本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高溫特性的半導(dǎo)體芯片加工工藝。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。
現(xiàn)有的酸洗工藝晶粒(oj晶粒)加工工藝包括以下步驟：晶粒清洗→噴磷→磷擴(kuò)散→片分離→吹砂→涂硼→硼擴(kuò)散→片分離→吹砂→清洗→一次鍍鎳→鎳燒結(jié)→二次鍍鎳→切割→裂片→清洗→完成。此工藝在封裝線組裝時(shí)對(duì)晶粒邊緣切割的毛邊進(jìn)行化學(xué)拋光，使二極管的pn結(jié)完全形成，再對(duì)晶粒表面涂一層絕緣的電子級(jí)硅白膠做為pn結(jié)的保護(hù)。此工藝半導(dǎo)體芯片在封裝線時(shí)由于工序較多，對(duì)于整個(gè)制程的車間環(huán)境溫濕度要求，產(chǎn)品工序間的快速流程都要求較高；管控時(shí)常會(huì)出現(xiàn)晶粒清洗后表面二次污染，造成產(chǎn)品電性能不穩(wěn)定，高溫特性較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷問題，提供一種高溫特性的半導(dǎo)體芯片加工工藝，通過采用gpp晶粒代替oj晶粒，減少封裝線的工序，把酸洗與白膠保護(hù)的工序改在晶粒制造工藝?yán)?，減少封裝線環(huán)境與人為因素造成的電性能不穩(wěn)定影響產(chǎn)品的高溫特性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：
一種高溫特性的半導(dǎo)體芯片加工工藝，gpp晶粒加工流程依次包括以下步驟：氧化→p面一次膠→單面光刻顯定影→去氧化→背膠→硬烤→開溝→去膠→mor→電泳前清洗→電泳→玻融燒結(jié)→去氧化/玻璃→鍍鎳→點(diǎn)測(cè)→打標(biāo)→激光劃片→裂片→晶粒清洗→包裝出貨。
進(jìn)一步地，所述氧化生長(zhǎng)sio2層厚度1-2nm；氧化爐溫800℃，通濕氧5分鐘或720℃，通濕氧10-15分鐘。
進(jìn)一步地，所述單面光刻顯定影采用光刻膠掩膜及刻蝕v型槽或機(jī)械式劃v型槽。
進(jìn)一步地，所述電泳前清洗用混合酸、清洗劑和純水在清洗槽或超聲波清洗機(jī)內(nèi)清洗硅片，使其表面潔凈并烘干。
進(jìn)一步地，所述電泳包括以下步驟：
s1、將硝酸、氫氟酸、冰醋酸混合配制腐蝕溶液，用其將擴(kuò)散后的硅片腐蝕出pn結(jié)臺(tái)面溝槽，然后用水將其沖洗干凈；
s2、將異丙醇、鉛系玻璃粉、二元醇-環(huán)氧乙烷聚合物按比例混合配制成玻璃漿；
s3、將乙酸乙脂與步驟s2配制的玻璃漿混合配制電泳液，混合后形成懸浮液，按電泳液體積比例滴入硝酸和高純丙酮；
s4、將裝有s3制備好的電泳液的石英方杯放置在電泳裝置中，用超聲波裝置對(duì)電泳液進(jìn)行10min超聲處理，靜置10min后備用；
s5、將經(jīng)s1處理過的硅片置于電泳液中，將電泳時(shí)間設(shè)置在1至2min，然后進(jìn)行電泳。
進(jìn)一步地，所述s1配制腐蝕溶液按體積比硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝3-5：3：1。
進(jìn)一步地，所述s2玻璃漿組成質(zhì)量比為異丙醇：鉛系玻璃粉∶二元醇-環(huán)氧乙烷聚合物為237∶25∶3。
進(jìn)一步地，所述s3配制電泳液組成質(zhì)量比為乙酸乙酯/玻璃漿＝2.5。
進(jìn)一步地，所述3滴入0.02％硝酸和0.08％高純丙酮。
