本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的，涉及制備薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示面板要求的不斷提高，tft金屬導(dǎo)線細(xì)線化成為所要求的一項(xiàng)要點(diǎn)，tft金屬導(dǎo)線細(xì)線化可以解決開口率、負(fù)載電容等問題。但是，在目前所進(jìn)行氧化物tft-lcd項(xiàng)目中，形成源漏極的材料為導(dǎo)電性能更好的金屬銅。而銅的緩沖層金屬與pr膠的粘附力是一項(xiàng)需要解決的問題。同時(shí)，隨著顯示中對(duì)比度及分辨率的要求不斷提高，需要柵極及源漏極線寬做到較細(xì)的水平，然而，細(xì)線化的金屬線會(huì)帶來刻蝕過程金屬與光刻(pr)膠粘附力的問題。

金屬刻蝕過程中，如果所要得到的圖形線寬較細(xì)，就會(huì)帶來金屬與光刻膠之間結(jié)合力變小從而導(dǎo)致pr膠脫落的現(xiàn)象，上述危害制約著金屬細(xì)線化工藝。同時(shí)，由于在htm(半色調(diào)掩膜版)工藝中，二次刻蝕過程金屬與pr膠的粘附截面會(huì)減小，所以常用的htm工藝在二次刻蝕過程中pr膠脫落種現(xiàn)象會(huì)加劇。

因此，關(guān)于金屬導(dǎo)線細(xì)線化的研究有待深入。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種能夠?qū)崿F(xiàn)金屬電極細(xì)線化的薄膜晶體管。

本發(fā)明是基于發(fā)明人的以下發(fā)現(xiàn)和認(rèn)識(shí)而完成的：

發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，金屬與pr膠相連的界面可能存在兩種相互作用力：第一種為分子力，主要為有機(jī)物膠體與金屬相連；第二種為氫鍵，氫鍵主要為極性小分子(n、o等)與h相互作用的力。氫鍵是介于分子間作用力與化學(xué)鍵之間的一種力。因此，如果增加氫鍵作用，將會(huì)增加金屬與pr膠的粘附力。光刻膠一般為酚醛樹脂，其中含有大量的h及o，故而發(fā)明人經(jīng)過深入研究后提出在金屬與pr膠之間形成一層具有大量氫鍵供體h和受體o及n的金屬配合物層，通過光刻膠和金屬配合物層之間形成氫鍵，使金屬和pr膠緊密的粘合在一起，即使在刻蝕過程中金屬線寬變細(xì)，金屬與pr膠接觸面積變小兩者也不易脫落分離，能夠獲得細(xì)線化金屬。

