本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種tft驅(qū)動背板的制作方法。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)是目前液晶顯示裝置(liquidcrystaldisplay，lcd)和有源矩陣驅(qū)動式有機電致發(fā)光顯示裝置(activematrixorganiclight-emittingdiode，簡稱amoled)中的主要驅(qū)動元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。

薄膜晶體管具有多種結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管有源層的材料也具有多種，其中，金屬氧化物薄膜晶體管(metaloxidetft)具有場效應(yīng)遷移率高(≥10cm²/v·s)、制備工藝簡單、大面積沉積均勻性好、響應(yīng)速度快及可見光范圍內(nèi)透過率高等特點，被認(rèn)為是顯示器朝著大尺寸及柔性化方向發(fā)展的最有潛力的背板技術(shù)。

由于金屬氧化物薄膜對酸非常敏感，即便是弱酸也能快速腐蝕氧化物半導(dǎo)體，同時，tft器件中金屬氧化物半導(dǎo)體層通常設(shè)置的很薄，一般在30-50nm之間，即便在500:1比例稀釋的氫氟酸(hf)中，只需要幾秒鐘就可以被刻蝕完，而大多數(shù)金屬則需要在強酸下刻蝕，并且速率較慢，因此，對于底柵結(jié)構(gòu)的金屬氧化物薄膜晶體管，在金屬氧化物半導(dǎo)體上刻蝕金屬層而形成源、漏電極時很容易破壞金屬氧化物半導(dǎo)體本身，所以頂柵型(topgate)金屬氧化物薄膜晶體管結(jié)構(gòu)就成為目前主要的發(fā)展方向。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的頂柵型金屬氧化物的tft驅(qū)動背板主要包括：襯底基板100、緩沖層(buffer)200、有源層300、柵絕緣層450、柵金屬層400、層間絕緣層(interlayerdielectric，ild)500、源極610、漏極620、鈍化層(pv)700和像素電極800，進(jìn)一步地，為了避免光線照射到有源層300而影響薄膜晶體管的性能，在tft驅(qū)動背板中，在緩沖層200與襯底基板100之間還設(shè)置有避免光線照射到有源層300上的金屬屏蔽層900。

隨著像素技術(shù)開發(fā)的需求，如何增大存儲電容成為一個重要的關(guān)注點，現(xiàn)有技術(shù)中為達(dá)到增大存儲電容的目的，如圖1所示，在薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)的驅(qū)動背板中，利用位于緩沖層200下方的金屬屏蔽層900與后續(xù)的柵金屬層400形成存儲電容來增大存儲電容。具體地，為了在金屬屏蔽層900上施加信號，金屬屏蔽層900需要通過位于層間絕緣層500上的連接部550與后續(xù)設(shè)置的公共電極等電性連接；其中，連接部550需要通過貫穿緩沖層200和層間絕緣層500的第一過孔250與金屬屏蔽層900電性連接，因此需要對緩沖層200以及層間絕緣層500進(jìn)行蝕刻開孔，由于有源層300上方的用于使有源層300與源極610和漏極620相連接的第二過孔580的深度小于該第一過孔250的深度，如果選擇對緩沖層200和層間絕緣層500一次蝕刻開孔完成，那么有源層300上與源極610和漏極620相接觸的源漏極接觸區(qū)就會被長時間過刻，從而影響薄膜晶體管的性能，另一方面，所述緩沖層200通常都具有一定的厚度，因此如果緩沖層200太厚就會減弱存儲電容的電容效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種tft驅(qū)動背板的制作方法，能夠避免緩沖層和層間絕緣層一起開孔所造成的器件電性異常，并能夠有效提高存儲電容的電荷存儲能力，減小存儲電容所占用面積，增大開口率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種tft驅(qū)動背板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s1、提供一基板，在所述基板上劃分出并列排布的tft形成區(qū)和電容形成區(qū)，在所述基板上沉積形成金屬屏蔽層，對該金屬屏蔽層進(jìn)行圖案化處理得到分別位于所述tft形成區(qū)和電容形成區(qū)上方的金屬遮光塊和屏蔽層電極塊；

