技術(shù)編號：12865077
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及制造方法，具體是指一種晶硅電池片的制造方法。背景技術(shù)隨著行業(yè)水平的不斷進(jìn)步，客戶對產(chǎn)品抗PID質(zhì)量要求也越來越高。從最初的PECVD高折射率抗PID法，到N2O預(yù)處理抗PID法，再到目前主流的刻蝕后O3氧化抗PID法(即刻蝕后硅片表面覆蓋一層O3氧化層)。目前O3氧化抗PID法，可以大幅提高行業(yè)抗PID可靠性，但也引入燒結(jié)后發(fā)白新問題，同時因為這種外觀差異無法在PECVD鍍膜后辨識，給制造企業(yè)排查和解決過程帶來很大困擾。相比常規(guī)色斑，燒結(jié)后發(fā)白無法在P...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。