本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種柔性oled陣列基板及其制作方法、oled顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著amoled(active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩陣有機發(fā)光二極體)顯示屏技術(shù)在產(chǎn)業(yè)界越來越成熟，便攜式電子器件對于顯示屏的需求也逐漸成為了對于柔性amoled顯示屏的需求。柔性oled顯示屏具有更加輕薄，功耗更低，可以彎折成任意形狀以滿足市場對可穿戴設(shè)備的需求等優(yōu)點。

然而，目前市場上出現(xiàn)的柔性amoled顯示屏更多的只是在邊緣輕微彎折，或者以固定的曲率半徑彎折呈曲面屏，和傳統(tǒng)的剛性oled顯示屏并無太大差別，并沒有達到真正意義上的可折疊，可卷曲及可反復彎折成任意的形狀。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種柔性oled陣列基板及其制作方法、oled顯示面板，能夠提高陣列基板的柔韌度和彎折性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種柔性oled陣列基板的制作方法，該制作方法包括：提供第一基板；在第一基板上制作水氧阻隔層；其中，水氧阻隔層采用類石墨烯二維材料制作得到；在水氧阻隔層上制作tft功能層；在tft功能層上依次制作平坦層、電極層以及像素定義層。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種柔性oled陣列基板，該oled陣列基板包括層疊設(shè)置的第一基板、水氧阻隔層、tft功能層、平坦層、電極層以及像素定義層；其中，水氧阻隔層采用類石墨烯二維材料制作得到。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種oled顯示面板，包括oled陣列基板，其中，該oled陣列基板是采用上述技術(shù)方案提供的方法制作得到的，或該oled陣列基板是上述技術(shù)方案提供的柔性oled陣列基板

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板的制作方法包括：提供第一基板；在第一基板上制作水氧阻隔層；其中，水氧阻隔層采用類石墨烯二維材料制作得到；在水氧阻隔層上制作tft功能層；在tft功能層上依次制作平坦層、電極層以及像素定義層。通過上述方式，能夠提高陣列基板的柔韌度和彎折性能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖

圖2是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板的制作方法一實施例的流程示意圖；

圖3是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板的制作方法一實施例中s22的流程示意圖；

圖4是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板的制作方法一實施例中s222的示意圖；

圖5-圖9是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板的制作方法一實施例中s23的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板的制作方法一實施例中s24的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明提供的oled顯示面板一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

參閱圖1，圖1是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括層疊設(shè)置的層疊設(shè)置的第一基板10、水氧阻隔層11、tft功能層、平坦層19、電極層32以及像素定義層34。

其中，水氧阻隔層采用類石墨烯二維材料制作得到。具體地，水氧阻隔層是采用多層二維平面原子層層疊得到的，二維平面原子層為六方氮化硼(h-bn)。

其中，tft功能層包括層疊設(shè)置的第一絕緣層12、有源層13、第二絕緣層14、柵極15、緩沖層16、有機填充層17、源極181和漏極182。

其中，有源層13具體包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域，源極181通過第一過孔連接源極區(qū)域，漏極182通過第二過孔連接漏極區(qū)域。

其中，該陣列基板還包括第三過孔，有機填充層17的有機材料填充于第三過孔中，第三過孔作為應(yīng)力釋放孔可以在面板彎折的時候減小彎折應(yīng)力。

值得注意的是，圖1中未標識的結(jié)構(gòu)可以參見后述的圖5-圖10。

下面，將介紹一實施例對上述陣列基板的制作方法進行詳細介紹。

參閱圖2，圖2是本發(fā)明提供的柔性oled陣列基板的制作方法一實施例的流程示意圖，該制作方法包括：

s21：提供第一基板。

其中，作為柔性oled中的基板，第一基板可采用適當?shù)娜嵝圆牧现瞥?，例如聚對苯二甲酸乙二?pet)或者聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)，但本實施例并不限制于此。

s22：在第一基板上制作水氧阻隔層；其中，水氧阻隔層采用類石墨烯二維材料制作得到。

類石墨烯二維材料是指在一個維度上維持納米尺度，一個或幾個原子層厚度，而在二維平面內(nèi)具有無限類似碳六元環(huán)組成的兩維(2d)周期蜂窩狀點陣結(jié)構(gòu)。