步驟s2、在所述金屬遮光塊、屏蔽層電極塊及基板上依次沉積形成緩沖層及金屬氧化物半導(dǎo)體層，對該金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化處理得到對應(yīng)位于所述金屬遮光塊上方的有源層；

步驟s3、對所述緩沖層進(jìn)行圖案化處理，在所述屏蔽層電極塊的上方形成相間隔的電容增大槽及第一過孔；

步驟s4、在所述緩沖層及有源層上依次沉積形成絕緣層及柵極金屬層，對該柵極金屬層和絕緣層進(jìn)行圖案化處理，由該柵極金屬層得到位于所述tft形成區(qū)上方的柵極及對應(yīng)位于所述電容增大槽上方的柵層電極塊，由該絕緣層得到對應(yīng)位于柵極和柵層電極塊下方的柵極絕緣層；

步驟s5、在所述柵極、有源層及緩沖層上沉積形成層間絕緣層，對該層間絕緣層進(jìn)行圖案化處理，在所述層間絕緣層上形成對應(yīng)于所述第一過孔上方與該第一過孔相連通的第二過孔以及分別對應(yīng)于所述有源層兩側(cè)上方的第三過孔與第四過孔；

步驟s6、在所述層間絕緣層上沉積形成源漏極金屬層，對該源漏極金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到對應(yīng)位于所述屏蔽層電極塊上方的信號連接塊以及分別位于所述tft形成區(qū)上方的源極與漏極，所述信號連接塊通過所述第一過孔和第二過孔與所述屏蔽層電極塊相接觸，所述源極和漏極分別通過第三過孔、第四過孔與所述有源層的兩側(cè)相接觸。

所述步驟s1中，所沉積形成的金屬屏蔽層的厚度為所述金屬屏蔽層的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種的合金。

所述步驟s2中，所沉積形成的緩沖層的厚度為所述緩沖層為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合。

所述步驟s2中，所沉積形成的金屬氧化物半導(dǎo)體層的厚度為所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物或銦鎵鋅錫氧化物。

所述步驟s4還包括，以所述柵極及柵極絕緣層為阻擋層，通過等離子摻雜工藝對所述有源層進(jìn)行離子摻雜，使得所述有源層上未被所述柵極與柵極絕緣層覆蓋的區(qū)域的導(dǎo)電性增強。

所述步驟s4中，所沉積形成的絕緣層厚度為所述絕緣層為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合；所沉積形成的柵極金屬層厚度為所述柵極金屬的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種的合金。

所述步驟s5中，所沉積形成的層間絕緣層的厚度為所述層間絕緣層為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合。

所述步驟s6中，所沉積形成的源漏極金屬層的厚度為所述源漏極金屬層的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種的合金。

所述的tft驅(qū)動背板的制作方法還包括步驟s7、在所述層間絕緣層、信號連接塊、源極及漏極上沉積形成鈍化層，對該鈍化層進(jìn)行圖案化處理，在所述鈍化層上形成對應(yīng)于所述漏極上方的第五過孔，在所述鈍化層上沉積并圖案化形成像素電極，所述像素電極通過第五過孔與所述漏極相接觸。

所述步驟s7中，所沉積形成的鈍化層的厚度為所述鈍化層為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種tft驅(qū)動背板的制作方法，先在緩沖層上于屏蔽層電極塊的上方形成電容增大槽和第一過孔，在電容增大槽上方形成柵層電極塊，再在層間絕緣層上形成與第一過孔相連通的第二過孔，后續(xù)信號連接塊通過所述第一過孔和第二過孔與所述屏蔽層電極塊相接觸，通過先后在緩沖層和層間絕緣層上分別形成第一過孔和第二過孔，避免了對緩沖層和層間絕緣層一起開孔所造成的器件電性異常，并且通過在緩沖層上設(shè)置電容增大槽，相對于現(xiàn)有技術(shù)，減薄了柵層電極塊與屏蔽層電極塊所形成的存儲電容的介質(zhì)層的厚度，從而有效提高了存儲電容的電荷存儲能力，進(jìn)而可使存儲電容所占用的面積相應(yīng)減小，增大tft驅(qū)動背板的開口率。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有一tft驅(qū)動背板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法的步驟s1的示意圖；

