技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種正弦量子阱耦合增強(qiáng)型GaN基發(fā)光二極管。該發(fā)光二極管包括：襯底、緩沖層、n型GaN、多量子阱MQWs和p型GaN。其中多量子阱MQWs由具有In組份周期正弦波形狀變化的InxGa1?xN/GaN組成，通過調(diào)節(jié)量子阱層中的In組份周期性變化，使得：形成周期性的富In組份聚集區(qū)，降低載流子非輻射復(fù)合效率；相鄰量子阱間的載流子形成強(qiáng)烈耦合，有利于載流子的集體振蕩，提升輻射復(fù)合效率；調(diào)節(jié)能帶結(jié)構(gòu)，減低極化效應(yīng)，提升量子阱中電子和空穴的波函數(shù)交疊，最終實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度和量子效率大幅度提升。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇龍興;方曉生
受保護(hù)的技術(shù)使用者：復(fù)旦大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.14
技術(shù)公布日：2017.11.03