本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu),且特別是有關(guān)于一種用于有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
由于有機(jī)電致發(fā)光顯示面板(例如有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiodes,oleds)顯示面板)具有主動發(fā)光、高對比、薄厚度與廣視角等優(yōu)點(diǎn),可望成為新一代平面顯示面板的主流產(chǎn)品。
oled顯示面板因?yàn)榫哂泄舱袂恍?yīng),借由適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)設(shè)計可展現(xiàn)出其高效率與高色純度。在現(xiàn)有技術(shù)的并列式(sidebyside,sbs)oled顯示面板中,發(fā)光層一般需要使用精細(xì)金屬罩幕(finemetalmask,fmm)針對rgb子像素分別進(jìn)行蒸鍍。為了滿足共振腔效應(yīng),除了發(fā)光層外,其它層別仍需使用到fmm以分別來調(diào)整個別rgb子像素的光色及強(qiáng)度。
然而,fmm技術(shù)需要高額成本與精準(zhǔn)對位。更明確的說,fmm不僅相鄰開口的間距有其極限,使用上還需與基板精準(zhǔn)對位并調(diào)校相關(guān)的工藝參數(shù)以得到最佳化的蒸鍍結(jié)果,避免混色等問題。這些技術(shù)瓶頸都直接地影響了rgb子像素間的間距及面板解析度的設(shè)計。有鑒于此,亟需一種可減少fmm的使用次數(shù)從而降低生產(chǎn)成本及工藝難度,并可同時保有現(xiàn)有技術(shù)的oled元件表現(xiàn)的像素結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種像素結(jié)構(gòu),可減少使用精細(xì)金屬罩幕(finemetalmask,fmm)的次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本并減少工藝難度。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu),包括基板、第一電極層、第二電極層、第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層及增厚層?;灏ǖ谝蛔酉袼貐^(qū)域、第二子像素區(qū)域以及第三子像素區(qū)域。第一電極層配置在基板上,且位于第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域以及第三子像素區(qū)域中。第二電極層配置在第一電極層上,且位于第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域以及第三子像素區(qū)域中。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層及第三發(fā)光層配置在第一電極層與第二電極層之間,其中第一發(fā)光層位于第一子像素區(qū)域中,第二發(fā)光層位于第二子像素區(qū)域中,第三發(fā)光層位于第二子像素區(qū)域及第三子像素區(qū)域中,且第三發(fā)光層與第二發(fā)光層于第二子像素區(qū)域中相重疊。第一發(fā)光層及第二發(fā)光層配置于增厚層相對于第一電極層的一側(cè),以及增厚層為一單一結(jié)構(gòu)層且僅位于第一子像素區(qū)域及第二子像素區(qū)域中。
本發(fā)明的技術(shù)效果在于:
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中,透過第三發(fā)光層位于第二子像素區(qū)域及第三子像素區(qū)域中,第三發(fā)光層與第二發(fā)光層于第二子像素區(qū)域中相重疊,第一發(fā)光層及第二發(fā)光層配置于增厚層相對于第一電極層的一側(cè),以及增厚層為一單一結(jié)構(gòu)層且增厚層僅位于第一子像素區(qū)域及第二子像素區(qū)域中,借此使得像素結(jié)構(gòu)可在維持良好元件表現(xiàn)的情況下減少fmm的使用次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本及工藝難度并提升應(yīng)用性。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,但不作為對本發(fā)明的限定。
附圖說明
圖1是依照本發(fā)明的第一實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
圖2是圖1的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖;
圖3是依照本發(fā)明的第二實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
圖4是圖3的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖;
圖5是依照本發(fā)明的第三實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
圖6是圖5的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖;
圖7是依照本發(fā)明的第四實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
圖8是圖7的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖。
其中,附圖標(biāo)記
10、20、30、40:像素結(jié)構(gòu)
100:基板
100a:第一子像素區(qū)域
100b:第二子像素區(qū)域
100c:第三子像素區(qū)域
110:元件層
120:第一電極層
120a、120b、120c、250a、250b、450a、450b:電極圖案
130:電洞注入層
140、150:電洞傳輸層
160、360:第一發(fā)光層
162、362:第二發(fā)光層
164、364:第三發(fā)光層
170:電子傳輸層
180:電子注入層
190:第二電極層
250、450:第三電極層
ia、id:第一色光
ib、ie:第二色光
ic、if:第三色光
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)例如可應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中?;诖?,雖然為了詳細(xì)地說明本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計,以下是以單一像素結(jié)構(gòu)為例來作說明,但任何本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可以了解,有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板一般包括由多個相同或相似的像素結(jié)構(gòu)陣列排列而成的像素陣列。因此,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)以下針對單一像素結(jié)構(gòu)的說明,而了解有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的像素陣列的結(jié)構(gòu)或布局。
