本發(fā)明涉及半導體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種低觸發(fā)電壓高維持電壓的新型esd保護結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法。

背景技術(shù)：

在靜電(esd，electro-staticdischarge)保護設(shè)計領(lǐng)域，硅控整流器(scr，siliconcontrolledrectifier)因具有esd泄流能力強，寄生電容小的特性而廣受重視，但是該類器件存在的兩個嚴重缺陷限制了其應(yīng)用：第一個缺陷是回滯效應(yīng)的觸發(fā)電壓很高，因為其觸發(fā)電壓主要受n阱對p阱之間較高的反向擊穿電壓決定；第二個缺陷是回滯效應(yīng)的維持電壓很低，很容易導致閂鎖效應(yīng)。

針對觸發(fā)電壓較高這個缺陷，產(chǎn)業(yè)界提出了各種方案來降低回滯效應(yīng)的觸發(fā)電壓，如圖1和圖2所示的硅控整流器型esd保護結(jié)構(gòu)。

圖1所示的硅控整流器型esd保護結(jié)構(gòu)是在n阱和p阱之間插入一個橫跨n阱和p阱的n型重摻雜，從而達到降低n阱對p阱的反向擊穿電壓的目的，從而降低回滯效應(yīng)的觸發(fā)電壓。具體來說，圖1所示的硅控整流器(scr)型包括多個淺溝道隔離層(sti，shallowtrenchisolation)10、高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度p型摻雜(p+)22、高濃度n型摻雜(n+)24、高濃度n型摻雜(n+)26、高濃度p型摻雜(p+)28、n阱(n-well)50、p阱(p-well)60、基體(psub)70。

整個esd保護結(jié)構(gòu)置于基體(psub)70上，在基體(psub)70左邊生成一個n阱(n-well)50，在基體(psub)70右邊生成一個p阱(p-well)60，高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度p型摻雜(p+)22置于n阱(n-well)50上部，高濃度p型摻雜(p+)22、n阱(n-well)50以及基體(psub)70構(gòu)成等效pnp三極管結(jié)構(gòu)，高濃度n型摻雜(n+)20與n阱(n-well)50形成擴散電阻等效連接至該pnp三極管基極，高濃度p型摻雜(p+)22與n阱(n-well)50構(gòu)成該pnp三極管的發(fā)射極pn結(jié)，基體(psub)70與n阱(n-well)50構(gòu)成該pnp三極管之集電極pn結(jié)，高濃度n型摻雜(n+)26、高濃度p型摻雜(p+)28置于p阱(p-well)60上部，n阱(n-well)50、基體(psub)70/p阱(p-well)60與高濃度n型摻雜(n+)26構(gòu)成等效npn三極管結(jié)構(gòu)，n阱(n-well)50與基體(psub)70構(gòu)成該npn三極管之集電極pn結(jié)，基體(psub)70/p阱(p-well)60與高濃度n型摻雜(n+)26構(gòu)成等效npn三極管的發(fā)射極pn結(jié)，高濃度p型摻雜(p+)26、p阱(p-well)60、基體(psub)70構(gòu)成擴散電阻連接至該等效npn三極管的基極，高濃度n型摻雜(n+)24置于n阱(n-well)50與p阱(p-well)60分界處上方，高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度p型摻雜(p+)22、高濃度n型摻雜(n+)24、高濃度n型摻雜(n+)26、高濃度p型摻雜(p+)28間用淺溝道隔離層(sti，shallowtrenchisolation)10隔離；用金屬連接高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度p型摻雜(p+)24構(gòu)成該esd保護結(jié)構(gòu)的陽極a，高濃度n型摻雜(n+)26、高濃度p型摻雜(p+)28相連后連接至硅控整流器(scr)esd保護結(jié)構(gòu)的陰極k。

圖2所示的硅控整流器型esd保護結(jié)構(gòu)是在圖1所示的硅控整流器型esd保護結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，將右側(cè)的高濃度n型摻雜(n+)26、高濃度p型摻雜(p+)28向右移動，在新空出來的p阱(p-well)60的上方增加一n型柵極30，并連接至硅控整流器(scr)之陰極k，與p阱60組成n型柵控二極管，通過引入n型gateddiode(柵控二極管)，從而進一步降低n阱對p阱的反向擊穿電壓，但是即使如此，圖2所示的硅控整流器的觸發(fā)電壓還是比較高的，而且該觸發(fā)電壓也是受限于既有的工藝參數(shù)，調(diào)整自由度不大。

