本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術(shù)：

柔性薄膜晶體管因其體積薄、重量輕、功耗低、柔性可彎折和耐沖擊性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在各種大、中、小尺寸的產(chǎn)品上得到廣泛應(yīng)用，幾乎涵蓋了當(dāng)今信息社會(huì)的主要電子產(chǎn)品，如：手機(jī)、車載顯示、電子書等，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。

然而，現(xiàn)有的制作柔性薄膜晶體管一般在柔性基底上直接形成薄膜晶體管，而柔性基底一般為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚砜樹脂(pes)、聚酰亞胺(pi)等材料，薄膜晶體管一般通過透明導(dǎo)電薄膜沉積而成；由于透明導(dǎo)電薄膜與柔性基底的粘合性較差，當(dāng)進(jìn)行彎曲時(shí)容易造成柔性基底與透明導(dǎo)電薄膜分離，進(jìn)而造成各種顯示不良。另外，柔性基底的阻水汽性能較差，外界的空氣和水蒸氣很容易透過柔性基底滲透到器件中，直接影響到器件的性能，使器件的性能惡化。

故，有必要提供一種柔性薄膜晶體管及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種柔性薄膜晶體管及其制造方法，可以使得薄膜晶體管不易與柔性基底分離，進(jìn)而提高器件的顯示水平；并且可以有效提高器件的阻水汽性能。

本發(fā)明提供一種柔性薄膜晶體管，其包括：

柔性基底；

設(shè)置在所述柔性基底上的無(wú)機(jī)絕緣層；以及

設(shè)置在所述無(wú)機(jī)絕緣層上的薄膜晶體管；其中，

所述無(wú)機(jī)絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管中，所述無(wú)機(jī)絕緣層的厚度介于3000埃-8000埃之間。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管中，所述無(wú)機(jī)絕緣層的材料為氧化物、氮化物或氮氧化合物。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管中，所述粗糙結(jié)構(gòu)離散分布在所述無(wú)機(jī)絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管中，可通過對(duì)所述無(wú)機(jī)絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面進(jìn)行等離子體刻蝕，形成所述粗糙結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管中，所述粗糙結(jié)構(gòu)呈凹凸不平狀并與所述薄膜晶體管接觸。

依據(jù)本發(fā)明的上述目的，還提供一種柔性薄膜晶體管的制備方法，其包括：

柔性基底；

在所述柔性基底上形成無(wú)機(jī)絕緣層；

對(duì)所述無(wú)機(jī)絕緣層的表面進(jìn)行粗糙化處理，以形成粗糙結(jié)構(gòu)；以及，

在所述無(wú)機(jī)絕緣層上形成薄膜晶體管。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管的制備方法中，所述粗糙結(jié)構(gòu)離散分布在所述無(wú)機(jī)絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管的制備方法中，可通過對(duì)所述無(wú)機(jī)絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面進(jìn)行等離子體刻蝕，形成所述粗糙結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的柔性薄膜晶體管的制備方法中，所述粗糙結(jié)構(gòu)呈凹凸不平狀并與所述薄膜晶體管接觸。

本發(fā)明的柔性薄膜晶體管及其制備方法，通過在柔性基底上設(shè)置無(wú)機(jī)絕緣層，且該無(wú)機(jī)絕緣層朝向薄膜晶體管一側(cè)的表面設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)，從而使得薄膜晶體管不易與柔性基底分離，進(jìn)而提高器件的顯示水平；并且可以有效提高器件的阻水汽性能。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的柔性薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的柔性薄膜晶體管的制造方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的柔性薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該柔性薄膜晶體管包括：柔性基底101；無(wú)機(jī)絕緣層102，其設(shè)置在柔性基底101上面；以及薄膜晶體管103，其設(shè)置在無(wú)機(jī)絕緣層102上面；其中，該無(wú)機(jī)絕緣層102朝向薄膜晶體管103一側(cè)的表面設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)104。本發(fā)明通過在柔性基底101與薄膜晶體管103之間設(shè)置一層無(wú)機(jī)絕緣層102，并在該無(wú)機(jī)絕緣層102朝向薄膜晶體管103一側(cè)的表面設(shè)置粗糙結(jié)構(gòu)104，從而使得薄膜晶體管103不易與該無(wú)機(jī)絕緣層102分離，進(jìn)而提高器件的顯示水平。