圖4-5為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法的步驟s2的示意圖；

圖6為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法的步驟s3的示意圖；

圖7-9為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法的步驟s4的示意圖；

圖10-11為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法的步驟s5的示意圖；

圖12-13為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法的步驟s6的示意圖；

圖14-15為本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法一具體實施例中步驟s7的示意圖。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖2，本發(fā)明提供一種tft驅(qū)動背板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s1、如圖3所示，提供一基板10，在所述基板10上劃分出并列排布的tft形成區(qū)和電容形成區(qū)，在所述基板10上沉積形成金屬屏蔽層，依次利用黃光工藝和刻蝕工藝對該金屬屏蔽層進(jìn)行圖案化處理，得到分別位于所述tft形成區(qū)和電容形成區(qū)上方的金屬遮光塊101和屏蔽層電極塊102。

具體地，所述步驟s1中，所沉積形成的金屬屏蔽層的厚度為所述金屬屏蔽層的材料為鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)、鈦(ti)中的一種或多種的合金。

步驟s2、如圖4-5所示，在所述金屬遮光塊101、屏蔽層電極塊102及基板10上依次沉積形成緩沖層20及金屬氧化物半導(dǎo)體層30，依次利用黃光工藝和刻蝕工藝對該金屬氧化物半導(dǎo)體層30進(jìn)行圖案化處理得到對應(yīng)位于所述金屬遮光塊101上方的有源層35。

具體地，所述步驟s2中，所沉積形成的緩沖層20的厚度為所述緩沖層20為氧化硅(siox)層、氮化硅(sinx)層或兩者的組合。

具體地，所述步驟s2中，所沉積形成的金屬氧化物半導(dǎo)體層30的厚度為所述金屬氧化物半導(dǎo)體層30的材料為銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鋅錫氧化物(izto)或銦鎵鋅錫氧化物(igzto)。

步驟s3、如圖6所示，依次利用黃光工藝和刻蝕工藝對所述緩沖層20進(jìn)行圖案化處理，在所述屏蔽層電極塊102的上方形成相間隔的電容增大槽21及第一過孔22。

具體地，該步驟s3中所形成的電容增大槽21對應(yīng)于后續(xù)形成的存儲電容的區(qū)域，通過在緩沖層20上形成電容增大槽21，可以減薄存儲電容兩片電極之間的介質(zhì)層的厚度，進(jìn)而提高存儲電容的電荷存儲能力。

步驟s4、如圖7-9所示，在所述緩沖層20及有源層35上依次沉積形成絕緣層40及柵極金屬層50，對該柵極金屬層50和絕緣層40進(jìn)行圖案化處理，由該柵極金屬層50得到位于所述tft形成區(qū)上方的柵極55及對應(yīng)位于所述電容增大槽21上方的柵層電極塊52，由該絕緣層40得到對應(yīng)位于柵極55和柵層電極塊52下方的柵極絕緣層45。

具體地，該步驟s4中所形成的柵層電極塊52與其下方的屏蔽層電極塊102共同構(gòu)成了存儲電容，由于柵層電極塊52與屏蔽層電極塊102之間的緩沖層20上開設(shè)了電容增大槽21，相對于現(xiàn)有技術(shù)，相當(dāng)于減薄了存儲電容中介質(zhì)層的厚度，從而增大了該存儲電容的電荷存儲能力。

具體地，所述步驟s4中對柵極金屬層50及絕緣層40進(jìn)行圖案化處理的具體過程為，經(jīng)過曝光、顯影制程在所述柵極金屬層50上制作圖案化的光阻層58，然后以該光阻層58為遮蔽層，對柵極金屬層50進(jìn)行蝕刻，得到對應(yīng)圖案的柵極55和柵層電極塊52，然后通過自對準(zhǔn)技術(shù)，繼續(xù)對絕緣層40進(jìn)行蝕刻，便可得到與柵極55和柵層電極塊52的圖案相同的柵極絕緣層45