有鑒于此，在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該薄膜晶體管包括：基板；柵極，所述柵極包括柵極金屬層和柵極金屬配合物層，其中，所述柵極金屬層設(shè)置在所述基板的一個(gè)表面上，所述柵極金屬配合物層設(shè)置在所述柵極金屬層遠(yuǎn)離所述基板的表面上；柵絕緣層，所述柵絕緣層設(shè)置在所述基板的一個(gè)表面上，且覆蓋所述柵極；有源層，所述有源層設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的表面上；源極，所述源極包括源極金屬層和源極金屬配合物層，所述源極金屬層設(shè)置在所述柵絕緣層和所述有源層遠(yuǎn)離所述基板的表面上，所述源極金屬配合物層設(shè)置在所述源極金屬層遠(yuǎn)離所述基板的表面上；漏極，所述漏極包括漏極金屬層和漏極金屬配合物層，所述漏極金屬層設(shè)置在所述柵絕緣層和所述有源層遠(yuǎn)離所述基板的表面上，所述漏極金屬配合物層設(shè)置在所述漏極金屬層遠(yuǎn)離所述基板的表面上。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在柵極、源極和漏極中設(shè)置金屬配合物層，其中含有大量可以作為氫鍵受體的o、n，同時(shí)含有大量h可以作為氫鍵供體，而光刻膠一般為酚醛樹脂，其中含有大量的h及o，由此，h與n或者o形成氫鍵，增大了金屬與pr膠之間的粘附力，在刻蝕過程中柵極、源極和漏極的金屬層不會(huì)因線寬變細(xì)、與pr膠的粘附截面減小等原因而和光刻膠脫落分離，從而制備寬度細(xì)化(可以小于2微米)的柵極、源極和漏極，由此，有利于縮小該薄膜晶體管的體積，提高含有該薄膜晶體管的顯示器件的開口率、對(duì)比度及分辨率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，柵極金屬配合物層、源極金屬配合物層和漏極金屬配合物層是通過以下步驟形成的：于30-40攝氏度條件下，使柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層遠(yuǎn)離所述基板的表面與配體溶液接觸30-90秒。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，配體溶液含有乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤(rùn)劑。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基于配體溶液的總質(zhì)量，配體溶液含有：乙酸3-7％wt、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種5-15％wt、硝酸鈰銨2-5％wt和浸潤(rùn)劑1-3％wt。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的材料各自獨(dú)立的包括銅、銀、鋁、鈦中的至少一種。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種制備薄膜晶體管的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該制備薄膜晶體管的方法中形成所述薄膜晶體管的柵極、源極和漏極的步驟包括：形成金屬層；在所述金屬層的一個(gè)表面形成金屬配合物層；在所述金屬配合物層遠(yuǎn)離所述金屬層的表面形成光刻膠圖案；去除未被所述光刻膠圖案覆蓋的所述金屬配合物層和金屬層。由此，制備方法簡(jiǎn)便成熟，成本低，易于工業(yè)化生產(chǎn)，且制備獲得的金屬線寬度較窄，含有該薄膜晶體管的顯示器件具有較高的開口率，顯示效果較佳。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述形成金屬配合物層包括：于30-40攝氏度條件下，使所述金屬層的表面與配體溶液接觸30-90秒。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述配體溶液含有乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤(rùn)劑。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板包括前面所述的薄膜晶體管。由此，開口率高，電學(xué)穩(wěn)定性好，使用性能佳。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置包括前面所述的陣列基板。由此，開口率高，電學(xué)穩(wěn)定性好，使用性能佳。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖。

