本發(fā)明涉及顯示器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種燈絲、電離室及離子植入設(shè)備。

背景技術(shù)：

顯示設(shè)備已成為人們現(xiàn)代生活中的不可缺少的一部分，在顯示設(shè)備的低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)的制程中，需要使用離子植入設(shè)備將等離子體植入到玻璃基板。在離子植入設(shè)備中，離子源氣體通過(guò)送氣管均勻的進(jìn)入電離室，電離室內(nèi)的燈絲通入電流后產(chǎn)生熱電子，熱電子與離子源氣體發(fā)生碰撞形成等離子體。

現(xiàn)有技術(shù)中，離子植入設(shè)備中的燈絲需要經(jīng)過(guò)多次彎曲形成特定的形狀，燈絲在彎曲點(diǎn)位置截面積會(huì)變小，導(dǎo)致彎折點(diǎn)的燈絲阻止大于未彎折部分，向燈絲通入電流后產(chǎn)生熱電子，進(jìn)入電離室內(nèi)的離子源氣體與熱電子撞擊產(chǎn)生等離子體，由于燈絲阻值大的部分會(huì)產(chǎn)生較多熱電子，更多的熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生更多的等離子體，導(dǎo)致燈絲的彎折點(diǎn)附近的等離子體濃度更高，燈絲附近的等離子體濃度不均勻，較高的等離子體濃度更易腐蝕燈絲，從而燈絲在長(zhǎng)時(shí)間使用后更易在彎折點(diǎn)附近斷裂，縮短了燈絲的壽命，提高了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種燈絲、電離室及離子植入設(shè)備，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中燈絲在長(zhǎng)時(shí)間使用后更易在彎折點(diǎn)附近斷裂，燈絲的壽命短，離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本高的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種燈絲，應(yīng)用于離子植入設(shè)備，所述燈絲包括第一端部、第二端部及位于所述第一端部與所述第二端部之間的連接部，所述第一端部和所述第二端部用于電連接至供電器件，所述第一端部通過(guò)所述連接部相對(duì)所述第二端部彎折，并且彎折的所述連接部的截面尺寸與所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同。

進(jìn)一步，所述連接部包括主體部與凸起部，所述主體部連接于所述第一端部與所述第二端部之間，并且所述主體部的截面尺寸與所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同，所述凸起部凸設(shè)于所述主體部的截面尺寸方向的表面上，以使彎折前的所述連接部的截面尺寸大于所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸，彎折后的所述連接部的截面尺寸等于所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸。

進(jìn)一步，所述凸起部包括第一端、第二端及位于所述第一端與所述第二端之間的第三端，所述第一端凸設(shè)于所述主體部連接所述第一端部的一端，所述第二端凸設(shè)于所述主體部連接所述第二端部的一端，彎折前所述第一端至所述第三端的截面尺寸均勻增大，所述第二端至所述第三端的截面尺寸均勻增大，以使彎折后的所述連接部的截面尺寸均勻。

進(jìn)一步，彎折后的所述連接部的弧度不小于π，以使所述第一端部與所述第二端部的距離不大于所述連接部的彎折直徑。

進(jìn)一步，所述第一端部、所述連接部及所述第二端部依次相連形成彎折單元，所述燈絲包括多個(gè)所述燈絲單元，每個(gè)所述燈絲單元的所述第一端部固定連接相鄰的所述燈絲單元的所述第二端部，每個(gè)所述燈絲單元的所述第二端部固定連接相鄰的所述燈絲單元的所述第一端部。

進(jìn)一步，相鄰的兩個(gè)所述燈絲單元的連接部的彎折方向相反。

進(jìn)一步，所述第一端部、所述第二端部及所述連接部一體成型。

進(jìn)一步，所述燈絲為鎢絲。

本發(fā)明還提供一種電離室，應(yīng)用于離子植入設(shè)備，所述電離室包括腔體、送氣管及以上任意一項(xiàng)所述的燈絲，所述送氣管和所述燈絲位于所述腔體內(nèi)，所述燈絲通電時(shí)產(chǎn)生熱電子，所述送氣管用于輸出離子源氣體，所述離子源氣體撞擊所述熱電子，以產(chǎn)生等離子體。