需要說(shuō)明的是，本優(yōu)選實(shí)施例提供的柔性薄膜晶體管中的薄膜晶體管103包括依次設(shè)置在無(wú)機(jī)絕緣層102上面的柵極1031、柵極絕緣層1032、導(dǎo)電溝道1033以及源/漏電極1034。其中，形成該柵極1031的步驟一般為：在該無(wú)機(jī)絕緣層102上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜；隨后，通過圖形化工藝形成柵極1031。在進(jìn)行該圖形化工藝的過程中，位于透明導(dǎo)電薄膜下面的無(wú)機(jī)絕緣層102還起到保護(hù)柔性基底101的作用，避免因工藝誤差的存在，使得柔性基底101遭到損壞。另外，由于無(wú)機(jī)絕緣層102的存在，使得外界的水汽不易透過柔性基底101進(jìn)入器件中，進(jìn)一步提高器件的性能。

下面對(duì)本優(yōu)選實(shí)施例中的無(wú)機(jī)絕緣層102做進(jìn)一步的介紹。

該無(wú)機(jī)絕緣層102的厚度介于3000埃-8000埃之間。需要指出的是，本優(yōu)選實(shí)施例中無(wú)機(jī)絕緣層102的厚度可根據(jù)實(shí)際情況設(shè)置，但是在設(shè)置該無(wú)機(jī)絕緣層102的厚度時(shí)應(yīng)考慮到：在柔性基底101上形成無(wú)機(jī)絕緣層102后，還需要通過工藝處理，使得無(wú)機(jī)絕緣層102表面形成粗糙結(jié)構(gòu)104。也就是說(shuō)，無(wú)機(jī)絕緣層102的厚度的設(shè)置應(yīng)保證在進(jìn)行工藝處理形成粗糙結(jié)構(gòu)104時(shí)，不損壞柔性基底101。

該無(wú)機(jī)絕緣層102的材料為氧化物、氮化物或者氮氧化合物。該無(wú)機(jī)絕緣層102與柔性基底101有較好的粘合性，不會(huì)因器件彎曲而造成分離。本優(yōu)選實(shí)施例中的柔性基底101一般為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚砜樹脂(pes)、纖維增強(qiáng)復(fù)合塑料(frp)等材料，而這些材料均與無(wú)機(jī)絕緣層102具有較好的粘合性，可以使得沉積在柔性基底101上的無(wú)機(jī)絕緣層102不易與柔性基底101分離。

下面對(duì)本優(yōu)選實(shí)施例中的無(wú)機(jī)絕緣層102上的粗糙結(jié)構(gòu)104進(jìn)行詳細(xì)介紹。

為了進(jìn)一步提高效率，本優(yōu)選實(shí)施例中無(wú)機(jī)絕緣層102上的粗糙結(jié)構(gòu)104離散的分布在無(wú)機(jī)絕緣層102朝向薄膜晶體管103一側(cè)的表面。具體地，本優(yōu)選實(shí)施例在柔性基底101形成無(wú)機(jī)絕緣層102后，通過對(duì)該無(wú)機(jī)絕緣層102朝向薄膜晶體管103一側(cè)的表面進(jìn)行等離子體刻蝕，從而形成該粗糙結(jié)構(gòu)104。需要指出的是，該粗糙結(jié)構(gòu)104離散的分布在無(wú)機(jī)絕緣層102朝向薄膜晶體管103一側(cè)的表面，同樣可以使得薄膜晶體管103不易與該無(wú)機(jī)絕緣層102分離。