圖3至圖7是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖

圖8至圖12是本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。下面描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例中未注明具體技術(shù)或條件的，按照本領(lǐng)域內(nèi)的文獻(xiàn)所描述的技術(shù)或條件或者按照產(chǎn)品說明書進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過市購(gòu)獲得的常規(guī)產(chǎn)品。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D1，該薄膜晶體管包括：基板100，柵極200，所述柵極200包括柵極金屬層210和柵極金屬配合物層220，其中，所述柵極金屬層210設(shè)置在所述基板100的一個(gè)表面上，所述柵極金屬配合物層220設(shè)置在所述柵極金屬層210遠(yuǎn)離所述基板100的表面上；柵絕緣層300，所述柵絕緣層300設(shè)置在所述基板100的一個(gè)表面上，且覆蓋所述柵極200；有源層400，所述有源層400設(shè)置在所述柵絕緣層300遠(yuǎn)離所述基板100的表面上；源極500，所述源極500包括源極金屬層510和源極金屬配合物層520，所述源極金屬層510設(shè)置在所述柵絕緣層300和所述有源層400遠(yuǎn)離所述基板100的表面上，所述源極金屬配合物層520設(shè)置在所述源極金屬層510遠(yuǎn)離所述基板100的表面上；漏極600，所述漏極600包括漏極金屬層610和漏極金屬配合物層620，所述漏極金屬層610設(shè)置在所述柵絕緣層300和所述有源層400遠(yuǎn)離所述基板100的表面上，所述漏極金屬配合物層620設(shè)置在所述漏極金屬層610遠(yuǎn)離所述基板100的表面上。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在柵極、源極和漏極中設(shè)置金屬配合物層，其中含有大量可以作為氫鍵受體的o、n，同時(shí)含有大量h可以作為氫鍵供體，而光刻膠一般為酚醛樹脂，其中含有大量的h及o，由此，h與n或者o形成氫鍵，增大了金屬與pr膠之間的粘附力，在刻蝕過程中柵極、源極和漏極的金屬層不會(huì)因線寬變細(xì)、與pr膠的粘附截面減小等原因而和光刻膠脫落分離，從而制備寬度細(xì)化(可以小于2微米)的柵極、源極和漏極，由此，有利于縮小該薄膜晶體管的體積，提高含有該薄膜晶體管的顯示器件的開口率、對(duì)比度及分辨率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基板的具體種類沒有特殊的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，基板的具體種類可以為玻璃基板、陶瓷基板或聚合物基板。由此，來源廣，成本低，性能佳。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的材料也沒有特殊要求，只要具有良好的導(dǎo)電性能即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的材料各自獨(dú)立的包括銅、銀、鋁、鈦中的至少一種。由此，材料來源廣泛，導(dǎo)電性能佳，使用性能好，且上述多種金屬可滿足不同情況、不同部件的使用要求，應(yīng)用范圍廣泛。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的方法也沒有特殊限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的方法包括但不限于涂覆、沉積、印刷等方法。由此，操作簡(jiǎn)單、方便，易于控制。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了得到具有較強(qiáng)氫鍵作用的柵極金屬配合物層、源極金屬配合物層和漏極金屬配合物層，形成柵極金屬配合物層、源極金屬配合物層和漏極金屬配合物層的步驟包括：于30-40攝氏度條件下，使柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層遠(yuǎn)離基板的表面與配體溶液接觸30-90秒。具體的，使柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層遠(yuǎn)離基板的表面與配體溶液接觸的具體方式?jīng)]有特別限制，只要使得配體溶液可以與柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層發(fā)生配位反應(yīng)即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇，例如包括但不限于將配體溶液噴淋至柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的表面，或者將柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層的表面浸泡到配體溶液中，或者采用噴淋和浸泡結(jié)合的方式使得柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層與配體溶液接觸。由此，可以快速有效地在柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層表面形成具有較強(qiáng)氫鍵作用的金屬配合物層，為使后續(xù)的光刻工藝提供便利的條件，實(shí)現(xiàn)細(xì)線化金屬電極，同時(shí)提高工作效率和產(chǎn)品良率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了提高柵極金屬配合物層、源極金屬配合物層和漏極金屬配合物層中氫鍵的受體和供體，配體溶液含有乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤(rùn)劑。由此，在柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層表面形成的m[c6h13n2p2]cooh金屬配合物層中含有大量氫鍵的受體和供體，與后續(xù)步驟中的光刻膠中的h及o形成氫鍵，從而增大柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層和光刻膠之間的粘附力，實(shí)現(xiàn)細(xì)線化金屬電極。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了達(dá)到柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層與光刻膠之間最佳的粘附效果，取適量的乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤(rùn)劑溶于水中，得到配體溶液，基于配體溶液的總質(zhì)量，配體溶液各組分的含量為：乙酸3-7％wt、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種5-15％wt、硝酸鈰銨2-5％wt和浸潤(rùn)劑1-3％wt。由此，柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層和光刻膠之間的粘附力達(dá)到最佳。

其中，需要說明的是，浸潤(rùn)劑的具體種類沒有特別限制，只要能夠減小金屬層的表面張力，增強(qiáng)配體溶液的浸潤(rùn)效果，且同時(shí)能夠發(fā)揮增強(qiáng)結(jié)合力的作用即可，可以為本領(lǐng)域任何已知的浸潤(rùn)劑，例如包括但不限于醇類浸潤(rùn)劑、酯類浸潤(rùn)劑等。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種制備薄膜晶體管的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D2，該制備薄膜晶體管的方法中形成所述薄膜晶體管的柵極、源極和漏極的步驟包括：

s100：形成金屬層200，結(jié)構(gòu)示意圖參見圖3。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，金屬層200可以在具有支撐功能的襯底10上形成，襯底的具體種類沒有特別限制，可以為顯示器件中的基板，如玻璃基板、陶瓷基板、聚合物基板等，也可以是基板上形成有一些層結(jié)構(gòu)的半成品，例如，柵極可以直接形成在基板上，而源極和漏極則需要形成在具有柵極、柵絕緣層、有源層的基板上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成金屬層的材料也沒有特殊要求，只要具有良好的導(dǎo)電性能即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成金屬層的材料包括銅、銀、鋁、鈦中的至少一種。由此，材料來源廣泛，導(dǎo)電性能佳，使用性能好，且上述多種金屬可滿足不同情況、不同部件的使用要求，應(yīng)用范圍廣泛。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成金屬層的方法也沒有特殊限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成金屬層的方法包括但不限于涂覆、沉積、印刷等方法。由此，操作簡(jiǎn)單、方便，易于控制。在所述金屬配合物層遠(yuǎn)離所述金屬層的表面形成光刻膠圖案；去除未被所述光刻膠圖案覆蓋的所述金屬配合物層和金屬層。由此，制備方法簡(jiǎn)便成熟，成本低，易于工業(yè)化生產(chǎn)，且制備獲得的金屬線寬度較窄，含有該薄膜晶體管的顯示器件具有較高的開口率，顯示效果較佳。

