一種對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，該方法是將機(jī)械剝離得到的石墨烯結(jié)合于目標(biāo)基底上，然后將結(jié)合有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，溶解石墨烯表面的殘膠，得到具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。本發(fā)明是在室溫下進(jìn)行操作，溶解表面殘膠的同時(shí)，不引入額外的缺陷，極大地保持了石墨烯的初始性能，得到高質(zhì)量的石墨烯；所述方法能循環(huán)使用有機(jī)溶劑，節(jié)約能源，是一種對(duì)環(huán)境污染小，而且滿足制備石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管所需表面干凈石墨烯的方法。
【專利說(shuō)明】一種對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及納米材料與【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]石墨烯是單層或少數(shù)層高結(jié)晶性石墨，是由sp2碳原子組成的蜂窩狀二維平面結(jié)構(gòu)。2004年,英國(guó)曼切斯特大學(xué)的Geim小組在機(jī)械剝離的高定向裂解石墨薄片樣品中發(fā)現(xiàn)了單層石墨烯的存在，并對(duì)其電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)其載流子遷移率高達(dá)3000?10000cm/Vs之間。由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，在短短幾年內(nèi)石墨烯成了凝聚態(tài)物理和材料科學(xué)的重要研究對(duì)象和人們關(guān)注的焦點(diǎn)。
[0003]石墨烯的主要獲取方式有機(jī)械剝離法(膠帶粘貼法)、SiC外延生長(zhǎng)法、還原氧化法和化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等，利用機(jī)械剝離的方法可制備高品質(zhì)的石墨烯材料。在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，通過(guò)機(jī)械剝離法制得的石墨烯的載流子遷移率均超過(guò)ZOOOcm2V-1S-1,通過(guò)電流退火進(jìn)行表面氣體脫附后，載流子遷移率可以達(dá)到25000(3!!^-1^,如果進(jìn)一步去除石墨烯附著的襯底使其懸空，則載流子遷移率可以達(dá)到200000(^2^1^,這是已報(bào)道的半金屬材料中可以達(dá)到的最大值。而且，該遷移率在1K?100K的溫度范圍內(nèi)都是不隨溫度變化。此方法的優(yōu)點(diǎn)在于簡(jiǎn)單快速便利，且制備出的石墨烯樣品晶格完整、無(wú)雜質(zhì)缺陷，適合各種基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)研究。
[0004]然而，通過(guò)機(jī)械剝離法得到的石墨烯，在石墨烯的表面殘留膠帶的粘合劑，導(dǎo)致石墨烯的電學(xué)、光學(xué)性能大大折扣。因此，一種能降低膠帶粘合劑殘留并且不引入額外缺陷的清潔方法顯得尤為重要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一 )要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0006]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，以去除機(jī)械剝離石墨烯表面的殘膠獲取原子級(jí)清潔表面。
[0007]( 二 )技術(shù)方案
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，該方法是將機(jī)械剝離得到的石墨烯結(jié)合于目標(biāo)基底上，然后將結(jié)合有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，溶解石墨烯表面的殘膠，得到具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。
[0009]上述方案中，該方法具體包括如下步驟:
[0010]步驟1:將機(jī)械剝離得到的鱗片狀石墨烯平鋪于膠帶上反復(fù)對(duì)折，粘帖，使石墨烯均勻分布于膠帶；
[0011]步驟2:將步驟I獲得的樣品貼在目標(biāo)基底上，并對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或摩擦，然后去掉目標(biāo)基底上的藍(lán)膜；
[0012]步驟3:將鋪展有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酷的至少一種之中，溶解石墨稀表面的殘I父，獲得鋪展有石墨稀的目標(biāo)基底；
[0013]步驟4:對(duì)鋪有石墨烯的基底進(jìn)行干燥處理，得到具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。
[0014]上述方案中，步驟I中所述膠帶是一種采用氯乙烯薄膜為基材，粘合劑為丙烯酸類，能夠在室外使用的金屬板用表面保護(hù)材料。
[0015]上述方案中，步驟2中所述目標(biāo)基底為厚度為300nm的Si02/Si基底。步驟2中所述對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或摩擦，是用手指對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或者摩擦，時(shí)間為I分鐘-5分鐘。