圖1是依照本發(fā)明的第一實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖1,像素結(jié)構(gòu)10包括基板100、第一電極層120、第二電極層190、第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162、第三發(fā)光層164以及增厚層(增厚層舉例為電洞傳輸層(holetransportlayer,htl)150)。另外,在本實(shí)施方式中,顯示裝置10更可包括元件層110、電洞注入層(holeinjectionlayer,hil)130、電洞傳輸層(holetransportlayer,htl)140、電子傳輸層(electrontransportlayer,etl)170、電子注入層(electroninjectionlayer,eil)180。
基板100包括第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c。在本實(shí)施方式中,第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c分別用于顯示不同顏色的光。在本實(shí)施方式中,基板100可至少包括第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c,或是僅由第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c所構(gòu)成。在本實(shí)施方式中,第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c可以并列(sidebyside)方式排列,亦即第一子像素區(qū)域100a與第二子像素區(qū)域100b相鄰設(shè)置,且第二子像素區(qū)域100b與第三子像素區(qū)域100c相鄰設(shè)置,但不以此為限。另外,在本實(shí)施方式中,基板100的材質(zhì)例如是玻璃、石英、有機(jī)聚合物或是金屬等等。
元件層110配置于基板100上。在本實(shí)施方式中,元件層110可以是任何本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知的任一種主動元件層。具體而言,在本實(shí)施方式中,元件層110可包括多個薄膜晶體管(thinfilmtransistor,tft)、電容器等驅(qū)動元件,然本發(fā)明不限于此。
第一電極層120配置于基板100上。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第一電極層120包括彼此分離的電極圖案120a、電極圖案120b及電極圖案120c,其中電極圖案120a位于第一子像素區(qū)域100a中,電極圖案120b位于第二子像素區(qū)域100b中,而電極圖案120c位于第三子像素區(qū)域100c中。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一電極層120為經(jīng)圖案化的電極層,且第一電極層120位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c中。
在本實(shí)施方式中,第一電極層120可利用任何本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知的任一種制造電極層的方法來形成。舉例而言,在一實(shí)施方式中,形成第一電極層120的方法包括以下步驟:使用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)工藝或物理氣相沉積(physicalvapordeposition,pvd)工藝于基板100上形成電極材料層,并接著使用微影蝕刻(lithographyetching)工藝對電極材料層進(jìn)行圖案化。舉另一例而言,在一實(shí)施方式中,形成第一電極層120的方法包括進(jìn)行印刷噴涂(injectprinting)工藝。
另外,在本實(shí)施方式中,第一電極層120的材質(zhì)可包括反射材料,其例如是金屬、合金、金屬氧化物等導(dǎo)電材質(zhì),或是金屬與透明金屬氧化物導(dǎo)電材料的堆疊層,上述透明金屬氧化物導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其它合適的氧化物。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一電極層120為反射電極層,借此像素結(jié)構(gòu)10屬于上發(fā)光型(topemissiontype)設(shè)計。
電洞注入層130以及電洞傳輸層140依序配置在第一電極層120上。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,電洞注入層130以及電洞傳輸層140皆位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c中。另外,電洞注入層130與電洞傳輸層140的形成方法例如包括進(jìn)行蒸鍍工藝或噴墨工藝。電洞注入層130的材質(zhì)例如包括苯二甲藍(lán)銅、星狀芳胺類、聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩或其他合適的材料。電洞傳輸層140的材質(zhì)例如包括三芳香胺類、交叉結(jié)構(gòu)二胺聯(lián)苯、二胺聯(lián)苯衍生物或其他合適的材料。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,像素結(jié)構(gòu)10包括電洞注入層130以及電洞傳輸層140,但本發(fā)明并不限于此。在其他實(shí)施方式中,像素結(jié)構(gòu)10可以僅包括電洞注入層130或電洞傳輸層140,或者像素結(jié)構(gòu)10亦可不包括電洞注入層130以及電洞傳輸層140。也就是說,電洞注入層130以及電洞傳輸層140的配置是可選的。
電洞傳輸層150配置于第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162與第一電極層120之間,用以滿足第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162所發(fā)出的光的光學(xué)厚度。從另一觀點(diǎn)而言,第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162是配置于電洞傳輸層150相對于第一電極層120的一側(cè)上。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,電洞傳輸層150配置于第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162與電洞傳輸層140之間。
另外,在本實(shí)施方式中,電洞傳輸層150為一連續(xù)結(jié)構(gòu)層且僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中。也就是說,電洞傳輸層150連續(xù)分布于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中。從另一觀點(diǎn)而言,在本實(shí)施方式中,電洞傳輸層150為在一道工藝中形成的一單一結(jié)構(gòu)層?;诖?,在本實(shí)施方式中,電洞傳輸層150于第一子像素區(qū)域100a中的厚度與電洞傳輸層150于第二子像素區(qū)域100b中的厚度實(shí)質(zhì)相同。電洞傳輸層150例如是利用蒸鍍工藝并搭配精細(xì)金屬罩幕(finemetalmask,fmm)或噴墨工藝來形成。電洞傳輸層150的材質(zhì)例如包括三芳香胺類、交叉結(jié)構(gòu)二胺聯(lián)苯、二胺聯(lián)苯衍生物或其他合適的材料,且可與電洞傳輸層140相同或不同。
