本發(fā)明涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種薄膜晶體管的制備方法、陣列基板和液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

在高分辨高框架的現(xiàn)實裝置中，每一個子像素的薄膜晶體管需要有足夠快的速度去轉(zhuǎn)換子像素，因此需要低寄生電容及高遷移率的薄膜晶體管。氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管由于其較高的遷移率而引起了廣泛重視。但到目前為止，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管主要采用了常規(guī)的屬于底柵的esl和bce結(jié)構(gòu)。然而，由于上述常規(guī)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管具有相對較大的寄生電容及不易小尺寸化的缺點，越來越不能適用于大尺寸以及高分辨的顯示器中。因此，頂柵型薄膜晶體管在大尺寸及高分辨的顯示裝置中的應(yīng)用顯得尤為重要。

頂柵薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖1所示。在玻璃基板11表面設(shè)置有阻擋層12，在阻擋層12表面設(shè)置有氧化物半導(dǎo)體層13，在氧化物半導(dǎo)體層13上方設(shè)置有柵極絕緣層14及柵極15，在阻擋層12、氧化物半導(dǎo)體層13及柵極15表面覆蓋有層間介質(zhì)16，源漏極17,18設(shè)置在所述柵極15兩側(cè)并與氧化物半導(dǎo)體層13電連接。頂柵型薄膜晶體管的制程中，為了減小源漏極17,18(source/drain)與氧化物半導(dǎo)體層13的溝道區(qū)(channel)的接觸阻抗，源漏極17,18與柵極15之間的氧化物半導(dǎo)體層13需要進(jìn)行導(dǎo)體化處理，即使源漏極17,18與柵極15之間的氧化物半導(dǎo)體層13形成導(dǎo)體。

在導(dǎo)體化的技術(shù)中，一般運用h2，nh3，cf4，sf6，he，ar，n2等氣體對氧化物半導(dǎo)體層的表面進(jìn)行處理。然而采用第三方氣體進(jìn)行處理往往會引入雜質(zhì)氣體，比如h，f等離子，這些離子在后續(xù)的制程會擴散至氧化物半導(dǎo)體層，影響薄膜晶體管的特性；另一方面，若采用惰性氣體，又往往達(dá)不到預(yù)想的導(dǎo)體化效果，源漏極(source/drain)與氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)(channel)的接觸阻抗仍然較高，會導(dǎo)致薄膜晶體管開態(tài)電流較低等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制備方法、陣列基板和液晶顯示面板，該制備方法提高轉(zhuǎn)換后金屬氧化物導(dǎo)體的穩(wěn)定性。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的一個技術(shù)方案是：提供一種薄膜晶體管的制備方法，該制備方法包括：

在一基板上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；

在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極；

通過金屬刻蝕溶液對所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)進(jìn)行刻蝕，以使所述源區(qū)和漏區(qū)處的金屬氧化物半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體；

對所述金屬刻蝕溶液進(jìn)行清除，并繼續(xù)在所述基板上依次沉積層間絕緣層、源極、漏極、鈍化層和像素電極。

其中，所述金屬刻蝕溶液的ph值范圍為[3.8,4.5]。

其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層為銦鎵鋅氧化物igzo半導(dǎo)體層，所述金屬刻蝕溶液為銅刻蝕溶液；

所述通過金屬刻蝕溶液對所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)進(jìn)行刻蝕，包括：

通過所述銅刻蝕溶液對所述igzo半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)的鎵元素進(jìn)行刻蝕，保留銦元素和鋅元素。

其中，所述對所述金屬刻蝕溶液進(jìn)行清除，包括：

對所述基板、金屬氧化物半導(dǎo)體層、柵極絕緣層和柵極進(jìn)行酸洗，以清除所述金屬刻蝕溶液。

其中，在所述在一基板上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層之前，包括：

在一基板上形成屏蔽金屬；

所述在一基板上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層，包括：

在所述屏蔽金屬和所述基板未形成所述屏蔽金屬的區(qū)域上沉積阻擋絕緣層；

在所述阻擋絕緣層上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層。

其中，所述在所述基板上依次沉積層間絕緣層、源極、漏極、鈍化層和像素電極，包括：

在所述導(dǎo)體化的金屬氧化物半導(dǎo)體層、柵極和阻擋絕緣層上沉積層間絕緣層；

利用第一道光罩對所述層間絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以形成第一接觸孔圖案，所述第一接觸孔圖案對應(yīng)于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的漏區(qū)和源區(qū)；