針對維持電壓比較低的這個缺陷，產(chǎn)業(yè)界一般通過增加硅控整流器n阱中的p結(jié)到p阱中的n結(jié)的距離(c+d)來實現(xiàn)，如圖1所示，或者通過外接二極管來實現(xiàn)，如圖3所示。

圖3所示現(xiàn)有技術(shù)的esd保護結(jié)構(gòu)包括氧化層(ox)10、高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26、p型esd植入層(esdimp)40、n阱(n-well)60、n阱(n-well)70、p型基體(psub)80、電阻r。

整個esd保護結(jié)構(gòu)置于p型基體(psub)80上，在p型基體(psub)80中生成兩個n阱(n-well)60/70，兩個n阱(n-well)60/70間仍由p型基體(psub)80隔離(兩個n阱(n-well)60/70不能重疊)，高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22置于左邊n阱(n-well)60上部，高濃度n型摻雜(n+)20、左邊n阱(n-well)60，p型esd植入層(esdimp)40與高濃度n型摻雜(n+)22構(gòu)成npn結(jié)構(gòu)，高濃度n型摻雜(n+)22為集電極，高濃度n型摻雜(n+)20為發(fā)射極，高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26置于右邊n阱(n-well)70上部，高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)，高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26間用氧化層(ox)10隔離，esd植入層(esdimp)40置于集電極n結(jié)(高濃度n型摻雜(n+)22)下方；用金屬連接高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24至電阻r之一端，電阻r之另一端連接至高濃度n型摻雜(n+)26即esd保護結(jié)構(gòu)陰極k，高濃度n型摻雜(n+)20為esd保護結(jié)構(gòu)的陽極a。

其中，n阱(n-well)60用于將左邊位于n阱(n-well)60內(nèi)的npn結(jié)構(gòu)與右邊位于n阱(n-well)70內(nèi)的二極管結(jié)構(gòu)隔離。

但是上述外接并聯(lián)電阻的正向?qū)ǘO管的方法的缺點是每增加一級正向?qū)ǘO管僅能將維持電壓增大0.6伏至0.8伏左右，另外這種方法需要大大增加了硅控整流器的整體面積。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明之目的在于提供一種新型esd保護結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法，其可增加esd保護結(jié)構(gòu)回滯效應(yīng)的維持電壓。

為達上述及其它目的，本發(fā)明提出一種新型esd保護結(jié)構(gòu)，該新型esd保護結(jié)構(gòu)包括：

半導體襯底；

生成于所述半導體襯底中的第一n阱和第二n阱；

設(shè)置于所述第一n阱中的硅控整流器以及設(shè)置于所述第二n阱中的二極管結(jié)構(gòu)，高濃度p型摻雜(28)、高濃度n型摻雜(20)、高濃度n型摻雜(22)設(shè)置于所述第一n阱上部，esd植入層(40)設(shè)置于所述高濃度n型摻雜(22)下方，該高濃度n型摻雜(20)浮接，其與該高濃度p型摻雜(28)間隔距離s，該高濃度n型摻雜(20)、高濃度n型摻雜(22)之間隔離設(shè)置，所述高濃度p型摻雜(28)、第一n阱、esd植入層(40)、高濃度n型摻雜(22)構(gòu)成該硅控整流器。

進一步地，高濃度p型摻雜(24)、高濃度n型摻雜(26)隔離設(shè)置于第二n阱上部，構(gòu)成所述二極管結(jié)構(gòu)，該高濃度n型摻雜(22)與高濃度p型摻雜(24)隔離設(shè)置。

進一步地，所述高濃度p型摻雜(28)為該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陽極a。

進一步地，所述間隔距離s的范圍為0.2um～20um

進一步地，所述高濃度n型摻雜(20)、高濃度n型摻雜(22)、高濃度p型摻雜(24)、高濃度n型摻雜(26)間用氧化層(10)隔離。

進一步地，該高濃度p型摻雜(28)的左側(cè)、高濃度n型摻雜(26)的右側(cè)放置氧化層(10)用于隔離其他器件。

進一步地，所有隔離用的氧化層(10)的深度均超過摻雜區(qū)的深度。

為達到上述目的，本發(fā)明還提供一種新型esd保護結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法，包括如下步驟：

