專利名稱：離子植入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及離子植入。
背景技術(shù)：
離子植入是一種借以將材料引入到襯底中的方法?？蓪⒏吣軒щ娫踊蚍肿又?入到襯底的外表面區(qū)中和/或襯底內(nèi)部較深處，這取決于賦予所述原子或分子的驅(qū)動 能量。在一種典型使用中，離子植入將增強傳導(dǎo)性的摻雜劑離子引入到半導(dǎo)體襯底 (例如晶體硅)表面中并使其穿過半導(dǎo)體襯底表面。通過選擇合適的植入物種、植 入劑量和植入能量，技工可在襯底內(nèi)形成所需區(qū)。
許多離子植入技術(shù)從與襯底的大體/整體定向垂直/正交的方向?qū)⒅踩胛锓N驅(qū)動 到襯底中。然而，在一些情況下，需要形成至少部分地在形成于襯底上方的結(jié)構(gòu)或 特征下方接納的植入?yún)^(qū)。為了完成所述操作，可與正交偏離某一角度進行離子植入， 借此至少部分地在從襯底突出的結(jié)構(gòu)/特征下方接納植入?yún)^(qū)。然而，半導(dǎo)體集成電路 制作工業(yè)的趨勢是使得特征變得更長且更靠近。這可有效地排除或至少降低成角度 的離子植入方法可有效提供將在特征下方接納的植入?yún)^(qū)的程度。
盡管本發(fā)明的動機是解決上文指出的問題，但其決不局限于此。本發(fā)明僅由如 逐字描述的所附權(quán)利要求書限制，而不對說明書進行解釋性或其它限制性參考，且 根據(jù)等效物的原則。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括多種離子植入方法。在一個實施方案中， 一種離子植入方法包括形 成一對從襯底向外突出的間隔且相鄰的特征。將所述對間隔特征的至少最外部分彼 此橫向拉離，其中在所述特征上方接納有圖案化光致抗蝕劑層，且所述圖案化光致 抗蝕劑層中具有接納于所述對間隔特征中間的開口。在此類間隔特征被橫向牽拉的 同時，將物種離子植入到接納為低于所述對間隔特征的襯底材料中。在離子植入之 后，從所述襯底移除圖案化光致抗蝕劑層。
在一個實施方案中， 一種離子植入方法包括形成一對從襯底向外突出的間隔且 相鄰的特征。確定第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)，其將在特征上方形成圖案化光致抗 蝕劑層(其中具有接納于所述特征中間的開口)后導(dǎo)致所述對特征的最外部分的第
一橫向分離。使用第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)來在所述特征上方形成圖案化光致抗 蝕劑層，所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)導(dǎo)致所述特征的最外部分的第二橫向分 離，其大于所述第一橫向分離。在圖案化光致抗蝕劑層位于特征上方的同時，將物 種離子植入到接納為低于所述對間隔特征的襯底材料中。在離子植入之后，從所述 襯底移除圖案化光致抗蝕劑層。
在一個實施方案中， 一種離子植入方法包括形成從襯底向外突出的第一、第二 和第三特征。所述第二特征接納于所述第一和第三特征中間。向內(nèi)朝向第二特征橫 向牽拉第一和第三特征的至少最外部分，其中在第一、第二和第三特征上方接納圖 案化光致抗蝕劑層。在第二特征上方全部接納圖案化光致抗蝕劑層，且所述圖案化 光致抗蝕劑層橋接在第一與第三特征之間。圖案化光致抗蝕劑層橫向暴露第一和第 三特征的外側(cè)壁。在第一和第三特征被橫向牽拉的同時，將物種離子植入到在第一 和第三特征橫向外部且鄰近第一特征和第三特征的襯底材料中，且所述襯底材料接 納為低于第一和第三特征。在離子植入之后，從所述襯底移除圖案化光致抗蝕劑層。
本發(fā)明的其它方面也是預(yù)期的。


下文參看以下附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個方面的處于處理中的襯底片段的圖解截面圖。
圖2是在圖1所示的處理步驟隨后的處理步驟處的圖1襯底片段的視圖。
圖3是在圖2所示的處理歩驟隨后的處理步驟處的圖2襯底片段的視圖。
圖4是在圖3所示的處理歩驟隨后的處理歩驟處的圖3襯底片段的視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一個方面的處于處理中的替代實施例襯底片段的圖解截面圖。