本發(fā)明還提供一種離子植入設(shè)備，所述離子植入設(shè)備包括以上任意一項(xiàng)所述的燈絲。

本發(fā)明的有益效果如下：連接部為燈絲的彎折部分，燈絲彎折后各部位(第一端部、第二端部、連接部)的截面尺寸相同，由于燈絲的阻值與燈絲的截面尺寸有關(guān)，燈絲截面尺寸均勻，燈絲各部位的阻值相同，燈絲通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲，燈絲不易斷裂，提高了燈絲的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的明顯變形方式。

圖1、圖2及圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的燈絲彎折前的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的燈絲彎折后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的燈絲的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6和圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的燈絲彎折后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例二提供的燈絲的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的電離室的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供的燈絲應(yīng)用于離子植入設(shè)備，離子植入設(shè)備是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入是對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù)，其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類(lèi)型。離子植入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對(duì)注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴(kuò)散等方面進(jìn)行精確的控制，克服了常規(guī)工藝的限制，提高了電路的集成度、開(kāi)啟速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。離子植入設(shè)備廣泛用于摻雜工藝，可以滿(mǎn)足淺結(jié)、低溫和精確控制等要求，已成為集成電路制造工藝中必不可少的關(guān)鍵裝備。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的電離室及離子植入設(shè)備可以應(yīng)用于顯示設(shè)備的低溫多晶硅薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管的制程中，即植入等離子體于玻璃基板表面。

請(qǐng)一并參閱圖1、圖2、圖3及圖4，本發(fā)明實(shí)施例一提供的燈絲100包括第一端部10、第二端部20及連接部30，連接部30位于第一端部10與第二端部20之間，并連接第一端部10與第二端部20。第一端部10和第二端部20用于電連接至供電器件，一種實(shí)施方式中，第一端部10背離連接部30的一端設(shè)有連接頭，用于接入供電設(shè)備，第二端部20背離連接部30的一端也設(shè)有連接頭，用于接入供電設(shè)備，從而使燈絲100與供電設(shè)備串聯(lián)，供電設(shè)備向燈絲100輸入電流流經(jīng)燈絲100以產(chǎn)生熱電子。第一端部10通過(guò)連接部30相對(duì)第二端部20彎折，具體的，第一端部10與第二端部20對(duì)稱(chēng)彎折，彎折的燈絲100一方面可以節(jié)省燈絲100的體積，另一方面提高單位空間產(chǎn)生的等離子體的濃度。進(jìn)一步的，彎折的連接部30的截面尺寸與第一端部10及第二端部20的截面尺寸相同，即燈絲100各部位的截面尺寸均相同，燈絲100截面尺寸均勻。一種較佳的實(shí)施方式中，燈絲100的截面形狀為圓形，其他實(shí)施方式中，燈絲100的截面形狀也可以為橢圓形、矩形等形狀。

本實(shí)施例中，在燈絲100彎折前，連接部30的截面尺寸大于第一端部10及第二端部20的截面尺寸。具體的，彎折前，第一端部10的截面尺寸和第二端部20的截面尺寸相同，連接部30包括主體部32與凸起部34，主體部32連接于第一端部10與第二端部20之間，并且主體部32的截面尺寸與第一端部10及第二端部20的截面尺寸相同，凸起部34凸設(shè)于主體部32的截面尺寸方向的表面上，由于凸起部34自身的截面尺寸增大了連接部30的截面尺寸，使連接部30的截面尺寸大于第一端部10的截面尺寸和第二端部20的截面尺寸，以在連接部30彎折后連接部30大于第一端部10及第二端部20的余量(即凸起部34的截面尺寸)補(bǔ)償連接部30彎折的壓縮量，從而使彎折后的連接部30的截面尺寸與第一端部10及第二端部20的截面尺寸相等。進(jìn)一步的，連接部30包括相對(duì)的第一側(cè)與第二側(cè)，第一端部10和第二端部20向第一側(cè)相對(duì)彎折，即第一側(cè)為連接部30在彎折時(shí)被壓縮的一側(cè)，第二側(cè)為連接部30在彎折時(shí)被拉伸的一側(cè)，凸起部34可以位于第一側(cè)(如圖1所示)，也可以位于第二側(cè)(如圖2所示)，或者在第一側(cè)和第二側(cè)均設(shè)凸起部34(如圖3所示)。

