上沉積有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層4的圖形，有源層4的圖形覆蓋漏極3的圖形。

步驟33，在形成有有源層4的圖形的基底1上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層薄膜未與漏極3的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿鈍化層薄膜的第三過孔11，以形成鈍化層5的圖形。

在形成第三過孔11之后，所述方法還包括：

步驟34，在形成有鈍化層5的圖形的基底1上沉積源極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成源極2的圖形，以使源極2的圖形通過第三過孔11與有源層4的圖形相連。

步驟35，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層薄膜與漏極3的圖形對應(yīng)的位置形成貫穿鈍化層薄膜和有源層薄膜的第四過孔12。

步驟36，在形成第四過孔12的基底1上沉積像素電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極6的圖形，以使像素電極6的圖形通過第四過孔12與漏極3的圖形相連。

需要說明的是，步驟33與步驟35也可以同時執(zhí)行，具體的，在形成有有源層4的圖形的基底1上沉積鈍化層薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝同步形成第三過孔11和第四過孔12。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。