技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種瞬態(tài)電壓抑制器及其制作方法。所述瞬態(tài)電壓抑制器包括P型襯底、形成于所述P型襯底上的P型外延層、形成于所述P型外延層中的P型隔離阱、形成于所述P型外延層表面的N型摻雜區(qū)域、及形成于所述N型摻雜區(qū)域表面的第一P型摻雜區(qū)域及第二P型摻雜區(qū)域，其中所述第一P型摻雜區(qū)域與所述第二P型摻雜區(qū)域位于所述N型摻雜區(qū)域的兩端，所述第一P型摻雜區(qū)域與所述N型摻雜區(qū)域形成第一齊納二極管，所述第二P型摻雜區(qū)域與所述N型摻雜區(qū)域形成第二齊納二極管。所述瞬態(tài)電壓抑制器具有器件面積小，工藝難度低，制造成本低、保護(hù)特性和可靠性較高的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：車(chē)成凱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：車(chē)成凱
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.12
技術(shù)公布日：2017.11.10