步驟一，提供一半導體襯底；

步驟二，于該半導體襯底中生成第一n阱與第二n阱；

步驟三，在所述第一n阱中形成硅控整流器，在所述第二n阱中形成二極管結(jié)構(gòu)，將高濃度p型摻雜(28)、高濃度n型摻雜(20)、高濃度n型摻雜(22)設(shè)置于所述第一n阱上部，esd植入層(40)設(shè)置于所述高濃度n型摻雜(22)下方，該高濃度n型摻雜(20)浮接，其與該高濃度p型摻雜(28)間隔距離s，該高濃度n型摻雜(20)、高濃度n型摻雜(22)之間隔離設(shè)置，所述高濃度p型摻雜(28)、第一n阱、esd植入層(40)、高濃度n型摻雜(22)構(gòu)成該硅控整流器。

進一步地，于步驟三中，將高濃度p型摻雜(24)、高濃度n型摻雜(26)隔離設(shè)置于第二n阱上部，構(gòu)成所述二極管結(jié)構(gòu)，該高濃度n型摻雜(22)與高濃度p型摻雜(24)隔離設(shè)置。

進一步地，于步驟三后，還包括：

將該高濃度p型摻雜(28)作為該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陽極，利用金屬連接該高濃度n型摻雜(22)、高濃度p型摻雜(24)至一電阻的一端，所述電阻的另一端連接至所述高濃度n型摻雜(26)作為該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陰極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法，其通過在現(xiàn)有如圖3所示的esd保護結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在現(xiàn)有esd保護結(jié)構(gòu)的三極管的第一n阱60的最左側(cè)加入高濃度p型摻雜(p+)28，將該高濃度p型摻雜(p+)28作為該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陽極，以實現(xiàn)調(diào)整p型的esdimp(esd植入層(esdimp)40)離子注入的劑量即可降低回滯效應(yīng)的觸發(fā)電壓的目的，并且本發(fā)明通過將三極管的高濃度n型摻雜(n+)20浮接，并去掉高濃度p型摻雜(p+)28與相鄰浮接的高濃度n型摻雜20之間的sti，此時浮接的高濃度n型摻雜(n+)20實質(zhì)起著保護環(huán)(guardring)的作用，可以降低高濃度p型摻雜(p+)28向n阱射入少數(shù)載流子(空穴)到達n阱(60)與p型esd植入層(40)界面的效率，從而降低寄生的pnp三級的電流增益，從而實現(xiàn)增加該新型esd保護結(jié)構(gòu)回滯效應(yīng)的維持電壓的目的，并可實現(xiàn)通過調(diào)節(jié)浮接的高濃度n型摻雜(n+)20的n+結(jié)的大小，深度以及高濃度n型摻雜(20)與高濃度p型摻雜(28)之間的距離s來調(diào)節(jié)維持電壓的目的。并且在較佳情況下，本發(fā)明所提及的新型esd保護結(jié)構(gòu)中的硅控整流器p+/n-well/pesd/n+(即28/60/40/22)器件的維持電壓可以達到某理想值，實現(xiàn)即使將外界的并聯(lián)正向?qū)ǘO管(即24/26)去除也能滿足esd保護電路的設(shè)計需求，從而大大節(jié)省集成電路設(shè)計的版圖面積。

附圖說明

圖1為一現(xiàn)有技術(shù)的esd保護結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為另一現(xiàn)有技術(shù)的esd保護結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為又一現(xiàn)有技術(shù)的esd保護結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4為本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)之較佳實施例的電路結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法的步驟流程圖；

圖6為本發(fā)明的應(yīng)用場景示意圖。

具體實施方式

以下通過特定的具體實例并結(jié)合附圖說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點與功效。本發(fā)明亦可通過其它不同的具體實例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)亦可基于不同觀點與應(yīng)用，在不背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。

圖4為本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)之較佳實施例的電路結(jié)構(gòu)圖。如圖4所示，本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)，包括氧化層(ox)10、高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26、高濃度p型摻雜(p+)28、p型esd植入層(esdimp)40、第一n阱(n-well)60、第二n阱(n-well)70、p型襯底(p-sub)80、電阻r。

