本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管的像素結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

最近幾年，OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)的發(fā)展得到科研界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注，OLED顯示屏已經(jīng)步入人們的生活。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種OLED像素電路的電路示意圖，參見圖1，其中，T2是驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管，Data是數(shù)據(jù)信號(hào)線，En是控制信號(hào)線，Sn、Sn-1與Sn+1是掃描信號(hào)線，ELVDD是給驅(qū)動(dòng)晶體管T2提供電壓進(jìn)而驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電源，ELVSS是接地電壓，Vin是給OLED以及驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極(N2節(jié)點(diǎn))提供初始化電壓的初始化電源，其電壓低于ELVDD的電壓以及數(shù)據(jù)電壓。參見圖2，顯示了像素單元層內(nèi)的電路線路圖，每行的像素單元處均設(shè)有Sn+1、Sn、Sn-1和En信號(hào)線，即在現(xiàn)有的像素電路中包括有三條掃描信號(hào)線和一條控制信號(hào)線，其中En、Sn、Sn-1與Sn+1的信號(hào)線占據(jù)了像素之間的亞像素(sub pixel)空間，由于四條信號(hào)線占據(jù)了較多的亞像素空間，使得PPI(pixels per inch，每英寸的像素?cái)?shù)目)不高，影響了OLED的圖像分辨率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種像素結(jié)構(gòu)，可以解決現(xiàn)有OLED中因四條信號(hào)線占據(jù)了亞像素空間導(dǎo)致的PPI不高的問題。

實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是：

本發(fā)明一種像素結(jié)構(gòu)，包括：

像素單元層，設(shè)有包含像素單元行和像素單元列的像素單元陣列；

第一金屬導(dǎo)線層，包括控制信號(hào)線、第一掃描信號(hào)線、第二掃描信號(hào)線、以及第一金屬圖案區(qū)，所述控制信號(hào)線、第一掃描信號(hào)線、以及第二掃描信號(hào)線分別連接所對(duì)應(yīng)的像素單元行中的各個(gè)像素單元，所述第一金屬圖案區(qū)設(shè)于所對(duì)應(yīng)行的所述像素單元行之上，且與所對(duì)應(yīng)的所述像素單 元之間設(shè)有絕緣層；

第二金屬導(dǎo)線層，包括初始信號(hào)線和第二金屬圖案區(qū)，所述初始信號(hào)線連接所對(duì)應(yīng)的像素單元行中的各個(gè)像素單元，所述第二金屬圖案區(qū)與所述第一金屬圖案區(qū)部分重疊形成第一電容；以及

第三金屬導(dǎo)線層，包括連接信號(hào)線，所述連接信號(hào)線連接當(dāng)前所述像素單元行的所述第一掃描信號(hào)線和下一所述像素單元行的第二掃描信號(hào)線。

