技術編號：12864962
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于二維薄膜材料制備及改性的技術領域，涉及一種金屬原子摻雜的大面積規(guī)則外延石墨烯的制備方法。背景技術外延石墨烯是通過單晶SiC基體的高溫熱解而制得，不需要轉移就可以將其直接應用于電子器件的制作，有望成為硅基后摩爾時代的理想候選半導體材料。美國IBM公司已經開發(fā)出基于外延石墨烯頻率高達300GHz的場效應晶體管，使人們對其在微電子技術領域的應用給予了厚望。近期，越來越多的科研工作者致力于外延石墨烯的大面積制備、金屬摻雜及其物理特性的調控。金屬原子與石墨烯的交互作用及其對石墨烯幾何形態(tài)和物性的...
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