第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164配置在第一電極層120與第二電極層190之間。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160位于第一子像素區(qū)域100a中,第二發(fā)光層162位于第二子像素區(qū)域100b中,第三發(fā)光層164位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中,且第三發(fā)光層164與第二發(fā)光層162于第二子像素區(qū)域100b中相重疊。更詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160與第二發(fā)光層162是以并列方式排列,而第二發(fā)光層162與第三發(fā)光層164是以重疊方式排列。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160僅位于第一子像素區(qū)域100a中,第二發(fā)光層162僅位于第二子像素區(qū)域100b中。
另外,在本實(shí)施方式中,由于第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162皆位于電洞傳輸層150上,且如前文所述,電洞傳輸層150為一單一結(jié)構(gòu)層,故第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162位于同一層面。另一方面,同樣如前文所述,由于電洞傳輸層150于第一子像素區(qū)域100a中的厚度與電洞傳輸層150于第二子像素區(qū)域100b中的厚度實(shí)質(zhì)相同,故設(shè)置于電洞傳輸層150上的第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162位于同一水平面。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層150與第一電極層120之間的最小間距與第二發(fā)光層152與第一電極層120之間的最小間距會實(shí)質(zhì)相同。
另外,在本實(shí)施方式中,第三發(fā)光層164為一連續(xù)結(jié)構(gòu)層,連續(xù)分布于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中。進(jìn)一步而言,在本實(shí)施方式中,為了提升像素結(jié)構(gòu)10的發(fā)光效率,第三發(fā)光層164較佳僅分布于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中。也就是說,第三發(fā)光層164僅與第二發(fā)光層162相重疊,而不與第一發(fā)光層160相重疊。
另外,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164例如是分別使用蒸鍍工藝并搭配對應(yīng)的fmm或噴墨工藝來形成。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,由于第三發(fā)光層164連續(xù)分布于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中,因此第二子像素區(qū)域100b與第三子像素區(qū)域100c間的間距可縮小,而使得與包括rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)的顯示面板相比,包括像素結(jié)構(gòu)10的顯示面板可在相同面板尺寸下提升解析度或開口率。
另外,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160為綠色發(fā)光層、第二發(fā)光層162為紅色發(fā)光層及第三發(fā)光層164為藍(lán)色發(fā)光層。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160包括綠色發(fā)光材料、第二發(fā)光層162包括紅色發(fā)光材料及第三發(fā)光層164包括藍(lán)色發(fā)光材料。
電子傳輸層170以及電子注入層180依序配置在第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164上。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,電子注入層170以及電子傳輸層180皆位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c中。另外,電子傳輸層170以及電子注入層180的形成方法例如包括進(jìn)行蒸鍍工藝或噴墨工藝。電子傳輸層170的材質(zhì)例如包括惡唑衍生物及其樹狀物、金屬螯合物、唑類化合物、二氮蒽衍生物、含硅雜環(huán)化合物或其他合適的材料。電子注入層180的材質(zhì)例如包括氧化鋰、氧化鋰硼、硅氧化鉀、碳酸銫、醋酸鈉、氟化鋰堿或其他合適的材料。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,像素結(jié)構(gòu)10包括電子傳輸層170以及電子注入層180,但本發(fā)明并不限于此。在其他實(shí)施方式中,像素結(jié)構(gòu)10可以僅包括電子傳輸層170或電子注入層180,或者像素結(jié)構(gòu)10亦可不包括電子傳輸層170以及電子注入層180。也就是說,電子傳輸層170以及電子注入層180的配置是可選的。
第二電極層190配置在第一電極層120上。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第二電極層190位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c中。在本實(shí)施方式中,第二電極層190的材質(zhì)例如包括透明金屬氧化物導(dǎo)電材料,其例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其它合適的氧化物;金屬;或是上述所列至少二者的堆疊層。也就是說,在本實(shí)施方式中,第二電極層190為透明電極層。然而,本發(fā)明并不限于此。在其他實(shí)施方式中,第二電極層190也可以是半穿透半反射電極。
另外,在本實(shí)施方式中,第一電極層120作為陽極,而第二電極層190作為陰極。但必需說明的,就以設(shè)計上的需求來說,第一電極層120也可能作為陰極,而第二電極層190則作為陽極。進(jìn)一步而言,像素結(jié)構(gòu)10是透過第一電極層120與第二電極層190間產(chǎn)生電壓差來驅(qū)動第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164發(fā)光。