通過第三金屬導(dǎo)線層中的連接信號(hào)線將當(dāng)前像素單元行的第一掃描信號(hào)引致下一像素單元行的第二掃描信號(hào)線上，作為下一像素單元行的第二掃描信號(hào)，使得本發(fā)明中的像素結(jié)構(gòu)相比現(xiàn)有技術(shù)中省去了一條掃描信號(hào)線，從而降低了占據(jù)每一個(gè)亞像素空間的信號(hào)線數(shù)目，節(jié)省了像素單元層的空間，可以實(shí)現(xiàn)600PPI，使得OLED具有較高的圖像分辨率。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第三金屬導(dǎo)線層還包括第三金屬圖案區(qū)，所述第三金屬圖案區(qū)與所述第二金屬圖案區(qū)部分重疊形成第二電容，未重疊部分之間設(shè)有絕緣層，所述第二電容與所述第一電容并聯(lián)。因PPI的升高，使得像素電路中的電容減小，對(duì)集成電路的要求更高，采用第三金屬導(dǎo)線層中的第三金屬圖案區(qū)，與第二金屬圖案區(qū)形成第二電容，實(shí)現(xiàn)第二電容和第一電容的并聯(lián)，增加了有效電容，從而減輕了對(duì)集成電路的壓力。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第一金屬圖案區(qū)和所述第二金屬圖案區(qū)未重疊部分之間設(shè)有絕緣層。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，還包括控制驅(qū)動(dòng)模塊，設(shè)于所述像素單元層的一側(cè)，連接所述控制信號(hào)線，所述控制驅(qū)動(dòng)模塊產(chǎn)生控制信號(hào)通過所述控制信號(hào)線輸送至所對(duì)應(yīng)的所述像素單元行。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，還包括掃描驅(qū)動(dòng)模塊，設(shè)于所述像素單元層的兩側(cè)，與所述第一掃描信號(hào)線的兩端連接，所述掃描驅(qū)動(dòng)模塊產(chǎn)生掃描信號(hào)通過所述第一掃描信號(hào)線輸送至所述像素單元。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，還包括基板和設(shè)于所述基板之上的緩沖寄存器層，所述的像素單元層、第一金屬導(dǎo)線層、第二金屬導(dǎo)線層、以及第三金屬導(dǎo)線層設(shè)于所述緩沖寄存器層之上。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述緩沖寄存器層的上表面還設(shè)有絕緣層。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，還包括第四金屬導(dǎo)線層，所述第四金屬導(dǎo)線層包括多條數(shù)據(jù)信號(hào)線，所述數(shù)據(jù)信號(hào)線連接縱向設(shè)置的對(duì)應(yīng)的所述像素單元列。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊，設(shè)于所述像素單元層的一側(cè)，與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線連接，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)通過所述數(shù)據(jù)信號(hào)線輸送至所述像素單元列中的像素單元。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述像素單元陣列中的每一像素單元內(nèi)的像素電路中均設(shè)有預(yù)充電模塊，所述預(yù)充電模塊的輸入端連接發(fā)光二極管，輸出端連接一預(yù)充電晶體管的第一電極，所述預(yù)充電晶體管的第二電極連接所述初始信號(hào)線，所述預(yù)充電晶體管的柵極連接所述第二掃描信號(hào)線。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中OLED像素電路的電路示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中像素單元層內(nèi)的電路線路圖；

圖3為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的GOA電路圖；

圖4為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中像素單元層內(nèi)的電路線路圖；

圖5為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中像素單元層內(nèi)的電路線路圖的剖視圖；以及

圖6為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中的像素單元內(nèi)的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

請(qǐng)參閱圖3所示，為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的GOA(Gate Driver On Array，陣列基板柵極驅(qū)動(dòng))電路圖。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中包括陣列設(shè)置的像素單元，每行的像素單元連接有第一掃描信號(hào)線、第二掃描信號(hào)線和控制信號(hào)線，并通過設(shè)置連接信號(hào)線，將當(dāng)前行像素單元連接的第一掃描信號(hào)線和下一行像素單元連接的第二掃描信號(hào)線連接，使得第一掃描信號(hào)線內(nèi)的掃描信號(hào)引致下一行像素單元的第二掃描信號(hào)線內(nèi)，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)相比于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)中省去一條掃描信號(hào)線，即圖2中的Sn+1信號(hào)線，節(jié)省了亞像素空間，可以提高像素單元的排列數(shù)目，可以實(shí)現(xiàn)600PPI，進(jìn)而提高了顯示圖像分辨率。高PPI像素排列，使得像素電路內(nèi)的電容減小，對(duì)集成電路提出了更高的要求，為減少集成電路的壓力，本發(fā)明像素 結(jié)構(gòu)通過增加第三金屬圖案區(qū)，形成與原像素電路中的第一電容并聯(lián)的第二電容，進(jìn)而增加有效電容，補(bǔ)充了高PPI引起的電容減小的缺陷，實(shí)現(xiàn)了減輕集成電路壓力。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

參閱圖3，顯示了本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的GOA電路圖。下面結(jié)合圖3，對(duì)本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

如圖3所示，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)包括像素單元層10，像素單元層10設(shè)有包含像素單元行和像素單元列的像素單元陣列，其中各個(gè)像素單元行和像素單元列中設(shè)有像素單元101，像素單元陣列中的像素單元101橫縱對(duì)齊設(shè)置。

