技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種超結(jié)型溝槽功率MOSFET器件及其制備方法。超結(jié)型溝槽功率MOSFET器件包括：襯底；外延層，形成于所述襯底表面；若干第一溝槽，形成于外延層且貫穿外延層，該第一溝槽底部與襯底接觸；氧化層，沿所述第一溝槽底部和側(cè)壁連續(xù)形成，氧化層在第一溝槽側(cè)壁傾斜配置；多晶硅層，填滿于配置有氧化層的第一溝槽中；P型注入?yún)^(qū)與N型注入?yún)^(qū)，交替形成于包含填充部分的外延層表面；其中，部分N型注入?yún)^(qū)與多晶硅層表面接觸，另一部分N型注入?yún)^(qū)與外延層表面接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：楊東;林河北;鄭方偉;李龍;杜永琴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.13
技術(shù)公布日：2017.10.27