在所述層間絕緣層上沉積第一導(dǎo)電層，并利用第二道光罩對所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，以形成漏極和源極，所述漏極和源極分別對應(yīng)于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的漏區(qū)和源區(qū)；

在所述層間絕緣層和第一導(dǎo)電層上沉積鈍化層，利用第三道光罩對所述鈍化層進(jìn)行圖案化處理，以形成第二接觸孔圖案，所述第二接觸孔圖案對應(yīng)于所述漏極；

在所述鈍化層上沉積第二導(dǎo)電層，利用第四道光罩對所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理以形成所述像素電極。

本發(fā)明另一實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括基板，以及若干個設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管；

其中，所述薄膜晶體管包括：

設(shè)置在所述基板上的阻擋絕緣層；

設(shè)置在所述阻擋絕緣層上的金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；

設(shè)置在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上的柵極絕緣層和柵極；

設(shè)置在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層、柵極絕緣層和柵極上的層間絕緣層、源極、漏極、鈍化層和像素電極；所述源極與所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)連接，所述漏極與所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的漏區(qū)接觸，所述像素電極與所述漏極接觸；

其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)是經(jīng)過金屬刻蝕溶液刻蝕的。

其中，所述基板與所述阻擋絕緣層之間還設(shè)置有屏蔽金屬。

本發(fā)明另一實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括板，以及若干個設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管；其中，所述薄膜晶體管是有上述薄膜晶體管的制備方法中任一項方法制作形成的。

本發(fā)明另一實施例提供一種液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及夾置在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶，其中，所述陣列基板為上述兩個實施例中的兩種陣列基板中的任一種。

有益效果：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例的薄膜晶體管的制備方法利用金屬刻蝕溶液對金屬氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行處理，將金屬氧化物半導(dǎo)體中容易被金屬刻蝕溶液刻蝕掉的金屬元素清除，保留其他金屬元素，即能夠?qū)⒔饘傺趸锇雽?dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體，且由于清除掉的是金屬元素，使得金屬氧化物半導(dǎo)體兩側(cè)的氧化硅中的氧元素不會擴展僅轉(zhuǎn)變的導(dǎo)體中，進(jìn)而提升了轉(zhuǎn)換后金屬氧化物導(dǎo)體的穩(wěn)定性，提高薄膜晶體管性能。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明陣列基板的制備方法一實施例的流程示意圖；

圖3是圖2中步驟s101一實施方式的流程示意圖；

圖4a-圖4b是圖1中步驟s101至步驟s103各步驟中薄膜晶體管的截面示意圖；

圖5是圖2中步驟s104一實施方式的流程示意圖；

圖6a-圖6d是圖5中各個步驟中薄膜晶體管的截面示意圖；

圖7是圖2中步驟s101另一實施方式的流程示意圖；

圖8是根據(jù)圖7所示的流程制備得到的薄膜晶體管的截面示意圖；

圖9是本發(fā)明陣列基板一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施例

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，說明書及說明書附圖中，相同結(jié)構(gòu)采用相同標(biāo)號，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參閱圖2，圖2是本發(fā)明陣列基板的制備方法一實施例的流程示意圖。如圖2所示，本實施例的制備方法包括如下步驟：

s101、在一基板20上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層22。

具體的，基板20可以是pen(polyethylenenaphthalene，聚萘二甲酸乙二醇酯)、pet(polyethyleneterephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯)或pi(polyimide，聚酰亞胺)或玻璃制成的。

通過濺鍍、化學(xué)氣相沉積等方式在基板20上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層22，在對該金屬氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行圖案化處理，形成圖案化的金屬氧化物半導(dǎo)體層22。其中，將金屬氧化物半導(dǎo)體層22劃分為源區(qū)221、漏區(qū)222和溝道區(qū)223，源區(qū)221和漏區(qū)222分別位于溝道區(qū)223的兩側(cè)。