值得一提的是,在本實(shí)施方式中,于第一子像素區(qū)域100a中的第一電極層120與第二電極層190之間、第二子像素區(qū)域100b的第一電極層120與第二電極層190之間、第三子像素區(qū)域100c的第一電極層120與第二電極層190之間分別可形成微共振腔(microcavity),借此使得由第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164所分別發(fā)出的第一色光ia、第二色光ib及第三色光ic可于對應(yīng)的微共振腔中產(chǎn)生微共振腔效應(yīng),進(jìn)而分別從第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c射出,以使第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c分別顯示不同顏色的光。也就是說,在本實(shí)施方式中,位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中的第三發(fā)光層164所發(fā)出的第三色光ic僅會從第三子像素區(qū)域100c射出。具體而言,在本實(shí)施方式中,第一色光ia為綠光、第二色光ib為紅光及第三色光ic為藍(lán)光。
進(jìn)一步,借由模擬發(fā)光實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)10可達(dá)到與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相當(dāng)?shù)脑憩F(xiàn)。圖2是圖1的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖。詳細(xì)而言,模擬實(shí)驗(yàn)中所使用的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)為rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)。由圖2可知,與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)10能夠發(fā)出顏色表現(xiàn)相近的紅光。
另一方面,rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)為了要滿足前述共振腔效應(yīng),必須要使用五道fmm,其中除了用來制造rgb發(fā)光層的三道fmm,兩道fmm是用來制造分別對應(yīng)于r發(fā)光層及g發(fā)光層的厚度不同的電洞傳輸層,以滿足各色光的不同光學(xué)厚度。如前文所述,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)10透過包括電洞傳輸層150(即增厚層)以及位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中且于第二子像素區(qū)域100b中與第二發(fā)光層162相重疊的第三發(fā)光層164,可使得第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c同時滿足第一色光ia、第二色光ib及第三色光ic的波長個別的光學(xué)厚度。如此一來,如前文所述,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)10僅須使用四道fmm即可完成制作,其中三道fmm用以制造第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164,而剩余的一道fmm用以制造電洞傳輸層150。因此,與rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)10可減少使用fmm的次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本并減少工藝難度。
基于第一實(shí)施方式可知,透過第三發(fā)光層164位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中,第三發(fā)光層164與第二發(fā)光層162于第二子像素區(qū)域100b中相重疊,電洞傳輸層150(即增厚層)配置于第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162與第一電極層120之間,電洞傳輸層150(即增厚層)為一單一結(jié)構(gòu)層且電洞傳輸層150(即增厚層)僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中,借此使得像素結(jié)構(gòu)10可在維持良好元件表現(xiàn)的情況下減少fmm的使用次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本及工藝難度并提升應(yīng)用性。
另外,雖然在第一實(shí)施方式中,增厚層是以電洞傳輸層150來實(shí)現(xiàn),但本揭露并不限于此。以下,將參照圖3針對其他的實(shí)施型態(tài)進(jìn)行說明。在此必須說明的是,下述實(shí)施方式沿用了前述實(shí)施方式的元件符號與部分內(nèi)容,其中采用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參照前述實(shí)施方式,下述實(shí)施方式不再重復(fù)贅述。
圖3是依照本發(fā)明的第二實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖3及圖1,在像素結(jié)構(gòu)20中,增厚層是以第三電極層250來實(shí)現(xiàn),而在像素結(jié)構(gòu)10中,增厚層是以電洞傳輸層150來實(shí)現(xiàn)。以下,將針對兩者之間的差異處進(jìn)行說明。
請參照圖3,第三電極層250配置于第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162與第一電極層120之間,用以滿足第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162所發(fā)出的光的光學(xué)厚度。從另一觀點(diǎn)而言,第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162是配置于第三電極層250相對于第一電極層120的一側(cè)上。
詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第三電極層250包括彼此分離的電極圖案250a及電極圖案250b,其中電極圖案250a位于第一子像素區(qū)域100a中且覆蓋第一電極層120中的電極圖案120a,電極圖案250b位于第二子像素區(qū)域100b中且覆蓋第一電極層120中的電極圖案120b。也就是說,在本實(shí)施方式中,第三電極層250為經(jīng)圖案化的電極層,且僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中。從另一觀點(diǎn)而言,在本實(shí)施方式中,第三電極層250為在一道工藝中形成的一單一結(jié)構(gòu)層。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,由于第三電極層250為一單一結(jié)構(gòu)層,因此電極圖案250a與電極圖案250b具有實(shí)質(zhì)相同的厚度。也就是說,第三電極層250于第一子像素區(qū)域100a中的厚度與第三電極層250于第二子像素區(qū)域100b中的厚度實(shí)質(zhì)相同。