采用這種材料制作，使得水氧阻隔層具有良好的化學和熱穩(wěn)定性、極好的水氧阻隔性，同時，由于其單原子層的結(jié)構(gòu)也使得該材料的柔韌性和彎折性大大增加。

可選的，該類石墨烯二維材料可以是六方氮化硼(h-bn)，六方氮化硼(h-bn)等具有類似單層石墨六元環(huán)結(jié)構(gòu)的材料，有良好的潤滑性、電絕緣性、導熱性和耐化學腐蝕性，具有中子吸收能力?；瘜W性質(zhì)穩(wěn)定對所有熔融金屬化學呈惰性，成型制品便于機械加工，有很高的耐濕性。

下面以六方氮化硼(h-bn)為例，對水氧阻隔層的制作進行介紹，參閱圖3，該步驟s22可以具體包括：

s221：采用類石墨烯二維材料在第二基板上制作一層二維平面原子層。

s222：將二維平面原子層轉(zhuǎn)移到第一基板上。

重復上述步驟s221和s222，以在第一基板上形成多層二維平面原子層，以得到水氧阻隔層。

具體地，同時結(jié)合圖4，可以使用cvd(chemicalvapordeposition，化學氣相沉積)在第二基板20(例如，可以使用銅箔)上生長二維原子層材料六方氮化硼(h-bn)薄膜，并利用濕法轉(zhuǎn)移技術(shù)將單層的六方氮化硼(h-bn)薄膜從第二基板20上轉(zhuǎn)移到第一基板10上，該轉(zhuǎn)移步驟重復幾次，完成多層單原子層的h-bn薄膜的轉(zhuǎn)移，形成幾個原子層的h-bn薄膜，幾個原子層的h-bn薄膜之間形成致密的結(jié)構(gòu)，并且層與層間的緊密結(jié)合可以互相補充轉(zhuǎn)移過程中產(chǎn)生的點缺陷，達到良好的阻水氧效果，h-bn材料為二維單原子層材料，其耐彎折性能良好，在彎折過程中不易出現(xiàn)裂紋或缺陷。

s23：在水氧阻隔層上制作tft功能層。

下面結(jié)合圖5-圖9，對步驟s23進行說明。

如圖5所示，在水氧阻隔層11上制作緩沖層12；在緩沖層12上制作有源層13，并對有源層13進行摻雜，以在有源層13上形成源極區(qū)域131和漏極區(qū)域132；在有源層13上制作第一絕緣層14；在第一絕緣層14上制作第一金屬層，并對金屬層進行圖案化處理，以形成柵極15；在柵極上制作第二絕緣層16。

其中，緩沖層12、第一絕緣層14、第二絕緣層16均為無機材料，可選的，可以采用siox、sinx，或者siox和sinx的混合物，這里不作要求。

其中，有源層13的制作可以具體如下：先沉積非晶硅(a-si)層，再通過準分子激光退火(ela)工藝將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化結(jié)晶為多晶硅(poly-si)層，再將所述多晶硅層進行圖案化處理，并進行離子摻雜，形成包括源極區(qū)域131和漏極區(qū)域132的有源層13。

如圖6所示，采用一道光罩蝕刻形成第一過孔161、第二過孔162以及第三過孔163；其中，第一過孔161、第二過孔162和第三過孔163的孔底均位于水氧阻隔層12，第一過孔161使有源層13中的源極區(qū)域131裸露，第二過孔162使有源層13中的漏極區(qū)域132裸露，第三過孔163不經(jīng)過有源層13和柵極15。其中，第一過孔161和第二過孔162不經(jīng)過柵極15。

如圖7所示，在第二絕緣層16上涂覆有機材料，且有機材料填充于第一過孔161、第二過孔162以及第三過孔163中，形成有機填充層17。

如圖8所示，去除第一過孔161以及第二過孔162中的有機材料，重新裸露出源極區(qū)域131和漏極區(qū)域132。

可以理解的，在去除第一過孔161以及第二過孔162中的有機材料時，可以將過孔中填充的有機材料全部去除，也可以僅僅是去除到能夠裸露出源極區(qū)域131和漏極區(qū)域132為止，即緩沖層中過孔中的有機材料可以保留。