進(jìn)一步，如圖3所示，該步驟具體可包括：

s1011、在一基板20上形成阻擋絕緣層21。

在基板20上先通過化學(xué)氣相沉積等方式沉積一阻擋絕緣層21，以使金屬氧化物半導(dǎo)體層22與基板20之間相互隔離，避免基板20對金屬氧化物半導(dǎo)體的性能造成影響。

s1012、在阻擋絕緣層21上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層22。

通過濺鍍、化學(xué)氣相沉積等方式在阻擋絕緣層21上沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層22，并采用一道光罩對該金屬氧化物半導(dǎo)體層22進(jìn)行圖案化處理，形成圖案化的金屬氧化物半導(dǎo)體層22，其中，金屬氧化物半導(dǎo)體層22可以是銦鎵鋅氧化物igzo半導(dǎo)體層，也可以是其他金屬氧化物半導(dǎo)體材料層，值得注意的是，金屬氧化物半導(dǎo)體層22的半導(dǎo)體材料需要滿足低載流子濃度和高遷移率。本實施例中，將金屬氧化物半導(dǎo)體層22劃分為源區(qū)221、漏區(qū)222和溝道區(qū)223，源區(qū)221和漏區(qū)222分別位于溝道區(qū)223的兩側(cè)，請參閱圖4a。

本實施例中，對金屬氧化物半導(dǎo)體層22進(jìn)行圖案化處理可以采用顯影、濕刻、干刻等方式，本實施例不做具體限制。

s102、在金屬氧化物半導(dǎo)體層22的溝道區(qū)223上形成柵極絕緣層23，并在柵極絕緣層23上形成柵極24。

通過化學(xué)氣相沉積等方式在基板20上沉積柵極絕緣層23，柵極絕緣層23在金屬氧化物半導(dǎo)體層22上以及未設(shè)有金屬氧化物半導(dǎo)體的基板20上。進(jìn)一步通過濺鍍等方式在柵極絕緣層23上形成一柵極金屬層，該柵極金屬層的材料包括但不限于金、銀、銅或鐵等材料。

通過一道光罩對柵極絕緣層23和柵極金屬層進(jìn)行圖案化處理，使圖案化的柵極絕緣層23和柵極金屬層位于金屬氧化物半導(dǎo)體的溝道區(qū)223上，請參閱圖4b，即在柵極絕緣層23上形成了柵極24。

在其他實施例中，可以先對柵極絕緣層23圖案化處理，使圖案化的柵極絕緣層23位于金屬氧化物半導(dǎo)體層22的溝道區(qū)223上，再在基板20上沉積柵極金屬層，對柵極金屬層進(jìn)行刻蝕，保留覆蓋在柵極絕緣層23上的柵極金屬層，以形成柵極24。

s103、通過金屬刻蝕溶液對金屬氧化物半導(dǎo)體層22的源區(qū)221和漏區(qū)222進(jìn)行刻蝕。

利用金屬刻蝕溶液對步驟s102制備得到的陣列基板的半成品進(jìn)行處理，其中，金屬刻蝕溶液是能夠?qū)饘傺趸锇雽?dǎo)體層22中部分金屬元素進(jìn)行刻蝕，對另一部分金屬元素不會刻蝕的酸溶液。金屬刻蝕溶液接觸金屬氧化物半導(dǎo)體層22暴露出的漏區(qū)222和源區(qū)221的部分，對金屬氧化物半導(dǎo)體層22的漏區(qū)222和源區(qū)221處的能被金屬刻蝕溶液清除的金屬元素進(jìn)行清除，保留不能被金屬刻蝕溶液清除的其他金屬元素，進(jìn)而使得漏區(qū)222和源區(qū)221的金屬氧化物半導(dǎo)體層22轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體，此時從薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)與圖4b相同，區(qū)別在于金屬氧化物半導(dǎo)體層22的漏區(qū)222和源區(qū)221處為金屬氧化物導(dǎo)體。

金屬刻蝕溶液的ph值根據(jù)實際需求進(jìn)行調(diào)整，本實施例中，對金屬刻蝕溶液滴定氨水，將金屬刻蝕溶液的ph值調(diào)整在3.8至4.5之間。