在本實(shí)施方式中,第三電極層250可利用任何本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知的任一種制造電極層的方法來形成。舉例而言,在一實(shí)施方式中,形成第三電極層250的方法包括以下步驟:使用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)工藝或物理氣相沉積(physicalvapordeposition,pvd)工藝于基板100上形成電極材料層,并接著使用微影蝕刻(lithographyetching)工藝對電極材料層進(jìn)行圖案化。舉另一例而言,在一實(shí)施方式中,形成第三電極層250的方法包括進(jìn)行印刷噴涂(injectprinting)工藝。另外,在本實(shí)施方式中,第三電極層250的材質(zhì)可包括反射材料,其例如是金屬、合金、金屬氧化物等導(dǎo)電材質(zhì),或是金屬與透明金屬氧化物導(dǎo)電材料的堆疊層,上述透明金屬氧化物導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其它合適的氧化物。
在本實(shí)施方式中,電洞注入層130以及電洞傳輸層140依序配置在第三電極層250上。在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164位于電洞傳輸層140上。如此一來,在本實(shí)施方式中,如前文所述,由于第三電極層250為一單一結(jié)構(gòu)層且僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中,故分別位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中的第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162位于同一層面。另一方面,同樣如前文所述,由于第三電極層250于第一子像素區(qū)域100a中的厚度與第三電極層250于第二子像素區(qū)域100b中的厚度實(shí)質(zhì)相同,故位于第三電極層250上方的第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162位于同一水平面。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層150與第一電極層120之間的最小間距與第二發(fā)光層152與第一電極層120之間的最小間距會實(shí)質(zhì)相同。
基于第一實(shí)施方式可知,在本實(shí)施方式中,像素結(jié)構(gòu)20是透過第一電極層120與第二電極層190間產(chǎn)生電壓差來驅(qū)動第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164發(fā)光。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,于第一子像素區(qū)域100a中的第一電極層120與第二電極層190之間、第二子像素區(qū)域100b的第一電極層120與第二電極層190之間、第三子像素區(qū)域100c的第一電極層120與第二電極層190之間分別可形成微共振腔,借此使得由第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164所分別發(fā)出的第一色光ia、第二色光ib及第三色光ic可于對應(yīng)的微共振腔中產(chǎn)生微共振腔效應(yīng),進(jìn)而分別從第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c射出,以使第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c分別顯示不同顏色的光。也就是說,在本實(shí)施方式中,位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中的第三發(fā)光層164所發(fā)出的第三色光ic僅會從第三子像素區(qū)域100c射出。具體而言,在本實(shí)施方式中,第一色光ia為綠光、第二色光ib為紅光及第三色光ic為藍(lán)光。
進(jìn)一步,借由模擬發(fā)光實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)20可達(dá)到與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相當(dāng)?shù)脑憩F(xiàn)。圖4是圖3的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖。詳細(xì)而言,模擬實(shí)驗(yàn)中所使用的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)為rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)。由圖4可知,與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)20能夠發(fā)出顏色表現(xiàn)相近的紅光。
另一方面,如前文所述,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)20透過包括第三電極層250(即增厚層)以及位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中且于第二子像素區(qū)域100b中與第二發(fā)光層162相重疊的第三發(fā)光層164,可使得第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c同時滿足第一色光ia、第二色光ib及第三色光ic的波長個別的光學(xué)厚度。如此一來,如前文所述,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)20僅須使用到用以制造第一發(fā)光層160、第二發(fā)光層162及第三發(fā)光層164的三道fmm即可完成制作,因此與rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)20可減少使用fmm的次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本并減少工藝難度。
基于第二實(shí)施方式及第一實(shí)施方式可知,透過第三發(fā)光層164位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中,第三發(fā)光層164與第二發(fā)光層162于第二子像素區(qū)域100b中相重疊,第三電極層250(即增厚層)配置于第一發(fā)光層160及第二發(fā)光層162與第一電極層120之間,第三電極層250(即增厚層)為一單一結(jié)構(gòu)層且第三電極層250(即增厚層)僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中,借此使得像素結(jié)構(gòu)20可在維持良好元件表現(xiàn)的情況下減少fmm的使用次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本及工藝難度并提升應(yīng)用性。
