技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及一種晶硅電池片的制造方法，其中，所述的制造方法包括管式PECVD鍍膜步驟，所述的管式PECVD鍍膜步驟包括在管式PECVD中進行N2O處理和至少兩次的氮化硅層鍍膜，在第一次氮化硅層鍍膜之后進行所述的N2O處理，所述的晶硅電池片在燒結后無發(fā)白現(xiàn)象且具有抗PID性能。采用了該發(fā)明中的晶硅電池片的制造方法，在保持膜厚折射率不變的情況下，將原來的單層SiNx膜變更為雙層或多層SiNx膜(內層高折射率SiN1，外層低折射率SiN2)，同時在SiN1之后加入N2O對表面進行氧化吹掃清潔，不僅可以解決燒結后發(fā)白問題，同時由于N2O本身也具有氧化能力，也帶來抗PID功能提升的附加效益。

技術研發(fā)人員：王斌;何悅;周東;王在發(fā);任勇
受保護的技術使用者：尚德太陽能電力有限公司
技術研發(fā)日：2017.06.28
技術公布日：2017.11.03