結(jié)合圖5所示，像素結(jié)構(gòu)還包括有第一金屬導(dǎo)線層20、第二金屬導(dǎo)線層30、以及第三金屬導(dǎo)線層40。

結(jié)合圖4所示，第一金屬導(dǎo)線層20包括對(duì)應(yīng)像素單元行中各個(gè)像素單元101的控制信號(hào)線203、第一掃描信號(hào)線201、第二掃描信號(hào)線202、以及第一金屬圖案區(qū)204，控制信號(hào)線203、第一掃描信號(hào)線201、以及第二掃描信號(hào)線202分別連接對(duì)應(yīng)的像素單元行中的各個(gè)像素單元101，控制信號(hào)線203傳輸控制信號(hào)至對(duì)應(yīng)的像素單元行的每一個(gè)像素單元101，第一掃描信號(hào)線201和第二掃描信號(hào)線202分別傳輸掃描信號(hào)至每一個(gè)像素單元101，通過控制信號(hào)和掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)像素單元101進(jìn)行顯示。第一金屬圖案區(qū)204設(shè)于對(duì)應(yīng)的像素單元行之上，與像素單元行之間設(shè)有絕緣層。

第二金屬導(dǎo)線層30包括對(duì)應(yīng)像素單元行的初始信號(hào)線301和第二金屬圖案層302，初始信號(hào)線301連接對(duì)應(yīng)像素單元行中的各個(gè)像素單元101，傳輸初始信號(hào)至對(duì)應(yīng)的像素單元101。第二金屬圖案區(qū)302與第一金屬圖案區(qū)204部分重疊形成第一電容，第二金屬圖案區(qū)302與第一金屬圖案區(qū)204未重疊部分之間設(shè)有絕緣層14。

第三金屬導(dǎo)線層40包括連接信號(hào)線401和第三金屬圖案區(qū)402，連接信號(hào)線401連接當(dāng)前像素單元行的第一掃描信號(hào)線201和下一像素單元行的第二掃描信號(hào)線202，通過連接信號(hào)線401將當(dāng)前像素單元行的掃描信號(hào)引致下一像素單元行的第二掃描信號(hào)線202內(nèi)，對(duì)下一像素單元行的像素單元101進(jìn)行掃描。第三金屬圖案區(qū)402與第二金屬圖案區(qū)302部分重疊形成第二電容，第三金屬圖案區(qū)402與第二金屬圖案區(qū)302未重疊的部分之間設(shè)有絕緣層15。第二電容和第一電容并聯(lián)，增加了像素結(jié)構(gòu)的 有效電容，從而減輕了對(duì)集成電路的壓力。

第一掃描信號(hào)線201用于傳輸掃描信號(hào)Sn，第二掃描信號(hào)線202用于傳輸掃描信號(hào)Sn-1，控制信號(hào)線203用于傳輸控制信號(hào)En，結(jié)合圖3所示，像素結(jié)構(gòu)還包括控制驅(qū)動(dòng)模塊60和掃描驅(qū)動(dòng)模塊70，控制驅(qū)動(dòng)模塊60連接所有的控制信號(hào)線203，控制驅(qū)動(dòng)模塊60對(duì)每一像素單元行的控制信號(hào)線203提供控制信號(hào)，通過控制信號(hào)線203傳送至相應(yīng)的像素單元101。掃描驅(qū)動(dòng)模塊70分別設(shè)于像素單元層10的兩側(cè)，分別與所有的第一掃描信號(hào)線201的對(duì)應(yīng)端部連接，掃描驅(qū)動(dòng)模塊70對(duì)每一像素單元行的第一掃描信號(hào)線201提供掃描信號(hào)Sn，通過第一掃描信號(hào)線201傳送至相應(yīng)的像素單元101。第一像素單元行處的第一掃描信號(hào)線201與第二像素單元行處的第二掃描信號(hào)線202通過連接信號(hào)線401連接，將第一像素單元行的掃描信號(hào)Sn引致第二像素單元行的第二掃描信號(hào)線202內(nèi)，作為第二像素單元行的掃描信號(hào)Sn-1。這樣的設(shè)置相比現(xiàn)有技術(shù)中的像素電路，省去了掃描信號(hào)Sn+1，減少了占據(jù)亞像素空間，可以提高PPI像素排列，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)顯示分辨率的提高。