連接部30為燈絲100的彎折部分，燈絲100彎折后各部位(第一端部10、第二端部20、連接部30)的截面尺寸相同，由于燈絲100的阻值與燈絲100的截面尺寸有關(guān)，燈絲100截面尺寸均勻，燈絲100各部位的阻值相同，燈絲100通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲100周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲100某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲100，燈絲100不易斷裂，提高了燈絲100的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

本實(shí)施例中，彎折前第一端部10至連接部30的截面尺寸均勻增大，彎折前第二端部20至連接部30的截面尺寸均勻增大。具體的，凸起部34包括第一端342、第二端344及位于第一端342與第二端344之間的第三端346，第一端342凸設(shè)于主體部32連接第一端部10的一端，第二端344凸設(shè)于主體部32連接第二端部20的一端，彎折前第一端342至第三端346的截面尺寸均勻增大，第二端344至第三端346的截面尺寸均勻增大，以使彎折后的連接部30的截面尺寸均勻。進(jìn)一步的，連接部30的截面尺寸為燈絲100整體截面尺寸最大處，連接部30的截面尺寸向第一端部10均勻減小，截面尺寸變化均勻過(guò)渡，連接部30的截面尺寸向第二端部20均勻減小，截面尺寸變化均勻過(guò)渡。由于彎折部越靠近彎折中心的位置在彎折后截面尺寸縮小量越大，從彎折中心向第一端部10和第二端部20方向延伸的燈絲100的截面尺寸的彎折縮小量均勻減小，截面尺寸均勻過(guò)渡的燈絲100可以對(duì)應(yīng)補(bǔ)償燈絲100彎折時(shí)各部位的縮小量，從而使連接部30與第一端部10及第二端部20的截面尺寸相同，燈絲100整體截面尺寸均勻，燈絲100通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲100周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲100某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲100，燈絲100不易斷裂，提高了燈絲100的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

結(jié)合圖5，本實(shí)施例中，第一端部10、連接部30及第二端部20依次相連形成彎折單元200，燈絲100包括多個(gè)燈絲100單元，每個(gè)燈絲100單元的第一端部10固定連接相鄰的燈絲100單元的第二端部20，每個(gè)燈絲100單元的第二端部20固定連接相鄰的燈絲100單元的第一端部10。具體的，相連的多個(gè)燈絲100單元，僅有邊緣的燈絲100單元的第一端部10和第二端部20設(shè)有連接頭，用于接入供電設(shè)備，從而使燈絲100與供電設(shè)備串聯(lián)，供電設(shè)備向燈絲100輸入電流流經(jīng)燈絲100以產(chǎn)生熱電子。各燈絲100單元相互串聯(lián)，供電設(shè)備向燈絲100輸出電流，同時(shí)控制流經(jīng)各燈絲100單元的電源，即同時(shí)控制各燈絲100單元產(chǎn)生的熱電子的量。進(jìn)一步的，各燈絲100單元為相同的燈絲100單元，即各燈絲100單元的阻值相同，從而使各燈絲100單元產(chǎn)生的熱電子均勻，對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的等離子體的濃度均勻。多個(gè)彎折的燈絲100單元串聯(lián)提高了等離子體的產(chǎn)生量，也避免了燈絲100整體尺寸過(guò)大。