[0016]上述方案中，步驟3中所述將鋪展有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，時(shí)間為I小時(shí)-6小時(shí)，充分溶解殘膠后，轉(zhuǎn)移至去離子水中沖洗，沖洗次數(shù)為3次-5次。
[0017]上述方案中，步驟4中所述對(duì)鋪有石墨烯的基底進(jìn)行干燥處理，干燥處理溫度為200C _60°C，并用氮?dú)獯蹈伞?br> [0018]本發(fā)明還提供了一種由上述方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯，該具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯，表面結(jié)構(gòu)完整，表面起伏度小于0.4nm，為原子級(jí)平整表面。
[0019]本發(fā)明還提供了一種將由上述方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯用于制作石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管或?qū)щ姳∧さ姆椒ā?br> [0020]本發(fā)明還提供了一種將由上述的方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯用作原子級(jí)平整基底以研究表界面的微觀過(guò)程的方法。
[0021](三)有益效果
[0022]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，采用有機(jī)溶劑在室溫下對(duì)剝離石墨烯表面的殘膠進(jìn)行處理，得到表面干凈無(wú)殘膠的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，不引入額外的缺陷，石墨烯的結(jié)構(gòu)得到較好的保持，得到的石墨烯質(zhì)量高，是具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明具有如下特點(diǎn):
[0024](I)本發(fā)明所使用的有機(jī)溶劑廉價(jià)，能循環(huán)使用，節(jié)約能源，且在石墨烯表面無(wú)殘留和吸附影響。
[0025](2)本發(fā)明所使用的膠帶spv-224/214藍(lán)膜，材料廉價(jià)，而且剝離石墨烯表面殘留少，方便使用有機(jī)溶劑去除表面殘膠。
[0026](3)本發(fā)明所處理的方式在室溫下進(jìn)行，操作簡(jiǎn)便，溶解表面殘膠的同時(shí)，不引入額外的缺陷，極大地保持了石墨烯的初始性能。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1為本發(fā)明提供的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法流程圖；
[0028]圖2為實(shí)施例1中機(jī)械剝離石墨烯清潔前的原子力顯微圖；
[0029]圖3為實(shí)施例1中機(jī)械剝離石墨烯清潔后的原子力顯微圖；
[0030]圖4為實(shí)施例1中機(jī)械剝離石墨烯清潔前后的拉曼譜圖；
[0031]圖5為實(shí)施例2是機(jī)械剝離石墨烯清潔前的原子力顯微圖；
[0032]圖6為實(shí)施例2中機(jī)械剝離石墨烯清潔后的原子力顯微圖；
[0033]圖7為實(shí)施例2中機(jī)械剝離石墨烯清潔前后的拉曼譜圖；
[0034]圖8為實(shí)施例3中機(jī)械剝離石墨烯清潔前的原子力顯微圖；
[0035]圖9為實(shí)施例3中機(jī)械剝離石墨烯清潔后的原子力顯微圖；
[0036]圖10為實(shí)施例3中機(jī)械剝離石墨烯清潔前后的拉曼譜圖。

【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。但本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本發(fā)明并不局限于此，任何在本發(fā)明的基礎(chǔ)上做出的改進(jìn)和發(fā)明都在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0038]下述實(shí)施例中所述實(shí)驗(yàn)方法，如無(wú)特殊說(shuō)明，均為常規(guī)方法；所述試劑和材料，如無(wú)特殊說(shuō)明，均可從商業(yè)途徑獲得。
[0039]本發(fā)明提供的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，選用有機(jī)溶劑作為殘膠去除劑，該有機(jī)溶劑選自四氫呋喃、甲苯、丁酮、乙酸乙酯中至少一種，優(yōu)選四氫呋喃，四氫呋喃對(duì)表面殘膠(丙烯酸類粘合劑)具有良好的溶解性。本發(fā)明在室溫下進(jìn)行操作，溶解表面殘膠的同時(shí)，不引入額外的缺陷，極大地保持了石墨烯的初始性能，得到高質(zhì)量的石墨烯；所述方法能循環(huán)使用有機(jī)溶劑，節(jié)約能源，是一種對(duì)環(huán)境污染小，而且滿足制備石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管所需表面干凈石墨烯的方法。
[0040]如圖1所示，圖1為本發(fā)明提供的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法流程圖，該方法是將機(jī)械剝離得到的石墨烯結(jié)合于目標(biāo)基底上，然后將結(jié)合有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，溶解石墨烯表面的殘膠，得到具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯，該方法具體包括如下步驟:
[0041]步驟1:將機(jī)械剝離得到的鱗片狀石墨烯平鋪于膠帶上反復(fù)對(duì)折，粘帖，使石墨烯均勻分布于膠帶；
