本發(fā)明涉及晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及制造方法，具體是指一種晶硅電池片的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著行業(yè)水平的不斷進(jìn)步，客戶對(duì)產(chǎn)品抗pid質(zhì)量要求也越來(lái)越高。從最初的pecvd高折射率抗pid法，到n2o預(yù)處理抗pid法，再到目前主流的刻蝕后o3氧化抗pid法(即刻蝕后硅片表面覆蓋一層o3氧化層)。目前o3氧化抗pid法，可以大幅提高行業(yè)抗pid可靠性，但也引入燒結(jié)后發(fā)白新問(wèn)題，同時(shí)因?yàn)檫@種外觀差異無(wú)法在pecvd鍍膜后辨識(shí)，給制造企業(yè)排查和解決過(guò)程帶來(lái)很大困擾。

相比常規(guī)色斑，燒結(jié)后發(fā)白無(wú)法在pecvd進(jìn)行外觀辨別，這給制造企業(yè)排查帶來(lái)很大困擾。同時(shí)，由于此問(wèn)題僅能在印刷后的成品電池才能被發(fā)現(xiàn)，故一般只能作降級(jí)處理，給企業(yè)帶來(lái)經(jīng)濟(jì)損失。

因此，需要一種晶硅電池片的制造方法用于解決晶硅電池片在燒結(jié)后的發(fā)白現(xiàn)象且提高抗pid性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供了一種能夠解決晶硅電池?zé)Y(jié)后外觀發(fā)白同時(shí)增強(qiáng)抗pid性能的晶硅電池片的制造方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的晶硅電池片的制造方法包括管式pecvd鍍膜步驟，所述的管式pecvd鍍膜步驟包括在管式pecvd中進(jìn)行n2o處理和至少兩次的氮化硅層鍍膜，在第一次氮化硅層鍍膜之后進(jìn)行所述的n2o處理，所述的晶硅電池片在燒結(jié)后無(wú)發(fā)白現(xiàn)象且具有抗pid性能。

較佳地，所述的n2o處理為吹掃氮化硅層以形成n2o氧化層。

較佳地，所述的n2o處理中的工藝參數(shù)包括：功率5000～6500w，壓力1600～2500mtorr，流量3000～6000sccm，占空比2～5/10～50，時(shí)間30～90s。

較佳地，所述的第一次氮化硅層鍍膜時(shí)的工藝參數(shù)包括：厚度10～25nm，折射率2.2～2.25，工藝壓力1600～2000mtorr。

較佳地，所述的n2o處理之后進(jìn)行第二次氮化硅層鍍膜。

較佳地，所述的n2o處理之后進(jìn)行第二次氮化硅層鍍膜和第三次氮化硅層鍍膜。

較佳地，所述的第二次氮化硅層鍍膜之后進(jìn)行n2o處理和第三次氮化硅層鍍膜。

較佳地，所述的第二次氮化硅層鍍膜時(shí)的工藝參數(shù)包括：厚度50～65nm，折射率2.05～2.15，工藝壓力1600～2000mtorr。

較佳地，所述的管式pecvd鍍膜步驟之前包括在刻蝕步驟之后的o3氧化處理步驟。

較佳地，所述的管式pecvd鍍膜步驟之后包括絲網(wǎng)印刷步驟。

采用了該發(fā)明中的晶硅電池片的制造方法，有效解決了o3氧化抗pid產(chǎn)生的燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題，創(chuàng)造性地發(fā)現(xiàn)該問(wèn)題與o3氧化層及sinx膜致密性匹配有關(guān)。本發(fā)明提供了一種可靠解決燒結(jié)后發(fā)白現(xiàn)象的晶硅電池片的制造方法，在保持膜厚折射率不變的情況下，將原來(lái)的單層sinx膜變更為雙層或多層sinx膜(內(nèi)層高折射率sin1，外層低折射率sin2)，同時(shí)在sin1之后加入n2o對(duì)表面進(jìn)行氧化吹掃清潔，不僅可以解決燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題，同時(shí)由于n2o本身也具有氧化能力，也帶來(lái)抗pid功能提升的附加效益。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明晶硅電池片的制造方法的具體實(shí)施例。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中具有燒結(jié)后發(fā)白異常外觀的晶硅電池片。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地描述本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合具體實(shí)施例來(lái)進(jìn)行進(jìn)一步的描述。

本發(fā)明的晶硅電池片的制造方法包括管式pecvd鍍膜步驟，所述的管式pecvd鍍膜步驟包括在管式pecvd中進(jìn)行n2o處理和至少兩次的氮化硅層鍍膜，在第一次氮化硅層鍍膜之后進(jìn)行所述的n2o處理，所述的晶硅電池片在燒結(jié)后無(wú)發(fā)白現(xiàn)象且具有抗pid性能。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的n2o處理為吹掃氮化硅層以形成n2o氧化層。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的n2o處理中的工藝參數(shù)包括：功率5000～6500w，壓力1600～2500mtorr，流量3000～6000sccm，占空比2～5/10～50，時(shí)間30～90s。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的第一次氮化硅層鍍膜時(shí)的工藝參數(shù)包括：厚度10～25nm，折射率2.2～2.25，工藝壓力1600～2000mtorr。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的n2o處理之后進(jìn)行第二次氮化硅層鍍膜。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的n2o處理之后進(jìn)行第二次氮化硅層鍍膜和第三次氮化硅層鍍膜。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的第二次氮化硅層鍍膜之后進(jìn)行n2o處理和第三次氮化硅層鍍膜。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的第二次氮化硅層鍍膜時(shí)的工藝參數(shù)包括：厚度50～65nm，折射率2.05～2.15，工藝壓力1600～2000mtorr。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的管式pecvd鍍膜步驟之前包括在刻蝕步驟之后的o3氧化處理步驟。

