技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種金屬原子摻雜的大面積規(guī)則外延石墨烯的制備方法，應(yīng)用于微電子技術(shù)領(lǐng)域。將金屬原子引入到SiC的高溫裂解過程中，并輔以Ar氣氛的保護(hù)，不僅可以制備得到大面積規(guī)則的外延石墨烯，還可引導(dǎo)外來金屬原子直接參與石墨烯片層的生長(zhǎng)過程，促使金屬原子與C原子之間原子插層或雜化而實(shí)現(xiàn)金屬原子的摻雜，避免了離子注入對(duì)石墨烯整體結(jié)構(gòu)的破壞作用。金屬原子束流的預(yù)處理是實(shí)現(xiàn)摻雜的重要前提，Ar氣氛環(huán)境抑制了表面孔洞的生成，保證了外延石墨烯樣品規(guī)則均勻的表面形貌。該發(fā)明技術(shù)思路簡(jiǎn)單，可操作性強(qiáng)，是一種穩(wěn)定有效的金屬原子摻雜方法，可為外延石墨烯的優(yōu)化制備及性能改性提供重要的指導(dǎo)與借鑒。

技術(shù)研發(fā)人員：胡廷偉;馬飛;徐可為;馬大衍;劉祥泰;張曉荷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.07
技術(shù)公布日：2017.11.03