[0042]步驟2:將步驟I獲得的樣品貼在目標(biāo)基底上，并對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或摩擦，然后去掉目標(biāo)基底上的藍(lán)膜；
[0043]步驟3:將鋪展有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酷的至少一種之中，溶解石墨稀表面的殘I父，獲得鋪展有石墨稀的目標(biāo)基底；
[0044]步驟4:對(duì)鋪有石墨烯的基底進(jìn)行干燥處理，得到具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。
[0045]在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，步驟I中所述膠帶是一種采用氯乙烯薄膜為基材，粘合劑為丙烯酸類，能夠在室外使用的金屬板用表面保護(hù)材料。優(yōu)選地，膠帶選用日東公司生產(chǎn)的spv-224/214膠帶。步驟2中所述目標(biāo)基底為厚度為300nm的Si02/Si基底；所述對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或摩擦，是用手指對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或者摩擦，時(shí)間為I分鐘-5分鐘，優(yōu)選時(shí)間為2分鐘-3分鐘。步驟3中所述將鋪展有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，時(shí)間為I小時(shí)-6小時(shí)，優(yōu)選2小時(shí)-3小時(shí)，充分溶解殘膠后，轉(zhuǎn)移至去離子水中沖洗，沖洗次數(shù)為3次-5次。步驟4中所述對(duì)鋪有石墨烯的基底進(jìn)行干燥處理，干燥處理溫度為20°C -60°C，優(yōu)選溫度為室溫，并用氮?dú)獯蹈伞?br> [0046]在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其工藝流程具體包含:首先在藍(lán)膜上放入2-3片鱗片石墨烯，反復(fù)對(duì)折，粘帖，使石墨烯均勻分布于膠帶；然后將藍(lán)膜粘有石墨烯的一邊貼在Si02/Si基底上，用手指在基底上不斷進(jìn)行按壓或者摩擦，然后輕輕撕掉基底上的藍(lán)膜；繼而浸泡基底于有機(jī)溶劑中，溶解殘膠；最后干燥處理基底，即可獲得具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。
[0047]基于圖1所示的方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯，其表面結(jié)構(gòu)完整，表面起伏度小于0.4nm，為原子級(jí)平整表面。根據(jù)本發(fā)明，不引入其他機(jī)械剝離石墨烯以外的缺陷，表面殘膠少。
[0048]基于圖1所示的方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯，本發(fā)明還提供一種由上述方法處理獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯的應(yīng)用，具體而言，該具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯可用于構(gòu)筑石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管、導(dǎo)電薄膜等電子器件，或者用作原子級(jí)平整基底以研究表界面的微觀過(guò)程的應(yīng)用。
[0049]實(shí)施例1、以四氫呋喃作為有機(jī)溶劑清潔機(jī)械剝離石墨烯表面
[0050]制備步驟如下:
[0051](I)將鱗片石墨烯平鋪于日東公司生產(chǎn)的spv-224/214膠帶上反復(fù)對(duì)折，粘帖，使石墨烯均勻分布于膠帶；
[0052](2)將鋪滿石墨稀的貼在目標(biāo)基底上,用手指在300nm Si02/Si基底上不斷進(jìn)行按壓，按壓時(shí)間為3min，然后輕輕撕掉目標(biāo)基底上的藍(lán)膜；
[0053](3)將鋪展有石墨烯的Si02/Si基底浸泡于四氫呋喃中，浸泡時(shí)間6小時(shí)，溶解丙烯酸類粘合劑，充分溶解后，轉(zhuǎn)移至去離子水中沖洗，沖洗5次，氮?dú)獯蹈?，即可獲得鋪展有石墨烯的Si02/Si基底；
[0054](4)最后將鋪有石墨烯的基底在室溫下進(jìn)行干燥，即可獲取表面起伏度小于0.4nm具有原子級(jí)平整清潔表面的石墨烯。
[0055]圖2為機(jī)械剝離石墨烯清潔后的原子力顯微圖。從圖中得知，剝離的石墨烯除了邊緣產(chǎn)生褶皺，其余部分基本為單層石墨烯。由于藍(lán)膜表面的粘合劑，導(dǎo)致機(jī)械剝離石墨烯表面殘存在大量的顆粒狀和片狀的雜質(zhì)。從高度起伏可以看出，單層石墨烯與基底表面的高度差在2-4nm，也說(shuō)明石墨烯表面殘膠的存在。經(jīng)過(guò)四氫呋喃清潔處理后，如圖3所示，石墨烯表面的顆粒狀和片狀的殘留完全消失，表面均一無(wú)雜質(zhì)，表面起伏度小于0.4nm，為原子級(jí)平整表面。但由于處理的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致石墨烯發(fā)生了輕微的褶皺。處理時(shí)間縮短為2_3h，效果更佳。
[0056]圖4中實(shí)施例1中剝離石墨烯清潔處理前后的拉曼譜圖。圖中D峰(?1350CHT1處)無(wú)明顯增強(qiáng)，峰形與處理前信號(hào)基本一致，說(shuō)明本發(fā)明所提供的處理方法基本不引入石墨烯生長(zhǎng)以外的額外缺陷。
[0057]實(shí)施例2、以乙酸乙酯作為有機(jī)溶劑清潔機(jī)械剝離石墨烯