另外,雖然在第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式中,第一發(fā)光層160與第二發(fā)光層162是以并列方式排列,且第二發(fā)光層162與第三發(fā)光層164是以重疊方式排列,但本揭露并不限于此。以下,將參照圖5及圖7針對其他的實(shí)施型態(tài)進(jìn)行說明。在此必須說明的是,下述實(shí)施方式沿用了前述實(shí)施方式的元件符號與部分內(nèi)容,其中采用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參照前述實(shí)施方式,下述實(shí)施方式不再重復(fù)贅述。
圖5是依照本發(fā)明的第三實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖5及圖1,本實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)30與圖1的像素結(jié)構(gòu)10相似,差異主要在于發(fā)光層的布置方式,因此以下將針對兩者之間的差異處進(jìn)行說明。
請參照圖5,第一發(fā)光層360、第二發(fā)光層362及第三發(fā)光層364配置在第一電極層120與第二電極層190之間。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層360位于第一子像素區(qū)域100a中,第二發(fā)光層362位于第二子像素區(qū)域100b中,第三發(fā)光層364位于第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中,且第三發(fā)光層364與第二發(fā)光層362于第二子像素區(qū)域100b中相重疊。更詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第二發(fā)光層362更位于第一子像素區(qū)域100a中,且第二發(fā)光層362與第一發(fā)光層360于第一子像素區(qū)域100a中相重疊;以及第三發(fā)光層364更位于第一子像素區(qū)域100a中,且第三發(fā)光層364與第二發(fā)光層362更于第一子像素區(qū)域100a中相重疊,以及第三發(fā)光層364與第一發(fā)光層360于第一子像素區(qū)域100a中相重疊。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層360、第二發(fā)光層362及第三發(fā)光層364彼此之間皆以重疊方式排列。
在本實(shí)施方式中,第二發(fā)光層362為一連續(xù)結(jié)構(gòu)層,連續(xù)分布于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中。進(jìn)一步而言,在本實(shí)施方式中,為了提升像素結(jié)構(gòu)30的發(fā)光效率及滿足第一發(fā)光層360的光學(xué)厚度,第二發(fā)光層362較佳僅分布于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中。
在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362例如是分別使用蒸鍍工藝并搭配對應(yīng)的fmm或噴墨工藝來形成。另外,在本實(shí)施方式中,第三發(fā)光層364為一連續(xù)結(jié)構(gòu)層,連續(xù)分布于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中,因此第三發(fā)光層364不需使用fmm加以形成。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第三發(fā)光層364例如是使用蒸鍍工藝并搭配一般金屬遮罩或噴墨工藝來形成。
值得一提的是,在本實(shí)施方式中,由于第二發(fā)光層362連續(xù)分布于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中,以及第三發(fā)光層364連續(xù)分布于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中,因此第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b與第三子像素區(qū)域100c彼此間的間距可縮小,而使得與包括rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)的顯示面板相比,包括像素結(jié)構(gòu)30的顯示面板可在相同面板尺寸下提升解析度或開口率。
另外,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層360為紅色發(fā)光層、第二發(fā)光層362為綠色發(fā)光層及第三發(fā)光層364為藍(lán)色發(fā)光層。也就是說,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層360包括紅色發(fā)光材料、第二發(fā)光層362包括綠色發(fā)光材料及第三發(fā)光層364包括藍(lán)色發(fā)光材料。從另一觀點(diǎn)而言,在本實(shí)施方式中,第三發(fā)光層364為藍(lán)光共通層(bluecommonlayer,bcl)。
另外,在本實(shí)施方式中,電洞傳輸層150配置于第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362與第一電極層120之間,用以滿足第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362所發(fā)出的光的光學(xué)厚度。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,電洞傳輸層150配置于第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362與電洞傳輸層140之間。
基于第一實(shí)施方式可知,在本實(shí)施方式中,像素結(jié)構(gòu)30是通過第一電極層120與第二電極層190間產(chǎn)生電壓差來驅(qū)動第一發(fā)光層360、第二發(fā)光層362及第三發(fā)光層364發(fā)光。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,于第一子像素區(qū)域100a中的第一電極層120與第二電極層190之間、第二子像素區(qū)域100b的第一電極層120與第二電極層190之間、第三子像素區(qū)域100c的第一電極層120與第二電極層190之間分別可形成微共振腔,借此使得由第一發(fā)光層360、第二發(fā)光層362及第三發(fā)光層364所分別發(fā)出的第一色光id、第二色光ie及第三色光if可于對應(yīng)的微共振腔中產(chǎn)生微共振腔效應(yīng),進(jìn)而分別從第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c射出,以使第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c分別顯示不同顏色的光。也就是說,在本實(shí)施方式中,位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中的第二發(fā)光層362所發(fā)出的第二色光ie僅會從第二子像素區(qū)域100b射出,以及位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中的第三發(fā)光層364所發(fā)出的第三色光if僅會從第三子像素區(qū)域100c射出。具體而言,在本實(shí)施方式中,第一色光id為紅光、第二色光ie為綠光及第三色光if為藍(lán)光。