整個esd保護結(jié)構(gòu)置于p型襯底(p-sub)80上，在p型襯底(p-sub)80中生成兩個n型阱n阱：第一n阱(n-well)60和第二n阱(n-well)70，兩個n阱(n-well)60/70間仍由p型襯底(p-sub)80隔離(兩個n阱(n-well)60/70不能重疊)，高濃度p型摻雜(p+)28、高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22置于左邊第一n阱(n-well)60上部，p型esd植入層(esdimp)40置于高濃度n型摻雜(n+)22下方，高濃度n型摻雜(n+)20浮接，其與高濃度p型摻雜(p+)28間隔距離s，較佳地，該間隔距離s的范圍為0.2um～20um，高濃度p型摻雜(p+)28與高濃度n型摻雜(n+)20之間無隔離層，高濃度p型摻雜(p+)28、第一n阱60、esd植入層(esdimp)40、高濃度n型摻雜(n+)22構(gòu)成硅控整流器，高濃度p型摻雜(p+)28為該esd保護結(jié)構(gòu)的陽極a，本發(fā)明將高濃度p型摻雜(p+)28與相鄰浮接的高濃度n型摻雜(n+)20之間的sti去掉，此時浮接的高濃度n型摻雜(n+)20實質(zhì)起著保護環(huán)(guardring)的作用，可以降低高濃度p型摻雜(p+)28向n阱射入少數(shù)載流子(空穴)到達n阱(60)與p型esd植入層(40)界面的效率，因此可以降低寄生的pnp三級的電流增益，從而實現(xiàn)提高維持電壓的目的，并可以通過調(diào)節(jié)浮接的高濃度n型摻雜(n+)20的大小、深度以及與高濃度p型摻雜(p+)28之間的距離s來調(diào)節(jié)維持電壓，高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26置于右邊第二n阱(n-well)70上部，高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)，高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26間用氧化層(ox)10隔離，高濃度p型摻雜(p+)28的左側(cè)、高濃度n型摻雜(n+)26的右側(cè)也放置氧化層(ox)10隔離以將esd保護結(jié)構(gòu)與其他器件隔離，所有隔離用的氧化層(ox)10的深度均超過摻雜區(qū)(高濃度p型摻雜(p+)28、高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22+esd植入層(esdimp)40、高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26)的深度；用金屬連接高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24至電阻r之一端，電阻r之另一端連接至高濃度n型摻雜(n+)26即esd保護結(jié)構(gòu)的陰極k。

其中，第一n阱(n-well)60和第一n阱(n-well)70用于將位于第一n阱(n-well)60內(nèi)的pnpn結(jié)構(gòu)與位于第二n阱(n-well)70內(nèi)的二極管結(jié)構(gòu)隔離。

圖5為本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法的步驟流程圖。如圖5所示，本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法，包括如下步驟：

步驟501，提供一半導體襯底，在本發(fā)明具體實施例中，提供一p型襯底(p-sub)80。

步驟502，于該半導體襯底中生成兩個n阱，即第一n阱(n-well)60、第二n阱(n-well)70，在本發(fā)明具體實施例中，在p型基體(p-sub)80中生成兩個n阱，兩個n阱60/70間仍由p型基體(p-sub)80隔離(兩個n阱60/70不能重疊)，在本發(fā)明較佳實施例中，第一n阱生成于p型基體左側(cè)，第二n阱生成于p型基體右側(cè)。

步驟503，在第一n阱60中形成硅控整流器，在第二n阱70中形成二極管結(jié)構(gòu)。具體地說，將高濃度p型摻雜(p+)28、高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22置于左邊第一n阱(n-well)60上部，esd植入層(esdimp)40置于高濃度n型摻雜(n+)22下方，高濃度n型摻雜(n+)20浮接，其與高濃度p型摻雜(p+)28間隔距離s，較佳地，該間隔距離s的范圍為0.2um～20um，高濃度p型摻雜(p+)28、第一n阱60、esd植入層(esdimp)40、高濃度n型摻雜(n+)22構(gòu)成硅控整流器結(jié)構(gòu)，本發(fā)明將高濃度p型摻雜(p+)28與相鄰浮接的高濃度n型摻雜(n+)20之間的sti去掉，此時浮接的高濃度n型摻雜(n+)20實質(zhì)起著保護環(huán)(guardring)的作用，可以降低高濃度p型摻雜(p+)28向n阱射入少數(shù)載流子(空穴)到達n阱(60)與p型esd植入層(40)界面的效率，因此可以降低寄生的pnp三極管的電流增益，從而實現(xiàn)提高維持電壓的目的，并可以通過調(diào)節(jié)浮接的高濃度n型摻雜(n+)20的大小、深度以及與高濃度p型摻雜(p+)28之間的距離s來調(diào)節(jié)維持電壓。較佳地，將高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26置于右邊第二n阱(n-well)70上部，高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)，高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26間用氧化層(ox)10隔離，較佳地，高濃度p型摻雜(p+)28的左側(cè)、高濃度n型摻雜(n+)26的右側(cè)也放置氧化層(ox)10隔離以將esd保護結(jié)構(gòu)與其他器件隔離。所有隔離用的氧化層(ox)10的深度均超過摻雜區(qū)(高濃度p型摻雜(p+)28、高濃度n型摻雜(n+)20、高濃度n型摻雜(n+)22+esd植入層(esdimp)40、高濃度p型摻雜(p+)24、高濃度n型摻雜(n+)26)的深度。