s200：在金屬層20的一個(gè)表面形成金屬配合物層30，結(jié)構(gòu)示意圖見圖4。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了得到具有較強(qiáng)氫鍵作用的金屬配合物層，形成金屬配合物層步驟包括：于30-40攝氏度條件下，使金屬層遠(yuǎn)離基板的表面與配體溶液接觸30-90秒。具體的，使金屬層遠(yuǎn)離基板的表面與配體溶液接觸的具體方式?jīng)]有特別限制，只要使得配體溶液可以與金屬層發(fā)生配位反應(yīng)即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇，例如包括但不限于將配體溶液噴淋至金屬層的表面，或者將金屬層的表面浸泡到配體溶液中。由此，可以快速有效地在金屬層表面形成具有較強(qiáng)氫鍵作用的金屬配合物層，為使后續(xù)的光刻工藝提供便利的條件，提高工作效率和產(chǎn)品良率。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了提高金屬配合物層中氫鍵的受體和供體，配體溶液含有乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤(rùn)劑。由此，在金屬層表面形成的m[c6h13n2p2]cooh金屬配合物層中含有大量氫鍵的受體和供體，與后續(xù)步驟中的光刻膠中的h及o形成氫鍵，從而增大金屬層和光刻膠之間的粘附力。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了達(dá)到金屬層與光刻膠之間最佳的粘附效果，取適量的乙酸、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種、硝酸鈰銨和浸潤(rùn)劑溶于水中，得到配體溶液，基于配體溶液的總質(zhì)量，配體溶液各組分的含量為：乙酸3-7％wt、二氮二磷雜環(huán)戊烷和二氧雜環(huán)戊烷中的至少一種5-15％wt、硝酸鈰銨2-5％wt和浸潤(rùn)劑1-3％wt。由此，金屬層和光刻膠之間的粘附力達(dá)到最佳。

其中，需要說明的是，浸潤(rùn)劑的具體種類沒有特別限制，只要能夠減小金屬層的表面張力，增強(qiáng)配體溶液的浸潤(rùn)效果，且同時(shí)能夠發(fā)揮增強(qiáng)結(jié)合力的作用即可，可以為本領(lǐng)域任何已知的浸潤(rùn)劑，例如包括但不限于醇類浸潤(rùn)劑、酯類浸潤(rùn)劑等。

s300：在金屬配合物層30遠(yuǎn)離金屬層20的表面上形成光刻膠圖案40。結(jié)構(gòu)示意圖參見圖5。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成光刻膠圖案的方法和材料沒有限制要求，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。例如，可以先在金屬層的整個(gè)表面涂覆光刻膠層，然后對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠圖案30。

s400：去除未被光刻膠圖案覆蓋的金屬配合物層和金屬層，得到金屬線50，該金屬線可以為薄膜晶體管的柵極、源極或漏極。結(jié)構(gòu)示意圖參見圖6。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，去除未被光刻膠圖案覆蓋的金屬配合物層和金屬層的方法沒有限制要求，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過刻蝕的方法去除金屬配合物層和金屬層，包括但不限于濕法刻蝕、干法刻蝕等。由此，操作簡(jiǎn)單，工藝成熟，易于實(shí)現(xiàn)，且成本較低。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，根據(jù)不同工藝，在后續(xù)步驟中可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)一步去除光刻膠圖案或去除部分光刻膠圖案，去除全部光刻膠圖案后的結(jié)構(gòu)示意圖參見圖7，如采用半色調(diào)掩膜則需要去除部分光刻膠圖案，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以按照常規(guī)操作進(jìn)行，在此不再過多贅述。

通過上述方法，金屬層與光刻膠之間形成氫鍵，增大了金屬與pr膠之間的粘附力，在刻蝕過程中金屬層不會(huì)因線寬變細(xì)、與pr膠的粘附截面減小等原因而和光刻膠脫落分離，從而制備寬度細(xì)化的金屬線，且制備方法簡(jiǎn)便成熟，成本低，易于工業(yè)化生產(chǎn)。