進(jìn)一步,借由模擬發(fā)光實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)30可達(dá)到與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相當(dāng)?shù)脑憩F(xiàn)。圖6是圖5的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖。詳細(xì)而言,模擬實(shí)驗(yàn)中所使用的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)為rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)。由圖6可知,與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)30能夠發(fā)出顏色表現(xiàn)相近的綠光及紅光。
另一方面,如前文所述,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)30通過包括電洞傳輸層150(即增厚層)、位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中且于第一子像素區(qū)域100a中與第一發(fā)光層360相重疊的第二發(fā)光層362、以及位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中且覆蓋第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362的第三發(fā)光層364,可使得第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c同時滿足第一色光id、第二色光ie及第三色光if的波長個別的光學(xué)厚度。如此一來,如前文所述,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)30僅須使用三道fmm即可完成制作,其中兩道fmm用以制造第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362,而剩余的一道fmm用以制造電洞傳輸層150。因此,與rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)30可減少使用fmm的次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本并減少工藝難度。
基于第三實(shí)施方式及第一實(shí)施方式可知,通過第三發(fā)光層364位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中且覆蓋第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362,第二發(fā)光層362位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中且覆蓋第一發(fā)光層360,電洞傳輸層150(即增厚層)配置于第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層162與第一電極層230之間,電洞傳輸層150(即增厚層)為一單一結(jié)構(gòu)層且電洞傳輸層150(即增厚層)僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中,借此使得像素結(jié)構(gòu)30可在維持良好元件表現(xiàn)的情況下減少fmm的使用次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本及工藝難度并提升應(yīng)用性。
另外,雖然在第三實(shí)施方式中,增厚層是以電洞傳輸層150來實(shí)現(xiàn),但本揭露并不限于此。以下,將參照圖7針對其他的實(shí)施型態(tài)進(jìn)行說明。在此必須說明的是,下述實(shí)施方式沿用了前述實(shí)施方式的元件符號與部分內(nèi)容,其中采用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參照前述實(shí)施方式,下述實(shí)施方式不再重復(fù)贅述。
圖7是依照本發(fā)明的第四實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖7及圖5,在像素結(jié)構(gòu)40中,增厚層是以第三電極層450來實(shí)現(xiàn),而在像素結(jié)構(gòu)30中,增厚層是以電洞傳輸層150來實(shí)現(xiàn)。以下,將針對兩者之間的差異處進(jìn)行說明。
請參照圖7,第三電極層450配置于第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362與第一電極層120之間,用以滿足第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362所發(fā)出的光的光學(xué)厚度。從另一觀點(diǎn)而言,第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362是配置于第三電極層450相對于第一電極層120的一側(cè)上。
詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式中,第三電極層450包括彼此分離的電極圖案450a及電極圖案450b,其中電極圖案450a位于第一子像素區(qū)域100a中且覆蓋第一電極層120中的電極圖案120a,電極圖案450b位于第二子像素區(qū)域100b中且覆蓋第一電極層120中的電極圖案120b。也就是說,在本實(shí)施方式中,第三電極層450為經(jīng)圖案化的電極層,且僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中。從另一觀點(diǎn)而言,在本實(shí)施方式中,第三電極層450為在一道工藝中形成的一單一結(jié)構(gòu)層。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,由于第三電極層450為一單一結(jié)構(gòu)層,因此電極圖案450a與電極圖案450b具有實(shí)質(zhì)相同的厚度。也就是說,第三電極層450于第一子像素區(qū)域100a中的厚度與第三電極層450于第二子像素區(qū)域100b中的厚度實(shí)質(zhì)相同。
在本實(shí)施方式中,第三電極層450可利用任何本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知的任一種制造電極層的方法來形成。舉例而言,在一實(shí)施方式中,形成第三電極層450的方法包括以下步驟:使用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)工藝或物理氣相沉積(physicalvapordeposition,pvd)工藝于基板100上形成電極材料層,并接著使用微影蝕刻(lithographyetching)工藝對電極材料層進(jìn)行圖案化。舉另一例而言,在一實(shí)施方式中,形成第三電極層450的方法包括進(jìn)行印刷噴涂(injectprinting)工藝。另外,在本實(shí)施方式中,第三電極層450的材質(zhì)可包括反射材料,其例如是金屬、合金、金屬氧化物等導(dǎo)電材質(zhì),或是金屬與透明金屬氧化物導(dǎo)電材料的堆疊層,上述透明金屬氧化物導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其它合適的氧化物。