圖6是圖5的俯視圖，其中圖5是穿過圖6中的線5-5獲得的。 圖7是在圖5所示的處理步驟隨后的處理步驟處的圖5襯底片段的視圖。 圖8是在圖7所示的處理步驟隨后的處理步驟處的圖7襯底片段的視圖。 圖9是在圖8所示的處理步驟隨后的處理步驟處的圖8襯底片段的視圖。
具體實施例方式
參看圖1到4來描述根據(jù)本發(fā)明各方面的第一示范性離子植入方法。圖1描繪 襯底片段，其通常用參考數(shù)字IO指示。所述襯底片段包含襯底12，所述襯底12具 有從其向外突出的一系列特征13、 14、 15和16。襯底12可能包含任何一種材料或
不同材料的組合，且在一個實施方案中，優(yōu)選地包含半導(dǎo)體襯底。在此文獻的上下 文中，將術(shù)語"半導(dǎo)體襯底"或"半導(dǎo)電襯底"定義為意指任何包含半導(dǎo)電材料的 構(gòu)造，所述半導(dǎo)電材料包括但不限于例如半導(dǎo)電晶片的塊狀半導(dǎo)電材料(單獨的或 呈在上面包含其它材料的組合件的形式)以及半導(dǎo)電材料層(單獨的或呈包含其它 材料的組合件的形式)。術(shù)語"襯底"指的是任何支撐結(jié)構(gòu)，包括但不限于上文描 述的半導(dǎo)電襯底。另外，在此文獻的上下文中，術(shù)語"層"包含單數(shù)形式和復(fù)數(shù)形 式兩者，除非另有指示。在一個示范性實施方案中，襯底12包含塊狀半導(dǎo)電材料， 例如本征摻雜的單晶硅。替代性襯底當然也是預(yù)期的，其中絕緣體上覆半導(dǎo)體襯底 只是一種示范性類型。
特征13、 14、 15和16可能具有相同大小和形狀，或在大小和形狀的至少一者 方面有所不同。在所描繪的示范性實施例中，特征13、 14、 15和16包含場效應(yīng)晶 體管柵極堆疊，所述堆疊包含柵極介電層18、導(dǎo)電層20和絕緣帽22。示范性優(yōu)選 柵極介電層包含提供到55埃示范性厚度的二氧化硅。示范性導(dǎo)電層20包含700埃 厚的多晶硅層24、 85埃厚的基本鈦層26、 150埃厚的氮化鎢層28和IOO埃厚的基 本鎢層30。示范性優(yōu)選絕緣帽材料包含氮化硅，其例如提供到1500埃的示范性厚 度。各個柵極堆疊13、 14、 15和16的示范性寬度以及緊接相鄰的柵極堆疊之間的 分離距離為750埃。這樣進而提供所描繪的特征之間的間隔的約3.5的縱橫比。
出于繼續(xù)論述起見，著重于特征14和15來描述處理，所述特征14和15在示 范性實施例中可視為一對從襯底12向外突出的間隔且相鄰的特征。本文中進一歩 描述的處理結(jié)合至少一個內(nèi)部接納主題特征的共用橫截面，且沒有必要相對于在襯 底12上方接納的全部特征。在所描繪的橫截面中，所述對間隔特征14和15的最 外部分可視為具有橫向分離距離25。在一個優(yōu)選實施方案中，所述對特征具有至少 為3.0的縱橫比，且在其之間具有縱橫比至少為3.0的間隔(例如，在所描繪橫截 面中的所描繪的示范性間隔31)。另外，在一個優(yōu)選實施方案中，所述對特征具有 至少為4.0的縱橫比，且在其之間具有縱橫比至少為4.0的間隔。
參看圖2，所述對間隔特征14和15的最外部分已經(jīng)彼此橫向拉離，其中在特
征14和15上方接納有圖案化光致抗蝕劑層32，且其中光致抗蝕劑層32在所述對
間隔特征14與15中間具有接納于其中的開口 34。在此文獻的上下文中，光致抗蝕
劑是包含光敏化合物的任何材料，所述光敏化合物響應(yīng)于暴露到光化能量等而經(jīng)受
化學(xué)反應(yīng)，使得所述材料能夠在光化能量暴露之后使用溶劑進行圖案化或進行其它
處理。除了光致抗蝕劑以外，層32還可能包括若干材料/層。在一個優(yōu)選實施方案
中，圖案化光致抗蝕劑層32包含有機光致抗蝕劑。
利用可從Shin-Etsu Chemical Co" Ltd (6-1， Ohtemachi 2-chome， Chiyoda-ku; Tokyo 100-0004, Japan)購得的額定3,150埃厚的SEPR701光致抗蝕劑層用上述示 范性優(yōu)選實施例來將本發(fā)明付諸實踐。此類光致抗蝕劑經(jīng)受115'C的預(yù)曝光烘焙持 續(xù)卯秒和ll(TC的后曝光烘焙持續(xù)90秒。光致抗蝕劑層32內(nèi)的開口 34的尺寸經(jīng) 額定選擇為在所描繪的橫截面中為0.5微米到5微米寬且0.1微米到100微米長。 這導(dǎo)致在與襯底12正交偏離6°處(其中用數(shù)字40展示正交)將所述對特征中的每 一者橫向牽拉。