進(jìn)一步地，所述s5電泳電壓為直流電壓200v。
本發(fā)明的有益效果：一種高溫特性的半導(dǎo)體芯片加工工藝，采用gpp晶粒代替oj晶粒，減少封裝線的工序，把酸洗與白膠保護(hù)的工序改在晶粒制造工藝?yán)?，減少封裝線環(huán)境與人為因素造成的電性能不穩(wěn)定影響產(chǎn)品的高溫特性；gpp晶粒在封裝線時(shí)無需經(jīng)過酸洗，上白膠工序，直接焊接后進(jìn)行注塑成形，大大的減少了酸洗，上白膠工序制程管控不足導(dǎo)致的電性能不穩(wěn)定、高溫特性差的現(xiàn)象。
附圖說明
圖1為本發(fā)明加工工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
具體實(shí)施時(shí)，結(jié)合圖1，一種高溫特性的半導(dǎo)體芯片加工工藝，gpp晶粒加工流程依次包括以下步驟：氧化→p面一次膠→單面光刻顯定影→去氧化→背膠→硬烤→開溝→去膠→mor→電泳前清洗→電泳→玻融燒結(jié)→去氧化/玻璃→鍍鎳→點(diǎn)測(cè)→打標(biāo)→激光劃片→裂片→晶粒清洗→包裝出貨。
氧化生長(zhǎng)sio2層厚度1-2nm；氧化爐溫800℃，通濕氧5分鐘或720℃，通濕氧10-15分鐘。
單面光刻顯定影采用光刻膠掩膜及刻蝕v型槽或機(jī)械式劃v型槽。
電泳前清洗用混合酸、清洗劑和純水在清洗槽或超聲波清洗機(jī)內(nèi)清洗硅片，使其表面潔凈并烘干。
電泳包括以下步驟：
s1、將硝酸、氫氟酸、冰醋酸混合配制腐蝕溶液，用其將擴(kuò)散后的硅片腐蝕出pn結(jié)臺(tái)面溝槽，然后用水將其沖洗干凈；配制腐蝕溶液按體積比硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝3-5：3：1；
s2、將異丙醇、鉛系玻璃粉、二元醇-環(huán)氧乙烷聚合物按比例混合配制成玻璃漿；玻璃漿組成質(zhì)量比為異丙醇：鉛系玻璃粉∶二元醇-環(huán)氧乙烷聚合物為237∶25∶3；
s3、將乙酸乙脂與步驟s2配制的玻璃漿混合配制電泳液，混合后形成懸浮液，按電泳液體積比例滴入0.02％硝酸和0.08％高純丙酮；配制電泳液組成質(zhì)量比為乙酸乙酯/玻璃漿＝2.5；
s4、將裝有s3制備好的電泳液的石英方杯放置在電泳裝置中，用超聲波裝置對(duì)電泳液進(jìn)行10min超聲處理，靜置10min后備用；
s5、將經(jīng)s1處理過的硅片置于電泳液中，將電泳時(shí)間設(shè)置在1至2min，然后進(jìn)行電泳；電泳電壓為直流電壓200v。
本發(fā)明高溫特性的半導(dǎo)體芯片加工工藝，采用gpp晶粒代替oj晶粒，減少封裝線的工序，把酸洗與白膠保護(hù)的工序改在晶粒制造工藝?yán)?，減少封裝線環(huán)境與人為因素造成的電性能不穩(wěn)定影響產(chǎn)品的高溫特性；gpp晶粒在封裝線時(shí)無需經(jīng)過酸洗，上白膠工序，直接焊接后進(jìn)行注塑成形，大大的減少了酸洗，上白膠工序制程管控不足導(dǎo)致的電性能不穩(wěn)定、高溫特性差的現(xiàn)象。
上面所述的實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對(duì)本發(fā)明的構(gòu)思和范圍進(jìn)行限定。在不脫離本發(fā)明設(shè)計(jì)構(gòu)思的前提下，本領(lǐng)域普通人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做出的各種變型和改進(jìn)，均應(yīng)落入到本發(fā)明的保護(hù)范圍。