技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種TFT驅(qū)動背板的制作方法，先在緩沖層上于屏蔽層電極塊的上方形成電容增大槽和第一過孔，在電容增大槽上方形成柵層電極塊，再在層間絕緣層上形成與第一過孔相連通的第二過孔，后續(xù)信號連接塊通過所述第一過孔和第二過孔與屏蔽層電極塊相接觸，本發(fā)明通過先后在緩沖層和層間絕緣層上分別形成第一過孔和第二過孔，避免了對緩沖層和層間絕緣層一起開孔所造成的器件電性異常，并且通過在緩沖層上設(shè)置電容增大槽，相對于現(xiàn)有技術(shù)，減薄了柵層電極塊與屏蔽層電極塊所形成的存儲電容的介質(zhì)層的厚度，從而有效提高了存儲電容的電荷存儲能力，進而可使存儲電容所占用的面積相應減小，增大TFT驅(qū)動背板的開口率。

技術(shù)研發(fā)人員：周星宇
受保護的技術(shù)使用者：深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.19
技術(shù)公布日：2017.11.07