技術(shù)編號(hào)：12888874
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板和陣列基板的制備方法。背景技術(shù)薄膜晶體管(ThinFilmTransistorCrystal，TFT)根據(jù)有源層的不同材料，可以劃分為非晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管，其中，氧化物薄膜晶體管，例如銦鎵鋅氧化物(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)薄膜晶體管由于具有電子遷移率高、透明性好、漏電流低等優(yōu)點(diǎn)，因此，備受面板制造廠商的青睞，而且，氧化物薄膜晶體管的制備工藝與非晶硅薄膜晶體管的制備工藝兼容性較好，現(xiàn)有非晶硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。