本實(shí)施例中，相鄰的兩個(gè)燈絲100單元的連接部30的彎折方向相反。具體的，以?xún)蓚€(gè)相連的燈絲100單元為例，將兩個(gè)該燈絲100單元分別稱(chēng)為第一燈絲100單元與第二燈絲100單元，第一燈絲100單元的第二端部20連接第二燈絲100單元的第一端部10，第一燈絲100單元的第一端部10相對(duì)第二端部20的彎折方向與第二燈絲100單元的第二端部20相對(duì)第一端部10的彎折方向相反，提高了等離子體的產(chǎn)生量，也避免了燈絲100整體尺寸過(guò)大。

本實(shí)施例中，第一端部10、第二端部20及連接部30一體成型，具體的，燈絲100可以先制成條狀后再?gòu)澱坌纬桑谱鞣绞胶?jiǎn)單。

進(jìn)一步的，燈絲100為金屬材料制成，一種較佳的實(shí)施方式中，燈絲100為鎢絲。金屬材料成本低，且能夠滿(mǎn)足產(chǎn)生熱電子的要求。

連接部30為燈絲100的彎折部分，燈絲100彎折后各部位(第一端部10、第二端部20、連接部30)的截面尺寸相同，由于燈絲100的阻值與燈絲100的截面尺寸有關(guān)，燈絲100截面尺寸均勻，燈絲100各部位的阻值相同，燈絲100通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲100周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲100某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲100，燈絲100不易斷裂，提高了燈絲100的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

請(qǐng)參閱圖6和圖7，本發(fā)明實(shí)施例二提供的燈絲100在連接部30彎折，連接部的弧度不小于π，彎折后的第一端部10與第二端部20的距離a不大于連接部30的彎折直徑b。一種實(shí)施方式中，彎折后的第一端部10與第二端部20的距離a小于連接部30的彎折直徑b(如圖6所示)，其他實(shí)施方式中，彎折后的第一端部10與第二端部20的距離a等于連接部30的彎折直徑b(如圖7所示)。連接部30為燈絲100的彎折部分，燈絲100彎折后各部位(第一端部10、第二端部20、連接部30)的截面尺寸相同，由于燈絲100的阻值與燈絲100的截面尺寸有關(guān)，燈絲100截面尺寸均勻，燈絲100各部位的阻值相同，燈絲100通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲100周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲100某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲100，燈絲100不易斷裂，提高了燈絲100的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

結(jié)合圖8，本實(shí)施例中，第一端部10、連接部30及第二端部20依次相連形成彎折單元200，燈絲100包括多個(gè)燈絲100單元，每個(gè)燈絲100單元的第一端部10固定連接相鄰的燈絲100單元的第二端部20，每個(gè)燈絲100單元的第二端部20固定連接相鄰的燈絲100單元的第一端部10。具體的，相連的多個(gè)燈絲100單元，僅有邊緣的燈絲100單元的第一端部10和第二端部20設(shè)有連接頭，用于接入供電設(shè)備，從而使燈絲100與供電設(shè)備串聯(lián)，供電設(shè)備向燈絲100輸入電流流經(jīng)燈絲100以產(chǎn)生熱電子。各燈絲100單元相互串聯(lián)，供電設(shè)備向燈絲100輸出電流，同時(shí)控制流經(jīng)各燈絲100單元的電源，即同時(shí)控制各燈絲100單元產(chǎn)生的熱電子的量。進(jìn)一步的，各燈絲100單元為相同的燈絲100單元，即各燈絲100單元的阻值相同，從而使各燈絲100單元產(chǎn)生的熱電子均勻，對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的等離子體的濃度均勻。多個(gè)彎折的燈絲100單元串聯(lián)提高了等離子體的產(chǎn)生量，也避免了燈絲100整體尺寸過(guò)大。