優(yōu)選地，所述對示范性特征14和15中的每一者的橫向牽拉為與襯底正交偏離 1°到10°，其中認為與襯底正交偏離5°到8。的范圍是較優(yōu)選的。此外，在一個示范 性優(yōu)選實施方案中，在所述對特征14和15中的每一者的不到全部上方接納圖案化 光致抗蝕劑層32。在所描繪的示范性實施例中，在所述對特征14和15中的每一者 的約50%上方接納所述圖案化光致抗蝕劑層。本發(fā)明當然還預(yù)期在所述特征中的每 一者的少于50%上方以及在所述特征的每一者的多于50%上方接納圖案化光致抗 蝕劑層。圖2描繪橫向牽拉導(dǎo)致特征14和15的最外部分的橫向分離35，所述橫向 分離35大于橫向分離25。
參看圖3，且其中間隔特征14和15彼此橫向拉離，將適宜物種離子植入到襯
底12的材料中，所述襯底12經(jīng)接納為低于所述對間隔特征14和15。這被描繪為
形成示范性擴散區(qū)38。在一個示范性實施方案中，植入物種包含增強傳導(dǎo)性的摻雜
劑，例如植入為l X 1011物種/cm2到l X 1015物種/0112的示范性劑量的硼或砷。
此類離子植入可大體上與襯底正交，借此植入物種和區(qū)被接納為低于所述對間隔特
征14和15，但是至少在植入時不是也在其下方。因此，"低于"本身在此文獻的上
下文中不要求植入到特征正下方。然而，替代地且根據(jù)克服促成本發(fā)明的問題為較
優(yōu)選地，以與襯底正交偏離某一角度(即，以與正交偏離1°到10°)來進行離子植
入，且因此也在植入時進入接納于特征14和15正下方的某些襯底材料中。舉例來
說，圖3描繪示范性箭頭，其從正交方向40與襯底12成某一角度，且其中所描繪
的擴散區(qū)38中的至少一些至少部分地接納在特征14和15下方。因此，在一個實
施方案中，橫向牽拉所述對間隔特征的至少最上部分提供較大空間來使得能夠相對
于上方接納特征14和15的襯底材料發(fā)生成角度的離子植入，且不管植入物種是否
接納于突出特征的正下方。離子植入角度(如果不是正交的話)可具有所述對特征
的最外部分的由牽拉產(chǎn)生的相同角度，或可具有大于或小于此牽拉角度的角度。
參看圖4，已經(jīng)在離子植入之后從襯底12移除了圖案化光致抗蝕劑層32。此 類移除可通過任何現(xiàn)有或尚待開發(fā)的技術(shù)。 一種示范性現(xiàn)有技術(shù)是通過氧等離子體 灰化。通常且優(yōu)選地，移除圖案化光致抗蝕劑層32將從在上方接納圖案化光致抗 蝕劑層32時的橫向分離程度開始來降低特征14和15的最外部分的橫向分離程度。 橫向分離程度的此類降低可能僅僅是部分的，或還可能優(yōu)選地達到在形成圖案化光 致抗蝕劑層之前的程度。圖4描繪示范性處理，借此已經(jīng)將圖2的橫向分離35降 低回到圖1的橫向分離25。當然，本發(fā)明各方面還預(yù)期不降低橫向分離程度，以及 將橫向分離程度降低到與在形成光致抗蝕劑之前的開始值不同的某值。
相鄰間隔特征或其它特征的至少最外部分的橫向牽拉可通過本文所揭示的任 何方法或通過隨后開發(fā)的方法來發(fā)生。發(fā)現(xiàn)影響間隔特征的橫向牽拉程度的因素包 括抗蝕劑成分和間隔特征的高度。舉例來說，較高特征往往會導(dǎo)致較高的橫向牽拉 程度。此外，往往會在沉積之后的所有處理時經(jīng)受較高收縮程度的抗蝕劑成分與展 現(xiàn)較小收縮率的抗蝕劑成分相比往往會導(dǎo)致較大橫向牽拉。此外且不管特征高度和 抗蝕劑成分，降低預(yù)曝光烘焙溫度和/或預(yù)曝光烘焙時間往往會增加隨后收縮率，且 借此增加相鄰間隔特征的橫向牽拉程度。類似地且無論如何，增加后曝光烘焙溫度 和/或時間中的至少一者往往會最大化收縮率，且借此最大化相鄰間隔特征的最外部 分的橫向牽拉。此外且無論如何，較厚光致抗蝕劑層與較薄光致抗蝕劑層相比趨向 于較大橫向牽拉。