本領(lǐng)域人可以理解，制備薄膜晶體管的方法除了包括前面所述的形成柵極、源極和漏極的步驟外，還應(yīng)包括形成其他必要結(jié)構(gòu)部件的方法和步驟，比如形成柵極絕緣層、有源層和鈍化層等的方法步驟，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)常規(guī)操作進(jìn)行，在此不再過多贅述。

下面根據(jù)本發(fā)明一個(gè)制備薄膜晶體管的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，其中，柵極、源極和漏極采用前面所述的制備金屬線的方法形成。具體的，參照?qǐng)D8，在基板100的一側(cè)形成第一金屬層700，然后在第一金屬層遠(yuǎn)離基板100的表面形成第一金屬配合物層800，接著在第一金屬配合物層遠(yuǎn)離基板100的表面形成光刻膠圖案900，參照?qǐng)D9，然后刻蝕掉未被光刻膠圖案覆蓋的第一金屬層和第一金屬配合物層和光刻膠圖案900，以形成柵極金屬層210和柵極金屬配合物層220，柵極金屬層210和柵極金屬配合物層220共同構(gòu)成柵極200，參照?qǐng)D10，接著在基板的一側(cè)形成柵絕緣層300并覆蓋柵極200，在柵絕緣層300遠(yuǎn)離基板100的一側(cè)形成半導(dǎo)體層1000，在半導(dǎo)體層1000遠(yuǎn)離基板100的一側(cè)形成第二金屬層1100，在第二金屬層1100遠(yuǎn)離基板100的一側(cè)形成第二金屬配合物層1200，在第二金屬配合物層1200遠(yuǎn)離基板100的一側(cè)形成光刻膠1300；參照?qǐng)D11，利用金屬刻蝕工藝去除未被光刻膠覆蓋的半導(dǎo)體、第二金屬層及第二金屬配合物層，形成有源層400；參照?qǐng)D12，然后去除中間的光刻膠；參照?qǐng)D1，接著通過金屬刻蝕工藝去除未被光刻膠覆蓋的第二金屬層和第二金屬配合物層；并去除光刻膠，形成源極500和漏極600。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，形成金屬配合物層的方法與前面所述的形成金屬配合物層的方法一致，其他步驟均可按照本領(lǐng)域常規(guī)操作進(jìn)行，在此不再過多的贅述。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，去除光刻膠的工藝沒有特殊要求，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，去除光刻膠的工藝為灰化工藝。由此，工藝成熟，易于工業(yè)化生產(chǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成柵絕緣層方法和材料沒有限制要求，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成柵絕緣層的方法可以為涂覆、沉積和印刷等方法，形成柵絕緣層的材料可以為氮化硅、碳化硅或二氧化硅等材料。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成有源層的方法也沒有特殊的限制要球，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成有源層的方法可以為涂覆、沉積和印刷等方法。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成有源層的材料也沒有特殊的限制要球，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，有源層的材料可以選擇低溫多晶硅或者銦鎵鋅氧化物等。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板包括前面所述的薄膜晶體管。由此，開口率高，電學(xué)穩(wěn)定性好，使用性能佳。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明的陣列基板除了包括前面所述到的薄膜晶體管，還包括常規(guī)陣列基板所必須的其他結(jié)構(gòu)部件，比如公共電極、像素電極、功能層等結(jié)構(gòu)部件。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置包括前面所述的陣列基板。由此，開口率高，電學(xué)穩(wěn)定性好，使用性能佳。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置的具體種類沒有特別限制，可以為本領(lǐng)域任何具有顯示功能的裝置、設(shè)備，例如包括但不限于手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)顯示器、游戲機(jī)、電視機(jī)、顯示屏幕、可穿戴設(shè)備及其他具有顯示功能的生活電器或家用電器等。

當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了前面所述的陣列基板，本發(fā)明所述的顯示裝置還可以包括常規(guī)顯示裝置所具有的必要的結(jié)構(gòu)和部件，以手機(jī)為例進(jìn)行說明，除了具有本發(fā)明的陣列基板件外，其還可以具有觸控屏、外殼、cpu、照相模組、指紋識(shí)別模組、聲音處理系統(tǒng)等等常規(guī)手機(jī)所具有的結(jié)構(gòu)和部件，在此不再過多贅述。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。