本實施例中，金屬刻蝕溶液的選擇可以根據(jù)金屬氧化物半導(dǎo)體的性質(zhì)進(jìn)行選擇，本實施例中，金屬氧化物半導(dǎo)體為igzo半導(dǎo)體層，則對應(yīng)的金屬刻蝕溶液可以為銅刻蝕溶液；當(dāng)利用銅刻蝕溶液處理陣列基板20時，igzo半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)處的鎵元素被銅刻蝕溶液清除，保留銦元素和鋅元素，進(jìn)而使得igzo半導(dǎo)體的源區(qū)和漏區(qū)2處轉(zhuǎn)變?yōu)殂熢睾弯\元素的氧化物導(dǎo)體。

s104、對金屬刻蝕溶液進(jìn)行清除，并繼續(xù)在基板20上依次沉積層間絕緣層25、源極261、漏極262、鈍化層27和像素電極28。

對經(jīng)過金屬刻蝕溶液處理后的陣列基板進(jìn)行處理，將陣列基板20上的金屬刻蝕溶液清除，再在陣列基板上依次沉積層間絕緣層25、源極261、漏極262、鈍化層27和像素電極28，以形成完整的薄膜晶體管。

進(jìn)一步參閱圖5，該步驟可具體包括：

s1041、對金屬刻蝕溶液進(jìn)行清除。

對經(jīng)過金屬刻蝕溶液處理后的陣列基板進(jìn)行酸洗，進(jìn)而清除金屬刻蝕溶液。為了避免陣列基板上有金屬刻蝕溶液殘留，在對陣列基板進(jìn)行酸洗時，可以持續(xù)一段時間，即持續(xù)對陣列基板進(jìn)行酸洗，直至將金屬刻蝕溶液完全清除。本實施例中，對金屬刻蝕溶液的清除持續(xù)時間可以為10秒至20秒；此外，本實施例對金屬刻蝕溶液進(jìn)行酸洗采用的材料不做具體限定。

s1042、在導(dǎo)體化的金屬氧化物半導(dǎo)體層22、柵極24和阻擋絕緣層21上沉積層間絕緣層25。

利用化學(xué)氣相沉積等方式在基板20上沉積層間絕緣層25，層間絕緣層25覆蓋在柵極24、被金屬刻蝕溶液處理過的金屬氧化物半導(dǎo)體層22以及未設(shè)置金屬氧化物半導(dǎo)體層22的阻擋絕緣層21上?？蛇x的，層間絕緣層25遠(yuǎn)離基板20的上表面可選為一平整面。

s1043、利用第一道光罩對層間絕緣層25進(jìn)行圖案化處理，以形成第一接觸孔圖案。

利用一道光罩對層間絕緣層25圖案化處理，即在層間絕緣層25上設(shè)置用于第一接觸孔，第一接觸孔用于使后續(xù)步驟中制備得到的源極261和漏極262能夠與經(jīng)過金屬刻蝕溶液處理過的金屬氧化物半導(dǎo)體接觸，因此第一接觸孔的位置對應(yīng)與金屬氧化物半導(dǎo)體層22的漏區(qū)222和源區(qū)221的位置，第一接觸孔將金屬氧化物半導(dǎo)體層22的漏區(qū)222和源區(qū)221部分暴露，請參閱圖6a。

本實施例中，對層間絕緣層25進(jìn)行圖案化處理可以采用顯影、濕刻、干刻等方式，本實施例不做具體限制。

s1044、在層間絕緣層25上沉積第一導(dǎo)電層，并利用第二道光罩對第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，以形成漏極262和源極261。

通過濺鍍等方式在基板20上形成第一導(dǎo)電層，并利用一道光罩對第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，以使第一導(dǎo)電層形成漏極262和源極261，第一導(dǎo)電層的材料包含但不限于金、銀、銅或鐵等材料。其中，漏極262對應(yīng)于金屬氧化物半導(dǎo)體層22的漏區(qū)222，通過步驟s1043中形成的第一接觸孔與漏區(qū)222處的部分金屬氧化物半導(dǎo)體層接觸，源極261對應(yīng)于金屬氧化物半導(dǎo)體層22的源區(qū)221，通過步驟s1043中形成的第一接觸孔與源區(qū)221處的部分金屬氧化物半導(dǎo)體層接觸，請參閱圖6b。

本實施例中，對第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理可以采用顯影、濕刻、干刻等方式，本實施例不做具體限制。

s1045、在層間絕緣層25和第一導(dǎo)電層上沉積鈍化層27，利用第三道光罩對鈍化層27進(jìn)行圖案化處理，以形成第二接觸孔圖案，第二接觸孔圖案對應(yīng)于漏極262。