步驟504，構(gòu)建該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陽極a與陰極k，即將高濃度p型摻雜(p+)28作為該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陽極a，利用金屬連接該高濃度n型摻雜(n+)22、高濃度p型摻雜(p+)24至一電阻r的一端，電阻r的另一端連接至高濃度n型摻雜(n+)26作為該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陰極k。

可見本發(fā)明是在已有的圖3所示的npn三極管型esd保護結(jié)構(gòu)和圖1所示的硅控整流器型esd保護結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上提出的一種esd保護結(jié)構(gòu)，本發(fā)明之新型esd保護結(jié)構(gòu)由p+/n-well/pesd/n+(即28/60/40/22)結(jié)構(gòu)構(gòu)成，可以通過調(diào)整p型的esdimp(esd植入層(esdimp)40)離子注入的劑量來降低回滯效應(yīng)的觸發(fā)電壓；本發(fā)明將高濃度p型摻雜(p+)28與相鄰浮接的高濃度n型摻雜(n+)20之間的sti去掉，此時浮接的高濃度n型摻雜(n+)20實質(zhì)起著保護環(huán)(guardring)的作用，可以降低高濃度p型摻雜(p+)28向n阱射入少數(shù)載流子(空穴)到達n阱(60)與p型esd植入層界面(40)的效率，所以可以降低寄生的pnp三極管的電流增益，從而實現(xiàn)提高維持電壓的目的，另外本發(fā)明可以通過調(diào)節(jié)浮接的高濃度n型摻雜(n+)20的大小、深度以及與高濃度p型摻雜(p+)28之間的距離s來調(diào)節(jié)維持電壓，并且在較佳情況下，本發(fā)明所提及的新型esd結(jié)構(gòu)中的硅控整流器p+/n-well/pesd/n+(即28/60/40/22)保護結(jié)構(gòu)的維持電壓可以達到理想值，實現(xiàn)即使將外界的并聯(lián)正向?qū)ǘO管去除也能滿足esd保護電路設(shè)計，從而大大節(jié)省電路設(shè)計的版圖面積。

可以將本發(fā)明的新型esd應(yīng)用到esd保護電路中的輸入輸出端的保護電路中和電源對地的保護電路中，來提升芯片整體的esd防護能力，如圖6所示。

綜上所述，本發(fā)明一種新型esd保護結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法，其通過在現(xiàn)有esd基礎(chǔ)上，在現(xiàn)有esd保護結(jié)構(gòu)的三極管的第一n阱60的最左側(cè)加入高濃度p型摻雜(p+)28，將該高濃度p型摻雜(p+)28作為該新型esd保護結(jié)構(gòu)的陽極，以實現(xiàn)調(diào)整p型的esdimp(esd植入層(esdimp)40)離子注入的劑量即可降低回滯效應(yīng)的觸發(fā)電壓的目的，并且本發(fā)明通過將三極管的高濃度n型摻雜(n+)20浮接，插入到高濃度p型摻雜(28)與高濃度n型摻雜22之間，并去掉高濃度p型摻雜(p+)28與相鄰浮接的高濃度n型摻雜(n+)20之間的sti，此時浮接的高濃度n型摻雜(n+)20實質(zhì)起著保護環(huán)(guardring)的作用，可以降低高濃度p型摻雜(p+)28向n阱射入少數(shù)載流子(空穴)到達n阱(60)與p型esd植入層(40)界面的效率，降低寄生的pnp三極管的電流增益，從而實現(xiàn)提高維持電壓的目的，并可實現(xiàn)通過調(diào)節(jié)浮接的高濃度n型摻雜(n+)20的大小，深度以及與高濃度p型摻雜(p+)28之間的距離s來調(diào)節(jié)維持電壓的目的，并且在較佳情況下，本發(fā)明所提及的新型esd結(jié)構(gòu)中的硅控整流器p+/n-well/pesd/n+(即28/60/40/22)保護結(jié)構(gòu)的維持電壓可以達到理想值，實現(xiàn)即使將外界的并聯(lián)正向?qū)ǘO管去除也能滿足esd保護電路設(shè)計，從而大大節(jié)省電路設(shè)計的版圖面積。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。