在本發(fā)明的另一考慮方面中，舉例來說且僅借助于實例如上文結(jié)合圖1所描述， 一種離子植入方法包括形成從襯底向外突出的 一 對間隔且相鄰的特征。確定第 一 組 光致抗蝕劑處理參數(shù)，其將在特征上方形成圖案化光致抗蝕劑層(其中具有接納于 所述特征中間的開口)后導(dǎo)致所述對特征的最外部分的第一橫向分離。舉例來說且 僅借助于實例來說，可確定第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)，其導(dǎo)致所述對間隔特征的 最外部分的與此類特征初始形成時的橫向分離相同的第橫向分離，或?qū)е麓笥诨?小于間隔特征初始形成時的橫向分離的某第一橫向分離。此第一組光致抗蝕劑處理 參數(shù)將可能包括光致抗蝕劑層厚度、預(yù)曝光處理、后曝光處理等的一個或一個以上 組合，例如如上文所描述。
確定此第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)可能通過以下方式發(fā)生在具有所述特征的 襯底上方形成光致抗蝕劑層，且測量通過所利用的處理參數(shù)產(chǎn)生的橫向牽拉程度 (如果有的話)。所述襯底可能不是在其上方發(fā)生隨后處理的那種襯底，或者可以是 此類襯底。或者，可在實際上不必要求在任何襯底上方形成光致抗蝕劑的情況下，
通過計算機或其它建模來確定所述第一組處理參數(shù)。
此后，使用第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)在所述特征上方形成圖案化光致抗蝕劑 層，所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)導(dǎo)致所述特征的最外部分的第二橫向分離，其 大于所述第一橫向分離。僅借助于實例來說，結(jié)合圖2來描繪這一情況。在一個實 施方案中，第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含圖案化光致抗蝕劑層的厚度，其大于第 一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的厚度。在一個實施方案中，第二組光致抗蝕劑處理參 數(shù)包含預(yù)曝光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間中的至少一者，其小于第一組光致抗蝕劑 處理參數(shù)中的預(yù)曝光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間。在一個實施方案中，第二組光致 抗蝕劑處理參數(shù)包含后曝光烘焙溫度和后曝光烘焙時間中的至少一者，其大于第一 組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的后曝光烘焙溫度和后曝光烘焙時間。所述第一組和第二 組的此類以不同方式陳述的光致抗蝕劑處理參數(shù)中的任何參數(shù)當然還可進行組合。
在圖案化光致抗蝕劑層位于特征上方的同時，將物種離子植入到接納為低于所 述對間隔特征的襯底材料中，舉例來說如已經(jīng)展示的且上文結(jié)合圖3描述的。
在離子植入之后，從襯底處移除圖案化光致抗蝕劑層，例如如圖4所展示的且 已經(jīng)在上文描述的。通常且優(yōu)選地，圖案化光致抗蝕劑層的此類移除將從在所述特 征上方接納圖案化光致抗蝕劑層時的橫向分離程度開始來降低所述對特征的最外 部分的橫向分離程度。示范性優(yōu)選處理另外方面如上文結(jié)合本發(fā)明的第一描述實施 方案和方面描述的。
參看圖5到9來描述根據(jù)本發(fā)明多個方面的另一示范性離子植入方法。圖5和 6描繪包含襯底50的襯底片段49。襯底50包含半導(dǎo)電有源區(qū)域區(qū)54和居間電絕 緣隔離區(qū)56，所述居間電絕緣隔離區(qū)56例如包含二氧化硅和氮化硅中的一者或一 者以上。多個特征58、 60、 62、 64和66展示為從襯底50形成并向外突出。在所 描繪的示范性實施例中，所述特征包含場效應(yīng)晶體管柵極堆疊，其例如具有與第一 描述實施例的那些相同的示范性構(gòu)造和標識。同樣，所述特征可具有相同大小和形 狀，或在大小和形狀的至少一者方面有所不同。在一個示范性優(yōu)選實施例中，所述 特征具有至少為3.0的縱橫比，且在另一實施方案中，具有至少為4.0的縱橫比。 緊接相鄰的特征之間的分離距離可與所描繪特征的寬度相同或不同。出于連續(xù)論述 起見，特征60、 62和64可視為包含從襯底50向外突出的第一、第二和第三特征， 且其中第二特征62接納在第一特征60與第三特征64中間。在一個實施方案中， 特征62包含虛設(shè)柵極。"虛設(shè)柵極"在此文獻的上下文中是不形成可操作電路的可