[0058]采用乙酸乙酯清潔機(jī)械剝離石墨烯，除步驟(3)中將Si02/Si基底浸泡于四氫呋喃中改為乙酸乙酯之外，其余操作均與實(shí)施例1相同。
[0059]將圖5中的剝離的雙層及多層石墨烯浸泡于乙酸乙酯中，處理后，如圖6所示，表面均一無(wú)雜質(zhì)，表面起伏度小于0.4nm，為原子級(jí)平整表面。圖7拉曼譜圖顯示石墨烯的特征峰與處理前信號(hào)基本一致，說(shuō)明該處理方法基本不引入石墨烯生長(zhǎng)以外的額外缺陷。
[0060]實(shí)施例3、以丁酮作為作為有機(jī)溶劑清潔機(jī)械剝離石墨烯
[0061]采用丁酮清潔機(jī)械剝離石墨烯，除步驟⑶中將Si02/Si基底浸泡于四氫呋喃中改為丁酮之外，其余操作均與實(shí)施例1相同。
[0062]將圖8中的剝離的單層石墨烯浸泡于丁酮中，處理后，如圖9所示，表面雜質(zhì)減少，但是石墨烯發(fā)生了嚴(yán)重的蜷曲，喪失了原有的形貌，而且拉曼譜圖(圖10)同樣表明石墨烯的結(jié)構(gòu)發(fā)生了明顯變化。
[0063]本發(fā)明的主要特點(diǎn)是引入簡(jiǎn)單的有機(jī)溶劑處理方法而得到具有表面原子級(jí)清潔的機(jī)械剝離石墨烯。本發(fā)明提供的石墨烯結(jié)構(gòu)完整、缺陷和表面殘膠殘留少。較之傳統(tǒng)的未經(jīng)過(guò)處理的石墨烯，本發(fā)明所提供的方法表面殘膠極少，是原子級(jí)清潔的表面。本發(fā)明獲得的石墨烯適用于構(gòu)筑石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管、導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域。
[0064]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其特征在于，該方法是將機(jī)械剝離得到的石墨烯結(jié)合于目標(biāo)基底上，然后將結(jié)合有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，溶解石墨烯表面的殘膠，得到具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其特征在于，該方法具體包括如下步驟: 步驟1:將機(jī)械剝離得到的鱗片狀石墨烯平鋪于膠帶上反復(fù)對(duì)折，粘帖，使石墨烯均勻分布于膠帶； 步驟2:將步驟1獲得的樣品貼在目標(biāo)基底上，并對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或摩擦，然后去掉目標(biāo)基底上的監(jiān)月旲； 步驟3:將鋪展有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，溶解石墨稀表面的殘I父，獲得鋪展有石墨稀的目標(biāo)基底； 步驟4:對(duì)鋪有石墨烯的基底進(jìn)行干燥處理，得到具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其特征在于，步驟1中所述膠帶是一種采用氯乙烯薄膜為基材，粘合劑為丙烯酸類，能夠在室外使用的金屬板用表面保護(hù)材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其特征在于，步驟2中所述目標(biāo)基底為厚度為300nm的Si02/Si基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其特征在于，步驟2中所述對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或摩擦，是用手指對(duì)目標(biāo)基底不斷進(jìn)行按壓或者摩擦，時(shí)間為1分鐘_5分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其特征在于，步驟3中所述將鋪展有石墨烯的目標(biāo)基底浸泡于有機(jī)溶劑四氫呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一種之中，時(shí)間為1小時(shí)_6小時(shí)，充分溶解殘膠后，轉(zhuǎn)移至去離子水中沖洗，沖洗次數(shù)為3次-5次。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)機(jī)械剝離石墨烯表面進(jìn)行原子級(jí)清潔處理的方法，其特征在于，步驟4中所述對(duì)鋪有石墨烯的基底進(jìn)行干燥處理，干燥處理溫度為20°C -60°C，并用氮?dú)獯蹈伞?br> 8.一種由權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯，該具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯，表面結(jié)構(gòu)完整，表面起伏度小于0.4nm，為原子級(jí)平整表面。
9.一種將由權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯用于制作石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管或?qū)щ姳∧さ姆椒ā?br> 10.一種將由權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的方法獲得的具有原子級(jí)清潔表面的石墨烯用作原子級(jí)平整基底以研究表界面的微觀過(guò)程的方法。
【文檔編號(hào)】C01B31/04GK104495812SQ201410764087
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月11日
【發(fā)明者】金智, 彭松昂, 史敬元, 王少青, 王選蕓, 張大勇 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所