在本發(fā)明提供的一種具體實(shí)施方式中，所述的管式pecvd鍍膜步驟之后包括絲網(wǎng)印刷步驟。

對(duì)于解決o3氧化抗pid產(chǎn)生的燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題，申請(qǐng)人經(jīng)過(guò)試驗(yàn)摸索和排查創(chuàng)造性地發(fā)現(xiàn)，主要與o3氧化層及sinx膜致密性匹配有關(guān)，通常o3氧化層或sinx致密性越高出現(xiàn)燒結(jié)后發(fā)白概率越大。源頭上，因?yàn)橐ＷC產(chǎn)品抗pid性能，o3氧化層成膜速率或厚度可調(diào)性空間較小，只能從pecvd工序作為突破口。申請(qǐng)人通過(guò)近半年的系統(tǒng)性排查及大量實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，得出一種最佳可靠性方法。即：保持膜厚折射率不變的情況下，將原來(lái)的單層sinx膜變更為雙層sinx膜(內(nèi)層高折射率sin1，外層低折射率sin2)，同時(shí)在sin1和sin2之間加入n2o對(duì)表面進(jìn)行氧化吹掃清潔。通過(guò)驗(yàn)證，此方法不僅可以解決燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題，同時(shí)由于n2o本身也具有氧化能力，也帶來(lái)抗pid功能提升的附加效益。

常規(guī)工藝與本發(fā)明提供的工藝流程對(duì)比：

常規(guī)o3氧化抗pid工藝流程(易產(chǎn)生燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題)：制絨→清洗→擴(kuò)散→刻蝕→o3氧化→管式pecvd鍍膜(單層sinx)→絲網(wǎng)印刷→分檢；

本發(fā)明提供的o3氧化抗pid工藝流程(解決燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題)：制絨→清洗→擴(kuò)散→刻蝕→o3氧化→管式pecvd鍍膜(sin1+n2o處理+sin2或sin1+sin2+n2o+sin3處理或sin1+n2o處理+sin2+sin3)→絲網(wǎng)印刷→分檢。

本發(fā)明提供的o3氧化抗pid工藝流程中，sin1：厚度10～25nm，高折射率2.2～2.25，工藝壓力1600～2000mtorr，其他參數(shù)不變；sin2：厚度50～65nm，低折射率2.05～2.15，工藝壓力1600～2000mtorr，其他參數(shù)不變；n2o處理：功率5000～6500w，壓力1600～2500mtorr，流量3000～6000sccm，占空比2-5/10-50，時(shí)間30～90s。優(yōu)選地，sin1：厚度18nm，高折射率2.23，工藝壓力1800mtorr，其他參數(shù)不變；sin2：厚度57nm，低折射率2.08，工藝壓力1800mtorr，其他參數(shù)不變；n2o預(yù)處理：功率6500w，壓力2200mtorr，流量4500sccm，占空比5/30，時(shí)間45s。

n2o處理本質(zhì)是在sinx低膜厚情況下，提前通過(guò)高頻電源輝光放電使n2o分子形成離子態(tài)并獲得充足的能量，這些高能量電子會(huì)對(duì)硅片表面進(jìn)行撞擊起到一定清潔作用去除雜質(zhì)，同時(shí)碰撞過(guò)程中會(huì)使氣體分子活化形成另一種n2o氧化層。鍍膜過(guò)程中，工藝壓力1600～2000mtorr主要目的是通過(guò)降低爐內(nèi)真空度，進(jìn)一步從成膜致密性帶來(lái)更佳的匹配性，完美的解決燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題。選擇兩個(gè)sinx膜層間加入n2o主要是兼顧pid和燒結(jié)后發(fā)白兩個(gè)問(wèn)題，sinx未形成前加入n2o會(huì)破壞o3氧化層，從而pid失效；sinx完全形成后加入n2o不能完全達(dá)到消除燒結(jié)后發(fā)白目的，從而治標(biāo)不治本。另外，膜層間加入n2o預(yù)處理形成的n2o氧化層，與前期o3氧化層產(chǎn)生抗pid疊加效應(yīng)，進(jìn)一步增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性。

采用了該發(fā)明中的晶硅電池片的制造方法，有效解決了o3氧化抗pid產(chǎn)生的燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題，創(chuàng)造性地發(fā)現(xiàn)該問(wèn)題與o3氧化層及sinx膜致密性匹配有關(guān)。本發(fā)明提供了一種可靠解決燒結(jié)后發(fā)白現(xiàn)象的晶硅電池片的制造方法，在保持膜厚折射率不變的情況下，將原來(lái)的單層sinx膜變更為雙層或多層sinx膜(內(nèi)層高折射率sin1，外層低折射率sin2)，同時(shí)在sin1之后加入n2o對(duì)表面進(jìn)行氧化吹掃清潔，不僅可以解決燒結(jié)后發(fā)白問(wèn)題，同時(shí)由于n2o本身也具有氧化能力，也帶來(lái)抗pid功能提升的附加效益。

在此說(shuō)明書(shū)中，本發(fā)明已參照其特定的實(shí)施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此，說(shuō)明書(shū)和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的而非限制性的。