特別地，該粗糙結(jié)構(gòu)104呈凹凸不平狀并與薄膜晶體管103接觸。

本優(yōu)選實(shí)施例的柔性薄膜晶體管，通過在柔性基底上設(shè)置無(wú)機(jī)絕緣層，且該無(wú)機(jī)絕緣層朝向薄膜晶體管一側(cè)的表面設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)，從而使得薄膜晶體管不易與柔性基底分離，進(jìn)而提高器件的顯示水平；并且可以有效提高器件的阻水汽性能。

參閱圖2，圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的柔性薄膜晶體管的制造方法的流程示意圖。如圖2所示，本發(fā)明還提供一種柔性薄膜晶體管的制造方法，包括以下步驟：

步驟s201，提供一柔性基底；

步驟s202，在柔性基底上形成無(wú)機(jī)絕緣層；

步驟s203，對(duì)無(wú)機(jī)絕緣層的表面進(jìn)行粗糙化處理，以形成粗糙結(jié)構(gòu)；以及，

步驟s204，在無(wú)機(jī)絕緣層上形成薄膜晶體管。

在步驟s201中，該柔性基底一般為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚砜樹脂(pes)、纖維增強(qiáng)復(fù)合塑料(frp)等材料，而這些材料均與無(wú)機(jī)絕緣層具有較好的粘合性，可以使得沉積在柔性基底上的無(wú)機(jī)絕緣層不易與柔性基底分離。

在步驟s202中，該無(wú)機(jī)絕緣層的厚度介于3000埃-8000埃之間。需要指出的是，本優(yōu)選實(shí)施例中無(wú)機(jī)絕緣層的厚度可根據(jù)實(shí)際情況設(shè)置，但是在設(shè)置該無(wú)機(jī)絕緣層的厚度時(shí)應(yīng)考慮到：在柔性基底上形成無(wú)機(jī)絕緣層后，還需要通過工藝處理，使得無(wú)機(jī)絕緣層表面形成粗糙結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，無(wú)機(jī)絕緣層的厚度的設(shè)置應(yīng)保證在進(jìn)行工藝處理形成粗糙結(jié)構(gòu)時(shí)，不損壞柔性基底。

另外，該無(wú)機(jī)絕緣層的材料為氧化物、氮化物或者氮氧化合物。該無(wú)機(jī)絕緣層與柔性基底有較好的粘合性，不會(huì)因器件彎曲而造成分離。

在步驟s203中，通過對(duì)該無(wú)機(jī)絕緣層朝向薄膜晶體管一側(cè)的表面進(jìn)行等離子體刻蝕，從而形成該粗糙結(jié)構(gòu)。需要指出的是，為了進(jìn)一步提高效率，該粗糙結(jié)構(gòu)離散的分布在無(wú)機(jī)絕緣層朝向薄膜晶體管一側(cè)的表面，同樣可以使得薄膜晶體管不易與該無(wú)機(jī)絕緣層分離。特別地，該粗糙結(jié)構(gòu)呈凹凸不平狀并與薄膜晶體管接觸。

在步驟s204中，在無(wú)機(jī)絕緣層上形成薄膜晶體管。具體地，在無(wú)機(jī)絕緣層上依次形成柵極、柵極絕緣層、導(dǎo)電溝道以及源/漏電極。

其中，形成該柵極的步驟一般為：在該無(wú)機(jī)絕緣層上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜；隨后，通過圖形化工藝形成柵極。在進(jìn)行該圖形化工藝的過程中，位于透明導(dǎo)電薄膜下面的無(wú)機(jī)絕緣層還起到保護(hù)柔性基底的作用，避免因工藝誤差的存在，使得柔性基底遭到損壞。另外，由于無(wú)機(jī)絕緣層的存在，使得外界的水汽不易透過柔性基底進(jìn)入器件中，進(jìn)一步提高器件的性能。

本發(fā)明的柔性薄膜晶體管及其制備方法，通過在柔性基底上設(shè)置無(wú)機(jī)絕緣層，且該無(wú)機(jī)絕緣層朝向薄膜晶體管一側(cè)的表面設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)，從而使得薄膜晶體管不易與柔性基底分離，進(jìn)而提高器件的顯示水平；并且可以有效提高器件的阻水汽性能。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。