操作部分的柵極線，且所述柵極線可在電路操作期間接地或以其它方式保持為非可
操作電位。這可在電路制作期間提供用以促進制作相容形狀的柵極線和柵極線間的間隔。
參看圖7，已經(jīng)向內(nèi)朝向第二特征62橫向牽拉第一特征60和第三特征64的至 少最外部分，其中在第一、第二和第三特征60、 62和64上方分別接納有圖案化光 致抗蝕劑層70。圖案化光致抗蝕劑層70優(yōu)選地具有與結(jié)合第一描述實施例相對于 光致抗蝕劑層32描述的屬性相同的屬性。另外，優(yōu)選地，可如上文描述那樣進行 處理以賦予所述橫向牽拉。在所描繪的橫截面中，圖案化光致抗蝕劑層70被接納 在第二特征62全部上方，且橋接在第一特征60與第三特征64之間。此外，圖案 化光致抗蝕劑層70橫向暴露第一特征60和第三特征64的外側(cè)壁67。優(yōu)選地，第 一和第三特征中的每一者的最外部分的橫向牽拉為與襯底正交偏離1°到10°，其中 較窄的優(yōu)選范圍為與襯底正交偏離5°到8°。圖案化光致抗蝕劑層70優(yōu)選地被接納 于第一特征60和第三特征64的不到全部上方，如圖所示。此圖案化光致抗蝕劑層 可能被接納于第一和第三特征的每一者的約50%上方、第一和第三特征的每一者的 少于50%上方或第一和第三特征的每一者的多于50%上方。僅借助于實例來說， 圖7描繪圖案化光致抗蝕劑層70被接納于第一和第三特征的每一者的約40%上方。
參看圖8，且在第一和第三特征被圖案化光致抗蝕劑層70橫向牽拉的同時，已 經(jīng)將物種離子植入到在第一特征60和第三特征64橫向外部且鄰近第一特征60和 第三特征64的襯底材料中，且所述襯底材料被接納為低于第一特征60和第三特征 64，進而形成所說明的植入?yún)^(qū)75?？膳c襯底正交地來進行此類離子植入，借此通常 所述植入?yún)^(qū)將包括非常少的(如果有的話)至少在植入時接納于第一和第三特征正 下方的部分。或者且更優(yōu)選地，如圖所示，以與襯底正交偏離某一角度進行離子植 入，且進而植入到接納于第一和第三特征下方的襯底材料中。離子植入角度(如果 不是正交的話)可具有特征60和64的最外部分的由牽拉產(chǎn)生的相同角度，或可具 有大于或小于此牽拉角度的角度。舉例來說，以正交或以與正交偏離某一角度進行 植入均優(yōu)選地如上文結(jié)合第一描述實施例所描述的。
參看圖9且在離子植入之后，已經(jīng)從襯底移除了圖案化光致抗蝕劑層70 (未圖 示)。如同第一描述實施例一樣，圖案化光致抗蝕劑層的此類移除通常且優(yōu)選地降 低第一和第三特征與第二特征的最外部分的橫向分離程度。橫向分離程度的此類降 低可能僅僅是部分的，或完全達到在形成圖案化光致抗蝕劑層之前的程度。處理另 外方面優(yōu)選如上文描述的。
權(quán)利要求
1.一種離子植入方法，其包括形成從襯底向外突出的一對間隔且相鄰的特征；將所述對間隔特征的至少最外部分彼此橫向拉離，其中在所述特征上方接納有圖案化光致抗蝕劑層，且所述圖案化光致抗蝕劑層中具有接納于所述對間隔特征中間的開口；在所述間隔特征被橫向牽拉的同時，將物種離子植入到接納為低于所述對間隔特征的襯底材料中；以及在所述離子植入之后，從所述襯底移除所述圖案化光致抗蝕劑層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征具有相同的大小和形狀。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征在大小和形狀的至少一者方面有所 不同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征包含場效應(yīng)晶體管柵極堆疊，所述 堆疊包含柵極介電層、導(dǎo)電層和絕緣帽。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對特征具有至少為3.0的縱橫比，且在 其之間具有縱橫比為至少3.0的間隔。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對特征具有至少為4.0的縱橫比，且在 其之間具有縱橫比為至少4.0的間隔。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖案化光致抗蝕劑層包含有機光致抗蝕 劑。