技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲器及其制造方法，包括：半導(dǎo)體襯底，形成有多個內(nèi)存數(shù)組結(jié)構(gòu)中的第一焊盤以及內(nèi)存數(shù)組結(jié)構(gòu)之外且位于所述第一焊盤外周的若干第二焊盤；雙面電容器陣列，形成于所述第一焊盤上，所述雙面電容器包括雙U型的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層、電容介質(zhì)以及第三導(dǎo)電層；及支架筒，形成于所述第二焊盤上，所述支架筒包括無電性功能的虛置孔。本發(fā)明以多重圖案方法以及邊界工藝強化的支撐架結(jié)構(gòu)，制造出六方陣列排布的雙U型下電極的雙面電容器，具有較大的高度與寬度比，可有效提高單位面積下的電容值。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護的技術(shù)使用者：睿力集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.25
技術(shù)公布日：2017.10.27