通過化學(xué)氣相沉積等方式在基板20上沉積鈍化層27，此時鈍化層27覆蓋在暴露出的層間絕緣層25上，以及步驟s1044中形成的漏極262和源極261上。進(jìn)一步，通過一道光罩對鈍化層27進(jìn)行圖案化處理，以在鈍化層27上形成第二接觸孔，第二接觸孔用于使后續(xù)步驟中制備的像素電極28與漏極262連接，因此第二接觸孔的位置對應(yīng)與步驟s1044中形成的漏極262的位置，得到的薄膜晶體管200的結(jié)構(gòu)請參閱圖6c。

本實施例中，對鈍化層27進(jìn)行圖案化處理可以采用顯影、濕刻、干刻等方式，本實施例不做具體限制。

s1046、在鈍化層27上沉積第二導(dǎo)電層，利用第四道光罩對第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理以形成像素電極28。

通過濺鍍或化學(xué)氣相沉積等方式，在鈍化層27上沉積第二導(dǎo)電層，并利用一道光罩對該第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，保留第二導(dǎo)電層中與像素單元對應(yīng)的部分，以形成像素電極28。第二導(dǎo)電層通過步驟s1045中制備的第二接觸孔與漏極262連接，請參閱圖6d。本實施例中，第二導(dǎo)電層為ito導(dǎo)電層，對應(yīng)的像素電極28即為ito像素電極28。

本實施例中，對第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理可以采用顯影、濕刻、干刻等方式，本實施例不做具體限制。

本實施例中，利用金屬刻蝕溶液對金屬氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行處理，將金屬氧化物半導(dǎo)體中容易被金屬刻蝕溶液刻蝕掉的金屬元素清除，保留其他金屬元素，即能夠?qū)⒔饘傺趸锇雽?dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體，且由于清除掉的是金屬元素，使得金屬氧化物半導(dǎo)體兩側(cè)的氧化硅中的氧元素不會擴展僅轉(zhuǎn)變的導(dǎo)體中，進(jìn)而提升了轉(zhuǎn)換后金屬氧化物導(dǎo)體的穩(wěn)定性，提高薄膜晶體管性能。

進(jìn)一步的，如圖7所示，在步驟s101的步驟s1011之前還可以包括如下步驟：

s1013、在基板20上形成屏蔽金屬29。

在基板20上先通過濺射等方式層級一金屬層，再對該金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成屏蔽金屬29。再執(zhí)行步驟s1011、步驟s1012以及后續(xù)的步驟s102、步驟s103和步驟s104，此時的薄膜晶體管300的結(jié)構(gòu)如圖8所示。

進(jìn)一步的，本發(fā)明還公開一陣列基板實施例，本實施例的陣列基板包括基板以及若干個設(shè)置在基板上的薄膜晶體管。

本實施例的陣列基板上的薄膜晶體管包括設(shè)置在基板上的阻擋絕緣層；設(shè)置在阻擋絕緣層上的金屬氧化物半導(dǎo)體層，金屬氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；設(shè)置在金屬氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上的柵極絕緣層和柵極；設(shè)置在金屬氧化物半導(dǎo)體層、柵極絕緣層和柵極上的層間絕緣層、源極、漏極、鈍化層和像素電極；源極與金屬氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)連接，漏極與金屬氧化物半導(dǎo)體層的漏區(qū)接觸，像素電極與漏極接觸。其中，金屬氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)是經(jīng)過金屬刻蝕溶液刻蝕的。

此外，本實施例的陣列基板上的薄膜晶體管也可以是由圖2至圖7所示的薄膜晶體管的制備方法實施例制備得到的，具體的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖6d或圖8所示，具體請參考上述方法實施例中的記載，此處不再贅述。

進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一液晶顯示面板實施例，如圖9所示，該液晶顯示面板400包括陣列基板41、彩膜基板42以及設(shè)置在陣列基板41和彩膜基板42之間的液晶層43，本實施例中的陣列基板41上設(shè)置有若干個薄膜晶體管，該薄膜晶體管是由圖3至圖7所示的制備方法實施例制備得到的，具體的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖6d或圖8所示，具體請參考上述方法實施例中的記載，此處不再贅述。

以上僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。