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對特征中每一者的最外部分的橫向牽拉 與所述襯底正交偏離1°到10°。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述對特征中每一者的最外部分的橫向牽拉 與所述襯底正交偏離5。到8。。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖案化光致抗蝕劑層的移除從所述圖案 化光致抗蝕劑層被接納于所述對特征上方時的橫向分離程度開始降低所述對 特征的最外部分的橫向分離程度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述圖案化光致抗蝕劑層的移除將所述特 征的最外部分的橫向分離程度降低到形成所述圖案化光致抗蝕劑層之前的橫 向分離程度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中以與所述襯底正交偏離一角度來進行所述離 子植入，且植入到接納于所述對特征下方的襯底材料中。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述離子植入角度等于由所述橫向牽拉產(chǎn) 生的所述對間隔特征的最外部分的與正交偏離的角度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述離子植入角度大于由所述橫向牽拉產(chǎn) 生的所述對間隔特征的最外部分的與正交偏離的角度。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述離子植入角度小于由所述橫向牽拉產(chǎn) 生的所述對間隔特征的最外部分的與正交偏離的角度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對特 征的每一者的不到全部上方。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對 特征的每一者的約50%上方。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對 特征的每一者的少于50%上方。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對 特征的每一者的多于50%上方。
20. —種離子植入方法，其包括形成從襯底向外突出的一對間隔且相鄰的特征；將所述對間隔特征的至少最外部分彼此橫向拉離成為與所述襯底正交偏離 1。到10。，其中在所述特征上方接納有圖案化光致抗蝕劑層，且所述圖案化光致抗蝕劑層中具有接納于所述對間隔特征中間的開口，所述對特征具有至少為 3.0的縱橫比且在其之間具有縱橫比為至少3.0的間隔；在所述間隔特征被橫向牽拉的同時，將物種離子植入到接納為低于所述對間 隔特征的襯底材料中；以與所述襯底正交偏離某一角度來進行所述離子植入， 且植入到接納于所述對特征下方的襯底材料中；以及在所述離子植入之后，從所述襯底移除所述圖案化光致抗蝕劑層；所述圖案 化光致抗蝕劑層的所述移除從在所述圖案化光致抗蝕劑層被接納于所述對特 征上方時的橫向分離程度開始降低所述對特征的最外部分的橫向分離程度。
21. —種離子植入方法，其包含形成從襯底向外突出的 一 對間隔且相鄰的特征；確定第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)，其將在所述特征上方形成其中具有接納于 所述特征中間的開口的圖案化光致抗蝕劑層后導(dǎo)致所述對特征的最外部分的 第一橫向分離；使用第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)在所述特征上方形成所述圖案化光致抗蝕 劑層，所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)導(dǎo)致所述特征的最外部分的第二橫向分 離，其大于所述第一橫向分離；在所述圖案化光致抗蝕劑層位于所述特征上方的同時，將物種離子植入到接 納為低于所述對間隔特征的襯底材料中；以及在所述離子植入之后，從所述襯底移除所述圖案化光致抗蝕劑層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含所述 圖案化光致抗蝕劑層的厚度，其大于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的厚 度。