在本實(shí)施方式中,電洞注入層130以及電洞傳輸層140依序配置在第三電極層450上。另外,在本實(shí)施方式中,第一發(fā)光層360、第二發(fā)光層362及第三發(fā)光層364位于電洞傳輸層140上。
基于第一實(shí)施方式可知,在本實(shí)施方式中,像素結(jié)構(gòu)40是通過第一電極層120與第二電極層190間產(chǎn)生電壓差來驅(qū)動第一發(fā)光層360、第二發(fā)光層362及第三發(fā)光層364發(fā)光。值得一提的是,在本實(shí)施方式中,于第一子像素區(qū)域100a中的第一電極層120與第二電極層190之間、第二子像素區(qū)域100b的第一電極層120與第二電極層190之間、第三子像素區(qū)域100c的第一電極層120與第二電極層190之間分別可形成微共振腔,借此使得由第一發(fā)光層360、第二發(fā)光層362及第三發(fā)光層364所分別發(fā)出的第一色光id、第二色光ie及第三色光if可于對應(yīng)的微共振腔中產(chǎn)生微共振腔效應(yīng),進(jìn)而分別從第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c射出,以使第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c分別顯示不同顏色的光。也就是說,在本實(shí)施方式中,位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中的第二發(fā)光層362所發(fā)出的第二色光ie僅會從第二子像素區(qū)域100b射出,以及位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中的第三發(fā)光層364所發(fā)出的第三色光if僅會從第三子像素區(qū)域100c射出。具體而言,在本實(shí)施方式中,第一色光id為紅光、第二色光ie為綠光及第三色光if為藍(lán)光。
進(jìn)一步,借由模擬發(fā)光實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)40可達(dá)到與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相當(dāng)?shù)脑憩F(xiàn)。圖8是圖7的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)所發(fā)出的紅光及綠光的波長與強(qiáng)度的關(guān)系圖。詳細(xì)而言,模擬實(shí)驗(yàn)中所使用的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)為rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)。由圖8可知,與現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)40能夠發(fā)出顏色表現(xiàn)相近的綠光及紅光。
另一方面,如前文所述,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)40通過包括第三電極層450(即增厚層)、位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中且于第一子像素區(qū)域100a中與第一發(fā)光層360相重疊的第二發(fā)光層362、以及位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中且覆蓋第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362的第三發(fā)光層364,可使得第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b以及第三子像素區(qū)域100c同時滿足第一色光id、第二色光ie及第三色光if的波長個別的光學(xué)厚度。如此一來,如前文所述,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)40僅須使用到用以制造第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362的兩道fmm即可完成制作。因此,與rgb發(fā)光層皆以并列方式排列的現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)40可減少使用fmm的次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本并減少工藝難度。
基于第四實(shí)施方式、第三實(shí)施方式及第一實(shí)施方式可知,通過第三發(fā)光層364位于第一子像素區(qū)域100a、第二子像素區(qū)域100b及第三子像素區(qū)域100c中且覆蓋第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362,第二發(fā)光層362位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中且覆蓋第一發(fā)光層360,第三電極層450(即增厚層)配置于第一發(fā)光層360及第二發(fā)光層362與第一電極層230之間,第三電極層450(即增厚層)為一單一結(jié)構(gòu)層且第三電極層450(即增厚層)僅位于第一子像素區(qū)域100a及第二子像素區(qū)域100b中,借此使得像素結(jié)構(gòu)40可在維持良好元件表現(xiàn)的情況下減少fmm的使用次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本及工藝難度并提升應(yīng)用性。
綜上所述,在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中,通過第三發(fā)光層位于第二子像素區(qū)域及第三子像素區(qū)域中,第三發(fā)光層與第二發(fā)光層于第二子像素區(qū)域中相重疊,第一發(fā)光層及第二發(fā)光層配置于增厚層相對于第一電極層的一側(cè),增厚層為一單一結(jié)構(gòu)層且增厚層僅位于第一子像素區(qū)域及第二子像素區(qū)域中,借此使得像素結(jié)構(gòu)可在維持良好元件表現(xiàn)的情況下減少fmm的使用次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本及工藝難度并提升應(yīng)用性。
當(dāng)然,本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例,在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形,但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。