技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管的制備方法、陣列基板和液晶顯示面板。該薄膜晶體管的制備方法包括在一基板上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層，在該金屬氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極；通過金屬刻蝕溶液對金屬氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)進行刻蝕，以使所述源區(qū)和漏區(qū)處的金屬氧化物半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體；再對對清除掉金屬刻蝕溶液。本發(fā)明利用金屬刻蝕溶液將金屬氧化物半導(dǎo)體上中的一種金屬元素刻蝕掉，保留其他的金屬元素，使得金屬氧化物半導(dǎo)體形成金屬氧化物導(dǎo)體，能夠提高轉(zhuǎn)換后金屬氧化物導(dǎo)體的穩(wěn)定性，提高薄膜晶體管性能。

技術(shù)研發(fā)人員：姜春生;武岳
受保護的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.08
技術(shù)公布日：2017.09.26