本實(shí)施例中，相鄰的兩個(gè)燈絲100單元的連接部30的彎折方向相反。具體的，以?xún)蓚€(gè)相連的燈絲100單元為例，將兩個(gè)該燈絲100單元分別稱(chēng)為第一燈絲100單元與第二燈絲100單元，第一燈絲100單元的第二端部20連接第二燈絲100單元的第一端部10，第一燈絲100單元的第一端部10相對(duì)第二端部20的彎折方向與第二燈絲100單元的第二端部20相對(duì)第一端部10的彎折方向相反，提高了等離子體的產(chǎn)生量，也避免了燈絲100整體尺寸過(guò)大。

本實(shí)施例中，第一端部10、第二端部20及連接部30一體成型，具體的，燈絲100可以先制成條狀后再?gòu)澱坌纬?，制作方式?jiǎn)單。

進(jìn)一步的，燈絲100為金屬材料制成，一種較佳的實(shí)施方式中，燈絲100為鎢絲。金屬材料成本低，且能夠滿(mǎn)足產(chǎn)生熱電子的要求。

連接部30為燈絲100的彎折部分，燈絲100彎折后各部位(第一端部10、第二端部20、連接部30)的截面尺寸相同，由于燈絲100的阻值與燈絲100的截面尺寸有關(guān)，燈絲100截面尺寸均勻，燈絲100各部位的阻值相同，燈絲100通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲100周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲100某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲100，燈絲100不易斷裂，提高了燈絲100的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種電離室，如圖7所示。本發(fā)明實(shí)施例提供的電離室應(yīng)用于離子植入設(shè)備，電離室包括腔體400、送氣管500及以上所述的燈絲100，送氣管500和燈絲100位于腔體400內(nèi)，燈絲100通過(guò)供電設(shè)備300通電時(shí)產(chǎn)生熱電子，送氣管500用于輸出離子源氣體，離子源氣體撞擊熱電子，以產(chǎn)生等離子體。具體的，腔體400為多個(gè)壁面相連后圍成的封閉空間，用于提供離子源氣體與熱電子碰撞產(chǎn)生等離子體的環(huán)境。送氣管500位于腔體400內(nèi)，送氣管500與提供離子源氣體的供氣設(shè)備相連通，供氣設(shè)備通過(guò)送氣管500向腔體400內(nèi)輸出離子源氣體。燈絲100也位于腔體400內(nèi)，具體的，燈絲100為金屬絲，一種較佳的實(shí)施方式中，燈絲100為鎢絲。送氣管500輸出離子源氣體與燈絲100產(chǎn)生的熱電子碰撞產(chǎn)生等離子體植入至基板600，實(shí)現(xiàn)離子植入。

連接部30為燈絲100的彎折部分，燈絲100彎折后各部位(第一端部10、第二端部20、連接部30)的截面尺寸相同，由于燈絲100的阻值與燈絲100的截面尺寸有關(guān)，燈絲100截面尺寸均勻，燈絲100各部位的阻值相同，燈絲100通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲100周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲100某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲100，燈絲100不易斷裂，提高了燈絲100的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種離子植入設(shè)備，用于將等離子體植入與半導(dǎo)體器件，離子植入設(shè)備包括以上所述的燈絲100。連接部30為燈絲100的彎折部分，燈絲100彎折后各部位(第一端部10、第二端部20、連接部30)的截面尺寸相同，由于燈絲100的阻值與燈絲100的截面尺寸有關(guān)，燈絲100截面尺寸均勻，燈絲100各部位的阻值相同，燈絲100通電后各部位產(chǎn)生的熱電子數(shù)量相同，熱電子與離子源氣體撞擊產(chǎn)生等離子體，燈絲100周?chē)牡入x子體濃度均勻，避免出現(xiàn)燈絲100某部位附近等離子體濃度過(guò)高腐蝕燈絲100，燈絲100不易斷裂，提高了燈絲100的壽命，降低了離子植入設(shè)備的維護(hù)成本和顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

以上所揭露的僅為本發(fā)明幾種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。