具體地，所述步驟s4還包括，以所述柵極55及柵極絕緣層45為阻擋層，通過等離子摻雜工藝對所述有源層35進(jìn)行p型離子摻雜或n型離子摻雜，分別用于形成p型tft或n型tft，使得所述有源層35上未被所述柵極55與柵極絕緣層45覆蓋的區(qū)域的導(dǎo)電性增強而形成源漏極接觸區(qū)，未被摻雜的區(qū)域形成溝道區(qū)。

具體地，所述步驟s4中，所沉積形成的絕緣層40的厚度為所述絕緣層40為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合；所沉積形成的柵極金屬層50厚度為所述柵極金屬層50的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種的合金。

步驟s5、如圖10-11所示，在所述柵極55、有源層35及緩沖層20上沉積形成層間絕緣層60，依次利用黃光工藝和刻蝕工藝對該層間絕緣層60進(jìn)行圖案化處理，在所述層間絕緣層60上形成對應(yīng)于所述第一過孔22上方與該第一過孔22相連通的第二過孔62以及分別對應(yīng)于所述有源層35兩側(cè)上方的第三過孔63與第四過孔64。

具體地，所述步驟s5中，所沉積形成的層間絕緣層60的厚度為所述層間絕緣層60為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合。

步驟s6、如圖12-13所示，在所述層間絕緣層60上沉積形成源漏極金屬層70，依次利用黃光工藝和刻蝕工藝對該源漏極金屬層70進(jìn)行圖案化處理，得到對應(yīng)位于所述屏蔽層電極塊102上方的信號連接塊72以及分別位于所述tft形成區(qū)上方的源極73與漏極74，所述信號連接塊72通過所述第一過孔22和第二過孔62與所述屏蔽層電極塊102相接觸，從而由該信號連接塊72對該屏蔽層電極塊102輸入信號，所述源極73和漏極74分別通過第三過孔63、第四過孔64與所述有源層35的兩側(cè)相接觸。

具體地，所述步驟s6中，所沉積形成的源漏極金屬層70的厚度為所述源漏極金屬層70的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種的合金。

步驟s7、如圖14-15所示，在所述層間絕緣層60、信號連接塊72、源極73及漏極74上沉積鈍化層80，依次利用黃光工藝和刻蝕工藝對該鈍化層80進(jìn)行圖案化處理，在所述鈍化層80上形成對應(yīng)于所述漏極74上方的第五過孔85，在所述鈍化層80上沉積并圖案化形成像素電極90，所述像素電極90通過第五過孔85與所述漏極74相接觸。

具體地，所述步驟s7中，所沉積形成的鈍化層80的厚度為所述鈍化層80為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合。

本發(fā)明的tft驅(qū)動背板的制作方法，通過先后在緩沖層20和層間絕緣層60上分別形成第一過孔22和第二過孔62，從而避免了對緩沖層20和層間絕緣層60一起開孔所造成的器件電性異常，并且通過在緩沖層20上設(shè)置電容增大槽，相對于現(xiàn)有技術(shù)，減薄了柵層電極塊52與屏蔽層電極塊102所形成的存儲電容的介質(zhì)層的厚度，從而有效提高了存儲電容的電荷存儲能力，進(jìn)而可使存儲電容所占用的面積相應(yīng)減小，增大tft驅(qū)動背板的開口率。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種tft驅(qū)動背板的制作方法，先在緩沖層上于屏蔽層電極塊的上方形成電容增大槽和第一過孔，在電容增大槽上方形成柵層電極塊，再在層間絕緣層上形成與第一過孔相連通的第二過孔，后續(xù)信號連接塊通過所述第一過孔和第二過孔與屏蔽層電極塊相接觸，通過先后在緩沖層和層間絕緣層上分別形成第一過孔和第二過孔，從而避免了對緩沖層和層間絕緣層一起開孔所造成的器件電性異常，并且通過在緩沖層上設(shè)置電容增大槽，相對于現(xiàn)有技術(shù)，減薄了柵層電極塊與屏蔽層電極塊所形成的存儲電容的介質(zhì)層的厚度，從而有效提高了存儲電容的電荷存儲能力，進(jìn)而可使存儲電容所占用的面積相應(yīng)減小，增大tft驅(qū)動背板的開口率。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。