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含預(yù)曝 光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間中的至少一者，其小于所述第一組光致抗蝕劑處 理參數(shù)中的預(yù)曝光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含預(yù)曝 光烘焙溫度，其小于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的預(yù)曝光烘焙溫度。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含預(yù)曝 光烘焙時間，其小于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的預(yù)曝光烘焙時間。
26. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含預(yù)曝 光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間，其小于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的預(yù) 曝光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間。
27. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含后曝 光烘焙溫度和后曝光烘焙時間中的至少一者，其大于所述第一組光致抗蝕劑處 理參數(shù)中的后曝光烘焙溫度和后曝光烘焙時間。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含后曝 光烘焙溫度，其大于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的后曝光烘焙溫度。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含后曝 光烘焙時間，其大于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的后曝光烘焙時間。
30. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含后曝 光烘焙溫度和后曝光烘焙時間，其大于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的后 曝光烘焙溫度和后曝光烘焙時間。
31. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含預(yù)曝光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間中 的至少一者，其小于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的預(yù)曝光烘焙溫度和預(yù)曝光烘焙時間；且所述第二組光致抗蝕劑處理參數(shù)包含后曝光烘焙溫度和后曝光烘焙時間中 的至少一者，其大于所述第一組光致抗蝕劑處理參數(shù)中的后曝光烘焙溫度和后 曝光烘焙時間。
32. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述圖案化光致抗蝕劑層的移除從在所述 圖案化光致抗蝕劑層被接納于所述對特征上方時的橫向分離程度開始降低所 述對特征的最外部分的橫向分離程度。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述圖案化光致抗蝕劑層的移除將所述特 征的最外部分的橫向分離程度降低到形成所述圖案化光致抗蝕劑層之前的橫 向分離程度。
34. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中以與所述襯底正交偏離一角度來進行所述 離子植入，且植入到接納于所述對特征下方的襯底材料中。
35. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述離子植入角度等于由所述橫向牽拉產(chǎn) 生的所述對間隔特征的最外部分的與正交偏離的角度。
36. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述離子植入角度大于由所述橫向牽拉產(chǎn) 生的所述對間隔特征的最外部分的與正交偏離的角度。
37. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述離子植入角度小于由所述橫向牽拉產(chǎn) 生的所述對間隔特征的最外部分的與正交偏離的角度。
38. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述特征具有相同的大小和形狀。
39. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述特征在大小和形狀的至少一者方面有 所不同。
40.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述特征包含場效應(yīng)晶體管柵極堆疊，所 述堆疊包含柵極介電層、導(dǎo)電層和絕緣帽。
41. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述對特征具有至少為3.0的縱橫比，且 在其之間具有縱橫比為至少3.0的間隔。
42. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述對特征具有至少為4.0的縱橫比，且 在其之間具有縱橫比為至少4.0的間隔。
43. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述圖案化光致抗蝕劑層包含有機光致抗蝕劑。
44. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對 特征的每一者的不到全部上方。
45. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對 特征的每一者的約50%上方。
46. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對 特征的每一者的少于50%上方。
47. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中將所述圖案化光致抗蝕劑層接納于所述對 特征的每一者的多于50%上方。
48. —種離子植入方法，其包括形成從襯底向外突出的第一、第二和第三特征；所述第二特征被接納于所述 第一和第三特征中間；向內(nèi)朝向所述第二特征橫向牽拉所述第一和第三特征的至少最外部分，其中 在所述第一、第二和第三特征上方接納有圖案化光致抗蝕劑層；在所述第二特 征上方全部接納所述圖案化光致抗蝕劑層，且所述圖案化光致抗蝕劑層橋接在 所述第一與第三特征之間；所述圖案化光致抗蝕劑層橫向暴露所述第一和第三 特征的外側(cè)壁；在橫向牽拉所述第一和第三特征的同時，將物種離子植入到在所述第一和第 三特征橫向外部且鄰近所述第一特征和第三特征的襯底材料中，且所述襯底材 料被接納為低于所述第一和第三特征；以及在所述離子植入之后，從所述襯底移除所述圖案化光致抗蝕劑層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種離子植入方法，其包括形成從襯底向外突出的一對間隔且相鄰的特征。將所述對間隔特征的至少最外部分彼此橫向拉離，其中在所述特征上方接納有圖案化光致抗蝕劑層，且所述圖案化光致抗蝕劑層中具有接納于所述對間隔特征中間的開口。在此類間隔特征被橫向牽拉的同時，將物種離子植入到被接納為低于所述對間隔特征的襯底材料中。在所述離子植入之后，從所述襯底移除所述圖案化光致抗蝕劑層。預(yù)期有其它方面和實施方案。
文檔編號H01L21/266GK101208777SQ200680022735
公開日2008年6月25日 申請日期2006年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月28日
發(fā)明者蘭德爾·卡爾佛, 弗雷德·D·菲什伯恩, 特倫斯·B·麥克丹尼爾, 王虹美, 理查德·H·萊恩, 詹姆斯·L·戴爾 申請人:美光科技公司