如圖9所示，在有機填充層17上制作源極181和漏極182；其中，源極181通過第一過孔161連接源極區(qū)域131，漏極182通過第二過孔162連接漏極區(qū)域162。

具體地，在制作源極181和漏極182時，可以在有機填充層17上先制作第二金屬層，并對第二金屬層進行圖案化處理，以形成源極181和漏極182。

值得注意的是，在本步驟中，第一過孔161也可以叫做源極接觸孔，第二過孔162也可以叫做漏極接觸孔，第三過孔163可以叫做應(yīng)力釋放孔，由于水氧阻隔層11為二維原子層的h-bn材料，耐彎折性能較好，因此，三個過孔不需要刻蝕掉水氧阻隔層11，即過孔的底部到水氧阻隔層的上表面即可，并且三個過孔刻蝕深度可以設(shè)置為一樣，因此可以共用一道光罩，降低了制程復雜性。

可以理解的，第三過孔163(應(yīng)力釋放過孔)中的有機材料保留，面板彎折時，彎折可以發(fā)生在應(yīng)力釋放孔處，從而減小了薄膜間的應(yīng)力，增大了面板的耐彎折性能。

可選的，本實施例中以一個應(yīng)力釋放過孔為例，在其他實施例中，應(yīng)力釋放過孔也可以設(shè)置多個，多個應(yīng)力釋放過孔的結(jié)構(gòu)和設(shè)置步驟可以參考上述實施例，這里不再贅述。

s24：在tft功能層上依次制作平坦層、電極層以及像素定義層。

如圖10所示，在有機填充層17上制作平坦層19；在平坦層19上制作第四過孔(未標識)，以使源極181或漏極182中的一個裸露；在平坦層19上制作第三金屬層，并對第三金屬層進行圖案化處理，以形成電極層32；其中，電極層32通過第三過孔連接源極181或漏極182；在第三金屬層上制作像素定義層34。

可以理解的，其中的電極層32可以是陽極或者陰極，這里不作要求。

可以理解的，上述各個實施例中，制作功能層、金屬層可以采用物理氣相沉積或化學氣相沉積的方法來制作，例如物理濺射、旋涂、噴墨、狹縫涂布或者光刻工藝等方法中的一種或多種，本實施例不作限定。

通過上述的方式，一方面，將面板中的水氧阻隔層采用類石墨烯二維材料制作，能夠提高陣列基板的柔韌度和彎折性能；另一方面，在面板中設(shè)置應(yīng)力釋放孔，能夠在面板彎折發(fā)生在應(yīng)力釋放孔處時，減小薄膜間的應(yīng)力，增大面板的耐彎折性能。

參閱圖11，圖11是本發(fā)明提供的oled顯示面板一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示面板包括oled陣列基板50、發(fā)光器件60以及上基板70。

其中，該oled陣列基板50是如上述各個實施例提供的陣列基板，或者是采用如上述各個實施例提供的制作方法制作得到。

可以理解的，參閱上述提供的實施例，其中的陣列基板包括電極層，其可以作為第一電極層。另外，在上基板上還設(shè)置有第二電極層，如果第一電極層為陽極，則第二電極層70為陰極；如果第一電極層為陰極，則第二電極層70為陽極。

可選的，在第一電極層為陽極、第二電極層為陰極時，陣列基板50和發(fā)光器件60之間還可以包括空穴注入層和空穴傳輸層，上基板70和發(fā)光器件60之間還可以包括電子注入層和電子傳輸層。

可選的，在第一電極層為陰極、第二電極層為陽極時，陣列基板50和發(fā)光器件60之間還可以包括電子注入層和電子傳輸層，上基板70和發(fā)光器件60之間還可以包括空穴注入層和空穴傳輸層。

另外，該oled顯示面板還可以包括封裝蓋板、填充的惰性氣體等等，這里不再贅述。

以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。