結(jié)合圖5所示，像素結(jié)構(gòu)還包括基板11和緩沖寄存器層12，像素單元層10、第一金屬導(dǎo)線層20、第二金屬導(dǎo)線層30、以及第四金屬導(dǎo)線層40均設(shè)于緩沖寄存器層12之上，與緩沖寄存器層之間設(shè)有絕緣層13。

結(jié)合圖4所示，像素結(jié)構(gòu)還包括第四金屬導(dǎo)線層，該第四金屬導(dǎo)線層包括多條數(shù)據(jù)信號(hào)線501，數(shù)據(jù)信號(hào)線501連接縱向設(shè)置的對(duì)應(yīng)的像素單元列中的各個(gè)像素單元101，每一像素單元列均連接有一條數(shù)據(jù)信號(hào)線501。結(jié)合圖3所示，在像素單元層10的底部設(shè)有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊80，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊80與所有數(shù)據(jù)信號(hào)線501連接，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊80產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)Data，通過數(shù)據(jù)信號(hào)線501傳送至相應(yīng)的像素單元101。

結(jié)合圖6所示，顯示了本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)像素單元內(nèi)的電路圖，與現(xiàn)有像素電路圖圖1的區(qū)別在于，省去了掃描信號(hào)Sn+1，在現(xiàn)有像素電路中，掃描信號(hào)Sn+1用于對(duì)發(fā)光二極管進(jìn)行預(yù)充電，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)采用省去掃描信號(hào)線Sn+1，實(shí)現(xiàn)了像素單元層10內(nèi)節(jié)省亞像素空間，為增加像素單元的數(shù)目提供空間，可以實(shí)現(xiàn)顯示結(jié)構(gòu)的高PPI的像素排列。本發(fā)明對(duì)像素單元101內(nèi)的電路進(jìn)行設(shè)計(jì)，增加預(yù)充電模塊，連接預(yù)充電晶體管，該預(yù)充電晶體管為圖中晶體管T7，將晶體管T7的柵極連接第二掃描信號(hào)線，即與掃描信號(hào)Sn-1連接，晶體管T7的第一電極連接一 預(yù)充電模塊，第二電極連接初始信號(hào)線301，即初始信號(hào)Vint，預(yù)充電模塊包括輸入端和輸出端，其輸入端與發(fā)光二極管連接，輸出端與晶體管T7的第一電極連接，通過掃描信號(hào)Sn-1的控制，將初始信號(hào)Vint的電壓接入發(fā)光二極管的陽極，對(duì)發(fā)光二極管進(jìn)行預(yù)充電。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的有益效果為：

通過第三金屬導(dǎo)線層中的連接信號(hào)線將當(dāng)前像素單元行的第一掃描信號(hào)引致下一像素單元行的第二掃面信號(hào)線上，作為下一像素單元行的第二掃描信號(hào)，使得本發(fā)明中的像素結(jié)構(gòu)相比現(xiàn)有技術(shù)中省去了一條掃描信號(hào)線，從而降低了占據(jù)每一個(gè)亞像素空間的信號(hào)線數(shù)目，節(jié)省了像素單元層的空間，可以實(shí)現(xiàn)600PPI，使得OLED具有較高的圖像分辨率。

采用第三金屬導(dǎo)線層中的第三金屬圖案區(qū)，與第二金屬圖案區(qū)形成第二電容，實(shí)現(xiàn)第二電容和第一電容的并聯(lián)，增加了有效電容，從而減輕了對(duì)集成電路的壓力。

本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)在有限的亞像素空間內(nèi)增加了存儲(chǔ)電容，也節(jié)省了亞像素空間，實(shí)現(xiàn)高PPI的像素布局。

以上結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說明對(duì)本發(fā)明做出種種變化例。因而，實(shí)施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定，本發(fā)明將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本發(fā)明的保護(hù)范圍。